「in the region」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

An adenovirus-mediated triple gene expression system that includes a foreign gene respectively in the E1 deletion region, the E3 deletion region and a region between E4 and 3'ITR is developed.例文帳に追加

E1欠失領域、E3欠失領域、およびE4と3'ITRの間の領域に、外来遺伝子を含むアデノウイルス媒介三重遺伝子発現系を開発した。 - 特許庁

In some areas, such as the Hirano region, Juso region and Higashi Osaka region, there are a lot of associations that perform bold music of the Nagara and Minami Nagara regions. 例文帳に追加

平野地域、十三地域や東大阪地域などの一部には、長柄・南長柄地区の派手な演奏を取り入れている講が少なくはない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An N-type heavily-doped source region 211 and a P-type heavily-doped main body region 210 are arranged in the upper part of the well region 207.例文帳に追加

Ｎ型に多量にドープされたソース領域２１１と、Ｐ型に多量にドープされた本体領域２１０は、ウェル領域２０７内上方に配置する。 - 特許庁

The dummy patterns 2 may be arranged inside a dicing region 3 so as to be mounted on a body to be installed or may be arranged in a region containing the dicing region 3.例文帳に追加

ダミーパターン２は、図１のようにダイシング領域３より内側に配置しても良いし、ダイシング領域３を含む領域に配置しても良い。 - 特許庁

To provide a headrest device which restrains major movements of a head region, imposes no substantial burden on a user, and supports the head region in a manner that the head region leans in a natural posture, and both a medical chair and a medical bed equipped with the same.例文帳に追加

頭部の大きな移動を抑え且つ利用者の体に大きな負担をかけることなく、頭部を自然な姿勢で傾倒自在に支持するヘッドレスト装置を提供する。 - 特許庁

A map in which a normal operation region and a cylinder reduction operation region are divided and set in a two-dimensional region using the number of revolutions of the engine and engine output torque as variables to determine the possibility.例文帳に追加

可否判断には機関回転数と機関出力トルクとを変数とする２次元領域に通常運転域と減筒運転域とを分けて設定したマップを使用するのがよい。 - 特許庁

The buffer layer is formed so as to have a first thickness in a center region and have a second thickness less than the first thickness in a peripheral region surrounding the center region.例文帳に追加

バッファ層は、中心領域で第１の厚さを有する一方該中心領域を囲う周辺領域で第１の厚さより薄い第２の厚さを有するように形成されている。 - 特許庁

In order to allow a recording test in the user data zone, a portion of the user data zone is replaced with a replacement region and is set to be a region for the recording test as a region for adjustment.例文帳に追加

ユーザデータゾーンで記録テストを行うことを可能にするために、ユーザデータゾーンの一部を交替領域で交替して調整用領域である記録テスト用の領域として設定する。 - 特許庁

An insulating film 2a functioning as element separation is formed in a region on the photoelectric conversion region 3 in the semiconductor substrate 1 so that it covers the photoelectric conversion region 3.例文帳に追加

半導体基板１における光電変換領域３上の領域には、光電変換領域３を覆うように、素子分離として機能する絶縁膜２ａを形成する。 - 特許庁

Moreover, an optical means 501 which gives a light irradiation strength different from a transferring region may be provided in the non-transfer region outside the transferring region of the pattern in an optical curing resin.例文帳に追加

また、光硬化樹脂におけるパターンの転写領域外の非転写領域に、該転写領域とは異なる光照射強度を与える光学手段５０１を有してもよい。 - 特許庁

The transflective liquid crystal display is provided with a reflection electrode 9 formed in a reflection region S of a pixel region in the same layer as a source wiring line 2 apart from the source wiring line 2 by a prescribed region.例文帳に追加

ソース配線２と同一層内の画素領域の反射領域Ｓにおいて、ソース配線２と所定の領域だけ隔てられ形成される反射電極９を備えている。 - 特許庁

Product chips are formed in an effective region of a semiconductor wafer, and dummy chips are formed in an ineffective region of the semiconductor wafer to surround the outer periphery of the effective region.例文帳に追加

半導体ウェハの有効領域に製品チップを形成すると共に、前記半導体ウェハの無効領域に有効領域の外周を囲むようにダミーチップを形成している。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

A residual region in which the multiplexed data of a packet unit is not recorded out of the reserved region is opened as an empty region, and multiplexed data are recorded thereafter in the same way.例文帳に追加

