「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The print region formation part 205 forms a fan-shaped print region.例文帳に追加

印刷領域形成部２０５は、扇形の印刷領域を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has an active region 10 including a core circuit formation region 1 and a buffer formation region 2, and a fuse element formation region which is arranged at a corner part of the active region and can electrically be blown.例文帳に追加

半導体装置は、コア回路形成領域およびバッファ形成領域を含む活性領域と、活性領域の角部に配置された電気的に溶断可能なヒューズ素子形成領域とを有する。 - 特許庁

After a mask 9 is formed at an nMOS formation region and a pMOS formation region, the mask 9 at the pMOS formation region is removed, and a prescribed amount of metal 11 is deposited at the nMOS formation region and the pMOS formation region, thus silicifying a gate electrode 3b at the pMOS formation region fully.例文帳に追加

ｎＭＯＳ形成領域とｐＭＯＳ形成領域にマスク９を形成した後、ｐＭＯＳ形成領域にあるマスク９を除去し、ｎＭＯＳ形成領域とｐＭＯＳ形成領域に所定量の金属１１を堆積して、ｐＭＯＳ形成領域のゲート電極３ｂをフルシリサイド化する。 - 特許庁

A coating-unnecessary region 54 is present in a region other than an organic EL element 20 formation region.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２０の形成領域以外の領域に塗布不要領域５４が存在する。 - 特許庁

Then, after forming a source/drain region 9 in the logic formation region, the TEOS oxide film 5b of the logic formation region is removed.例文帳に追加

次に、ロジック形成領域にソース・ドレイン領域９を形成した後、ロジック形成領域のＴＥＯＳ酸化膜５ｂを除去する。 - 特許庁

Gate electrodes 9a, 9b, 9c are formed in a high-speed transistor formation region HSn, a low leakage transistor formation region LLn, and a medium voltage transistor formation region MVn.例文帳に追加

高速トランジスタ形成領域ＨＳｎ、低リークトランジスタ形成領域ＬＬｎ及び中電圧トランジスタ形成領域ＭＶｎにゲート電極９ａ，９ｂ，９ｃを形成する。 - 特許庁

To suppress damages to a thin film on a device formation region, and a device being formed in the device formation region.例文帳に追加

デバイス形成領域上の薄膜およびデバイス形成領域に作り込まれたデバイスへのダメージを抑制する。 - 特許庁

The second potential gradient formation region is juxtaposed to the first potential gradient formation region in the second direction.例文帳に追加

第２電位勾配形成領域は、第１電位勾配形成領域に対し第２方向に並置されている。 - 特許庁

A circuit board 20 includes a ground electrode formation region GA and a ground electrode non-formation region NGA.例文帳に追加

回路基板２０はグランド電極形成領域ＧＡとグランド電極非形成領域ＮＧＡを備えている。 - 特許庁

Formation of the source region 36 leaves a ring-shaped p^+ type region 84.例文帳に追加

ソース領域３６の形成に伴いリング状のｐ^+型領域８４が残る。 - 特許庁

An element separation region 17 is so formed as to separate an active region of a PMOS transistor formation region Tp from an active region of an NMOS transistor formation region Tn.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ形成領域Ｔｐの活性領域とＮＭＯＳトランジスタ形成領域Ｔｎの活性領域とを区画するように素子分離領域１７が形成されている。 - 特許庁

An interval between an element formation region 4 in an NMOS region and another element formation region 4 adjacent to the element formation region 4 (in a gate width direction) is set to a predetermined interval (distance 2×LA).例文帳に追加

ＮＭＯＳ領域の素子形成領域４と、この素子形成領域４に隣り合う他の素子形成領域４との間隔（ゲート幅方向）が一定の間隔（距離２×ＬＡ）に設定されている。 - 特許庁

The microlens array 22 includes the microlens formation region 25 corresponding to the effective pixel region of an imaging element and a dummy microlens formation region 26 disposed at the periphery of the microlens formation region 25.例文帳に追加

マイクロレンズアレイ２２は、撮像素子の有効画素領域に対応するマイクロレンズ形成領域２５と、マイクロレンズ形成領域２５の周囲に配置されるダミーマイクロレンズ形成領域２６とを含んでいる。 - 特許庁

In the organic EL device 10, the volume of the formation region at an end of the application region R is larger than that of the formation region at the central part of the application region R.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１０では、塗布領域Ｒの端部における形成領域の体積は、塗布領域Ｒの中央部における形成領域の体積よりも大きい。 - 特許庁

Then, a P-MOS region of a low-breakdown voltage transistor formation region and an N-MOS region of a high-breakdown voltage transistor formation region are covered with a resist mask 8 and boron ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧トランジスタ形成領域のＰＭＯＳと高耐圧トランジスタ形成領域のＮＭＯＳ領域をレジストマスク８で覆い、ボロンを回転注入する。 - 特許庁

Tohoku region industrial agglomeration formation efforts since the Great East Japan Earthquake 例文帳に追加

大震災後の東北地方の産業集積の取組 - 経済産業省

The first nozzle formation region and the second nozzle formation region are arranged along a first axis in parallel to the injection surface.例文帳に追加

第１ノズル形成領域と第２ノズル形成領域とは、噴射面と平行な第１軸に沿って配置される。 - 特許庁

An interval between the element formation region 4 and an element formation region 8 adjacent to the element formation region 4 (in the gate width direction) is also set to the predetermined interval (distance 2×LA).例文帳に追加

