「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a stencil mask for ion implantation in which the lifetime and durability can be enhanced at the thin film part.例文帳に追加

イオン注入用ステンシルマスクにおける薄膜部の寿命及び耐久性を向上できるイオン注入用ステンシルマスク等を提供する - 特許庁

The wire treatment using the ion implantation process for reducing the generation of the charge potential is performed without lowering the hardness of the wire material.例文帳に追加

電荷ポテンシャルの発生を低減するためのイオン注入法を使ったワイヤ処理は、ワイヤ材の硬度を低下させずに行われる。 - 特許庁

In the introduction of the electromagnetic absorber section 40, a semiconductor micro fabrication technique such as ion implantation or thermal diffusion can be used.例文帳に追加

電磁波吸収体部40の導入において、イオン注入または熱拡散などの半導体微細加工技術を用いることができる。 - 特許庁

Then, the ion implantation of the impurities is carried out to the silicon substrate 101 around the gate electrode 105, and the source and drain regions 109 are formed.例文帳に追加

その後、ゲート電極１０５の周囲のシリコン基板１０１に不純物をイオン注入し、ソース・ドレイン領域１０９を形成する。 - 特許庁

Since the nonmagnetic section 8 is formed by demagnetization by ion implantation, the magnetic recording medium having a high recording density can be manufactured.例文帳に追加

非磁性部８を、イオン注入による非磁性化により形成するため、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 - 特許庁

Next, the phosphorus ion implantation is performed in multiple stages using the resist mask to form the n-type well layer to surround a high concentration n-type well layer.例文帳に追加

次に、レジストマスクを用いて、多段階でリンイオン注入し、高濃度Ｎ型ウエル層を囲むように、Ｎ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The gate electrodes 109 including the spacers 118 are subjected to source/ drain ion implantation with use of a mask, and then the spacer 118 is removed.例文帳に追加

スペーサー１１８を含むゲート電極１０９をマスクに利用してソース／ドレーンイオン注入を実施した後、スペーサー１１８を除去する。 - 特許庁

By using the mask pattern of the reduced width as a mask, ion implantation for forming a diffusion layer is performed and a diffusion layer is formed.例文帳に追加

そして、幅の狭くなったマスクパターンをマスクとして、拡散層を形成するためのイオン注入を行い、拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a structure for reducing the dislocation density of an SIMOX which is a silicon insulator SOI substrate produced by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入により作られるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板である、ＳＩＭＯＸの転位密度を減少させる構造を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加

その後、サイドウォール絶縁膜１７を形成し、Ｐのイオン注入を行うことにより、Ｎ型ソース・ドレイン拡散層１８を形成する。 - 特許庁

A peeling layer is formed by ion implantation into a piezoelectric substrate, and a support substrate 30B is joined to a peeling layer side of the piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板に対してイオン注入を行うことで剥離層を形成し、圧電基板の剥離層側に支持基板３０Ｂを接合する。 - 特許庁

At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

Ｓｉ基板１に、フッ素（Ｆ）および炭素（Ｃ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層２１を形成する。 - 特許庁

In this state, the impurity atoms are integrated at an interface between the recrystallized layer 4 and the amorphous ion implantation layer 2 and form the concentration peak.例文帳に追加

このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。 - 特許庁

On the semiconductor layer, a second conductive layer is formed as a channel area of the select gate transistors by selective ion implantation.例文帳に追加

半導体層に、選択的にイオン注入を行って選択ゲートトランジスタのチャネル領域となる第２導電型層を形成する。 - 特許庁

A source/drain region which includes a low-doped region is made within the substrate by the ion implantation, using a gate structure as a mask.例文帳に追加

ゲート構造をマスクとして使用したイオン注入により基板内に低ドーピング領域を含むソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加

レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation distribution generating method and a simulator, wherein a computation time is shortened by effectively using approximation.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、近似を効果的に用いることによって計算時間を大幅に短縮する。 - 特許庁

Thus, implantation using the heavy ion is conducted to the pocket region to positively make a pocket diffusion layer 17 amorphous.例文帳に追加

このようにポケット領域に対して重イオンを用いた注入を行なうことにより、ポケット拡散層１７を積極的にアモルファス化する。 - 特許庁

To provide a method for implanting ions capable of maintaining dose uniformity by controlling relative movement between a substrate and a beam for ion implantation.例文帳に追加

基板とイオン注入用ビーム間の相対的な移動を制御して均一のドーズに維持するイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

An ion implantation mask pattern for covering at least the PMOS region in the CMOS region is formed on a substrate having the polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜を有する基板上にＣＭＯＳ領域のうち、少なくともＰＭＯＳ領域を覆うイオン注入マスクパターンを形成する。 - 特許庁

