「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A flexure metal plate 410 has tip-side and base end-side center support plate formation regions 414 and 415 positioned on a tip side and a base end side in an opening region of a support part 10.例文帳に追加

フレクシャ金属プレート４１０が支持部１０の開口領域内の先端側及び基端側に位置する先端側及び基端側中央支持プレート形成領域４１４，４１５を有する。 - 特許庁

To provide a method of bending by which a planar member is bent with a bending press to form an open seam tube, which makes the formation of curling (burrs) in an end region of the planar member minimum.例文帳に追加

板状部材の端部領域でのまくれ（ばり）の形成を最小化できる、オープンシーム管を形成するために板状部材を曲げプレス機において曲げ加工する曲げ加工方法を提供すること。 - 特許庁

In the irregularity formation step, a solvent S is adhered only to a first region 10b exposed from the internal electrode pattern 12 on the first main surface 10a of the ceramic green sheet 10 to form irregularities.例文帳に追加

凹凸形成工程では、セラミックグリーンシート１０の第１の主面１０ａにおいて内部電極パターン１２から露出する第１の領域１０ｂのみに、溶剤Ｓを付着させて凹凸を形成する。 - 特許庁

In the second step, a process in which a mask 13A having a pattern shape corresponding to the second magnetic part is provided on the magnetic film 5 via the step is performed for each part between servo region formation planned parts.例文帳に追加

第２工程では、当該過程を経て、第２磁性部に対応したパターン形状を有するマスク１３Ａを磁性膜５上に設けることをサーボ領域形成予定箇所間毎に行う。 - 特許庁

In a gate electrode formation region of a substrate 121 having a sheathed nano-wire 103 disposed thereon, an upper gate electrode 124 overlying with a lower gate electrode 122 is formed across the sheathed nano-wire 103.例文帳に追加

被覆ナノワイア１０３を配置した基板１２１のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイア１０３に交差して下部ゲート電極１２２に重なる上部ゲート電極１２４を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus and substrate treating method, which excellently removes contaminants from a circumferential edge portion of a substrate without affecting a device formation region on a surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

After the formation of the non-magnetic insulating layer 5, a second magnetic layer 6 is laminated to cover both minute region and the non-magnetic insulating layer 5 on the surface of the first magnetic layer 4, and a conductive part 7 is then formed.例文帳に追加

非磁性絶縁層５を形成した後、第１磁性層４表面の微小領域及び非磁性絶縁層５をともに覆うように第２磁性層６を積層し、導通部７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which isolation can be effected easily and surely by retarding formation of a void even if a trench becoming an isolation region is filled with an insulator.例文帳に追加

素子分離領域となる溝に絶縁物を充填してもボイドが形成されにくくすることで、容易且つ確実に素子分離を行うことを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An active layer (island-like semiconductor film) is arranged so that at least a channel formation region is accommodated inside one single crystal particle, for improved electric characteristics of a TFT.例文帳に追加

そして、一つの結晶粒の内部に少なくともチャネル形成領域が収まるように活性層（島状半導体膜）の配置を設計することで、ＴＦＴの電気特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a labeling processing method, a labeling processor, an image processor, an image formation apparatus and a computer program in a pipe line processing system to be applied to the labeling of the closed region of a raster scan type image data.例文帳に追加

ラスタスキャン型画像データの閉領域のラベル付けに適用されるパイプライン処理方式のラベリング処理方法、ラベリング処理装置、画像処理装置、画像形成装置、及びコンピュータプログラムの提供。 - 特許庁

A memory cell 80 has a 3T1J type three-dimensional structure in which memory transistors TR1 to TR3 and a TMR element TMR1 are provided in an element formation region 100 in a square-pole shape.例文帳に追加

メモリセル８０は、四角柱形状の素子形成領域１００にメモリトランジスタＴＲ１乃至３とＴＭＲ素子ＴＭＲ１が設けられた３Ｔ１Ｊ型の３次元構造のメモリセルである。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer has a characteristic structure that upper and lower layers in its channel formation region are silicon oxide/nitride films of at least 3 atom% and not more than 30 atom% in nitrogen content.例文帳に追加

また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

To allow formation of white images with desired color together with color images in a plurality of partial regions on a printing region when ink of multiple colors including white are used for printing.例文帳に追加

白色を含む複数色のインクを用いて印刷を行う際に、印刷領域上の複数の部分領域に対して、カラー画像と共に所望の色の白色画像を形成することを可能とする。 - 特許庁

In manufacture of a display device by applying transistors in which an oxide semiconductor layer is used for a channel formation region, a gate electrode is further provided over at least a transistor which is applied to a driver circuit.例文帳に追加

酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを適用して表示装置を作製するに際し、少なくとも駆動回路に適用するトランジスタの上に更なるゲート電極を配する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a data holding part connected to a thin film transistor having an oxide semiconductor layer in a channel formation region, for holding data relevant to a conduction state even when a power source voltage is disconnected.例文帳に追加

電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。 - 特許庁

A dam beam 5 is disposed having a slight clearance with the surface 2a of a sensor chip 2, and a sealing part 7 is formed by sealing an electrode 2b formation region 2c side by a sealing resin 7a from the dam beam 5.例文帳に追加

