「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

An ion implantation of arsenic is made into the poly-Si layer 4a remained in the MOSFET-formed region, and the ion implantation of arsenic is made into the poly-Si layer 4b remained in the poly-Si resistive-element-formed region at the same time.例文帳に追加

そして、ＭＯＳＦＥＴ形成領域に残したＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａに対してヒ素のイオン注入を行なうと同時に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗体形成領域に残したＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂに対してもヒ素のイオン注入を行なう。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and ion implantation apparatus in which uniformity of physical property of a substrate such as a semiconductor is improved and the physical property value such as distribution of resistivity or the like can be set to the desired physical property value by overcoming ununiformity of the film forming process and the activating annealing process.例文帳に追加

成膜工程、活性化アニール工程の不均一性を克服して、半導体等の基板の物性の均一性を向上し、抵抗率分布等の物性値を所望の物性値にすることができるイオン注入方法及びイオン注入機を提供する。 - 特許庁

To form a magnetic recording region and an isolation region with a small amount of ion implantation in a manufacturing method of a magnetic recording medium in which a magnetic pattern is formed by ion implantation, the magnetic recording medium and a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加

本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。 - 特許庁

To realize two-dimensional distribution of the ion implantation amount in a surface in response to a shape corresponding to a non-uniform pattern in the surface, which is likely to be generated in a process of utilizing plasma and in an annealing process when ion implantation is performed without using step rotation of a wafer.例文帳に追加

ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した２次元イオン注入量面内分布を実現する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of maintaining good implantation uniformity in the wafer surface without deteriorating wafer processing capacity, even when the ion beam condition is changed, and generation of particles can be reduced as much as possible.例文帳に追加

本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In an Ar ion implantation step, ion implantation conditions (1.0×10^14 ions/cm^2 or less, at 10 keV) are provided not for making noncrystalline but for reforming near the surface of a source/drain region 9 and the surface of a polycrystalline silicon control gate 7.例文帳に追加

Ａｒイオン注入工程において、ソース/ドレイン領域９の表面および多結晶シリコン制御ゲート７の表面付近を非晶質化しないが改質するようなイオン注入条件(１.０×１０^１４イオン数/ｃｍ^２以下、１０ｋｅＶ)とした。 - 特許庁

A recipe for plug-ion implantation for a junction contact of a transistor is adjusted, (S3), based on the measured critical dimension of a gate electrode formed on a wafer, then the plug ions for the junction contact are implanted (S5) using the adjusted recipe for plug-ion implantation for a junction contact.例文帳に追加

ウェーハ上に形成されたゲート電極の計測された臨界ディメンションに基づいてトランジスタのジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを調整した後（Ｓ３）、調整されたジャンクションコンタクトプラグイオン注入レシピを使用してジャンクションコンタクトプラグイオンを注入する（Ｓ５）。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

The artificial bone member forms a joint part where joint strength with the autologous bone is stronger than that of a base member where ion implantation is not partially performed by surface quality improvement by ion implantation at least on the surface of the base material comprising bioactive ceramics.例文帳に追加

人工骨部材は、生体活性セラミックスからなる基材の表面の少なくとも一部にイオン注入による表面改質によってイオン注入が行われていない基材よりも自家骨との接合強度を高めた接合部が形成されている。 - 特許庁

Then, a pattern layer 20 is formed, and according to the pattern, an etch-stopping ion implantation layer 6, whose formation depth position from the first main surface of the second substrate 1 varies, is formed at a position shallower than that of the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

その後、パターン層２０を形成するとともに、そのパターンに応じた形で、第二基板１の第一主表面Ｊからの形成深さ位置がそれぞれ異なるエッチストップ用イオン注入層６を、剥離用イオン注入層４よりも浅い位置に形成する。 - 特許庁

A thick gate insulating film and a remarkably thin gate insulating film are formed, and ion implantation of a first conductive type which does not penetrate the thick gate insulating film and oblique ion implantation of the opposite conductivity type which also penetrates the thick gate insulating film are performed before formation of the sidewall.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜と著しく薄いゲート絶縁膜を形成し、サイドウォール形成前、厚いゲート絶縁膜は貫通しない第１導電型のイオン注入と、厚いゲート絶縁膜も貫通する逆導電型の斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a new resistless ion implantation method, capable of reducing the number of processes, particularly, in and around ion implantation process, for the purpose of reducing the manufacturing cost by the compression of the process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a device for realizing this method.例文帳に追加

半導体デバイス製造のプロセス工程の圧縮により製造コストの低減を目指し、特に、イオン注入工程周辺の工程を削減することが可能な新たなレジストレスイオン注入方法およびそれを実現する装置を提供することにある。 - 特許庁

