例文 (999件) |
formation regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1711件
In top view, substrate residual regions 131 wherein the silicon substrate 101 remains and scatters like islands in the element isolation oxide film are selectively formed in a plurality of number immediately below a polysilicon 105 in the spiral inductor 120 formation region.例文帳に追加
そして、平面視において、素子分離酸化膜中にシリコン基板101が島状に残存してなる基板残存領域131が、スパイラルインダクタ120の形成領域においてはポリシリコン105の直下に選択的に複数設けられている。 - 特許庁
Thus, this substrate can permit the formation of different devices on the optimum substrate region with the different surface orientation, the different thickness, the different structure from the bulk or SOI, or the combination of these different ones.例文帳に追加
そのため、この基板により、表面配向が異なるか、または厚さが異なるか、あるいはバルクまたはSOIと構造が異なるか、あるいはこれら異なるものが組み合わされた最適な基板領域上に異なるデバイスを形成することができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an optical waveguide which uses a wet etching method and by which an optical waveguide having uniform polarization polarity within an optical waveguide formation region and producing no irregularity is manufactured.例文帳に追加
ウェットエッチング方法による光導波路の製造方法であって、光導波路形成領域内の分極極性が一様であって不均一性が生じていない光導波路を製造することができる光導波路製造方法を提供する。 - 特許庁
A conductive via-hole 5 penetrating the upper surface (main surface) and the lower surface (back surface) of an insulator layer of each circuit board is connected with a metal wiring pattern 7 at the main surface side, and a solder plate formation region 8 is formed at the metal wiring pattern 7.例文帳に追加
個別の回路基板の、絶縁体層の上面(主面)と下面(裏面)とを貫通する導電ビア5が、主面側において金属配線パターン7と接続し、その金属配線パターン7上にはんだめっき形成領域8を形成する。 - 特許庁
A group III nitride is formed again by an MOCVD furnace on the major surface 13c of the group III nitride region 13 by using the mask 19a, and film formation gas is also consumed on the mask 19a, thus generating a deposit 25 also on the mask 19a.例文帳に追加
マスク19aを用いてIII族窒化物領域13の主面13c上にMOCVD炉でIII族窒化物が再成長されると共に、成膜ガスがマスク19a上でも消費されてマスク19a上にも堆積物25が生じる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for effectively utilizing a lower layer region of an electrode pad, while suppressing increase in the number of steps resulting in rise of manufacturing cost for formation of a lower layer wiring of the electrode pad over a laminated substrate with the damascene method.例文帳に追加
積層基板上の電極パッドの下層配線をダマシン工法で形成する場合に、製造の際にコストアップにつながる工程数の増加を抑えつつ、電極パッドの下層領域を有効活用することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
In addition, as compared with a thin film transistor in which a microcrystalline semiconductor is included in a channel formation region, off-current of a thin film transistor can be reduced.例文帳に追加
非晶質半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオン電流を高めると共に、微結晶半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。 - 特許庁
In the case where a postcard size is selected as a recording paper size, a special ink formation permission signal 56 from a postcard size selection notification detecting part 512 in a receiving part 51 to a driving data generating part 55 for special ink is made effective, and execution of a special ink formation process for generating driving data of a head for special ink reactive to radiation outside a visible region is permitted.例文帳に追加
