「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the electron beam shielding region 11 adheres tightly to the pattern formation layer 2 by the effect of the minute adhesiveness of the minute adhesive layer 14, the electron beam does not enter the region that shields the electron beam from an oblique direction even if an inexpensive general-purpose electron beam irradiation device is used, thereby allowing very fine and high-resolution patterning.例文帳に追加

微粘着層１４の微粘着効果により、パターン形成層２に電子線遮蔽領域１１が密着するので、汎用型の安価な電子線照射装置を使用しても、電子線を遮蔽する領域に電子線が斜め方向から入射することがなく、高精細、高解像度のパターニングが期待できる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of forming a resist film 3 on an opening formation region for contact hole or the like, forming an insulating film 4 in a region other than the resist film 3, and removing the resist film 3 to form an opening such as a contact hole 8a in the insulating film 4.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、コンタクトホールなどの開口部形成領域に、レジスト膜３を形成する工程と、レジスト膜３以外の領域に、絶縁膜４を形成する工程と、レジスト膜３を除去することにより、絶縁膜４にコンタクトホール８ａなどの開口部を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Since the presence of the oxide film 4 can eliminate the effect of the difference in the characteristics of the substrate on the formation of the USG film 5, the USG film 5 with a constant film thickness can be formed on any of the semiconductor substrate 1, the p+-type active region 3 and the n+-type active region 2.例文帳に追加

下地の特性の相違がＵＳＧ膜５の形成にもたらす影響を酸化膜４の存在によってなくすことができるので、半導体基板１上、Ｐ＋型活性領域３上、Ｎ＋型活性領域２上にかかわらず一定の膜厚を有するＵＳＧ膜５を形成することができる。 - 特許庁

Each column of scanning wiring 211b in a plurality of pieces of the scanning wiring 211b is formed so as to supply a scanning signal to a pixel switching element 112 by selecting a pixel electrode 111b formed on a region different from the formation region of the column of the scanning wiring 211b from among a plurality of pixel electrodes 111.例文帳に追加

複数の走査配線２１１における各行の走査配線２１１ｂが、複数の画素電極１１１のうち、当該行の走査配線２１１ｂの形成領域と異なる領域に形成された画素電極１１１ｂを選択して画素スイッチング素子１１２に走査信号を供給するように形成する。 - 特許庁

The pattern forming method includes a pattern forming stage of forming a main pattern in a display region by photolithography and forming a pattern 30 for inspection in a non-display region and an inspection stage of indirectly inspecting the formation state of the main pattern by directly inspecting the pattern 30 for inspection.例文帳に追加

パターン形成方法は、フォトリソグラフィにより、表示領域に主パターンを形成すると共に、非表示領域に検査用パターン３０を形成するパターン形成工程と、検査用パターン３０を直接に検査することにより、主パターンの形成状態を間接的に検査する検査工程とを含んでいる。 - 特許庁

The image forming apparatus, which forms an image on a recording medium by adding a specific pattern to inputted image data, comprises: a mask generation section which generates a mask region wherein addition of the specific pattern is inhibited; and a control section which performs image formation upon the mask region so as to inhibit the addition of the specific pattern.例文帳に追加

入力された画像データに特定パターンを付加して記録媒体上に画像形成を行う画像形成装置において、特定パターンの付加を禁止するマスク領域を生成するマスク生成部と、マスク領域に特定パターンの付加を禁止するよう画像形成を行う制御部と、を有する。 - 特許庁

Then, after formation of an insulating layer 34 on the surface on the side where the openings are formed of the support substrate 10, a wiring layer 35 is formed in a region R1 on the inner side of the peripheral part on the insulating layer, and a plurality of alignment marks M1, M3, M5 are formed in a region corresponding to the positions where the openings are formed.例文帳に追加

次に、この支持基板１０の開口部が形成されている側の面に絶縁層３４を形成後、該絶縁層上の、周囲部の内側の領域Ｒ１に配線層３５を形成するとともに、開口部が形成されている位置に対応する領域に複数のアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５を形成する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask which need not form a superfine pattern, suppresses a sub peak of light intensity exerting adverse influence on image formation at the time of exposure and has a light shielding pattern of lowered transmissivity in an outside region of an element region where multiple exposure is applied and to provide a manufacturing method of the halftone phase shift mask.例文帳に追加

