「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, in the rear face 14b of the translucent member 14, an inner periphery-side region Z1i located at a further inner periphery side than a given curve C1 extended so as to be convex toward the light axis Ax in lamp fitting front view of a first region Z1 located slanted downward of one's own lane is to be a region for slanted cutoff line formation.例文帳に追加

その上で、透光部材１４の後面１４ｂにおいて、自車線側の斜め下方に位置する第１領域Ｚ１の、灯具正面視において光軸Ａｘへ向けて凸となるようにして延びる所定曲線Ｃ１よりも内周側に位置する内周側領域Ｚ１ｉを、斜めカットオフライン形成用の領域とする。 - 特許庁

In addition, a layer that does not contain an impurity element giving the one conductivity-type or a layer of considerably lower concentration of an impurity element that gives the one conductivity-type than others is provided between a pair of semiconductor films functioning as a source region or a drain region and a layer containing an impurity element functioning as the channel formation region.例文帳に追加

また、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物元素を含む一対の半導体膜と、チャネル形成領域として機能する不純物元素を含む層との間に、一導電型を付与する不純物元素を含まない、もしくは他の層に比べて一導電型を付与する不純物元素の濃度が著しく低い層を設ける。 - 特許庁

The liquid ejection apparatus 1 includes: a liquid ejection head 2 with a nozzle formation surface 21A where nozzles are formed; the cap member 12 that tightly contacts with the nozzle formation surface 21A with a space A in a region facing the nozzles; and a cleaning liquid discharge port 12b that is disposed within the space A and ejects a cleaning liquid L to the nozzle formation surface 21A.例文帳に追加

本発明の流体噴射装置１は、ノズルが形成されたノズル形成面２１Ａを有する流体噴射ヘッド２と、ノズルと対向する領域に空間Ａを有した状態でノズル形成面２１Ａと密着するキャップ部材１２と、空間Ａの内部に配置され、ノズル形成面２１Ａに向けて洗浄液Ｌを噴射する洗浄液噴射口１２ｂと、を有することを特徴とする。 - 特許庁

There are provided a trench 3 formed in an element separation region which is so formed as to enclose an element formation region on a semiconductor substrate 1, and insulating films 4 and 5 which, formed with the same width as a trench width on the trench 3, form a void 50 in the trench 3.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域を囲むように形成される素子分離領域に形成されたトレンチ３と、トレンチ３上にトレンチ幅と略同一幅にて形成され、トレンチ３内に空隙５０を形成する絶縁膜４、５とを備えたものである。 - 特許庁

In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask.例文帳に追加

ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

To prevent a heat history of the manufacture process of a memory circuit from affecting a well region of a logic circuit, and to prevent introduction of contaminants to a substrate at the time of ion implantation for well region formation in a semiconductor device for which the memory circuit and the logic circuit are consolidated.例文帳に追加

記憶回路部と論理回路部とを混載する半導体装置において、記憶回路部の製造工程の熱履歴が論理回路部のウエル領域に影響を与えないようにし、また、ウエル領域形成のイオン注入時に基板への汚染物質の導入を防止できるようにする。 - 特許庁

The pattern of the lower wiring layer Ma of the monitor mark formation region and a pattern of wiring trenches TRb (or upper wiring layer Mb) include repetitive patterns, respectively, in a rectangular region R having a breadth of 3 μm-100 μm and extend in the same direction parallel with each other.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと配線溝ＴＲｂ（または上層配線層Ｍｂ）のパターンとは３μｍ〜１００μｍ□の広さを有する矩形領域Ｒ内において、繰り返しパターンを有しており、かつ互いに同じ方向に平行に延びている。 - 特許庁

To provide a substrate for an organic EL element and its manufacturing method capable of patterning a light-emitting layer, or the like, without damaging hole transport properties, or the like, in the case of a layer for formation of a lyophilic region or a liquid-repellent region having such properties.例文帳に追加

本発明は、親液性領域および撥液性領域を形成するための層が正孔輸送性等を有する場合にその正孔輸送性等を損なうことなく、発光層等をパターニングすることが可能な有機ＥＬ素子用基板およびその製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