Since volume of the ion implantation part is increased by ion implantation, distance from the substrate surface of the surface of the region 40 in which the atomic content of the ferromagnetic element is relatively large becomes larger than that of the surface of the region 42 in which the atomic content of the ferromagnetic element is relatively small.例文帳に追加

イオン注入に伴うイオン注入部の体積増加のため、強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０表面の基板表面からの距離は、強磁性元素の原子含有率の相対的に小さい領域４２表面のそれと比較して大きくなる。 - 特許庁

The resist containing the phenolic resin, in which the alkyl groups are formed of the ortho coordination and meta coordination alone, is used as the resist with which crosslinking hardly occurs in spite of the ion implantation, so that the occurrence of the layer changed in properties owing to the ion implantation is prevented, thereby improving the resist removability.例文帳に追加

このように、イオン注入しても架橋が発生しにくいレジストとして、アルキル基がオルソ配位とメタ配位のみで形成されるフェノール樹脂を含有するレジストを使用することで、イオン注入による変質層を発生させないようにしてレジスト除去性を向上させることが可能である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multi-power source semiconductor device in which the ion implantation which is performed for deciding the threshold of a transistor and the ion implantation which is performed for forming a well can be applied under any conditions, and by which the number of masks can be reduced from that of masks used in the conventional method.例文帳に追加

トランジスタの閾値決定のためのイオン注入及びウエル形成のためのイオン注入がどのような条件であっても適用でき、かつ前記従来法以上にマスク数を低減できる多電源半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this case, the n-well 7 and p-well 11 are formed in the manner that impurity concentration peak 10 of the p-well 11 becomes deeper than impurity concentration peak 6 of the n-well 7 by adjusting ion implantation energy of n-type impurity and ion implantation energy of p-type impurity.例文帳に追加

このとき、Ｎウエル７及びＰウエル１１は、Ｎ型不純物のイオン注入エネルギー及びＰ型不純物のイオン注入エネルギーを調整することによりＰウエル１１の不純物濃度ピーク１０がＮウエル７の不純物濃度ピーク６よりも深くなるように形成される。 - 特許庁

In this method of manufacturing semiconductor device, the impurity ion implantation which is performed for forming a well, and the impurity ion implantation which is performed for adjusting the threshold of a transistor formed in the well, are performed on the active area of a silicon substrate by using the same resist pattern as a mask.例文帳に追加

シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

An ion implantation region is formed in a non-device formation region 3, and the surface of the ion implantation region is subjected to LOCOS oxidation, thus forming crystal defects in the non-device formation region 3, and hence preventing the crystal defects from being formed in a device formation region 2.例文帳に追加

非デバイス形成領域３にイオン注入領域を形成し、このイオン注入領域の表面をＬＯＣＯＳ酸化することにより、非デバイス形成領域３に結晶欠陥を形成することができるため、デバイス形成領域２に結晶欠陥が形成されないようにできる。 - 特許庁

The surface processing device 10 is equipped with: an ion implantation unit 31 and a plasma doping unit 21, and the ion implantation unit 31 is equipped with a decelerator 37 decelerating ions, a deflector 38 deflecting the decelerated ions toward a stage 4, and a bias power supply 9 guiding ions to the stage 4.例文帳に追加

イオン注入ユニット３１とプラズマドーピングユニット２１とを備えた表面処理装置１０において、イオン注入ユニット３１は、イオンを減速させる減速器３７と、減速させたイオンをステージ４側へ偏向させる偏向器３８と、イオンをステージ４へ導くためのバイアス電源９とを備える。 - 特許庁

At least one of n drift 22a and a p partition 22b, for example, the p partition 22b in which a current flows in an on-state while being depleted in an off-state is formed by ion implantation, more particularly, by ion implantation in which an accelerating voltage is continuously changed.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus in which the number of substrates processible per unit time or an ion implantation amount per unit time can be remarkably increased and further, while dealing with expansion in substrate scale in recent years, the apparatus can be prevented from being enlarged as a whole.例文帳に追加

単位時間当たりに処理できる基板の枚数や単位時間当たりのイオン注入量を大幅に向上させ、さらに、近年の基板の大型化に対応しつつ、装置全体が極端に大きくなってしまうのを防ぐことができるイオン注入装置を提供する - 特許庁

To easily form a fine impurity region; to eliminate a need of removing a film at every ion implantation; and to reduce man-hours in a method of manufacturing a semiconductor device, which method comprises a process for forming the impurity region with ion implantation.例文帳に追加