超微細なパターンの形成を必要とせず、露光時の像形成に悪影響を及ぼす光強度のサブピークを抑え、かつ、素子領域の外側の多重露光される領域での透過率を下げた遮光パターンを有するハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

To provide a green colored composition for a color filter manufacturing the color filter realizing a color reproducing region after panel formation with 72% display performance compared with 100% display performance of a color reproducing region in an NTSC(National Television System Committee) system without thickening a green colored layer film and to provide the color filter using the same.例文帳に追加

緑色着色層の膜厚を厚くすることなく、パネル化後の色再現域がＮＴＳＣ方式の色再現域１００％に対比し７２％の表示性能を有するカラーフィルタを製造することができるカラーフィルタ用緑色着色組成物、及びそれを用いたカラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

No NPN structure is formed at a region within a prescribed distance from the edge 11a of the source cell 11 to the inside of the formation region of the LDMOS 20, thus preventing parasitic operation from occurring in spite of a current concentration at the edge 11a of the source cell 11 and preventing a tolerance from decreasing.例文帳に追加

ソースセル１１の端部１１ａからＬＤＭＯＳ２０の形成領域の内側に向かって所定の距離までの領域に、ＮＰＮ構造が形成されていないため、ソースセル１１の端部１１ａにおいて電流集中が生じても寄生動作を生じにくくすることができるので、耐量の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

A gate electrode is formed by using a resist film for the region where a contact hole is formed on the gate electrode and a mask for a gate electrode formation made of a first silicon nitride for the region where a contact hole is not formed on the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上にコンタクトホールを形成する領域にはレジスト膜、ゲート電極上にコンタクトホールを形成しない領域には第一の窒化シリコン膜からなるゲート電極形成用のマスク用いてゲート電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

By identifying and selecting specific themes and effectively using the retired personnel of companies with domestic and international networks in these fields to re-evaluate intraregional resources, it would be possible to coordinate the entire collaboration formation process, including the acquisition of partners outside of the region, through matching within the region as a starter.例文帳に追加

一定のテーマが具体的に絞れれば、当該分野で国内外にネットワークを有する企業の退職人材等（新現役人材）をうまく活用しながら、地域内のリソースを再評価し、地域内のマッチングから更に地域外とのパートナー確保も含めた全体をコーディネートしていくことも可能となろう。 - 経済産業省

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The ratio of Japan’s ODA to the gross fixed capital formation of the developing countries within the East Asian region is comparable to that of the Cohesion Fund in the EU (Tables 3.4.15 and 3.4.16), and both theoretical verification and empirical analysis show that Japan’s ODA has contributed to the economic growth of developing countries within the region to a certain degree (Table 3.4.17).例文帳に追加

我が国のODAが東アジア域内途上国の総固定資本形成に占める比率は、EUにおける結束基金と比較しても遜色なく（第3-4-15表、第3-4-16表）、また理論的検証、実証分析からも、我が国のODAは域内途上国の経済成長に一定程度の寄与をしていることが示されている（第3-4-17表）。 - 経済産業省

The method comprises processes for: forming a first metallic film 12 for an ohmic contact on a gate electrode 8 wherein a layer insulating film 10 is selectively removed and on an ohmic contact formation region; and leaving a first metallic film 12 only in the ohmic contact formation region by selectively removing the first metallic film 12 formed on the gate electrode 8 in the first metallic film 12 formed in the process.例文帳に追加

層間絶縁膜１０を選択的に除去した、ゲート電極８上、ならびにオーミック・コンタクト形成領域上に、オーミック・コンタクト用の第１の金属膜１２を形成する工程と、この工程で形成された第１の金属膜１２の内、ゲート電極８上に形成された第１の金属膜１２を選択的に除去し、オーミック・コンタクト形成領域にのみ第１の金属膜１２を残す工程とを備えて構成される。 - 特許庁

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal.例文帳に追加

素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。 - 特許庁

The organic EL device 10 is provided with: a substrate 11; banks 16 formed on the substrate 11, and delimiting a plurality of formation regions each occupying a part of the application region R on the substrate 11; and a plurality of luminescent function layers 14 respectively emitting light, and formed by applying ink to the plurality of formation regions, and collectively drying it by vacuum drying.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、基板１１上の塗布領域Ｒの一部をそれぞれ占める複数の形成領域を画定するバンク１６と、それぞれ光を射出し、複数の形成領域にインクを塗布し真空乾燥により一括して乾燥させて形成された複数の発光機能層１４とを備える。 - 特許庁

