「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 100 includes a first trench 112, a second trench 113, and a third trench 114 in an element formation region 101 arranged on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板上に設けられた素子形成領域１０１に、第１のトレンチ１１２、第２のトレンチ１１３、第３のトレンチ１１４が設けられている。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed only in the flat region, so that forming the gate electrode 12 into a thick film and making a film thickness after resist coating for gate electrode formation uniform are made compatible.例文帳に追加

ゲート電極１２を平坦な領域のみに形成することで、ゲート電極１２の厚膜化とゲート電極形成用のレジスト塗布後膜厚の均一化を両立可能にしている。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

A mask film 16 having a notch 16a on a region (dicing line) 14 between a plurality of device formation regions is formed by dry etching by using a resist film 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト膜２０をマスクとしてドライエッチングにより複数の装置形成領域の間の領域上（ダイシングライン）１４に切欠き部１６ａを有するマスク用膜１６を形成する。 - 特許庁

An elastic film 4 is formed on the polycrystal silicon film 2 and piezoelectric elements 5 are formed to part of a region corresponding to the pressure chamber formation part of the substrate 1 of the elastic film 4.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２上に弾性膜４が形成され、弾性膜４の、基板１における圧力室形成部分に対応する領域の一部に圧電素子５が形成される。 - 特許庁

The semiconductor substrate 22 is an SOI substrate, and comprises an insulating layer 34 and a silicon layer 36 that is provided on the insulating layer 34 and contains a circuit formation region A1.例文帳に追加

半導体基板２２は、ＳＯＩ基板であり、絶縁層３４と、絶縁層３４上に設けられ、回路形成領域Ａ１を含むシリコン層３６とを有して構成されている。 - 特許庁

Solder balls 14 are provided on the sealing film 11 around the wiring formation inhibition region 7 while connected to top surfaces of columnar electrodes 10 across surface treatment layers 12.例文帳に追加

封止膜１１上において配線形成禁止領域７の周囲には半田ボール１４が表面処理層１２を介して柱状電極１０の上面に接続されて設けられている。 - 特許庁

To stably and electrically connect a wiring layer to an electrode pad by reliably preventing a wiring layer from disappearing from an electrode pad formation region even if thinning the wiring layer.例文帳に追加

配線層を薄くした場合にも電極パッド形成領域で配線層がなくなることを確実に防止できるようにし、配線層と電極パッドとを安定して電気的に接続させる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a gate trench 25 having a shallow depth than a gate trench 21 between the gate trenches 21, 21 used for the formation of the p-floating region 51.例文帳に追加

また，半導体装置１００は，Ｐフローティング領域５１の形成に供するゲートトレンチ２１，２１間に，ゲートトレンチ２１よりも深さが浅いゲートトレンチ２５を設けることとしている。 - 特許庁

Only upon the formation of the dielectric multilayer film 43A, a masking process of applying a shielding material onto the incident light passage region 51 and a process of removing the shielding material are performed.例文帳に追加

誘電体多層膜４３Ａの成膜時にのみ、入射光通過領域５１に遮蔽材料を塗布するマスキング工程とその遮蔽材料を除去する工程を行えばよい。 - 特許庁

An amino acid sequence and a gene sequence in a variable region of the antibody specifically recognizing GM1 ganglioside-bound amyloid β-protein formed in the initial stage of amyloid fiber formation are determined.例文帳に追加

アミロイド繊維形成初期に生ずるGM1ガングリオシド結合型アミロイドβタンパク質を特異的に認識する抗体の可変領域のアミノ酸配列及び遺伝子配列を決定する。 - 特許庁

To attain miniaturization of a common contact hole for commonly taking a source potential and a substrate potential in a semiconductor device including a channel formation region in stripe structure.例文帳に追加

ストライプ構造のチャネル形成領域を有する半導体装置において、ソース電位と基板電位を共通でとるための共通のコンタクトホールの小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁

By a photoengraving method, a photoresist 30 having a pattern in which the end of a gate structure 15 and the formation scheduled region of the photodiode 18 adjacent to the end are opened is formed.例文帳に追加

写真製版法によって、ゲート構造１５の端部上、及び該端部に隣接するフォトダイオード１８の形成予定領域上が開口したパターンを有するフォトレジスト３０を形成する。 - 特許庁

Then a resist layer 6 is formed on the capacitor prime body 15 and then the solid electrolyte layer 9 is formed by chemical oxidation polymerization in a cathode formation region 7b of the capacitor prime body 15.例文帳に追加

