「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes a lens formation step in which a high refractive index is imparted only to an In ion implantation region by implanting In ions from the surface side of a first planarization layer 11, and a projection-shaped in-layer lens 12 is formed only on the underside.例文帳に追加

第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of securing electrical connection stability by improving connection strength to a mother board without decreasing the formation region of a circuit, or the like in a semiconductor IC for packaging bare chips.例文帳に追加

ベアチップ実装する半導体ＩＣにおいて、回路等の形成領域を減少させること無く、マザー基板に対する接続強度を向上させて、電気的接続の安定性が確保できる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

A separator 1 on the hydrogen side is constituted with a piece of metal plate 7, the power generation region 11 of the separator is made irregular by press formation, and a hydrogen passage 13 is formed on one side and a cooling water passage 15 is formed on the other side.例文帳に追加

水素側のセパレータ１を１枚の金属板７で構成し、その発電領域１１をプレス成形にて凹凸状とし、一方の面に水素ガス流路１３を、他方の面に冷却水流路１５をそれぞれ形成する。 - 特許庁

In printing, upon formation of the dots by a printer, the print pixels belonging to a plurality of pixel groups presupposing physical differences are formed by mutually combining the dots in a common print region.例文帳に追加

本発明の印刷では、プリンタによるドットの形成において、物理的な相違が想定された複数の画素グループの各々に属する印刷画素が、共通の印刷領域で相互に組み合わせられることによって形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which can planarize a device region, without the further addition of processes to a conventional STI formation process flow, and to provide a photomask which is used for the manufacturing method.例文帳に追加

従来のＳＴＩ形成工程フローに対して新たな工程を追加することなく、デバイス領域の平坦化を図ることが可能な半導体素子の製造方法、およびその製造方法に用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The buffer layer is provided between the source electrode layer and the drain electrode layer, and the semiconductor layer forming the channel formation region, and is provided particularly for relaxing the electric field in the vicinity of a drain edge and improving the withstanding voltage of the transistor.例文帳に追加

バッファ層は、チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にあって、特にドレイン端近傍の電界を緩和して、トランジスタの耐圧を向上させるように設けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can obtain a thin film transistor having superior electric property, when a thin film transistor is manufactured by using crystal grain of semiconductor material for a channel formation region.例文帳に追加

半導体材料の結晶粒をチャネル形成領域に用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、優良な電気的特性を有する薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoresist with an edge cut region so as to prevent metal constituting a wiring from diffusing into a transistor, when a wiring trench or a connection hole is etched in an insulating film, in the multilayer wiring formation of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線形成において、絶縁膜に配線溝又は接続孔のエッチング時に、配線を構成する金属のトランジスタへの拡散を防止するようにフォトレジストにエッジカット領域を備えるようにする。 - 特許庁

The dither matrix stores each threshold value such that a number of dots to be allocated to each of the plurality of dot groups is determined according to a dot formation order of each of the plurality of dot groups in the common print region in the halftone process.例文帳に追加

ディザマトリクスは、ハーフトーン処理において、共通の印刷領域における複数のドット群の各々のドット形成順序に応じて、複数のドット群の各々のドット数の配分が定まるように各閾値が格納されている。 - 特許庁

To provide an input image correction device for properly executing region separation processing to input image data, and for operating image formation so that features originally owned by an original can be prevented from being damaged.例文帳に追加

入力画像データに対する領域分離処理を適切に行わせることができ、この結果、原稿が元来有している特徴が損なわれないように画像形成を行うことのできる入力画像補正装置を提供する。 - 特許庁

To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加

静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、ＭＯＳトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁

To provide an image display device and a manufacturing method wherein an influence of a magnetic field is reduced, irregularities in brightness in an image formation region is less, and a timewise change of the brightness is less.例文帳に追加

本発明は、イオンポンプを用いた場合において、磁界の影響を低減し、画像形成領域内での輝度むらが少なく、輝度の経時変化の少ない画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a surface of an N-type epitaxial layer 12 of a wafer 20 is covered with a first oxide film 13 and a formation region of a vertical hole 16 is removed, the vertical hole 16 is formed by RIE by using the first oxide film 13 as a mask.例文帳に追加