When a mark image is measured, a timing signal is so adjusted as to realize a desired modulation light magnification correction quantity within a range of the mark image measurement and when normal image formation is performed, the timing signal is so adjusted as to realize a desired modulation light magnification correction quantity in the entire scanning region of modulation light for the normal image formation.例文帳に追加

マーク画像測定の際にはその測定範囲において所望変調光倍率補正量を実現するようにタイミング信号を調整し、通常の画像形成時には通常の画像形成に係る変調光の全体の走査域において所望変調光倍率補正量を実現するようにタイミング信号を調整する構成である。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has a trench 12 which is formed in a surface part of a silicon substrate 11 and has an isolation oxide film 13 inside, a plurality of element formation regions 10A wherein a surface of the silicon substrate 11 is divided by the trench 12, and a gate wiring 15 which extends on the trench 12 and the element formation region 10A.例文帳に追加

半導体装置１０は、シリコン基板１１の表面部分に形成され内部に素子分離酸化膜１３を有するトレンチ１２と、トレンチ１２によってシリコン基板１１の表面部分が区画された複数の素子形成領域１０Ａと、トレンチ１２及び素子形成領域１０Ａ上に延びるゲート配線１５とを有する。 - 特許庁

When a hole pattern to be formed above a substrate is formed, a bias correction amount in the formation of a correction object hole 101 is set by extracting a correction reference hole 103 present in a region influencing the formation of the correction object hole 101 and considering the plane arrangement of the extracted correction reference hole 103.例文帳に追加

基板の上部に形成されるホールパターンを形成する際に、補正対象ホール１０１の形成に影響を与える領域内に存在する補正参照ホール１０３を抽出し、抽出された補正参照ホール１０３の平面配置を考慮して、補正対象ホール１０１の形成におけるバイアス補正量を設定する。 - 特許庁

To provide a film formation method whereby a film can be formed at a low cost while simple processes and equipment are used to a local region of an inner peripheral face of a through hole formed in a base material, and to provide a liquid feeding head equipped with a liquid-repellent film formed by the film formation method, and to provide a liquid feeder equipped with the liquid feeding head.例文帳に追加

基材に設けられた貫通孔の内周面の局所領域に、簡易な工程・設備を用いながら、低コストで膜を形成することができる成膜方法、および、かかる成膜方法により形成された撥液膜を備える液体供給ヘッド、および、この液体供給ヘッドを備えた液体供給装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a conductive pattern formation substrate and the conductive pattern formation substrate, in which manufacture is easy, a high quality transparent conductive film having a hardly visible conductive pattern can be formed in a display region, and electrical reliability is improved by fully securing insulating properties of an insulating part of the transparent conductive film.例文帳に追加

製造が容易であり、表示領域においては導電パターンが視認されにくい高品位な透明導電膜を形成できるとともに、該透明導電膜の絶縁部の絶縁性が十分に確保され電気的な信頼性が向上する導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer formation process is performed, where a semiconductor layer 13 made of an n-type low-resistance region having higher impurity concentration than a semiconductor substrate 1 at the scheduled formation part (inside the semiconductor substrate 1 at one surface side of the semiconductor substrate 1) of the electrical heating element 3 at one surface side of the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板からなる半導体基板１の一表面側における発熱体３の形成予定部位（半導体基板１の上記一表面側における半導体基板１内）に半導体基板１よりも不純物濃度が高いｎ形の低抵抗領域からなる半導体層１３を形成する半導体層形成工程を行う。 - 特許庁

We can see a positive correlation between the changing composition ratio of publiccapital formation and the regional increase rate of workers and the ratio of the number of workers in theconstruction industry to the number of workers in the region; the decrease of public capital formation had a moreprofound effect on the decrease of the number of workers in the regional blocks including Hokkaido, Tohoku andShikoku, than the three major urban regions .例文帳に追加

公的資本形成の構成比変化と地域の就業者増加率、地域の就業者数に占める建設業就業者割合には正の相関関係がみられ、公的資本形成の減少は、3 大都市圏に比べ北海道、東北、四国といった地域ブロックにおける就業者の減少に大きな影響を及ぼした。 - 厚生労働省

