「ion gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode comprising a gate insulation film and polycrystal silicon is formed onto a semiconductor substrate, and semiconductor regions as a source and a drain are formed by ion implantation.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜および多結晶シリコンからなるゲート電極を形成し、イオン注入によりソース・ドレインとしての半導体領域を形成する。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

As a means for allowing the charge accumulator to get under the transfer gate (with no diagonal ion implantation with polysilicon gate regulation), implantation is implemented at the angle where the charge accumulation part is prevented from cutting into the transfer gate electrode with a mask regulation before formation of the polysilicon gate and from having any escape from the same.例文帳に追加

また、転送ゲート下に電荷蓄積部を潜り込ませる手段として（ポリシリコンゲート規定での斜めイオン注入を行わず）ポリシリコンゲート形成前にマスク規定で転送ゲート電極に対して食い込み、逃がしのない角度にて注入を行う。 - 特許庁

First, only the gate of an n-type transistor is worked, and then donor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus.例文帳に追加

まずｎ型トランジスタのゲート加工のみを行い、ドナー・イオンを質量非分離型イオン注入装置で注入する。 - 特許庁

A source and drain area 6 is formed by ion implantation while the gate electrode and the side wall insulating film 4 are being used.例文帳に追加

ゲート電極およびサイドウォール絶縁膜４をマスクとしたイオン注入により、ソース・ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁

A middle dosed ion implanting device implants B+ 24 in the interface of the semiconductor layer 18 and the gate oxidized film 22.例文帳に追加

半導体層１８とゲート酸化膜２２との界面に，中ドーズイオン注入装置によりＢ^＋２４を注入する。 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第１のゲート電極３１をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域５１及び拡散層５２を形成する。 - 特許庁

Then with the gate electrode 4 and the sidewall 12 as masks, ion implantation is performed to form an impurity region 13.例文帳に追加

次に、ゲート電極４及びサイドウォール１２をマスクとしてイオン注入を行い、不純物領域１３を形成する。 - 特許庁

When no voltage is applied to the gate electrode 3, the ion outgoing from an ion source 1 is detected by a primary ion detector 5 via the straight line orbit B, resulting in the short-term and high time resolution analysis being achieved.例文帳に追加

ゲート電極３に電圧が印加されないときにはイオン源１から出射されたイオンは直線軌道Ｂを経て第１イオン検出器５で検出されるから、分析時間が短く高い時間分解能を達成できる。 - 特許庁

After a gate electrode is formed, a first-conductivity-type dopant is ion-implanted with high concentration, heat treatment is made, a second-conductivity-type dopant is ion-implanted, a sidewall is formed on a gate side, the first-conductivity-type dopant is ion-implanted, and then heat treatment is made for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理、第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行って電界効果型トランジスタを製造する。 - 特許庁

An oxide having an oxygen ion conduction power is employed as a gate insulation film 2 and a positive potential gradient is provided from a semiconductor substrate 1 to the surface of the gate insulation film 2 at the time of depositing the gate insulation film 2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２として酸素イオン導電能力を有する酸化物を用いるとともに、前記ゲート絶縁膜２の堆積時に、半導体基板１から前記ゲート絶縁膜２の表面にかけて正の電位勾配を設ける。 - 特許庁

After forming a thick gate insulating film 9 and a gate insulating film 11 thinner than the film 9, a gate electrode material is deposited and a p-type impurity is ion-implanted to portions on which body areas are to be formed under the gate insulating film 9 to form the p-type impurity area 15.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜９及びこれよりも薄いゲート絶縁膜１１を形成した後、ゲート電極材料を堆積し、ゲート絶縁膜９下のボディ領域の形成予定部位にｐ型不純物をイオン注入してｐ型不純物領域１５を形成する。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

This electric opening/closing device 20 of the sluice gate uses a motor driven by a lithium ion battery 31 of charging type as a driving source to open and close the sluice gate electrically through a reduction gear 30 mounted on the driving shaft 13.例文帳に追加

電動水門開閉装置20は充電式リチウムイオン電池31で駆動するモータを駆動源とし、駆動軸13に減速装置30を介して水門の開閉が電動化される。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁

A gap 54 making up a heat insulating layer is formed between the tip side of a valve casing 26 and the inner face 23A, on the gate 20 side, of a built-ion hole 23.例文帳に追加

