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「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索
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formation regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1711



例文

A sealing ring 7 is formed outside the memory cell formation region 2.例文帳に追加

メモリセル形成領域2の外側には、シールリング7が形成されている。 - 特許庁

An insulating film 33 is formed in a termination formation region 5, and a mask material 47 is formed over the insulating film 33 and a cell formation region 3.例文帳に追加

終端部形成領域5に絶縁膜33を形成し、絶縁膜33及びセル形成領域3を覆うマスク材47を形成する。 - 特許庁

A channel formation region of the transistor includes an oxide semiconductor.例文帳に追加

トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。 - 特許庁

A gate electrode 140 is formed in an element formation region 104.例文帳に追加

ゲート電極140は素子形成領域104に形成されている。 - 特許庁

例文

The peripheral buried part is provided at the outer side of at least one of a formation region of the active layer and a formation region of the first electrode.例文帳に追加

周縁埋設部は、活性層の形成領域または第一電極の形成領域の少なくとも一方の外側に設けられている。 - 特許庁


例文

Then, a bit line diffusion layer 9 is formed in the bit line formation region.例文帳に追加

次に、ビット線形成領域にビット線拡散層9を形成する。 - 特許庁

An npn transistor 1 is formed at one element formation region.例文帳に追加

素子形成領域の1つには、NPNトランジスタ1が形成されている。 - 特許庁

The pixel formation region 4 includes the photodiode 2 and an amplifier transistor 8; and the peripheral circuit formation region 20 includes an N-type channel transistor 26.例文帳に追加

画素形成領域4は、フォトダイオード2およびアンプトランジスタ8を含み、周辺回路形成領域20はN型チャネルトランジスタ26を含む。 - 特許庁

Gate electrodes 103A and 103B are formed on an internal transistor formation region RA and on an input/output transistor formation region RB.例文帳に追加

内部トランジスタ形成領域R_A の上及び入出力トランジスタ形成領域R_B の上にゲート電極103A及び103Bを形成する。 - 特許庁

例文

A resist mask is formed over the isolation structure part formation region alone.例文帳に追加

素子分離構造部形成領域のみを覆うレジストマスクを形成する。 - 特許庁

例文

An ion implantation region is formed in a non-device formation region 3, and the surface of the ion implantation region is subjected to LOCOS oxidation, thus forming crystal defects in the non-device formation region 3, and hence preventing the crystal defects from being formed in a device formation region 2.例文帳に追加

非デバイス形成領域3にイオン注入領域を形成し、このイオン注入領域の表面をLOCOS酸化することにより、非デバイス形成領域3に結晶欠陥を形成することができるため、デバイス形成領域2に結晶欠陥が形成されないようにできる。 - 特許庁

Then, the element isolation film 3 enclosing the element formation region 1 is formed in the element isolation region 2.例文帳に追加

その後、素子分離領域2に、前記素子形成領域1を取り囲む素子分離膜3を形成する。 - 特許庁

The core region includes a first semiconductor region with first type formation and a first refractive index.例文帳に追加

コア領域は、第1の型の形態および第1の屈折率を有する第1の半導体領域を含む。 - 特許庁

An insulating film 56 is formed in a region other than a non-formation region within the pixel regions 10.例文帳に追加

絶縁膜56は、画素領域10のうちの非形成領域以外の領域に形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed in an active region composed of a silicon substrate 1 including an n-type MIS transistor formation region RTn and a p-type MIS transistor formation region RTp.例文帳に追加

n型MISトランジスタ形成領域RTn及びp型MISトランジスタ形成領域RTpのシリコン基板1からなる活性領域上にゲート絶縁膜5を形成する。 - 特許庁

In the breaking process, the force for depressing at least a part of the element formation region is larger than the force for depressing a peripheral region (220) located in the circumference of the element formation region.例文帳に追加

該ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、素子形成領域の周辺に位置する周辺領域(220)が押圧される力より大きい。 - 特許庁

Since the gettering region 19 is thicker than the element formation region 20 and has high gettering ability, the Ni is surely removed from the element formation region 20, even with a small area.例文帳に追加

ゲッタリング領域19は素子形成領域20よりも厚みが厚くて高いゲッタリング能力を有するので、面積が小さくても確実に素子形成領域20からNiを除去する。 - 特許庁

In the region 26, a gate contact region 29 of a J-FET element is formed concurrently with the formation of a base region 28 of an NPN transistor.例文帳に追加