記録用紙のサイズとして郵便葉書サイズが選択されている場合には、受信部51内の郵便葉書サイズ選択通知検知部512から特殊インク用駆動データ生成部55への特殊インク生成許可信号56が有効にされ、可視領域外放射反応特殊インク用ヘッドの駆動データを生成するための特殊インク生成処理の実行が許可される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor device manufactured by using the manufacturing method, in which a laser crystallization method is used that is capable of preventing the formation of grain boundaries in a TFT channel formation region, and capable of preventing conspicuous drops in TFT mobility, reduction in an on-current and increases in an off-current, that are caused by the grain boundaries.例文帳に追加
TFTのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってTFTの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide a method which allows precise alignment in forming a device part, without the trouble of having to remove a photoresist layer on the alignment marking beforehand, and for securing sufficient device-forming region by making the alignment marking formation field small, so as not to destroy the alignment mark.例文帳に追加
アライメントマーク上のホトレジスト層を予め除去する手間を要することなくデバイス部形成時の正確なアライメントを可能とするとともに、アライメントマークが潰れないようにしてアライメントマーク形成領域を小さくし、十分なデバイス形成領域を確保する。 - 特許庁
Ion implantation carried out for the formation of the LDD layers of MOS transistors 3 and 4 are performed in a state, where only an L-shaped silicon nitride film of an emitter/base forming region 17 is left unremoved, while an L-shaped silicon nitride film located by the side of the gate electrodes 18C and 18D is removed.例文帳に追加
各MOSトランジスタ3,4のLDD層35,36形成のためのイオン注入は、エミッタ・ベース形成領域17のL字型シリコン窒化膜32Aのみ残し、ゲート電極18C,18D側方のL字型シリコン窒化膜を除去した状態で行なう。 - 特許庁
When a printer driver judges a color ink dot to be formed on the basis of color image data, it judges the formation of a light black dot in a region where a black dot is conspicuous and graininess becomes bad to output the judge result to the color printer.例文帳に追加
プリンタドライバは、カラー画像データに基づいて各色インクドットの形成有無を判断する場合に、ブラックドットを形成するとドットが目立って粒状性が悪化する領域では、淡ブラックドットを形成するように判断し、判断結果をカラープリンタに出力する。 - 特許庁
The tip of the cleaning gas supply pipe 10 is formed to be lower than a position P in an exhaust port 3a provided at the lowest position in a plurality of exhaust ports 3a, and is formed to be lower than a film formation region S in a semiconductor wafer W.例文帳に追加
クリーニングガス供給管10の先端は、複数の排気口3aのうち最も下に設けられた排気口3aの位置Pより下方となるように形成されているとともに、半導体ウエハWの成膜領域Sより下方となるように形成されている。 - 特許庁
To simplify the shapes of an element active region and a gate electrode, facilitate pattern formation in a lithography process, reduce registration deviation of resist patterns, and relieve design rule of a divided path of a word line while variation in storage characteristics of a semiconductor storage device is prevented.例文帳に追加
素子活性領域およびゲート電極の形状の単純化を図り、リソグラフィ工程におけるパターン形成を容易にし、レジストパターンの合わせずれを低減して、半導体メモリの記憶特性の変動を防止しつつ、ワード線の分路の設計ルールの緩和を図る。 - 特許庁
To provide a drawing method and a rectangular region dividing method in electron beam drawing capable of preventing generation of a non-drawing portion and preventing occurrence of problems such as drawing irregularity or formation of stripes in the entire drawn image and degradation in LER (line edge roughness).例文帳に追加
非描画部分の発生を防止することができ、描画像全体からみて描画ムラや筋の形成、LERの悪化などという現象の発生を防止することができる電子線描画における描画方法及び矩形領域分割方法を提供する。 - 特許庁
On a channel forming member 12, a sub-through hole 16 is so formed as to partially overlap a through-hole 15 (through-hole for side through), which is a scheduled formation region for a wiring channel of a side part which is formed for electrical connection path to a rear surface side.例文帳に追加
溝形成用部材12上には、裏面側への電気的接続経路のために形成される側部の配線溝(105)の形成予定領域としての貫通孔15(サイドスルー用貫通孔)に、一部重なるようにして副貫通孔16が形成されている。 - 特許庁