To prevent active attack so that a stable active region can be kept, when not a striping using a conventional wet type phosphoric acid but a dry type pull back is executed, in a formation of a device isolation film using trench.例文帳に追加

トレンチを用いたデバイスアイソレーション膜の形成において、従来のウェットタイプのリン酸を使用したストリッピングではなくドライタイプのプルバックを行う場合に安定的なアクティブ領域を確保するようにアクティブなアタックを防止する。 - 特許庁

To compensate for reduction of effective gate width generated by formation of an element region of a flash memory in a transistor forming an SRAM, in a semiconductor integrated circuit device in which the SRAM is included and moreover a flash memory is also mounted.例文帳に追加

ＳＲＡＭを含み、さらにフラッシュメモリを混載される半導体集積回路装置において、ＳＲＡＭを構成するトランジスタにフラッシュメモリの素子領域形成に伴って生じる実効的なゲート幅の減少を補償する。 - 特許庁

The processing liquid is ejected from the recording head 22H at the time of two or more scans in five scans of the recording heads 22C, 22M and 22H to a predetermined region on a recording medium after formation of the image by ink ends.例文帳に追加

インクによる画像の形成が終了した後の記録媒体上の所定領域に対して、記録ヘッド２２Ｃ，２２Ｍ，２２Ｈの５回の走査における２回以上の走査時に、記録ヘッド２２Ｈから処理液を吐出させる。 - 特許庁

The processing liquid is ejected from the recording head 22H at the time of two or more scans in five scans of the recording heads 22C, 22M and 22H to a predetermined region on a recording medium after formation of an image by ink ends.例文帳に追加

インクによる画像の形成が終了した後の記録媒体上の所定領域に対して、記録ヘッド２２Ｃ,２２Ｍ，２２Ｈの５回の走査における２回以上の走査時に、記録ヘッド２２Ｈから処理液を吐出させる。 - 特許庁

To provide an image display device and its manufacturing method wherein an influence of a magnetic field is reduced, brightness unevenness in an image formation region is less, and a timewise change of the brightness is less.例文帳に追加

本発明は、イオンポンプを用いた場合において、磁界の影響を低減し、画像形成領域内での輝度むらが少なく、輝度の経時変化の少ない画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The first and second ejection openings belong to two lines which are separated most in a lateral direction among 16 lines formed in an ejection opening formation region by many ink ejection openings to extend in a longitudinal direction.例文帳に追加

第１及び第２吐出口は、多数のインク吐出口によって吐出口形成領域に形成された長手方向に延在する１６本の行のうち、短手方向に最も離隔した２つの行にそれぞれ属している。 - 特許庁

A field-effect transistor has a first gate electrode 7, which is positioned at the central part of the transistor, and second gate electrodes 8, which are positioned on both sides of the electrode 7, and at least one part of each of the second gate electrodes 8 is positioned on a channel formation region.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、中央部に位置する第一のゲート電極７と、その両側に位置する第二のゲート電極８を持ち、第二のゲートの少なくとも一部はチャネル形成領域上に位置する。 - 特許庁

To manufacture a TFT capable of operating at a high speed by a method wherein a crystalline semiconductor film which controls a position and a size of crystal particles is manufactured and the crystalline semiconductor film is used for a channel formation region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置と大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、その結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作が可能なＴＦＴを作製する。 - 特許庁

Moreover, the inkjet printer 1 has a controller 4 which controls the belt conveying device 20 so that the test pattern and a reading surface 41 of the image sensor 40 may be opposed to each other after the test pattern is formed to the test pattern formation region.例文帳に追加

さらに、インクジェットプリンタ１は、テストパターン形成領域にテストパターンが形成された後に、テストパターンと画像センサ４０の読取面４１とが対向するように、ベルト搬送装置２０を制御する制御装置４を有している。 - 特許庁

In impurity regions 102 and 103, concentration gradient is given to the concentration distribution of an impurity element where a one-conductivity type is added, thus decreasing concentration at the side of a channel formation region 101, and increasing the concentration at the side of a semiconductor layer end section.例文帳に追加