センサーチップ２の表面２ａと僅少な隙間を有してダム梁５を配置し、ダム梁５から電極２ｂ形成領域２ｃ側を封止樹脂７ａで封止し封止部７を形成する。 - 特許庁

To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

The top height of a metal projection 22 arranged in a corner region on a semiconductor element formation plane is formed lower than that of metal projections 19 to 21 arranged at other regions.例文帳に追加

半導体素子形成平面の角部領域に配置する金属突起２２の登頂高さが、その他の領域に配置された金属突起１９〜２１の登頂高さよりも低く形成されている。 - 特許庁

To provide a process cartridge and image forming apparatus capable of suppressing the deterioration in sharpness generated due to the passage of residual toner after transfer through a latent image forming region during latent image formation.例文帳に追加

転写残トナーが潜像画像形成中に潜像形成領域を通過することによって生じる画質劣化を抑制することができるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

When the intralayer lens 120 is to be formed by the reflow method such as BPSG, uniform flow behavior such as BPSG can be obtained over the entire region for formation with uniform and appropriate curvature.例文帳に追加

層内レンズ１２０をＢＰＳＧ等のリフロー法で形成する場合に、全領域にわたってＢＰＳＧ等の均一な流動性を得ることができ、均等で適正な曲率で形成できる。 - 特許庁

To provide a shoe press belts raising the compressive elasticity modulus of a prescribed region corresponding to a shoe edge part, and suppressing formation of cracks with little environmental effects when forming a reinforcing resin layer.例文帳に追加

シューエッジ部に対応する所定領域の圧縮弾性率を高くしてクラックの発生を抑制し、補強用樹脂層を形成する際の環境影響が少ないシュープレス用ベルトを提供する。 - 特許庁

Further, ink 13 is dripped in the pattern formation region 9 from an ink jet head 12 to form a pattern 14 comprising the ink 13 and the aggregate (wetting spread suppression part 11) of the metal particulates 10 (c).例文帳に追加

次いで、インクジェットヘッド１２からパターン形成領域９内にインク１３を滴下させ、インク１３及び金属微粒子１０の集合体（濡れ拡がり抑制部１１）からなるパターン１４を形成する（ｃ）。 - 特許庁

To reproduce a dot region of an image as a target of image formation which is acquired by an image forming apparatus more correctly than in a conventional method by preventing deterioration in image quality caused by moire.例文帳に追加

画像形成装置で取得した画像形成の対象とする画像について、モアレによる画質劣化の発生を防止して、その画像中の網点領域を従来よりも正確に再現する。 - 特許庁

Because the lead frame 1 is formed such that only the shape pattern formation region 2 is made thin without making the entire part flexible, a semiconductor element can be mounted without hindrance by using a conventional manufacturing apparatus.例文帳に追加

このリードフレーム１は、全体を撓み易くせずに、形状パターン形成領域２だけを薄くしているので、従来の製造装置によって、半導体素子を支障なく組み付けることが可能である。 - 特許庁

A thin-film transistor 300 is formed in a dual gate structure in which a first gate electrode 311 and a second electrode 332 face each other through a channel formation region 321c of a semiconductor layer 321.例文帳に追加

第１ゲート電極３１１と第２ゲート電極３３２とが、半導体層３２１のチャネル形成領域３２１ｃを介して対面しているデュアルゲート構造にて、薄膜トランジスタ３００を形成する。 - 特許庁

In the first region A, a first insulating layer 111 and a second insulating layer 112 are doubly provided, and a silicon monocrystalline layer 122 on the second insulating layer 112 is used for the substantial device formation.例文帳に追加

第１領域Ａは、第１の絶縁層１１１、第２の絶縁層１１２と二重に設けられ、第２の絶縁層１１２上のシリコン単結晶層１２２が実質的なデバイス形成に用いられる。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a flash memory device for preventing attacks from being generated in the active region of a semiconductor substrate by etching while adjusting a recipe when etching a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜エッチングに際して、レシピを調節してエッチングすることにより、半導体基板の活性領域に生じるアタックを防止するフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, the support is etched in the state of the upper part of the support in the SOI formation region being covered with a resist pattern to form an opening surface in the support for exposing part of the end of the SiGe layer 3.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ形成領域の支持体上をレジストパターンで覆った状態で支持体をエッチングすることにより、支持体にＳｉＧｅ層３の端部の一部を露出させる開口面を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high performance TFT through formation of at least one TFT channel region with a single crystal by enlarging crystal grain size and controlling location for crystal growth.例文帳に追加

結晶粒径を拡大し、かつ結晶成長の位置を制御して、少なくともＴＦＴのチャネル領域をひとつの結晶で構成することにより、高性能なＴＦＴを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Thus, while the extending sections 31 does not contribute to the increase in resistance value of the heat generating resistor 4, it reaches a high temperature according to heat conduction of resistance wiring, so that it contributes to the formation of a high-accuracy detection region.例文帳に追加