バルブケーシング26の先端側と、組み込み孔23のゲート20側内面23Ａとの間に断熱層をなす隙間54を形成する。 - 特許庁

To prevent the breaking of the gate insulating films of TFT in ion implantation without increasing the number of treating steps.例文帳に追加

イオン注入時におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の破壊を、処理工程の増大を招くことなく、防止することができる。 - 特許庁

A silicon nitride film 114 acting like an ion implantation adjustment film is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the gate electrode 3.例文帳に追加

イオン注入調整膜として、シリコン窒化膜１１４を、ゲート電極３を含むシリコン基板１の全面に形成する。 - 特許庁

To rationalize an ion implanting process for adjusting the threshold voltage of a semiconductor device having gate insulating films different in thickness.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置のしきい値電圧調整用のイオン注入工程の合理化を図る。 - 特許庁

The gate oxide film, corresponding to 14a, becomes thicker than that corresponding to 14b by forming the ion implantation layer 18.例文帳に追加

イオン注入層１８を形成したことで１４ｂ対応のゲート酸化膜より１４ａ対応のゲート酸化膜が厚くなる。 - 特許庁

Then, the gate electrode 21 is used as a mask for carrying out impurity ion implantation for forming the LDD diffusion layer of the logic element.例文帳に追加

その後、ゲート電極２１をマスクとして、ロジック素子のＬＤＤ拡散層形成のための不純物イオン注入を行なう。 - 特許庁

Then, mask processing and ion injection are sequentially repeated to form the N-type and P-type gate electrodes 10, 12 (ST17).例文帳に追加

その後、マスク処理とイオン注入を順に繰り返し、Ｎ型及びＰ型のゲート電極１０、１２を形成する（ＳＴ１７）。 - 特許庁

Openings 11 each having a size equal to or slightly larger than that of each electron emission area of the cold-cathode electron emission sources 6 are formed in the gate electrode 10, and an ion capture electrode 12, a gate plate 13 and the gate electrode 10 are sequentially stacked from the side of an anode electrode 15.例文帳に追加

ゲート電極１０に冷陰極電子放出源６の電子放出領域と同じか若干大き開口部１１を設け、アノード電極１５側から順に、イオン捕獲電極１２、ゲート板１３、ゲート電極１０を積層する。 - 特許庁

A resist pattern 14 covering over the gate electrode 13 to one flank of the gate electrode 13 is formed, and arsenic ions are implanted on the surface layer of the semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by the resist pattern 14 and the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３上からゲート電極１３の一側方にかけてを覆うレジストパターン１４を形成し、レジストパターン１４及びゲート電極１３をマスクに用いたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にヒ素イオンを導入する。 - 特許庁

Further, the polycrystalline silicon film 3 is patterned like a gate electrode, and impurities (boron) are applied to the entire surface through ion implantation, and it is heat-treated thereafter.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３をゲート電極形状にパターニングした後、全面に不純物（ボロン）をイオン注入し、熱処理を施す。 - 特許庁

To enable constituting a gate region getting into underside of a source region, without subjecting the region high-energy ion implantation.例文帳に追加

高エネルギーのイオン注入を行わなくても、ソース領域の下方までゲート領域が入り込んだ構造を形成できるようにする。 - 特許庁

Subsequently, an oblique ion implantation is conducted so that impurity ions passes the predetermined length region from one end of the floating gate 11.例文帳に追加

続いて、不純物イオンがフローティングゲート１１の一端から一定の長さの領域を通過するように、斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

Then, ion is implanted for source/drain formation, with the insulating layer 16 left on the emitter electrode 17 and the gate electrode 18.例文帳に追加

次に、エミッタ電極１７とゲート電極１８の上に絶縁膜１６を残存させたままソース、ドレイン形成用のイオン注入を行う。 - 特許庁

With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.例文帳に追加

ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁

Then, the ion implantation of the impurities is carried out to the silicon substrate 101 around the gate electrode 105, and the source and drain regions 109 are formed.例文帳に追加

その後、ゲート電極１０５の周囲のシリコン基板１０１に不純物をイオン注入し、ソース・ドレイン領域１０９を形成する。 - 特許庁

The gate electrodes 109 including the spacers 118 are subjected to source/ drain ion implantation with use of a mask, and then the spacer 118 is removed.例文帳に追加