そして、予約領域のうちの、パケット単位の多重化データが記録されずに残った記録領域を、空き領域として開放し、以下、同様にして、多重化データを記録する。 - 特許庁

A MOSFET has a plurality of well regions 20 formed in a drift layer 2, and a region contiguous to the region between the well regions 20 in the drift layer 2 becomes a junction termination extension (JTE) region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ドリフト層２に形成された複数のウェル領域２０を有し、ドリフト層２におけるウェル領域２０間に隣接する領域がＪＴＥ領域となる。 - 特許庁

The code amount estimation part estimates a code amount of the non-coded region from the code amount of the coded region based on a ratio in code amounts of regions corresponding to the encoded region and the non-coded region in a coded frame which is close, in terms of time, to the frame being encoded.例文帳に追加

符号量推定部は、符号化中フレームに時間的に近接する符号化済みフレームにおける、符号化済み領域及び未符号化領域のそれぞれに対応する領域の符号量の比率に基づいて、符号化済み領域の符号量から未符号化領域の符号量を推定する。 - 特許庁

An image processing unit sets an enlargement region EGb and a reduction region SGb arranged in a specified direction of the image IG3, enlarges the enlargement region EGb in the specified direction, and reduces the reduction region SGb in the specified direction, thus performing the deformation processing of the image IG3.例文帳に追加

画像処理装置は、画像ＩＧ３の特定方向に配列された拡大領域ＥＧｂと縮小領域ＳＧｂとを設定し、拡大領域ＥＧｂを特定方向に拡大するとともに、縮小領域ＳＧｂを特定方向に縮小することにより画像ＩＧ３の変形処理を行う。 - 特許庁

In a P-type base region 2, an N+ type source region 3 is stretched from the main surface 1a to the perpendicular direction, and an N+ type drain region 4 is stretched so as to leave from the P-type base region 2, interposing a drift region 1c.例文帳に追加

また、ｐ型ベース領域２内において、主表面１ａから垂直方向にｎ^+型ソース領域３を延設し、ドリフト領域１ｃを挟んでｐ型ベース領域２から離間するようにｎ^+型ドレイン領域４を延設する。 - 特許庁

A region where an As ion implantation region 13 and a P ion implantation region 14 mixedly exist becomes an effective region of the resistor device, and contact regions 151, 152 are formed only in the portion of the As ion implantation region 13.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４の混在している領域が抵抗素子の有効領域となり、Ａｓイオン注入領域１３のみの部分でコンタクト領域１５１，１５２が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where electrical characteristics in a gate insulating film in the vicinity of an element isolation region and electrical characteristics in a gate insulating film in a region other than the element isolation region are equal, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a fixing process of fixing the lead to the bonding region of the front surface of the semiconductor device comprises the steps of arranging solder material in the bonding region, melting the solder material in the state that the lead is made to stand independently so that the lead may touch with the solder material, and fixing the lead in the bonding region.例文帳に追加

また、半導体素子の表面の接合領域にリードを固定する固定工程が、接合領域に半田材を配置し、半田材にリードが接するようにリードを自立させた状態で半田材を溶かし、接合領域にリードを固定する工程からなる。 - 特許庁

The image sensor comprises a first conductivity-type substrate region, a second conductivity-type photodiode region located in the substrate, a first conductivity-type HAD region located on the surface of the substrate over the photodiode region, and a transfer gate located on the surface of the substrate adjacent to the HAD region.例文帳に追加

第１導電型の基板領域と、基板に位置した第２導電型のフォトダイオード領域と、フォトダイオード領域上で、基板の表面に位置した第１導電型のＨＡＤ領域と、ＨＡＤ領域に隣接して基板の表面上に位置したトランスファゲートとを含むイメージセンサーである。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域４とＰ型ベース領域６との間の活性層３には、Ｎ型ベース領域１２が設けられ、Ｎ型ベース領域１２の表面上からＰ型ベース領域６の表面上に延在するゲート絶縁膜１４を介してゲート電極９が設けられる。 - 特許庁

The LSI device has an SOI substrate 11 and an element separation region 18 for separating an SOI layer 14 of the SOI substrate 11 into the core region 1 and the I/O region 2, and the thickness of an SOI layer 14a in the core region 1 is formed thinner than the thickness of an SOI layer 14b of the I/O region 2.例文帳に追加

ＬＳＩデバイスは、ＳＯＩ基板１１と、ＳＯＩ基板１１のＳＯＩ層１４をコア領域１とＩ／Ｏ領域２とに分離する素子分離領域１８とを有し、コア領域１のＳＯＩ層１４ａの厚さをＩ／Ｏ領域２のＳＯＩ層１４ｂの厚さより薄くしている。 - 特許庁