In a semiconductor device, the thin-film resistor 49 shown in a Fig. 4(b) forms aluminum electrodes 45a, 45c, and forms a trench 50 on a silicon substrate 33 so that the formation region of a CrSi film 41 is surrounded simultaneously when the aluminum electrode of a first layer is formed.例文帳に追加
図4(b)の薄膜抵抗体49は、アルミ電極45a、45cを形成すると共に、第1層のアルミ電極を形成する際に、同時にCrSi膜41の形成領域を囲むようにシリコン基板33にトレンチ50を形成した構成としている。 - 特許庁
Since the region of discharging the antioxidation gas can be increased by this configuration, a gas flow supplied from one side surface side of the ball formation unit BFU can be prevented from being reflected on the other opposite side surface to form a turbulent flow.例文帳に追加
これにより、酸化防止ガスを排出する領域を増加させることができるので、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向する他方の側面でガス流が反射して乱流を形成してしまうことを抑制できる。 - 特許庁
To provide an actuator for driving a valve which secures a retightening operation region and at the same time enables the total height thereof after mounting a valve to be reduced by achieving compact formation of a mounting portion of a valve, and in addition enables working man-hours upon mounting a valve to be reduced by reducing the number of components.例文帳に追加
増締め操作領域を確保しつつバルブとの取付け部分をコンパクトに形成してバルブ取付け後の全体高さを低くでき、しかも、部品点数を少なくしてバルブ取付け時の作業工数を小さくできるバルブ駆動用アクチュエータを提供する。 - 特許庁
Then an insulation film for spacer formation is formed over the entire surface of the substrate along a step, and then while the insulating film in the core area is left as it is, the insulation film in the cell region is etched anisotropically, to form a spacer of the insulation film in the cell area.例文帳に追加
次いで、半導体基板全面にスペーサ形成のための絶縁膜を段差に沿って形成した後、コア領域の前記絶縁膜はそのまま残し、セル領域の絶縁膜は異方性エッチングしてセル領域に絶縁膜によるスペーサを形成する。 - 特許庁
To provide an epitaxial wafer and a manufacturing method therefor, which has light receiving sensitivity in a near infrared region, facilitates acquisition of excellent crystalline and highly precise formation of its one- or two-dimensional array, and which becomes raw material of a light receiving element capable of lowering a dark current.例文帳に追加
近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
On the rear surface of the substrate B, a wiring W5 that includes the formation point of the via VA1 as one end and the source terminal Ts2 of the switching element S2 as the other end, is formed so as to bypass an insulating region formed around the terminals of the switching elements S1 and S2.例文帳に追加
基板Bの裏面上には、ヴィアVA1の形成箇所を一端としスイッチ素子S2のソース端子Ts2を他端として、スイッチ素子S1,S2の端子周りに形成される絶縁領域を迂回するようにして設けられた配線W5が形成される。 - 特許庁
This provides the advantage that the radiation region crossed by the X-ray is falsely visualized or monitored during treatment by use of simultaneous formation of X-ray images, so that the physician's hands in particular are not inadvertently exposed to the dose of X-rays.例文帳に追加
これは、とりわけ医師の手が連続的なX線量に不注意にも曝されないようにX線画像の同時形成を用いて治療する間X線によって横切られる放射線領域を擬視覚化するかモニタするといった利点を提供する。 - 特許庁
Articles can be inspected at a high speed with sufficient accuracy even in case of lightweight image data by performing comparison with a visible image which is created actually from image data created with an image formation device using feature information and region attribute information.例文帳に追加
画像形成装置より生成されるイメージデータより特徴情報及び領域属性情報を用いて、実際に生成される可視像との比較を行うことにより、軽量化されたイメージデータにおいても高速で精度良く検品処理を行うことが可能とする。 - 特許庁
A region in an active state on the surface of a vacuum material is selectively coated with silicon dioxide or the like by deposition and the coating rate is adjusted to <100% in a stage just before film formation 15 to lower the sticking probability of H2O.例文帳に追加