In this method, an impurity injection activation processing device 26 where a reduced- pressure RTP(Rapid Thermal Processing) device 1 and an ion implantation device 2 are connected with a wafer transfer chamber 28 is used, and the silicon substrate is subjected to a series of treatments composed of pre-treatment, ion implantation, and annealing.例文帳に追加

本方法では、減圧型ＲＴＰ装置１とイオン注入装置２がウェハ搬送室２８で連結された不純物注入活性化処理装置２６を用い、シリコン基板を大気に触れさせることなく、前処理、イオン注入、アニールの一貫処理を行う。 - 特許庁

To provide an ion extraction electrode system and an ion implantation device for ensuring prevention of contamination during implanting impurities in a semiconductor substrate, even if it is used for a long time, permitting precise implantation of the impurities in a desired amount, and facilitating maintenance.例文帳に追加

半導体基板に不純物を打ち込む際、長期間使用してもコンタミネーションを確実に防止するとともに、不純物を所望量で精密に打ち込むことができ、また、メンテナンスが容易なイオン引き出し電極系及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The activation rate becomes about 2% at the ion implantation temperature of 400°C and becomes about 5% at 500°C, so that a higher activation rate can be obtained than the activation rate of about 1.8% when performing electric furnace annealing of one hour at 400°C after the ion implantation at room temperature.例文帳に追加

活性化率はイオン注入温度４００℃で約２％、５００℃で約５％となり、室温でのイオン注入後に４００℃で１時間の電気炉アニールを行ったときの活性化率約１．８％に比べ高い活性化率が得られるようになる。 - 特許庁

The rest of the ion beams 22c enters an accelerator-decelerator 16 through a mechanical slit 14, and is accelerated or decelerated to be irradiated on a wafer 27 of an end station 18 to have ion implantation carried out.例文帳に追加

残りのイオンビーム２２ｃがメカニカルスリット１４を介して加速・減速器１６に入り、加速又は減速されてエンドステーション１８のウエハ２７に照射され、イオン注入が行なわれる。 - 特許庁

Control of the parameters can tune the ion beam to provide an optimum ion beam current, energy, size and shape for any particular implantation.例文帳に追加

これらのパラメータを制御することにより、どのような特定の注入に対しても最適なイオンビーム電流、エネルギー、サイズ及び形状を与えるようにイオンビームを調整することができる。 - 特許庁

To provide an ion implanter by which desired ion implantation can be achieved without any trouble in the motion of a holder driving mechanism even with a wafer cooled at an ultralow temperature.例文帳に追加

極低温でウエハを冷却する場合であっても、ホルダ駆動機構の動きに支障を来たすことなく、所望するイオン注入を達成することのできるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Because beam transportation efficiency can be obtained by measuring beam current at each position before ion implantation into wafer, ion is not required to be actually implanted into wafer.例文帳に追加

ウェハに対するイオン注入の前に、ビーム輸送効率を各位置におけるビーム電流を測定することによって得られるため、ウェハに実際にイオンを注入する必要がなくなる。 - 特許庁

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。 - 特許庁

To provide a platen for an ion implantation device capable of reducing metal contamination generating in a wafer and increasing a yield of a device manufactured from the wafer, and provide the ion implanting device.例文帳に追加

ウエハに発生する金属汚染を低減し、ウエハから製造されるデバイスの歩留りを向上させることができるイオン注入装置用プラテン、および、イオン注入装置を提供する。 - 特許庁

A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。 - 特許庁

The method for uniformizing the ion implantation process includes a step of measuring the critical dimension (CD) variation in the semiconductor wafer, a step of moving the semiconductor wafer to the ion implantation process in a secondary mode, and a step of controlling the moving speed of the semiconductor wafer so that an implantation dose quantity to the semiconductor wafer is changed on the basis of the variation of the CD.例文帳に追加

半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。 - 特許庁

In an ion implantation process of irradiating a plurality of wafers with the ion beam while rotating a wafer disk where the plurality of wafers are loaded, the beam current of the ion beam is measured to determine whether the beam current has periodic variation.例文帳に追加

複数のウェーハを装填したウェーハディスクを回転させながら、該複数のウェーハにイオンビームを照射するイオン注入工程において、イオンビームのビーム電流が測定され、ビーム電流に周期変動が存在するかが判定される。 - 特許庁

Further, the polycrystalline silicon film 3 is patterned like a gate electrode, and impurities (boron) are applied to the entire surface through ion implantation, and it is heat-treated thereafter.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３をゲート電極形状にパターニングした後、全面に不純物（ボロン）をイオン注入し、熱処理を施す。 - 特許庁