In forming an n^+ source region 24 on a region between adjacent trenches 25, an impurity is injected using a center portion of the region between the trenches as a mask, and the depth of the region of the adjacent trenches 25 of the n^+ source region 24 is made shallower than the depth of a portion near the trenches.例文帳に追加

隣り合うトレンチ２５の間の領域にｎ^+ソース領域２４を形成する際に、トレンチ間の領域の中央部分をマスクして不純物を注入し、ｎ^+ソース領域２４の、隣り合うトレンチ２５の間の中央部分の深さを、トレンチ近傍部分の深さよりも浅くする。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

In the secondary battery built-in apparatus in which the secondary battery having a printable region is built in, the life expiration of the secondary battery is determined, based on a change in the voltage of the secondary battery, and the life time expiration is printed in the printable region of the secondary battery.例文帳に追加

印字可能領域を有する二次電池が内蔵される二次電池内蔵機器において、二次電池の電圧変化に基づいて、二次電池の寿命切れを判定すると共に、二次電池の印字可能領域に寿命切れを印字する。 - 特許庁

A luminance calculating part 32 calculates average luminance concerning a near region being close to the vehicle in the running section region, a remote region being remote from the vehicle, and an upper region being an upper part corresponding to the running section region in the front monitoring image.例文帳に追加

輝度算出部３２は、走行区画領域において車両に近い領域である近傍領域、車両から離れた領域である遠方領域、前方監視画像において走行区画領域に対応した上空部分である上空領域のそれぞれについて平均輝度を算出する。 - 特許庁

The optical component contains a first region which has water repellency and a second region which is provided in contact with the first region and has water repellency lower than that of the first region and further the optical component has a transmission section with light transmissivity and an electric conduction section for conducting electricity in the second region.例文帳に追加

撥水性を有する第１領域と、前記第１領域に接して備えられ前記第１領域よりも撥水性が低い第２領域とを含み、光透過性を有する透過部と、前記第２領域の電気を導通させる電気導通部とを有する光学部品。 - 特許庁

To prepare a film-removed interlayer film which is characterized in that, when preparing the interlayer film having a transparent region in a colored region by replacing a part of the colored shade region of the interlayer film for laminated glass for an automobile, with a transparent interlayer film, no gap and no protrusion exist at a boundary part between the colored region and the transparent region.例文帳に追加

自動車用の合わせガラス用中間膜の着色シェード域の一部を膜抜きして透明な中間膜に置き換え、着色域の中に透光域を有する中間膜の製造時に、該着色域と透孔域の境界部に、隙間やはみ出しのない膜抜き中間膜を得る。 - 特許庁

A preferable mode of the region 4 low in wettability by ink is that the region has low wettability by ink and high wettability by the sealing liquid, and that the region 4 has a region 9 high in wettability by ink provided at least at an outer edge of the region 4.例文帳に追加

前記インクとのぬれ性が低い領域４が、インクとのぬれ性が低く、かつシール液体とのぬれ性が高い領域である態様、前記インクとのぬれ性が低い領域４の少なくとも外縁部に、インクとのぬれ性が高い領域９を有する態様が好ましい。 - 特許庁

The maximum dimension of the overlapped section with the gate electrode 8 to a depthwise direction in the first diffusion layer region 10 and the second diffusion layer region 11 is made larger than the half of the dimension of the gate electrode, in a direction in parallel with the direction connecting the first diffusion layer region and the second diffusion layer region.例文帳に追加

第１の拡散層領域１０および第２の拡散層領域１１中、ゲート電極８とオーバーラップした部分の深さ方向への最大寸法は、ゲート電極の、第１の拡散層領域と第２の拡散層領域とを結ぶ方向と平行な方向の寸法の半分よりも大きい。 - 特許庁

When the rotor 120A moves to the one side to reduce the overlapping between the stator 110A and the field region 120a in the rotation center axis direction, the core region 120b compensates the overlapping between the stator 110A and the field region 120a in the rotation center axis direction.例文帳に追加

ロータ１２０Ａが一方側に移動してステータ１１０Ａと界磁領域１２０ａとの回転中心軸方向の重なりが減少したとき、鉄心領域１２０ｂがステータ１１０Ａとの回転中心軸方向の重なりを補償する。 - 特許庁

In this application step, the adhesive agent protrudes from a side 2b which serves as a boundary with the dicing region in the plan view to the groove in at least one corner 2a of the chip region in the plan view.例文帳に追加