真空材料の表面における活性状態にある領域を酸化シリコン等で選択的に付着させて被覆し、かつその被覆率を膜形成に至る手前の段階の100%未満とすることにより、H_2 O付着確率を低減させる。 - 特許庁
The photosensitive resin formation for a flexographic plate includes at least (A) a photosensitive resin layer and (B) a slip layer situated on the layer (A), containing a compound whose UV absorbing region is in the range of at least 320-420 nm and comprising one or more polymers.例文帳に追加
少なくとも(A)感光性樹脂層、(B)層(A)上にあり、少なくとも320nm〜420nmの範囲に紫外線吸収領域が存在する化合物を含有し、1種以上の重合体から成るスリップ層を含むフレキソ版用感光性樹脂構成体。 - 特許庁
By arranging a plurality of starting points of crystal growth around the channel formation region, flocculation latent heat of silicon abbreviation single crystal grain which grows from each starting point is utilized, and a large silicon abbreviation single crystal grain is obtained also in a thin semiconductor layer of thickness.例文帳に追加
チャネル形成領域の周囲に複数の結晶成長の起点部を配置することにより、各起点部から成長するシリコン略単結晶粒の凝固潜熱を利用し、膜厚の薄い半導体層においても、大きなシリコンの略単結晶粒を得る。 - 特許庁
The printing image is formed by the mutual combination of dots formed in the printing pixels belonging to each of a plurality of pixel groups, in which physical differences are assumed, in the common printing region in dot formation by a printing image generation step.例文帳に追加
印刷画像は、印刷画像生成工程によるドットの形成において、物理的な相違が想定された複数の画素グループの各々に属する印刷画素に形成されたドットが、共通の印刷領域で相互に組み合わせられることによって形成される。 - 特許庁
To provide a rosin emulsion sizing agent which is used for making paper, exhibits an excellent sizing effect and excellent ink jet suitability in a paper-making system in a weakly acidic to alkaline region, further exhibits low foamability, and scarcely causes the precipitation, film formation and the like of the emulsion in a high concentration.例文帳に追加
弱酸性からアルカリ性領域における抄紙において優れたサイズ効果、インクジェット適性を付与し、かつ低発泡性であるサイズ剤を高濃度化し、かつエマルションの沈殿や、皮張り等が少ない製紙用ロジンエマルションサイズ剤を提供すること。 - 特許庁
In the immersion lithography apparatus, the formation of air bubbles in the immersion liquid can be minimized or prevented by reducing the size of a gap or a gap region between an object and a substrate table and/or providing a cover plate covering the gap.例文帳に追加
液浸露光装置において、対象物と基板テーブル上の間隙の大きさまたは間隙領域を低減することにより、及び/または、間隙を覆い隠すカバープレートを備えることにより、液浸用液体中での気泡の形成を最小化または防止される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a capacitor formed by laminating capacitor cylinders in multiple stages where the formation of a multistage capacitor and the removal of a support insulating film for supporting the capacitor cylinders in the peripheral circuit region can be attained without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加
多段キャパシタの形成およびキャパシタシリンダを支えるサポート絶縁膜の周辺回路領域における除去を工程数を増大させることなく達成する、キャパシタシリンダが多段に積層されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the glass substrate 1 has a nearly rectangular flat plate shape with four sides and has a through-hole made in the edge peripheral region S, the through-hole is made as a long hole 2 long, in a direction along one side 1a nearest the hole formation position.例文帳に追加
四辺を有する略矩形平板状をなし且つ縁部周辺領域Sに貫通孔が形成されたガラス基板1において、貫通孔は、その孔形成位置から最も近い一の辺1aに沿う方向に長尺な長孔2として形成される。 - 特許庁
A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加
シリサイド形成領域Aにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層114が形成されており、第1のサイドウォール108は、第2のサイドウォール109をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁
The step absorption layers are positively formed on each internal electrode, and the separation regions are provided at places opposite to the step absorption layers from the first, thus achieving absorption in the separation region even if the step absorption layer deviates to some extent at formation.例文帳に追加
各内部電極上に積極的に段差吸収層を形成し、その段差吸収層に対向する箇所に離間領域を当初から設けているため、段差吸収層が多少ずれて形成されたとしても、離間領域で吸収することができる。 - 特許庁
The third polysilicon layer also used for the plate electrode 60 is formed in the regions excluding the DRAM cell region 400 so as to turn the third polysilicon layer into a silicide for the formation of a wiring 67 as well as a resistant element 70.例文帳に追加
DRAMセルのプレート電極60にも用いられる第3ポリシリコン層をDRAMセル領域400以外の領域にも形成し、その第3ポリシリコン層をシリサイド化して配線67を形成し、また第3ポリシリコン層からなる抵抗素子70を形成している。 - 特許庁
The wiring line 102 is led out of a bump electrode formation region where a bump electrode BP1 is formed, toward pad electrodes P1 and P1 for output, but the wiring width W1 of a lead-out portion is larger than the diameter R1 of the bump electrode R1.例文帳に追加
また、配線102は、バンプ電極BP1が形成されたバンプ電極形成領域から出力用のパッド電極P1,P1の方向へ引き出されるが、その引き出し部の配線幅W1はバンプ電極BP1の直径R1よりも大きくなっている。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a quantum wire, which enhances the flatness of the surface of a silicon film subsequent to the formation of the quantum wire and can form the quantum wire having a complete electron confinement region with good controllability, and a semiconductor element having the quantum wire.例文帳に追加
量子細線の形成後のシリコン表面の平坦性がよく、完全な電子の閉じ込め領域を有する量子細線を制御性よく形成できる量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁
The periphery metallized layer 43 is formed to cover a plurality of corners 41, 45 of the periphery of the frame part 11 and a non-formation region 46 where the periphery metallized layer 43 is not formed is formed between the corner 41, 45 and the corner 41, 45.例文帳に追加
この外周メタライズ層43は、枠部11の外周の複数の角部41、45を覆うように形成されるとともに、角部41、45と角部41、45との間には、外周メタライズ層43が形成されない不形成領域46が形成されている。 - 特許庁
When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.例文帳に追加
ゲート電極1の上層に第1,第2の応力膜4,5を張り分けてからそのゲート電極1に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域9を第1の応力膜4側にレイアウトする。 - 特許庁
After forming a polycrystal silicon 4 as a hetero semiconductor region in contact of hetero-junction with a semiconductor base material on the front surface of an epitaxial layer 2 constituting the semiconductor base material, uneven surface on the front surface of the polycrystal silicon 4 is flattened before formation of a gate insulating film 6.例文帳に追加
半導体基体を構成するエピタキシャル層2表面に該半導体基体とヘテロ接合するヘテロ半導体領域として多結晶シリコン4を形成した後、ゲート絶縁膜6を成膜する前に、多結晶シリコン4の表面の凹凸を平坦化する。 - 特許庁
A capacity pattern 25 for noise reduction is arranged in a formation region 4b of metallic wiring for connecting logic cells 2 mutually in accordance with logic connection information, between the ROW3 and another ROW3 adjacent to the ROW3.例文帳に追加
そして、そのROW3と、そのROW3に隣接する別のROW3との間の、論理接続情報にしたがってロジックセル2の相互を接続するためのメタル配線の形成領域4bに、ノイズ低減用の容量パターン25を配置する構成とされている。 - 特許庁
This mask 1 for forming a thin film on a substrate 9 includes a plate 4 having multiple openings 2, and pressing members 5 arranged on the plate 4 located in a non-formation region of the openings 2 for pressing the plate 4 to the substrate 9 side.例文帳に追加
基板9に対して薄膜を形成するためのマスク1において、多数の開口2を有するプレート4と、前記開口2の非形成領域に位置する前記プレート4上に設けられ、前記プレート4を前記基板9側に押圧するための押圧部材5と、を有する。 - 特許庁