Removal of a mask in a region to form the semiconductor element and removal of a sacrifice layer and the mask in the region to form the micro structure are carried out in the same process by forming the sacrifice layer by using a mask material to carry out pattern formation of a film in manufacturing the micro machine.例文帳に追加

マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。 - 特許庁

A conductive film 112 as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain electrode 118, a source region 115, a drain region 116 and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１２を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、チャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

To provide an Ag reflector which has optical characteristics that show high reflectance from a visible region to an infrared region, has adhesiveness that can suppress peeling even when being bent, has high resistance, and can simplify a facility for film formation by sputtering, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるＡｇリフレクタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of evaluating wrinkleability includes the application of an oxidizing agent to a prescribed region of the skin of a subject, the subsequent forcible formation of wrinkles by compressing and/or bending the surface of the skin including the region to which the oxidizing agent is applied, and the measurement of the depth of the formed wrinkles.例文帳に追加

被検者の皮膚の所定部位に酸化剤を適用し、次いで前記酸化剤適用部位を含む皮膚表面を圧縮する及び／又は屈曲させることにより強制的にシワを形成させ、形成されたシワの深さを測定することを特徴とする、シワの形成し易さの評価方法。 - 特許庁

In the lens array 110 in which a plurality of lenses 111 are arrayed so as to be adjacent to each other, each of the lenses includes the light shielding film 112 provided in the unnecessary region Cb on the lens surface C, and the light shielding film has light shielding parts 113 which are dispersed in the light shielding film formation region 118 of the light shielding film.例文帳に追加

複数のレンズ１１１が隣り合うように配列されたレンズアレイ１１０において、複数のレンズにはそれぞれ、レンズ表面Ｃにおける不要範囲Ｃｂに遮光膜１１２を有し、遮光膜は、その遮光膜形成範囲１１８内に遮光部１１３が散在している。 - 特許庁

A conductive film 118 formed as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 127, source wiring 125, a drain electrode 126, a source region 123, a drain region 124 and an amorphous semiconductor film 122 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１８を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１２７、ソース配線１２５及びドレイン電極１２６、ソース領域１２３及びドレイン領域１２４、チャネルが形成される非晶質半導体膜１２２を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

To provide a magnetic carrier that can be used to output an image which has sufficient density in the formation of images by a two-component development system, in which few white spots are present in a low-density portion located near the boundary between a high-density region and a low-density region, and in which the low-density portion has good graininess.例文帳に追加

二成分現像方式による画像形成において、十分な画像濃度を得ると共に、高濃度部と低濃度部の境界付近における低濃度部の白抜け、低濃度部における粒状性が良好な画像出力を可能にする磁性キャリアを提供する。 - 特許庁

The method includes: a process (4) to form defects in a semiconductor material (2) during formation of a defect region by mechanical action or by oxygen injection; and then performing heat treatment of the semiconductor material (2) during generation of a material precipitate in the defect region.例文帳に追加

機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料（２）内に欠陥を形成する工程（４）と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料（２）の熱処理を行う工程とを含む。 - 特許庁

The solar cell module 1 includes a mark portion 40 ( formed at a part of a region in a mark portion formation region 40r) formed in a space ranging from a boundary 30b between the solar cell portion 20 and the resin sealing portion 30 to an outer side surface 12s of the second light transmissive substrate 12.例文帳に追加

太陽電池モジュール１は、太陽電池部２０と樹脂封止部３０との境界３０ｂから第２透光性基板１２の外側表面１２ｓまでの間に形成されたマーク部４０（マーク部形成領域４０ｒの範囲内の一部領域に形成される。）を備える。 - 特許庁

The surface part 3 of an n-type semiconductor substrate 2, including an overflow barrier layer 4, is removed at least by the thickness of an impurity contamination region 31 before formation of a high resistance semiconductor region 5, after the removal of an implanted oxide film 30 of the surface part 3 of the n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２の表面部３のインプラ酸化膜３０の除去後、高抵抗半導体領域５の形成前に、オーバーフローバリア層４を含むｎ型半導体基板２の表面部３を不純物汚染領域３１の厚さ以上の厚さ除去する。 - 特許庁