続いて、コンデンサ素体１５にレジスト層６を形成した後、コンデンサ素体１５の陰極形成領域７ｂに、化学酸化重合により固体電解質層９を形成する。 - 特許庁

Indium ions, whose implantation energy is about 70 keV and implantation dose amount is about 1×10^13/cm^2, are implanted to a channel formation region of a semiconductor substrate 11 in several times.例文帳に追加

半導体基板１１のチャネル形成領域に、注入エネルギーが約７０ｋｅＶで注入ドーズ量が約１×１０^13／ｃｍ^2 のインジウムイオンを複数回に分けてイオン注入する。 - 特許庁

When the distance between the connection sections 3a, 3b is set to L, the distance between an opening formation region 100 in which the opening 4 is formed and respective connection sections 3a, 3b is preferably not more than L/4.例文帳に追加

接続部３ａ、３ｂ間の距離をＬとすると、開口部４が形成される開口部形成領域１００と、各接続部３ａ、３ｂとの距離はＬ／４以下が好ましい。 - 特許庁

Next, the protective resist film 14 is subjected to electron beam(EB) exposure to make a protective opening in an upper-side part of a top formation region of a gate electrode in the protective resist film 14.例文帳に追加

次に、保護レジスト膜１４に対してＥＢ露光を行なって該保護レジスト膜１４におけるゲート電極の頂部形成領域の上側部分に保護開口部を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon on insulator (SOI) substrate which suppresses the deterioration of element characteristics even though formation regions of contact holes are overlapped with an element isolation region, and to provide a semiconductor device using the SOI substrate.例文帳に追加

コンタクトホールの形成領域が素子分離領域と重複しても、素子特性の劣化を抑制できるＳＯＩ基板とこのＳＯＩ基板を用いた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a rear plate for a PDP, which develops neither the turning-up of a rib nor a broken rib piece, facilitates the formation of a non-rib region and develops no disconnection of electrodes or the like.例文帳に追加

リブの捲れ上がりやリブ破片を生じることがなく、非リブ領域の形成が容易に可能であり、電極等の断線を生じないＰＤＰ用背面板を提供すること。 - 特許庁

An object detecting means is provided which comprises a plurality of pyroelectric sensors 4a and 4b which detect presence of a heat-generating object in a detection region and generate an object detection signal as well as comparators 14a and 14b, with the formation position of each detection region changeable arbitrarily.例文帳に追加

検知領域内に熱発生物体が存在するとき、これを検知して物体検知信号を発生する複数の焦電センサ4a、4b、比較器14a、14bからなる物体検知手段を、それぞれの検知領域の形成位置を任意に変更可能に設けてある。 - 特許庁

In a configuration wherein a trench 4 is formed on a silicon substrate 1 and is filled with a SOG film 6, the SOG film 6 is lowered away to become deeper than a high-concentration impurity region 1b after ions are implanted to form the high-concentration impurity region 1b for formation of the LDD structure.例文帳に追加

シリコン基板１にトレンチ４を形成してＳＯＧ膜６を埋め込む構成で、ＬＤＤ構造形成のための高濃度不純物領域１ｂを形成するためのイオン注入をしてから、ＳＯＧ膜６をそれよりも深くなるように落とし込む。 - 特許庁

A display panel forms projection patterns having the equivalent layer structure to the inside of a display region on a region opposed to the outer edge of an opposite substrate sealing the formation face of a pixel circuit out of the display panels having a panel structure compatible with an active matrix drive system.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動方式に対応したパネル構造を有する表示パネルのうち、画素回路の形成面を封止する対向基板の外縁と対向する領域部分に、表示領域内と同等の層構造を有する突起パターンを形成する。 - 特許庁

In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

The peripheral region of a photoelectric conversion region 400 in which a photoelectric conversion element is formed has common output line formation regions 401a and 401b in which common output lines for transmitting electric signals from the photoelectric conversion element are formed.例文帳に追加

光電変換素子が形成される光電変換領域４００の周辺の領域に、上記光電変換素子からの電気信号を伝送するための共通出力線が形成される共通出力線形成領域４０１ａ、４０１ｂを有する。 - 特許庁

Then the user indicates the movement direction through an operation section 72 and then the control section 70 outputs a control signal representing the indication from a region movement section 70b to an image processing section 75 which moves the formation region in the indicated direction.例文帳に追加

その後、ユーザが操作部７２によって移動方向の指示を行うと、制御部７０は、その指示を表す制御信号を領域移動部７０ｂから画像処理部７５に出力し、画像処理部７５は、指示された方向に形成領域を移動させる。 - 特許庁

For elastic wave device formation its frequency characteristic is adjusted according to an area T of a region where the thickness is made thicker than other section by the adjustment medium 5 in an excitation region occupied by the electrode fingers and a space between the electrode fingers on the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