Here, ion implantation is performed in the order of depth of impurity peak position from the surface of the semiconductor substrate 1, in accordance with the order of the depth in the impurity peak position.例文帳に追加

このとき、この半導体基板１の表面からの不純物ピーク位置が深いイオンから順番にイオン注入を行う。 - 特許庁

Accordingly, the semiconductor device has a structure wherein ion implantation of impurities for channel formation is not done to the field oxide film 30.例文帳に追加

従って、本発明の半導体装置は、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物がイオン注入されていない構造となる。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

To reduce the number of processes of ion implantation and patterning of resist associated with it in manufacturing a low-voltage-operation CMOS semiconductor device.例文帳に追加

低電圧動作ＣＭＯＳ半導体装置の製造におけるイオン注入およびそれに伴うレジストのパターニング工程数を削減する。 - 特許庁

To eliminate arbitrariness of a moment parameter and to expand application type and application range, in relation to an ion implantation distribution generation method.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法に関し、モーメントパラメータの任意性をなくすとともに、適用種類及び適用範囲を拡大する。 - 特許庁

At this time, the depth of ion implantation is controlled, thus creating the regions of n and p channels in the same process.例文帳に追加

このとき、イオン注入深さを制御することにより、ｎチャネル及びｐチャネルの領域を同一プロセスで作り分けることが可能である。 - 特許庁

Further, the surface of the ion implantation layer 32 is further stacked with a thin film 33 comprising metal selected from Al, Ba, Ca, Mg and Y.例文帳に追加

また、このイオン注入層３２の上に、さらにＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる金属を含む薄膜３３を積層させる。 - 特許庁

To enable constituting a gate region getting into underside of a source region, without subjecting the region high-energy ion implantation.例文帳に追加

高エネルギーのイオン注入を行わなくても、ソース領域の下方までゲート領域が入り込んだ構造を形成できるようにする。 - 特許庁

A p-type deep layer 10 is divided into a lower layer part 10a and an upper layer part 10b, and they are formed by twice an ion implantation.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を下層部分１０ａと上層部分１０ｂとに分け、これらを２度のイオン注入によって形成する。 - 特許庁

Thereafter, boron for preventing parasitic channel is introduced into the Si layer 5 at the channel region end of the transistor by oblique ion implantation, for example.例文帳に追加

次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のＳｉ層５に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。 - 特許庁

The method includes a dual deposition process wherein the first step is to deposit a very thin layer and dope very heavily by ion implantation.例文帳に追加

この方法は、２つの堆積プロセスで構成され、第１工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。 - 特許庁

Ions are guided to the part of the color insulating film 5 with ion implantation of an impurity into this trench TI from one diagonal direction.例文帳に追加

このトレンチＴＩ内に斜め方向の一方向から不純物をイオン注入してカラー絶縁膜５の一部にイオンを導入する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of enhancing uniformity of impurity concentration when impurity ions are injected into a substrate.例文帳に追加

基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the H^+ ions can be added in high concentration in a shallow region of the semiconductor wafer as compared with a conventional ion implantation method.例文帳に追加

従って、従来のイオン注入法よりも半導体ウェーハの浅い領域にＨ^＋イオンを高濃度に添加することができる。 - 特許庁

Subsequently, an oblique ion implantation is conducted so that impurity ions passes the predetermined length region from one end of the floating gate 11.例文帳に追加

続いて、不純物イオンがフローティングゲート１１の一端から一定の長さの領域を通過するように、斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

Using the sidewall spacers as a mask, ion implantation is performed for a pair of source/drain regions on the both sides of the opposite silicon layers.例文帳に追加

側壁スペーサをマスクとして使用して、ゲートの対向する両側のシリコン層に１対のソース／ドレイン領域をイオン注入する。 - 特許庁

The wafer 10 includes the first p-type region 16 that is an ion implantation region formed to include the upper face 14A.例文帳に追加

ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。 - 特許庁

The second getter layer 22 is formed through an ion implantation process carried out between epitaxial growth processes which are performed in two steps.例文帳に追加

この第２のゲッタ層２２は、２段階で行われるエピタキシャル成長工程の中間でイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁

To realize a Schottky diode of high breakdown voltage which uses a nitride semiconductor without passing through a complicated process such as ion implantation.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにする。 - 特許庁

Since the ion implantation amount falls in no variations, no variations take place in a threshold voltage of the transistors.例文帳に追加

アルミニウム膜のイオン注入孔１５はプログラムコードと関係なく全トランジスターのゲート１３に設けるので光近接効果の影響を受けない。 - 特許庁