また、この素子形成領域４と、この素子形成領域４に隣り合う素子形成領域８との間隔（ゲート幅方向）も一定の間隔（距離２×ＬＡ）に設定されている。 - 特許庁

After the gate electrode is formed in the low withstand voltage MISFET formation region and the high withstand voltage MISFET formation region, the gate electrode is formed in a memory cell formation region.例文帳に追加

そして、低耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域および高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域にゲート電極を形成した後、メモリセル形成領域にゲート電極を形成する。 - 特許庁

An element isolation region 50 for isolating an element formation region 20 is provided on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０に、素子形成領域２０を分離する素子分離領域５０を設ける。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

FIELD PLATE RESISTOR HAVING ROUTE FORMATION REGION INCREASED ABOVE例文帳に追加

上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 - 特許庁

CELL ARRAY REGION OF NOR TYPE MASK ROM ELEMENT AND FORMATION METHOD例文帳に追加

ノア型マスクロム素子のセルアレイ領域及びその形成方法 - 特許庁

The exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region includes a ring-like region from a peripheral exposure region boundary of a semiconductor wafer to a film formation region boundary of a high-melting-point metal, and a scribe line region.例文帳に追加

素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域は、半導体ウェハの周辺露光領域境界から高融点金属の成膜領域境界までのリング状の領域、スクライブラインの領域を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a protection film 2 formed on the element formation region 1A and on the scribe region 3 and protecting the element formation region 1A and the scribe region 3.例文帳に追加

さらに、半導体装置は、素子形成領域１Ａの上及びスクライブ領域３の上に形成され、素子形成領域１Ａ及びスクライブ領域３を保護する保護膜２を有している。 - 特許庁

To reduce the density of a recovery current flowing from a termination region to a device formation region of a semiconductor device having a semiconductor region enclosing the element formation region in a loop shape.例文帳に追加

素子形成領域をループ状に囲む半導体領域を有する半導体装置において、終端領域から素子形成領域へ流れるリカバリ電流の密度を低減する。 - 特許庁

A semiconductor layer in which a thickness of a source region or a drain region is larger than that of a channel formation region is formed.例文帳に追加

ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

The transistor, therefore, has a channel formation region in the region where the semiconductor film is deformed.例文帳に追加

よって上記トランジスタは、半導体膜の歪んでいる領域にチャネル形成領域を有している。 - 特許庁

The semiconductor wafer includes an element formation region 50 defined by a scribed line region 60.例文帳に追加

半導体ウエハは、スクライブライン領域６０により区画された素子形成領域５０を有している。 - 特許庁

A wiring connection region matching a formation region at the connection level is formed by this method.例文帳に追加

当該方法は接続レベルでの形成領域に整合した配線接続領域を形成する。 - 特許庁

Next, a second source-drain region 7 is formed in a front surface of the element formation region 150.例文帳に追加

次に、素子形成領域１５０の表面内に第二のソース・ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

The impurity region has a region of large film thickness as compared with the channel formation region, and the conductive layer is connected with the impurity region in the region of large film thickness.例文帳に追加

不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜厚が大きい領域で導電層が接続されている。 - 特許庁

SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND FORMATION METHOD FOR DIFFUSION REGION例文帳に追加

固体撮像素子の製造方法及び拡散領域の形成方法 - 特許庁

SOLDER REGION FORMATION DEVICE AND METHOD, AND CONTINUOUS PLATING DEVICE例文帳に追加

はんだ領域形成装置および方法、ならびに連続めっき装置 - 特許庁

The protective film 38 covers the side of the circuit formation region A1.例文帳に追加

保護膜３８は、回路形成領域Ａ１の側面を覆っている。 - 特許庁

A rectangular element formation region is formed in a silicon layer 3.例文帳に追加

シリコン層３に、矩形状の素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

The joining region facilitates the formation or maintenance of a closed torch.例文帳に追加

ジョイニング領域は、閉じたトーチの形成または維持を助長する。 - 特許庁

The silicon semiconductor substrate (1) has a protective element formation region (7).例文帳に追加

シリコン半導体基板（１）は保護素子形成領域（７）を有する。 - 特許庁

According to the semiconductor device, a first insulating film 2 is formed in a memory cell formation region 6 and a peripheral circuit formation region 7 of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

半導体層１のメモリーセル形成領域６および周辺回路形成領域７上に第１の絶縁膜２を設ける。 - 特許庁

Thus, the fuse element formation region is disposed at the active region corner part and then the fuse element can be disposed without forming the fuse in the core circuit formation region.例文帳に追加

活性領域角部にヒューズ素子形成領域を配置することにより、コア回路形成領域にヒューズを形成することなく、ヒューズ素子を配置することが可能となる。 - 特許庁

A jointing material 7 is fused for formation in the junction region 33 on the base 3 (formation process).例文帳に追加

そして、このベース３上の接合領域３３に、接合材７を溶融して形成する（形成工程）。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

The image display region 10a is specified as a formation region of the pixel electrode and TFT and a peripheral region specifies the periphery of the picture display region.例文帳に追加

画像表示領域（１０ａ）は、画素電極及びＴＦＴの形成領域として規定され、周辺領域は、該画像表示領域の周辺を規定する。 - 特許庁

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁

The sub-pattern formation region 18 is formed like a frame to surround the pattern formation region 15, and the sub-pattern 19 is separated from the pattern formation region 15 by a distance having no optical proximity effect on the pattern 16.例文帳に追加

サブパターン形成領域１８はパターン形成領域１５を囲むように枠状に設け、サブパターン１９がパターン１６に光近接効果を及ぼさない距離だけパターン形成領域１５から離隔させる。 - 特許庁