スペーサー１１８を含むゲート電極１０９をマスクに利用してソース／ドレーンイオン注入を実施した後、スペーサー１１８を除去する。 - 特許庁

On the semiconductor layer, a second conductive layer is formed as a channel area of the select gate transistors by selective ion implantation.例文帳に追加

半導体層に、選択的にイオン注入を行って選択ゲートトランジスタのチャネル領域となる第２導電型層を形成する。 - 特許庁

A source/drain region which includes a low-doped region is made within the substrate by the ion implantation, using a gate structure as a mask.例文帳に追加

ゲート構造をマスクとして使用したイオン注入により基板内に低ドーピング領域を含むソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

An ion generating device 1 having a plurality of ion generating element 2 for generating a positive and a negative ions is installed on a gate shape support 9 provided so as to straddle a stage 11 of a transfer line 10.例文帳に追加

搬送ライン１０のステージ１１をまたぐようにして設けられた門型の支持体９に、正負イオンを発生する複数のイオン発生素子２を備えるイオン発生装置１を設ける。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

An ion implantation region 18 for connection between a source and a channel is formed beforehand by selectively ion implanting an n-type impurity beyond a gate insulating film 16 having a high withstand voltage film thickness.例文帳に追加

高耐圧用の膜厚を有するゲート絶縁膜１６越しに選択的にＮ型不純物をイオン注入し、予めソース−チャネル部間の接続用イオン注入領域１８を形成する。 - 特許庁

This silicon nitride coat is effective in blocking movable ion such as sodium or the like, thus being able to prevent movable ion from entering into the channel area from the gate electrode and others, i.e., prevent movable ion's invasion.例文帳に追加

この窒化珪素被膜は、ナトリウム等の可動イオンをブロッキングする効果があるので、ゲイト電極その他からチャネル領域に可動イオンが侵入することを防止でき、可動イオンの侵入を防止できる。 - 特許庁

Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.例文帳に追加

また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁

The memory gate 9 is formed of a doped polycrystal silicon film and has sheet resistance which is lower than that of the control gate 8 formed of a polycrystal silicon film formed by the ion implantation of an impurity to an undoped silicon film.例文帳に追加

メモリゲート９はドープド多結晶シリコン膜からなり、アンドープドシリコン膜に不純物をイオン注入して形成した多結晶シリコン膜からなるコントロールゲート８よりもシート抵抗が低い。 - 特許庁

Thus, the method further comprises the steps of coating the peripheral region, forming a gate electrode 9 of the cell transistor 7 by using a photoresist having a gate pattern of the cell region, and ion implanting the photoresist by using as it is.例文帳に追加

このため、周辺領域を覆うとともにセル領域のゲートパターンを有するフォトレジストを用いてセルトランジスタ７のゲート電極９を形成し、このフォトレジストをそのまま用いてイオン注入できる。 - 特許庁

Therein, overlapped dimensions d3, d4 between the transfer channel regions 8 and ring-shaped gate electrodes 1 are determined by ion penetration depth from the outer periphery of the ring-shaped gate electrodes 1 and are almost the same value.例文帳に追加

ここで、転送チャンネル領域８とリング状ゲー卜電極１の重なり寸法ｄ３、ｄ４は、リング状ゲート電極１の外周からのイオン侵入深さで決まり、ほぼ同じ値となる。 - 特許庁

In the process of a CMOS device, the total number of the pn junction and the non-doped region in the gate polysilicon film is reduced by ion implanting by using this NMIS gate implantation layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスにおいて、このＮＭＩＳゲート注入レイヤを用いてイオン注入を行なうことにより、ゲートポリシリコン膜中におけるＰＮ接合部及びノンドープ領域の総数が低減される。 - 特許庁

Here, the ion-implantation is performed through the partitioning insulation film 105 and gate insulation film 103 using the first gate electrode element 104 as the mask to form an impurity region 111 to a semiconductor layer 102.例文帳に追加

第１ゲート電極要素１０４をマスクとして仕切絶縁膜１０５、ゲート絶縁膜１０３を通してイオン注入を行って、半導体層１０２に不純物領域１１１を形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