After the formation of the n+ contact regions 8 and 9 and the n- region 10 in the selective growth method, protruded portions 8a, 9a, and 10a produced by the selective growth, respectively, in the n+ contact regions 8 and 9 and the n- region 10, are flattened by chemimechanical polishing (CMP) method.例文帳に追加

選択成長法によるｎ^+コンタクト領域８，９およびｎ^-領域１０の形成後に、選択成長によってｎ^+コンタクト領域８，９およびｎ^-領域１０にそれぞれ生じた凸部８ａ，９ａおよび１０ａを化学機械研磨（ＣＭＰ）法により平坦する。 - 特許庁

Further, a fine droplet of a colored layer solution is delivered onto the reflection layer 37 and the rugged surface 32 of a transmission region Rt, the droplet of the colored layer solution wide spread over the whole of the colored layer formation region 36 is formed and the colored layer 38R of a uniform shape is formed.例文帳に追加

そして、反射層３７及び透過領域Ｒｔの凹凸面３２上に、着色層溶液の微小液滴を吐出し、着色層形成領域３６全体に濡れ広がる着色層溶液の液滴を形成して、均一な形状の着色層３８Ｒを形成するようにした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

To provide a wiring formation method capable of controlling a wiring height in such a manner that short-circuiting between adjacent wiring can be prevented in a high wiring density region of a wiring layer, and desired flatness as well as a desired wiring resistance can be obtained in a low wiring density region.例文帳に追加

配線層で、配線密度の高い領域では隣接する配線間のショートを防ぎ、配線密度の低い領域では所望の平坦度が得られるとともに所望の配線抵抗が得られるように配線高さを制御できる配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; and on the principal surface of the semiconductor substrate, a semiconductor chip electrode pad portion and a TEG electrode pad portion PT at least formed in either one of an element formation region and a dicing line region in a plan view.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の主表面上であって平面視において素子形成領域内およびダイシングライン領域内の少なくともいずれかに形成された半導体チップ用電極パッド部，ＴＥＧ用電極パッド部ＰＴとを備えている。 - 特許庁

After copper atoms composing the copper layer 14 are diffused into the aluminium film 11 by annealing the silicon substrate 10, the other region of the aluminium film 11 except for the wiring formation region is removed and wiring composed of the residual aluminium film 11 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０に対してアニールを行なって、銅層１４を構成する銅原子をアルミニウム膜１１の内部に拡散させた後、アルミニウム膜１１における配線形成領域以外の他の領域を除去して、残存するアルミニウム膜１１からなる配線を形成する。 - 特許庁

Isolation of a source region and a drain region is performed simultaneously with formation of a local interconnect by the gate electrode sidewall conductive film 120 by removing the gate electrode sidewall conductive film 120 appropriately through anisotropic etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119.例文帳に追加

このゲート電極側壁導電膜１２０をゲート電極側壁絶縁膜１１９に対して選択性のある異方性エッチングにより適宜除去することにより、ソース領域とドレイン領域との分離及びゲート電極側壁導電膜１２０による局所配線の形成が同時に行なわれる。 - 特許庁

Further, a guard ring region consisting of a heavily doped region of the same conductivity type as the semiconductor substrate is provided beneath the electrode for preventing formation of an inversion layer, potential of the semiconductor substrate is fixed firmly, and latchup is prevented by capturing the carriers on the occurrence of bipolar operation.例文帳に追加

さらに反転層形成防止電極の下部には、半導体基板と同じ導電型の濃い不純物濃度領域からなるガードリング領域を設置し、半導体基板の電位を強固に固定し、またバイポーラ動作発生時においてキャリアを捕獲してラッチアップを防止できるようにした。 - 特許庁