これにより、延設部３１は、発熱抵抗４の抵抗値の増加に寄与しないものの抵抗配線の熱伝導により高温になるので、高精度検出領域の形成に寄与する。 - 特許庁

Next, the image formation surface of the paper sheet 5 is pressed by a pressure roller 13 on the circumferential surface of a region 121 along a paper sheet transporting route 30 included in an endless fixing belt 12 (pressure process).例文帳に追加

次に、無端状の定着ベルト１２に含まれる、用紙搬送経路３０に沿った沿路部位１２１の外周面に、加圧ローラ１３によって用紙５の像形成面を押圧する（ 押圧工程）。 - 特許庁

To enable prevention of deterioration of reliability of a gate insulating film by inhibiting formation of a faucet at a near part of an element isolation insulating film in a semiconductor layer to become an active region of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの活性領域となる半導体層における素子分離絶縁膜の近傍部分にファセットが形成されないようにして、ゲート絶縁膜の信頼性劣化を防止できるようする。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed matter includes: a step in which a printing layer 109 is provided at a base material 107 using a predetermined pattern; and a step in which an opening 111 penetrating through the base material and the printed matter is provided in an opening formation region.例文帳に追加

基材１０７に所定パターンで印刷層１０９を設ける工程と、基材及び印刷層を貫通する開口部１１１を開口部形成領域に設ける工程とを含む。 - 特許庁

A recessed part 16 is formed on the substrate 11 so as to form a level difference at the outer edge part of a sticking region 15 where the die 13 is to be stuck on the substrate 11 simultaneously with the formation of an alignment mark 17.例文帳に追加

アライメントマーク１７の形成と同時に、基板１１におけるダイ１３が貼り付けられる貼付領域１５の外縁部分で段差が形成されるように基板１１に凹部１６を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for the development of a substrate wherein it is possible to prevent very fine deposits from remaining on the substrate after a processing operation, especially on an open frame for the substrate or on a pattern formation region.例文帳に追加

現像処理後の基板、特に基板のオープンフレームやパターン形成領域に微小な付着物が残留するのを防止できる基板現像装置および基板現像方法を提供する。 - 特許庁

Also, since the presence or absence of the dot formation of each region in the pixel group is decided if the pixel group has a gradation value distribution, a high-quality image can be outputted.例文帳に追加

また、画素群が階調値分布を有する場合でも、画素群内の各領域についてドット形成の有無を決定することができるので、高画質な画像を出力することが可能となる。 - 特許庁

This method also includes a step in which a buffer layer 108 to alleviate the impact applied to the printing layer when the opening is formed is locally provided in the periphery of the opening formation region in contact with the printing layer.例文帳に追加

開口部を設ける際に印刷層に加わる衝撃を緩和する緩衝層１０８を、開口部形成領域の周囲に印刷層に接して局所的に設ける工程を有する。 - 特許庁

A deep trench 202 is cut in a board 201, a dielectric material is left on a base 203 and a sidewalls 204 of the trench 202, and the upper part of the trench 202 is filled with a conductive material 205 for the formation of a gate region 206.例文帳に追加

基板２０１内の深いトレンチ２０２は、底部２０３及び側面２０４に誘電性材料を残し、上方部分を、導電材料２０５で満たしゲート領域２０６を形成する。 - 特許庁

An anvil 25 is attached to a driver cam follower 24, which is integrally raised and lowered along with the driver, in a freely forwardly and rearwardly slidable manner and allowed to support the intermediate region of a staple S at the time of formation of a linear staple due to a forming plate 30.例文帳に追加

ドライバと一体に昇降するドライバカムフォロワ24にアンビル25を前後揺動自在に取付け、フォーミングプレート30による直線ステープルのフォーミング時にステープルSの中間部位を支持させる。 - 特許庁

A magnetic field formation mechanism 66 extending circularly or coaxially is formed in the upper part of a periphery plasma region PS_B (preferably the surroundings of a shower head 38) on the ceiling section of a chamber 10.例文帳に追加

チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。 - 特許庁

On an upper surface of the coil part 36, a region with a predetermined distance or more from the center seen from an axial direction of an output axis 31 is covered with a commutator pattern non-formation part 359 of a commutator disk 35.例文帳に追加

また、コイル部３６の上面は、出力軸３１の軸方向から見て中心から所定距離以上の領域が整流子ディスク３５の整流子パターン非形成部分３５９に覆われている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure, which can a void the problem of exposure of a semiconductor substrate due to etching of edges of a device isolation region at the time of formation of gate sidewalls.例文帳に追加

ゲートサイドウオールの形成時、素子分離領域のエッジ部分がエッチングされ、半導体基板が剥き出しになるといった問題の発生を回避することができる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for obtaining a circuit and element formation region of high quality having a flat separated surface from an Si substrate, and to provide the semiconductor device and a semiconductor composite device.例文帳に追加

Ｓｉ基板から平坦な剥離面を備えた高品質の回路・素子形成領域を得るための半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、半導体複合装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can prevent delay and nonuniform operation during switching, and stress generated in a trench formation region is relaxed as much as possible, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

スイッチング時の遅延および不均一動作を防止することができるとともに、トレンチ形成領域に生じる応力が可及的に緩和された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