この弾性波デバイスは、電極指および電極指間のスペースが圧電基板２上で占める励起領域において、調整媒質５により他の部分より厚みが大きくなる領域の面積Ｔにより、周波数特性が調整されて形成される。 - 特許庁

That is to say, the area of a region covered with a first electrode 13 which is an anode, an organic light-emitting layer 16, and a second electrode 17 which is a cathode is around one-fifth or less of the area of the formation region of the black resin layer 12 excluding the above area.例文帳に追加

即ち、陽極である第１の電極１３、有機発光層１６、及び陰極である第２の電極１７が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積に対して、約５分の１以下である。 - 特許庁

At the semiconductor surface of the p-type GaN layer 3 exposed by the formation of the wall surface 7, a region 10 which has conduction characteristics different from those of the p-type GaN layer 3 is formed, and a gate insulating film 8 is formed so that it is in contact with the region 10.例文帳に追加

この壁面７の形成によって露出したｐ型ＧａＮ層３の半導体表面部には、ｐ型ＧａＮ層３とは異なる伝導特性を有する領域１０が形成され、領域１０に接するようにゲート絶縁膜８が形成されている。 - 特許庁

Thereby, even when the dust produced upon rubbing fall into a recessed transmission region, where there is no level difference formation film accompanying the movement of a cloth for the rubbing, the dust will be swept out in the end to the frame edge region through the respective grooves.例文帳に追加

これにより、ラビング処理の際に発生した塵埃が、ラビング処理用の布の移動に伴って、段差形成膜の存在しない窪んだ透過領域に落ち込んだ場合でも、その塵埃は、上記の各溝を通じて、最終的に額縁領域へと掃き出される。 - 特許庁

To provide an image processor, an image distribution device, an image formation apparatus, an image processing method, a program and a recording medium for properly binarizing a chromatic ground top character and a white ground top character by binarizing a character edge region and a non-character edge region by different thresholds.例文帳に追加

文字エッジ領域と非文字エッジ領域とを異なる閾値で二値化することにより、色地上文字と白地上文字を適切に二値化する画像処理装置、画像配信装置、画像形成装置、画像処理方法、プログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the image forming method using a photoreceptor whose surface layer is made of amorphous carbon and adopting a contact electrifying system with electrified particles, the electrified particles have a particle diameter in a region (aggregation wear region) in which abrasion loss of the amorphous carbon surface layer of the electrophotographic photoreceptor during image formation has no substantial correlation with a volume average particle diameter of the electrified particles.例文帳に追加

帯電粒子として、電子写真感光体のアモルファスカーボンからなる表面層の画像形成時の摩耗量が該帯電粒子の体積平均粒径と実質的に相関を持たない領域（凝着摩耗領域）にある粒径のものを用いる。 - 特許庁

On an element isolation region 101, that is, under a silicide formation preventing film 106, a nonreactive n-type polycrystalline silicon film 103A remains as a conductive diffusion preventing region which prevents an interdiffusion between the NiSi film 110A and the Ni_3Si film 110B.例文帳に追加

素子分離領域１０１上つまりシリサイド化防止膜１０６の下には、未反応のＮ型多結晶シリコン膜１０３Ａが、ＮｉＳｉ膜１１０ＡとＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂとの間の相互拡散を防止する導電性拡散防止領域として残存する。 - 特許庁

A first and a fifth lens arrays 511, 515 of the enlarging image formation optical system 501 are equipped with each lens arranged so that the effective display region PS of the liquid crystal panel 101 is divided into plural regions, and that boundaries of each region become non-linear.例文帳に追加

拡大結像光学系５０１の第１及び第５レンズアレイ５１１、５１５は、液晶パネル１０１の有効表示領域ＰＳを複数の領域に区分するとともに各領域の境界が非直線となるように配列された各レンズを備えている。 - 特許庁

To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とＣＭＰ処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a chip layered semiconductor device for preventing etching grade from being deteriorated in silicon substrate etching for isolation groove formation, and for preventing the increase in chip area, and for securing the sufficient large area of a through-electrode formation region.例文帳に追加

分離溝形成のためのシリコン基板エッチングにおいてエッチングレートを低下させることなく、且つ、チップ面積の増加を防ぐとともに貫通電極形成領域の十分な広さを確保することが可能なチップ積層型の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance uniformity of film thickness of an organic thin film obtained in forming the organic thin film by a process of spraying and applying an application liquid for organic thin film formation in an organic thin film formation region of an application object; and to enhance accuracy of the position and shape of an end of the organic thin film.例文帳に追加