The source terminals 4a, 4b are connected with the source electrodes 13a, 13b, extending on the surface of the semiconductor chip 2 and disposed evenly, in a region other than gate electrode 14a, 14b formation region on the surface of the semiconductor chip 2 via the bump electrode 16.例文帳に追加

ソース端子４ａ，４ｂは、半導体チップ２の表面上に延在し、半導体チップ２の表面のゲート用電極１４ａ，１４ｂ形成領域以外の領域にまんべんなく配置されたソース用電極１３ａ，１３ｂとバンプ電極１６を介して接続されている。 - 特許庁

The alignment mark has a plating electricity feeding film non-formation region 16 which controls the film thickness of a plating layer to become a mark body 15 by adjusting resistance in plating electricity feeding by partially providing a region which is provided at a periphery of the mark body 15 and where the plating feeding film 13 is not formed.例文帳に追加

アライメントマークは、マーク本体１５の周囲に設けられ前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整して前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域１６とを備えた。 - 特許庁

Before forming a colored layer 38R, a rugged surface 32 is formed on a colored layer formation region 36, a droplet of a reflection layer solution is formed on the rugged surface 32 of a reflection region Rr and a reflection layer 37 having a shape corresponding to a rugged shape of the rugged surface 32 is formed.例文帳に追加

着色層３８Ｒを形成する前に、着色層形成領域３６に凹凸面３２を形成し、反射領域Ｒｒの凹凸面３２上に、反射層溶液の液滴を形成して凹凸面３２の凹凸形状に対応する形状の反射層３７を形成した。 - 特許庁

The local exhaust ventilation system comprises switching means that switches between a raw material supply part for supplying source gas for thin-film formation and a local ventilation part for discharging dust generated within the local ventilation region by etching, one of which communicates with a flow channel leading to the local ventilation region.例文帳に追加

局所排気装置は、局所排気領域に繋がる流路を、薄膜形成用の原料ガスを供給する原料供給部と、エッチングにより局所排気領域内に発生したダストを排出する局所排気部とに切り換えて連通させる切換手段を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the resin material coated with high resistivity metallic thin film includes a thin film formation process for forming the high resistivity metallic thin film containing Al and Mg on the surface of the resin base materia by a pulse laser deposition method using a target divided into a metal Al region and a metal Mg region.例文帳に追加

金属Ａｌ領域と金属Ｍｇ領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。 - 特許庁

To provide a chip inspection device for avoiding performing image recognition uselessly at parts where a chip is not present, i.e., at an end part of a formation region of a chip mounting region as well as at a center part thereof; and to provide a chip inspection method.例文帳に追加

チップ載置領域の形成領域の端の部分はもとより、チップ載置領域の形成領域の中央部においてもチップのない部分について画像認識が無駄に行われることを回避できるようにしたチップ検査装置及びチップ検査方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Continuous oscillation laser light is shaped into a beam having a rectangular and uniform power density distribution, and only a desired region (drive circuit formation region) of a hydrogenated amorphous silicon film is irradiated with the beam with the irradiation time of the continuous oscillation laser light set not smaller than 5 msec while being run at a constant speed.例文帳に追加

水素化非晶質シリコン膜の所望の領域（駆動回路形成領域）のみに、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間が５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながら照射する。 - 特許庁

A drain cell 12 is formed shorter than a source cell 11, and an edge 12a in the drain cell 12 is arranged inside the formation region of an LDMOS 20 as compared with an edge 11a in the source cell 11, so that no opposing drain region exists at the edge 11a of the source cell 11.例文帳に追加

ドレインセル１２はソースセル１１より短く形成され、ドレインセル１２の端部１２ａは、ソースセル１１の端部１１ａよりＬＤＭＯＳ２０の形成領域の内側に配置されているため、ソースセル１１の端部１１ａにおいて、対向するドレイン領域が存在しない。 - 特許庁