この塗布工程において、平面視におけるチップ領域の少なくとも１の角部２ａでは、平面視においてダイシング領域との境界となる辺２ｂから溝に接着剤がはみ出す。 - 特許庁

Furthermore, in the other region, magnification is smaller than in the specific region, so that a wider range of the terminal screen can be displayed in the pseudo terminal screen than in the case of expanding the whole terminal screen.例文帳に追加

また、他の領域は、特定領域よりも拡大率が小さいことから、端末画面全体を拡大する場合よりも、擬似端末画面は端末画面の広い範囲を表示することができる。 - 特許庁

Thus, only the transistor Tr1 for output is allowed to operate in the region in which the load currents are small, and at least the transistor Tr2 for output is allowed to operate in the region in which the load currents are large.例文帳に追加

これにより、負荷電流Ｉo の小さい領域では出力用トランジスタＴｒ_1 のみを動作させ、負荷電流Ｉo の大きい領域では少なくとも出力用トランジスタＴｒ_2 を動作させる。 - 特許庁

The parasitic transistor is removed in a place in contact with the element separating region as the part not covered with the gate electrode 10, in the source 12 and drain 13 respectively formed in the element forming region.例文帳に追加

素子形成領域にそれぞれ形成したソース１２およびドレイン１３における、ゲート電極１０に覆われない部分であって、かつ素子分離領域に接する寄生トランジスタ部分が除去されている。 - 特許庁

Impurity ion concentration contained in the liquid crystal layer LQ in the display region is set to be lower than the impurity ion concentration contained in the liquid crystal layer LQ in the outside of the display region.例文帳に追加

表示領域において液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度は表示領域の外側において液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度よりも低く設定されている。 - 特許庁

For example, in IMF (2007b)20 report, the factors behind the changes in the Gini coefficients in each region are classified as follows: 1) globalization21, 2) technological advancement22, and 3) other factors. Further, the ratios of their contributions are calculated to analyze the causes of the widening gap in each region.例文帳に追加

例えば、IMF（2007b）20では、各地域のジニ係数を①グローバル化要因21、②技術進歩要因22、③その他要因へと寄与度分解した上で、地域ごとに格差の拡大要因を分析している。 - 経済産業省

Further, the recording layer showing selective reflection on the light in the invisible wavelength region/a recording part and the recording layer showing selective reflection on the light in the visible wavelength region/the recording part may be provided in multiple layers/one and the same layer.例文帳に追加

不可視波長領域の光について選択反射を示す記録層／記録部と可視波長領域の光について選択反射を示す記録層／記録部とを多層／同一層に設けてもよい。 - 特許庁

Here, the junction between the region 5 and the gate 8 is brought close to the side of the region 6 in the vicinity of the surface of the layer 3, to shorten the channel length.例文帳に追加

ここで、ｐ型ウェル領域５のジャンクションを、半導体層３の表面近傍においてｎ＋型ソース領域６側に近づけて、チャネル長を短くしている。 - 特許庁

In switching the region of interest from a first region of interest to a second region of interest, a control section 104 sets an intermediate region on a frame image included in a motion picture so as to be closer in terms of space and time than the second region of interest.例文帳に追加

制御部１０４は、第１の注目領域から第２の注目領域に注目領域を切り替える場合、第２の注目領域よりも空間的、時間的に近くなるよう、動画像に含まれるフレーム画像上に中間領域を設定する。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

To use a non-administration region being a region other than a restricted specific region, and to improve the convenience of a user in that case, in a computer system in which the administration region of a main memory which is controlled by an operating system is restricted to a specific region.例文帳に追加

オペレーティングシステムが管理するメインメモリの管理領域が所定領域に制限されているコンピュータシステムにおいて、制限された所定領域以外の領域である管理外領域を利用できるようにするとともに、その際のユーザの利便性を向上させる。 - 特許庁

In the transistor 30, a distance parallel to the principal plane of the body silicon layer 23 between a high concentration collector region 32 and a base region 33, which are in contact with a low concentration collector region 31 formed in the body silicon layer 23, is longer than a distance between the high concentration collector region 32 and the base region 33.例文帳に追加

また、トランジスタ３０では、ボディシリコン層２３に設けられた低濃度コレクタ領域３１に接する、高濃度コレクタ領域３２及びベース領域３３において、ボディシリコン層２３の主表面に対して平行方向の距離が、高濃度コレクタ領域３２及びベース領域３３よりも離れて設けられている。 - 特許庁