ウエハ２０のＮ型エピタキシャル層１２表面を第１酸化膜１３で被覆し、垂直穴１６形成領域を除去した後、第１酸化膜１３をマスクとしてＲＩＥにより垂直穴１６を形成する。 - 特許庁

An anode plate 34 is formed so as to be higher than a passage formation region in which a passage is formed between a manifold hole 30a and a passage to expand, and a support part 40 supporting an electrode body 21 of a fuel cell is formed.例文帳に追加

アノードプレート３４は、マニホールド孔３０ａと流路との間に流路が形成された流路形成領域よりも高く形成されて膨出するとともに燃料電池の電極体２１を支持する支持部４０が形成されている。 - 特許庁

This electrooptical device is provided with: a substrate 11a on which a film is formed; a region of a light emitting element 27 provided on the surface (an element formation side) of the substrate 11a; and a magnetic substance film 40 provided on a rear surface opposing to the surface of the substrate 11a.例文帳に追加

被成膜基板１１ａと、被成膜基板１１ａの表面（素子形成側）に設けられた発光素子２７の領域と、被成膜基板１１ａの表面と対向する裏面に設けられた磁性体膜４０と、を備える。 - 特許庁

Furthermore, in the menu display mode, the display position of a warning image 2d displayed upon condition formation of warning to be emitted is set in a position superposed on the active button images 2b1 in the active display region 441.例文帳に追加

さらにメニュー表示モードにおいては、警告を発する警告条件成立時に表示する警告画像２ｄの表示位置を、アクティブ表示領域４４１のうちアクティブボタン画像２ｂ１に重畳する箇所に設定する。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

Further, a portion L3 where the drain electrode 8 and the side edge part 2B of the gate electrode 2 cross, when viewed from above, does not overlap a portion LD of the drain electrode 8 in contact with the channel formation region 13 in the channel length direction Y.例文帳に追加

さらに、平面視において、ドレイン電極８とゲート電極２の端辺部２Ｂとが交差する部分Ｌ３は、チャネル形成領域１３に接するドレイン電極８の部分ＬＤと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

To achieve a TFT that can be operated speedily by manufacturing a crystalline semiconductor film where the position and size of crystal particles are controlled, and using the crystalline semiconductor film for the channel formation region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置と大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、該結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作の可能なＴＦＴを実現させることを目的とする。 - 特許庁

A polyimide resin film 3 of a heat resistant resin layer is applied to the surface of a gallium arsenide(GaAs) substrate 1, and a stripe-shaped opening 4 is formed at a position corresponding to the formation region of the ridge of the polyimide resin film 3.例文帳に追加

砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板１の表面上に、耐熱性樹脂層であるポリイミド樹脂膜３を塗布し、このポリイミド樹脂膜３のリッジ部の形成領域に対応する位置にストライプ状の開口部４を形成する。 - 特許庁

An effective dielectric constant can be changed by altering the formation density of the dielectric vias 2 in the high-frequency signal propagation region continuously or by stages and partially varying the dielectric constant of the dielectric in the dielectric vias.例文帳に追加

また、高周波信号伝播領域内の誘電体ビア２の形成密度を連続的または段階的に変えたり、誘電体ビアの誘電体の誘電率を部分的に変えることにより実効誘電率を変化させることができる。 - 特許庁

An insulating layer 2 and an SOI(semiconductor-on-insulator) layer 3 are formed on a silicon substrate 1 for the formation of an SOI substrate, where a channel region 19, LDD(lightly-doped drain) regions 15a, and source/drain junction regions 17 and 18 are formed on the SOI layer 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁層２,ＳＯＩ層３が形成されたＳＯＩ基板において、ＳＯＩ層３にチャネル領域１９,ＬＤＤ領域１５aおよびソース／ドレイン接合領域１７,１８とを形成する。 - 特許庁

To perform processes from formation of a tilted groove to division of a chip efficiently in series when dividing a laminated work wherein a region to be cut does not surface, such as a laminated capacitor, into chips.例文帳に追加