不純物領域１０２、１０３において、一導電型を付与する不純物元素の濃度分布に濃度勾配を持たせ、チャネル形成領域１０１側で濃度が小さく、半導体層端部側で濃度が大きくする。 - 特許庁

Hence, the flow of the hot oxidizing agent, that is the reaction flow, can enclose the flow of the metal reactant sufficiently for preventing the metal reactant from coming into contact with the wall of the above reactant contact region and from resultant formation of scale on the wall.例文帳に追加

それにより反応流の熱い酸化剤の流れは、金属反応物が反応物の接触領域の壁に接触して壁にスケールを形成することを妨げるのに十分に、金属反応物の流れを囲むことができる。 - 特許庁

As compared with a thin film transistor in which an amorphous semiconductor is included in a channel formation region, on-current of a thin film transistor can be increased.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域との間であって、且つ少なくともソース領域及びドレイン領域側に、窒素、ＮＨ基、またはＮＨ_２基を有する非晶質半導体層をバッファ層として有する。 - 特許庁

Thereby, an organic EL liquid discharged onto the substrate 9 is prevented from being attached to the exposed region 921, and the formation of meniscus caused by the organic EL liquid attaching to a side surface 1103 of the first masking tape 11 is also prevented.例文帳に追加

これにより、基板９上に吐出された有機ＥＬ液が露出領域９２１に付着することが防止され、また、有機ＥＬ液が第１マスキングテープ１１の側面１１０３に付着してメニスカスを形成することも防止される。 - 特許庁

The image forming device 1 carries out the generation of intermediate data for image formation without waiting for setting of a print paper count of image data read from a memory card (S12), and stores the intermediate data in a memory region.例文帳に追加

画像形成装置１は、メモリカードから読み込まれた画像データについて、プリント数の設定が行われるのを待たずに、画像形成のための中間データの生成を行い（Ｓ１２）、当該中間データをメモリ領域内に格納しておく。 - 特許庁

The protective film 10 has an opening 11 for exposing a terminal formation region of the backside wiring layer 9, a first projection 12 provided at its periphery, and a second projection provided on an outer-edge side of the first projection 12.例文帳に追加

保護膜１０は裏面配線層９の端子形成領域を露出させる開口部１１と、その周囲に設けられた第１の凸部１２と、第１の凸部１２より外縁側に設けられた第２の凸部とを有する。 - 特許庁

An annular shroud 22 is disposed in a recess 20b_2 formed on the inner wall 20b_1 of the channel formation section 20b, and the annular shroud 22 forms the outer walls of a channel c and a diffuser (a static pressure increase region) d for compressed gas.例文帳に追加

流路形成部２０ｂの内壁２０ｂ_１に刻設された凹部２０ｂ_２に環状シュラウド２２が配置され、環状シュラウド２２が被圧縮気体の流路ｃ及びディフューザー（静圧上昇領域）ｄの外側壁を形成する。 - 特許庁

To provide a full-color image formation method capable of giving high saturation red having high saturation of a low brightness region and a vivid color tone with no color turbidity and of stably forming a full-color image with excellent image quality.例文帳に追加

低明度領域の彩度が高く、色濁りのない鮮やかな色調を有する高彩度のレッドが得られ、かつ、優れた画質のフルカラー画像を安定して形成することのできるフルカラー画像形成方法を提供すること。 - 特許庁

When an image area ratio of a visible image on a photoreceptor 1 surface computed by an image area ratio computing means is less than a predetermined value, toner is input in a non-image-formation region of the photoreceptor 1 surface.例文帳に追加

画像面積率算出手段により算出された感光体１表面の可視像の画像面積率が所定の値より少ないときに、感光体１表面の非作像領域でトナーを入力させることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent damages to an active region by etching for forming a body contact without embedding a resist plug in an ordinary contact hole and to suppress an increase in formation area, in manufacturing a semiconductor device having the body contact.例文帳に追加

ボディーコンタクトを有する半導体装置の製造において、通常のコンタクトホールへのレジストプラグ埋め込みを行わずに、ボディーコンタクト形成のエッチングによる活性領域のダメージを防止し、且つ形成面積の増大を抑制する。 - 特許庁

An unbaked mask is formed in a first electrode formation region by forming a photosensitive material film on a first electrode material film and then subjecting the photosensitive material to first time exposure and first time development.例文帳に追加

第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成し、この感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する。 - 特許庁