被塗布物の有機薄膜形成領域に有機薄膜形成用塗布液をスプレー塗布する工程により有機薄膜を形成する際に、得られる有機薄膜の膜厚の均一性を高めるとともに、有機薄膜端部の位置・形状の精度を高めることを可能とする。 - 特許庁

Plasma treatment is carried out for the stress distortion formation film 24 using the third resist pattern 25 as a mask to reform the upper side portion of a first active region 11a in the stress distortion formation film 24 so that a tensile stress containing portion 24A is formed.例文帳に追加

第３のレジストパターン２５をマスクにして、応力歪み生成膜２４に対してプラズマ処理を行うことにより、応力歪み生成膜２４における第１の活性領域１１ａの上側部分を改質して引っ張り応力を生じる引っ張り応力含有部２４Ａを形成する。 - 特許庁

A second frame-like recess 100c for the formation of liquid crystal sealing which surrounds the region where the cylindrical recesses 100b are formed, and a first frame-like recess 100d surrounding the second frame-like recess 100c for the formation of the sealing material between substrates are formed in the same process to obtain a plastic master plate 100 as an intaglio printing plate.例文帳に追加

また、円柱形凹部１００ｂの形成領域を囲む液晶封止材成型用の第２枠状凹部１００ｃと、この第２枠状凹部を囲む基板間シール材成型用の第１枠状凹部１００ｄとを同様に形成して、凹版としてのプラスチック版１００を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a recess broadened toward a channel formation region by avoiding formation of the too deep recess, and can suppress abnormal epitaxial growth of an SiGe film upon its epitaxial growth or degradation of the element isolation characteristic of a transistor.例文帳に追加

リセスを形成する際に、できるだけ深くならないようにして、チャネル形成領域側に広げて形成でき、ＳｉＧｅ膜のエピタキシャル成長時の異常成長やトランジスタの素子分離特性の悪化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A map data formation device 10 comprises: a main control part 100; a data reference part 101; a conversion part 102; a database 30 for storing layer data, the database being constituted as a part of the conversion part 102; a region designation part 103; a printing data formation part 104; and a printing processing part 105.例文帳に追加

地図データ作成装置１０は、主制御部１００と、データ参照部１０１と、変換部１０２と、変換部１０２の一部として構成されているレイヤデータを格納するデータベース３０と、領域指定部１０３と、印刷用データ作成部１０４と、印刷処理部１０５とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises, on a substrate, a first transistor including a single crystal semiconductor layer in a channel formation region, a second transistor separated from the first transistor via an insulation layer and including an oxide semiconductor layer in a channel formation region, and a diode including the single crystal semiconductor layer and the oxide semiconductor layer, and its manufacturing method is provided.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。 - 特許庁

After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加

ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

The exposure method comprises exposing the periphery region of the substrate to a second exposure light, forming a first film liquid-repellent to the liquid at least on a part of the periphery region exposed by the second exposure light, forming the photosensitive film on the substrate after the formation of the first film, and carrying out the liquid immersion exposure treatment after the formation of the photosensitive film.例文帳に追加

露光方法は、基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、第２露光光で露光された周縁領域の少なくとも一部に液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、第１膜を形成した後に、基板上に感光膜を形成することと、感光膜を形成した後に、液浸露光処理を実行することと、を含む。 - 特許庁

Next, the density of the developer image attached to the non subject region in formation of the test pattern is detected, the ghost occurrence level and a transfer bias level in which no ghost phenomenon occurs based on the density level of the developer in the non subject region of the test pattern are estimated and the transfer bias level for image formation according to the estimate is set.例文帳に追加

そして、テストパターンの形成の際に非対象領域に付着した現像剤像の濃度を濃度検出センサ７１によって検知し、ゴースト発生レベルと、テストパターンにおける非対象領域の現像剤像の濃度レベルとに基づいてゴースト現象が発生しない転写バイアスレベルを推測し、その推測に応じた画像形成用の転写バイアスレベルを設定する。 - 特許庁

The photomask 1 for transferring a mask pattern on a substrate, by having a mask pattern forming region 4 irradiated with ultraviolet rays 10, is provided with an evaluation pattern 12 having recesses 15-17 forming the same kind of growth substance as the contamination growing by the ultraviolet rays in the mask pattern formation region 4, on at least any one face from among a mask pattern formation surface 8 and its backside 9.例文帳に追加

マスクパターン形成領域４に紫外線１０を照射して、当該マスクパターンを基板に転写するフォトマスク１において、マスクパターン形成面８及びその裏面９のうち、少なくともいずれか１つの面に、マスクパターン形成領域４で紫外線により成長する異物と同種の成長性物質が形成された窪み１５〜１７を有する評価パターン１２を設ける。 - 特許庁