NPNトランジスタのベース領域28を形成すると同時的にJ−FET素子のゲートコンタクト領域29を形成する。 - 特許庁

A gate contact region 29 of a J-FET element in the region 26 is formed simultaneously with the formation of a base region 28 of an NPN transistor.例文帳に追加

NPNトランジスタのベース領域28を形成すると同時的にJ−FET素子のゲートコンタクト領域29を形成する。 - 特許庁

For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1.例文帳に追加

この条件では、リンイオンは、低耐圧のNMOS領域では基板に注入されるが、高耐圧のPMOS領域では、厚いゲート酸化膜5b中に止まり、シリコン基板1に達しない。 - 特許庁

Then, a layer containing the impurity element is used as the channel formation region.例文帳に追加

そして、不純物元素を含む層をチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

The ceramic substrate 1 has dummy patterns 31, 32 on both the outsides of an element formation region 2.例文帳に追加

素子形成領域2の両外側に、ダミーパターン31、32を有する。 - 特許庁

Then, a gate insulating film 100 is formed on the element formation region 20.例文帳に追加

次に素子形成領域20上にゲート絶縁膜100を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

n^+型ソース(ドレイン)形成領域上には、シリコン酸化層25が残っている。 - 特許庁

Thereafter, a photoresist film covering the transistor formation region HSn is formed.例文帳に追加

次いで、トランジスタ形成領域HSnを覆うフォトレジスト膜を形成する。 - 特許庁

Here, the whole trench h is formed inside the SOI formation region.例文帳に追加

ここで、トレンチhの全てをSOI形成領域の内側に形成する。 - 特許庁

The N-type epitaxial layer 3 etc., is separated into the IGBT type formation region 50 and the formation region 40 for the control circuit etc., by a P+-type separation layer 13 etc.例文帳に追加

該N型エピタキシャル層3等をP+型分離層13等によりIGBT形成領域50と制御回路等形成領域40に分離する。 - 特許庁

Then, CMP is performed so that a difference in height between an element formation region FR of the plasma TEOS film 8 and an element non-formation region NFR is reduced.例文帳に追加

その後、プラズマTEOS膜8の素子形成領域FRと素子非形成領域NFRとの間での高低差を低減するようにCMPを施す。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 includes a memory cell formation region 2, and the memory cell formation region includes therein a memory cell 3 and a decoder 4.例文帳に追加

半導体チップ1には、メモリセル形成領域2が設けられ、このメモリセル形成領域の内部にメモリセルアレイ3およびデコーダ4が形成されている。 - 特許庁

Laser beams are radiated on a formation region of the source electrode and the drain electrode based on the first correction data to make the formation region lyophilic.例文帳に追加

この第1の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。 - 特許庁

Thus, only the post electrodes are formed in the semiconductor device formation region 21, and only the alignment post electrodes are formed in the alignment mark formation region 22.例文帳に追加

これにより、半導体素子形成領域21にポスト電極のみが形成され、アライメントマーク形成領域22にアライメント用ポスト電極のみが形成される。 - 特許庁

Only an image formation region of the rolled sheet 100 is guided to the interior of the drum 70, and light from the fluorescent tubes are irradiated to only the image formation region.例文帳に追加

ここで、ロール紙100は画像形成領域のみがドラム70内部に導かれ、蛍光管からの光は画像形成領域のみに照射される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an element isolation film 200 provided to a semiconductor layer to section an element formation region, a gate electrode 130 formed on the element formation region and having both ends extended onto the element isolation film 200 respectively, and an impurity region 110 formed in the element formation region to become a source region and a drain region disposed across a channel formation region positioned right below the gate electrode 130.例文帳に追加

半導体層に設けられ、素子形成領域を区画する素子分離膜200と、素子形成領域上に形成され、両端がそれぞれ素子分離膜200上に延伸するゲート電極130と、素子形成領域内に形成され、ゲート電極130の直下に位置するチャネル形成領域を挟んで配置されるソース領域およびドレイン領域となる不純物領域110とを備える。 - 特許庁

In the method for forming a pattern 16 on the pattern formation region of the base 11 by a lift-off method, a dummy pattern 116 is formed by a lift-off method also on the pattern non-formation region of the base except the pattern formation region.例文帳に追加