The method for manufacturing a SiC semiconductor device comprises: a step for forming a trench 6 before formation of an n^+ type source region 4; a step for executing rounding processing of the trench 6; an ion implanting and an activation annealing steps for forming the n^+ type source region 4 in a state that a resist 21 covers in the trench 6.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４を形成する前にトレンチ６を形成すると共に、トレンチ６の丸め処理を行ったのち、トレンチ６内をレジスト２１で覆った状態でｎ^+型ソース領域４を形成するためのイオン注入工程および活性化アニール工程を行う。 - 特許庁

To improve the manufacturing yield of a reflection-transmission liquid crystal display device provided with a reflective display region and a transmissive display region inside a pixel by reducing the probability of short-circuiting due to abnormal pattern formation of a transparent pixel electrode formed on an array substrate.例文帳に追加

一つの画素内に反射表示領域と透過表示領域とを備えた反射透過型液晶表示装置において、アレイ基板上に形成される透明画素電極のパターン形成異常によるショートの発生確率を減らして製造歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which lowering of impurity concentration in a channel region caused by a sacrificial oxidation process or a gate oxide formation process is suppressed and thereby impurity concentration in the channel region can be controlled easily and a desired Vt can be obtained, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

犠牲酸化工程やゲート酸化形成工程に起因するチャネル領域の不純物濃度の低下を抑制し、それによってチャネル領域の不純物濃度の制御が容易で且つ所望のＶｔを得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an optical semiconductor device 100, in a thin film 50 formed on a wiring member 10 by a transfer formation, parts of the thin film 50 corresponding to a region where the optical semiconductor element 20 is mounted and a region where a bonding wire 18 is connected, are removed.例文帳に追加

光半導体装置１００の製造方法では、トランスファ成形によって配線部材１０上に形成された薄膜５０において、光半導体素子２０が搭載される領域及びボンディングワイヤ１８が接続される領域に該当する部分の薄膜５０を除去する。 - 特許庁

In the formation member 3 for the oxidizer electrode, moisture-passing capability (at least either of a pore size and porosity) between the passage 41 and the oxidizer electrode 15 in the upstream region 91 is set larger than that in the downstream region 93.例文帳に追加

多孔質の酸化剤極用のガス流路形成部材３において、通水路４１と酸化剤極１５との間における湿分通過性（細孔径，気孔率等の少なくとも一方）は、下流側領域９３よりも上流側領域９１で大きく設定されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device having a multi-gap structure capable of preventing display quality from deteriorating, by constituting a level difference formation film of a reflection region so that dust on an alignment film, produced upon rubbing, can be swept out to the outside of an effective display region.例文帳に追加

反射領域の段差形成膜を、ラビング処理の際に発生する配向膜の塵埃を有効表示領域の外側へ掃き出すことが可能な構成とすることにより表示品位の低下を防止することが可能なマルチギャップ構造の液晶装置を提供する。 - 特許庁

The second electrode has a fine line part extending on the second contact layer and a pad part provided at a non-formation region of the second contact layer and electrically connecting with the fine line part.例文帳に追加

前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。 - 特許庁

By the method for breaking the substrate, one pair of mother substrates (201, 202) is divided into each of plural elements (100) arranged in an element formation region (210) in an apparatus (300) for breaking a substrate.例文帳に追加

当該基板ブレイク方法は、基板ブレイク装置（３００）において、一対のマザー基板（２０１、２０２）を、素子形成領域（２１０）に配列された複数の素子（１００）毎に分断する基板ブレイク方法である。 - 特許庁

To provide a method for designing a liquid crystal display device, with which variation of electrical parameters of a pixel due to formation of a division line is reduced even when a region in the pixel on which the division line is formed is small.例文帳に追加

画素内の分割線を形成する領域が小さくても、分割線の形成による画素の電気的パラメータの変動を小さくできる液晶表示装置の設計方法を提供する。 - 特許庁

To satisfactorily conduct a latent image forming operation, in an image formation device for forming a latent image by scanning an optical beam on the effective image region of a latent image carrier using the surface of a vibrating deflection mirror.例文帳に追加

振動する偏向ミラー面を用いて光ビームを潜像担持体の有効画像領域上に走査させて潜像を形成する画像形成装置において、潜像形成動作を良好に行う。 - 特許庁