To obtain a method of manufacturing quartz glass in which the inclusion of impurities or the generation of bubbles is reduced and the formation of defects in the structure is suppressed, and which has high transmittance and ultraviolet ray resistant property suitable for an optical device utilizing high power laser light in the ultraviolet ray region.例文帳に追加
不純物の含有や泡の発生を低減せしめ、構造欠陥が少なく、高い透過率を保持して紫外光線領域の高出力レーザ光を利用する光学装置などに好適な耐紫外線特性を有する石英ガラスの製造方法を得る。 - 特許庁
After F10 adhering to the WSi exposed region on the inner surface of the contact hole is removed, during the formation of the capacity contact hole by heating the semiconductor substrate in nitrogen by means of a lamp annealing unit, O2 gas is introduced to form an oxide film 9 on the bottom of the contact hole.例文帳に追加
半導体基板をランプアニール装置で窒素中加熱することにより、容量接続孔形成時に接続孔内壁のWSi露出領域に付着したF10を除去した後、O_2ガスを導入して接続孔底部に酸化膜9を形成する。 - 特許庁
A plating part 3 is formed in the surface shape 1 of a lead frame to be manufactured on its metal plate surface, that is, in a region which includes a plating formation area 2 and projects by a predetermined width d from the outer periphery 1a of the surface shape 1 of the lead frame.例文帳に追加
製造すべきリードフレームの金属板表面上での表面形状1に対し、めっき形成領域2を含み且つリードフレーム表面形状1の外周縁1aから所定幅dだけ外側に突き出た領域に、めっき部3を形成する。 - 特許庁
Prior to the excavation of the soft sandy earth ground 1, the ground in the predetermined range at the outer side of the excavation range 2 is compacted by the formation of a compaction sand pile 3, in this compaction region 4, anchors 6 of the earth retaining wall 5 installed as the excavation work progress are anchored.例文帳に追加
軟弱砂質土地盤1の掘削に先立って、掘削域2の外側の所定範囲の地盤を締固め砂杭3の造成で締固め、この締固め域4に、掘削作業の進行に伴って設置される山留め壁5のアンカー6を定着させる。 - 特許庁
To provide a cover ray film which has a high thermal resistance, a high reflection factor in a visible light region and a little deterioration of the reflection factor under an elevated temperature heat load environment, and enables the formation of a large area, especially allowing the use in a printed wiring board for LED packaging.例文帳に追加
耐熱性が高く、可視光領域において反射率が高く、及び高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない、大面積化に対応可能な、特にLED実装用プリント配線基板に使用可能なカバーレイフィルム等を提供すること。 - 特許庁
To provide a method which pattern-forms a thin film in a prescribed region on a substrate by using liquid materials by an application method at low cost and simply and easily, and a manufacturing method of an organic electroluminescent element, a semiconductor element, and an optical element which are obtained by using the pattern-formation method.例文帳に追加
塗布法により液状材料を用いて、低コストで且つ簡便に基板上の所定の領域に薄膜をパターン形成する方法及びこの方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子及び光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device in which an optical element can be bonded to a liquid crystal panel with high positional accuracy, while avoiding or minimizing enlargement of a frame part (non-display region) and increase in manufacturing cost due to marker formation on the liquid crystal panel.例文帳に追加
液晶パネルへのマーカ形成に起因する額縁部(非表示領域)の拡大と製造コストの上昇を回避あるいは最小限に抑えながら、高い位置精度で液晶パネルに光学素子を貼り合わせできる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
The presence of communication defects for allowing the external space to communicate with the closed space in the structure is determined, based on a color state that is identified by the observation and is at a part corresponding to the closed space, namely a part corresponding to a formation region of the closed space.例文帳に追加
該観察によって特定される、閉空間の形成領域に対応する部分である閉空間対応部分における呈色状態に基づいて、構造体における、外部空間と前記閉空間とを連通させる連通欠陥の有無を判定する。 - 特許庁
例文 (999件) |
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