積層コンデンサーのような表面に切削すべき領域が現れない積層被加工物を個々のチップ状に分割する際に、傾斜溝の形成からチップへの分割工程を一連に効率よく遂行できるようにすること。 - 特許庁

In the Schottky barrier penetration single electronic transistor, a silicide formation is carried out concerning at least one part of an insulating layer 110 and source/drain regions 120a/120b formed on a substrate 100, and consequently a Schottky junction is carried out with a channel region 120c.例文帳に追加

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタは、基板１００上に形成された絶縁層１１０と、ソース／ドレイン領域１２０ａ／１２０ｂの少なくとも一部分はシリサイド化されてチャネル領域１２０ｂとショットキー接合される。 - 特許庁

This access information is URL for designating the place of a composite image in the Internet, and includes arguments showing in formation such as an original image, a text to be combined with the original image and the size of a text region where the text is arranged in the original image.例文帳に追加

このアクセス情報は、インターネットにおける合成画像の場所を指定するＵＲＬで、元画像、元画像に合成されるテキスト、元画像においてテキストが配置されるテキスト領域のサイズ等の情報を示す引数を含む。 - 特許庁

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

The shape pattern formation region 2 is made thinner than the frame portion 5 by half-etching, while being provided with shapes such as an inner lead 7, an outer lead 8, and a die pad 9 formed by further etching.例文帳に追加

そして、形状パターン形成領域２は、ハーフエッチング加工で枠体部５より薄く形成されていて、そこにはさらにエッチング加工をすることによって、インナーリード７、アウターリード８、ダイパッド９等の形状が形成されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer which can surely remove a heavy metal which is contaminated after a semiconductor device is formed from a formation region of a device even if the epitaxial silicon wafer has a plurality of epitaxial layers on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に複数のエピタキシャル層を備えたエピタキシャルシリコンウェーハであっても、半導体デバイスの形成後に汚染された重金属を確実にデバイスの形成領域から除去可能なエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a mask ROM which can perform accurate ion implantation of r a desired channel region alone, thus realizing fine machining and reduce TAT through ion implantation after gate electrode formation.例文帳に追加

所望のチャネル領域のみにイオンを正確に注入でき、したがって、微細化を達成でき、しかもゲート電極形成後にイオン注入できてＴＡＴを短縮することができるマスクＲＯＭおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this solar cell, an insulation resin layer, a back electrode layer, a sealing resin layer and the like are colored to be made similar to color formation in a region of a component part occupying a majority area of the solar cell by including pigments and the like therein.例文帳に追加

本発明において、太陽電池の大部分の面積を占める構成部分の領域の発色と類似なものになるように、絶縁樹脂層、裏面電極層、封止樹脂層などを、顔料などを含ませて着色させる。 - 特許庁

Portions L1, L2 where the source electrode 7 and the side edge parts 2A, 2B cross, when viewed from above, do not overlap a portion LS of the source electrode 7 in contact with a channel formation region 13 in a channel length direction Y.例文帳に追加

また、平面視において、ソース電極７とゲート電極２の端辺部２Ａ，２Ｂとが交差する部分Ｌ１，Ｌ２は、チャネル形成領域１３に接するソース電極７の部分ＬＳと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

An electrode material is thermally sprayed at an angle roughly square to the outer circumference of a sintered compact, without a mask on the sintered compact outer circumference, for formation of an electrode-free ring-shape region along the sintered compact outer circumference.例文帳に追加

焼結体素子の端面の外周部に沿ってリング状の電極非形成部を形成するように、焼結体素子の端面にマスキングを施さずに、端面に対してほぼ直角に電極材料を溶射して電極を形成する。 - 特許庁

The planar shape of the hole is, for example, L-like shape where 2-dimension plane is effectively used while its layout is of L-like shape disposed in face to face, thus the formation region for capacitor is effectively used in plane.例文帳に追加