基体11のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターン16を形成する本発明の方法は、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターン116を形成する。 - 特許庁

This microscope device comprises an image formation optical system, a lighting system which illuminates an object surface of the image formation optical system, an imaging element arranged in the image formation region of the image formation optical system, and a detector which detects light quantity in the image formation region and in a predetermined region other than the imaging element.例文帳に追加

顕微鏡装置は、結像光学系と、結像光学系の物体面を照明する照明装置と、結像光学系の結像領域内に配置される撮像素子と、結像領域内であって撮像素子以外の所定領域における光量を検出する検出装置とを備えている。 - 特許庁

At least the two film-formation units in the film-formation units are arrayed so as to form the paired film-formation units at an interval while holding the carrying region by these film-formation units.例文帳に追加

前記成膜ユニットのうち少なくとも二つの成膜ユニットは、これらが前記搬送領域を挟んで互いに間隔を開けて対成膜ユニットを形成するように配列される。 - 特許庁

To reduce displacement of a collector region and an emitter region within a base region for formation of the collector and emitter regions within the base region that constitutes a transistor.例文帳に追加

トランジスタを構成するベース領域にコレクタ領域やエミッタ領域を形成するに際し、ベース領域内におけるコレクタ領域やエミッタ領域の位置ずれを低減する。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 13 is formed simultaneously with the formation of an n^- impurity region and an n^+ impurity region of a transistor in an element-forming region 4.例文帳に追加

そのN型半導体領域13は、素子形成領域4にトランジスタのn-不純物領域およびn+不純物領域を形成する際に同時に形成されている。 - 特許庁

A region other than a pocket opening of the pocket cloth is determined as a seam formation region on the basis of the calculated feature points.例文帳に追加

算出された特徴点に基づいて、ポケット布のポケット口以外を縫目形成領域として決定する。 - 特許庁

The semiconductor region is included in a channel formation region, thus improving a dielectric breakdown voltage.例文帳に追加

該半導体領域がチャネル形成領域に含まれる構成することで絶縁破壊耐圧を向上させる。 - 特許庁

An N type impurity diffusion region 5 is formed in an element formation region surrounded with a field insulating film 2.例文帳に追加

フィールド絶縁膜2によって囲まれた素子形成領域内にN型不純物拡散領域5を形成する。 - 特許庁

A p^--type region 23 is formed at the surface-layer section of a semiconductor substrate 11 in an element formation region 22.例文帳に追加

素子形成領域22には、半導体基板11の表層部に、P^−型領域23が形成されている。 - 特許庁

To provide a respiration region volume inhibitor which forms a coating film in a respiration region, the inhibitor having coating film formation as the main component thereof.例文帳に追加

被膜形成を主成分とした呼吸域内に被膜を形成する呼吸域体積抑制剤の提供。 - 特許庁

Then a ridge part 28 is formed in the light-emitting part formation region 6.例文帳に追加

そして、上記発光部形成領域6にリッジ部28が形成されている。 - 特許庁

The TMR element TMR1 is provided on the element formation region 100.例文帳に追加

TMR素子TMR1は素子形成領域100上部に設けられる。 - 特許庁

Then a ridge part 28 is formed in the light emission formation region 6.例文帳に追加

そして、上記発光部形成領域6にリッジ部28が形成されている。 - 特許庁

To provide a cell array region and the formation method of a NOR type mask ROM device.例文帳に追加

ノア型マスクロム素子のセルアレイ領域及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a photoresist film 31 is formed to cover the transistor formation region MVn.例文帳に追加

その後、トランジスタ形成領域MVnを覆うフォトレジスト膜31を形成する。 - 特許庁

The P-type semiconductor region 14 is formed simultaneously with the formation of a p^- impurity region and a p^+ impurity region of another transistor.例文帳に追加

P型半導体領域14は、他のトランジスタのp-不純物領域およびp+不純物領域を形成する際に同時に形成されている。 - 特許庁

例文

METHOD FOR PREDICTING PIGMENTED SKIN SPOT FORMATION USING PIGMENTED SPOT REGION-ACCELERATED GENE GROUP AS INDEX AND METHOD FOR SCREENING PIGMENTED SKIN SPOT FORMATION INHIBITOR例文帳に追加

しみ部位亢進遺伝子群を指標とした皮膚しみ形成予知方法、皮膚しみ形成抑制剤のスクリーニング方法 - 特許庁




  
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