本発明はイオン注入により不純物領域を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、微細な不純物領域の形成を容易にすることができると共にイオン注入毎に膜除去を行う必要がなく工数の削減を図ることを課題とする。 - 特許庁

An ion implantation regulation step portion 14 with a predetermined thickness is formed at a film thickness variation portion 13 formed in a border region of the element separation oxide film 5 to an element formation region 6, thereby, whole region of the film thickness variation portion 13 is configured with the predetermined thickness regulating ion implantation.例文帳に追加

素子分離酸化膜５の、素子形成領域６との境界領域に形成される膜厚変化部位１３に所定の厚さのイオン注入規制段部１４を形成することにより、膜厚変化部位１３が全域に亘りイオン注入を規制する所定の厚みで構成されるようにする。 - 特許庁

In this manufacturing method, in an on-state, a current flows, and in an off-state, at least one of a depleting n drift region 22a and p partition region 22b, for example, the p partition region 22b is formed with ion implantation, in particular, ion implantation in which an accelerating voltage continuously changes.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

In the ion implantation apparatus 100 implanting ions into a wafer W, the ion implantation apparatus is provided with a slit (a current retaining part) 120a for retaining current fitted at a wafer holding part 130 holding the wafer W, and a current detection part 133 for detecting current of the slit 120a.例文帳に追加

ウエハWにイオンを注入するイオン注入装置１００において、ウエハWを保持するウエハ保持部１３０に設けられた電流を保持するスリット（電流保持部）１２０ａと、スリット１２０ａの電流を検出する電流検出部１３３とを設けたイオン注入装置による。 - 特許庁

A mask for forming a high concentration source and drain region (7a, 7b) and then shadows of a gate electrode (4) and side wall (5) are utilized to control an implantation angle, so that high concentration well regions (10a, 10b) are formed by an ion implantation.例文帳に追加

高濃度ソース・ドレイン領域（７ａ，７ｂ）形成用マスクと、ゲート電極（４）とサイドウォール（５）の影を利用し、注入角を制御することで、高濃度ウェル領域（１０ａ，１０ｂ）をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a magnetic storage medium can be manufactured by ion implantation with suppressed implantation amount, to provide a magnetic storage medium which can be manufactured by the manufacturing method and to provide an information storage medium.例文帳に追加

注入量が抑制されたイオン注入によって磁気記憶媒体を製造可能な製造方法、そのような製造方法で製造可能な磁気記憶媒体および情報記憶装置を提供する。 - 特許庁

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve read out characteristic of pixels and inhibit dark current by optimization of a pattern of an element isolation region and an angle of impurity injection, and by controlling an ion implantation amount depending on an implantation position.例文帳に追加

素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method capable of remarkably increasing the implantation speed of hydrogen ions into an semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method of an SOI wafer having sufficiently high manufacturing efficiency for the SOI wafer.例文帳に追加

半導体基板への水素イオンの注入速度を飛躍的に増大させることが可能なイオン注入方法、並びにＳＯＩウエハの製造効率が十分に高いＳＯＩウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, by performing ion implantation using a mask 180 in a second ion implantation process, an impurity ion is implanted into a region including the defective portion where the width of the offset region 114 is enlarged, to form the hole storage region 113 including a protruding region 113A to the transfer electrode 160A, 160B sides.例文帳に追加

そこで、第２のイオン注入工程によってマスク１８０を用いたイオン注入を行うことにより、オフセット領域１１４の幅が大きくなった欠損部分を含む領域に不純物イオンを注入し、転送電極１６０Ａ、１６０Ｂ側へのはみ出し領域１１３Ａを有する正孔蓄積領域１１３を形成する。 - 特許庁

This insulating film 6 is, before impurity ion is implanted into a contact hole, so formed as to have a thickness that prevents influence of impurity ion implantation upon the first insulating film 5, and, after the impurity ion implantation, it is made into a thinner film (or may be removed) to eliminate stress on the first insulating film 5 as much as possible.例文帳に追加

この絶縁膜６は、コンタクト孔７への不純物イオン注入前においては不純物イオン注入の影響が第１の絶縁膜５に及ばない厚さで形成し、上記不純物イオン注入後では、今度は第１の絶縁膜５に対するストレスを極力なくすように薄膜化される（あるいは除去されてもよい）。 - 特許庁

After the ion implantation, a thickness of the resist film is measured using an ellipsometer by selecting a part on a scribe line, a large-pattern portion, etc., of the resist pattern.例文帳に追加

イオン注入後、レジストパターンのうちスクライブ線上やパターンの大きなところなどを選択してエリプソメーターでレジスト膜厚を測定する。 - 特許庁