ホールの平面的な形状を２次元平面を有効的に活用した例えばＬ字型形状とし、そのレイアウト配置をＬ字型形状の対面配置とすることで、平面的にもキャパシタの形成領域を有効利用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain-sensitive sensor that is superior in temperature stability by separating a formation region of an electrode from a diaphragm forming a piezoresistant element, and is less likely to receive influence of thermal stress from the electrode by the piezoresistant element.例文帳に追加

この発明は、電極の形成領域をピエゾ抵抗素子が形成されているダイヤフラムから離間させて、ピエゾ抵抗素子が電極からの熱応力の影響を受け難くし、温度安定性に優れた半導体感歪センサを得る。 - 特許庁

The above experience of the formation of a single market in the EU shows that the removal of barriers to trade and investment led to the construction of region-wide production systems and promoted specialization by each country in sectors in which it possessed strength.例文帳に追加

以上のEU単一市場形成の経験は、貿易と投資に関する障壁除去を通じて、域内大の生産体制の構築をもたらし、各国が強みを有する分野へ特化することを促進する役割を担うことを示した。 - 経済産業省

(1) A pattern formation method, comprises a process where a photoresist formed on a base body is exposed in a pattern, a background exposure process I where the entire surface of a forming region of the photoresist or a range comprising at least the region exposed in a pattern is exposed.例文帳に追加

基体上に形成したフォトレジストをパターン状に露光する工程を備えるパターン形成方法において、フォトレジストの形成領域の全面もしくは少なくとも上記パターン状に露光を行う領域を含む範囲を露光する背景露光工程Ｉを具備し、該背景露光工程は、形成されるフォトレジストパターンのエッジラフネスを低減する条件を選択して行う。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

In a nozzle face cleaning device for cleaning the nozzle face 30 of an ink jet head 16 having nozzle protection regions 30B projectingly formed on both sides of a nozzle formation region 30A and installed slantly, before the nozzle face 30 is wiped by a wiping web 110, the nozzle protection region 30B on the lower side in the inclined direction is wiped by a blade 200.例文帳に追加

ノズル形成領域３０Ａの両側にノズル保護領域３０Ｂが突出して形成され、傾斜して設置されたインクジェットヘッド１６のノズル面３０を清掃するノズル面清掃装置において、ノズル面３０を払拭ウェブ１１０で払拭する前に傾斜方向下側のノズル保護領域３０Ｂをブレード２００で払拭する。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The forming method of the alignment mark includes controlling the film thickness of the plating layer to become mark body 15 by adjusting the resistance in the plating electricity feeding by partially providing the region where the plating electricity feeding film 13 is not formed by forming the plating electricity feeding film non-formation region 16 at the periphery of the mark body 15.例文帳に追加

アライメントマークの作成方法は、前記マーク本体１５を形成する際に、当該マーク本体１５の周囲にメッキ給電用膜非形成領域１６を形成して前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けてメッキ給電時の抵抗を調整し、前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region.例文帳に追加

その後は、たとえば第１のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第１のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第２のゲートエッチングを行い、絶縁膜５を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域４内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。 - 特許庁

This device manufacturing apparatus IJ is provided with: the ink-jet head 20 capable of jetting ink to a pattern forming region of a substrate P; flushing regions 52 and 59 formed in parts other than the pattern formation region; and a control device CONT for controlling jetting of the ink-jet head 20 so as to jet the ink to the flushing regions 52 and 59.例文帳に追加

デバイス製造装置ＩＪは、基板Ｐのパターン形成領域に対してインクを吐出可能なインクジェットヘッド２０と、パターン形成領域以外の部分に設けられたフラッシング領域５２、５９と、フラッシング領域５２、５９に対してインクを吐出するようにインクジェットヘッド２０の吐出動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of element formation regions divided by isolation separation trenches on a semiconductor substrate, pairs of electrodes are arranged on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate to be separated from each other, and a pn column region is provided on the semiconductor substrate as a region for forming dual-face electrode elements through which currents flow between the electrodes.例文帳に追加

絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、対をなす電極が半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、電極間に電流が流れる両面電極素子の形成領域として、半導体基板にｐｎコラム領域を設けた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