「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12.例文帳に追加

エンドステーション１０内で注入領域制限マスク１２の開口部１３を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク１２の開口部１６を通過するレーザービームＬによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。 - 特許庁

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１３に沿ってＳｉＧｅエピタキシャル膜の剥離を行ってＳｉＧｅ薄膜１４を得、さらにこのＳｉＧｅ薄膜１４の表面に最終表面処理（ＣＭＰ研磨等）を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁

Ion implantation with a high dosage and a low acceleration voltage and ion implantation with a low dosage and a high acceleration voltage are successively performed using the mask to form an LDD (Lightly Doped Drain) region of the low-breakdown-voltage lateral trench MOSFET and an LDD region of the trench lateral power MOSFET at the same time.例文帳に追加

このマスクを用いて、高ドーズ量および低加速電圧で行うイオン注入と、低ドーズ量および高加速電圧で行うイオン注入を連続して行うことによって、低耐圧横型トレンチＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域とを同時に形成する。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a process that forms one arbitrary lump of dopant regions off the surface of a semiconductor inside a semiconductor substrate, and a process that performs ion implantation a plurality of times with the disposition of a mask pattern end for the ion implantation changed.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、本発明は、半導体表面から離れた任意の一固まりの不純物領域を半導体基板内部に形成する工程であって、イオン注入用のマスクパターン端の配置の変更を伴った、複数回のイオン注入を行う工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a defect-introduced layer 3 is formed in a substrate by injecting Si or an inert gas into the substrate through ion implantation IPI, an impurity-injected layer 4 is formed by injecting impurity into the layer 3 through ion implantation IP2, and the impurity in the layer 4 is thermally diffused along the defect-introduced layer 3.例文帳に追加

Ｓｉまたは不活性ガスのイオン注入ＩＰ１を行うことにより、欠陥導入層３を形成した後、不純物のイオン注入ＩＰ２を行うことにより、不純物注入層４を形成し、不純物注入層４の不純物を欠陥導入層３に沿うようにして熱拡散させる。 - 特許庁

After simultaneously forming a resist pattern 22A for ion implantation and a resist pattern 22B for an alignment mark on a semiconductor film 13, ion implantation 23 is applied to the whole surface of that patterns, and after applying ashing 24 to an altered layer 16 formed on a resist pattern 22A' other than a resist pattern forming part B' for the alignment mark, the resist pattern 22A' is removed.例文帳に追加

半導体膜１３上にイオン注入用レジストパターン２２Ａとアライメントマーク用レジストパターン２２Ｂを同時に形成した後、その全面にイオン注入２３し、アライメントマーク用レジストパターン形成部Ｂ’以外のレジストパターン２２Ａ’を、表面に形成された変質層１６をアッシング２４した後レジストパターン２２Ａ’を除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

When performing plasma ion implantation accelerating and applying positive ions within plasma to a treatment substrate provided on a holding base inside a treatment chamber wherein the plasma is excited, RF power having a frequency ≥4 MHz is impressed to the holding base and a self-bias voltage is generated on the surface of the treatment substrate for ion implantation.例文帳に追加

プラズマを励起された処理室内において、保持台上に設けられた処理基板へ前記プラズマ内の正イオンを加速して打ち込むプラズマイオン注入する際、前記保持台に、４ＭＨｚ以上の周波数を有するＲＦ電力を印加して処理基板表面にセルフバイアス電圧を発生させて、イオン注入を行う。 - 特許庁

When the shutter 24 is set at an open position, the ion beams 22a enter the sub stream channel 13c, and are accelerated or decelerated by an accelerator-decelerator 17 to be irradiated on a wafer 29 of an end station 19 to have ion implantation carried out.例文帳に追加

シャッタ２４を開位置にすると、イオンビーム２２ａが支流通路１３ｃに入り、加速・減速器１７で加速又は減速されてエンドステーション１９のウエハ２９に照射され、イオン注入が行なわれる。 - 特許庁

To improve uniformity of a dose even when a beam current of an ion beam has periodic variation during batch type ion implantation processing, and to make uniform characteristics of a semiconductor device manufactured using the same.例文帳に追加

バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。 - 特許庁

To eliminate harmful effect influenced on an element on a base board to be processed caused by a charge-up generated when implanting ion on the base board to be processed through a mask member formed at an opening part determining an ion implantation region.例文帳に追加

イオン注入領域を定める開口部が形成されたマスク部材を介して被処理基板へイオン注入する場合において、チャージアップにより被処理基板上の素子が受ける悪影響を排除すること。 - 特許庁

A periphery insulating film 13 is formed with a film thickness through which a P-type impurity ion which is injected into an N-type region 5 in an ion implantation step of a post step on a periphery of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of coping with enlargement of a board while suppressing reduction of homogeneity of a beam current density distribution in a width direction of an ion beam, aggravation of a parallel degree, and reduction of a treatment speed of the board.例文帳に追加

イオンビームの幅方向におけるビーム電流密度分布の均一性の低下、平行度の悪化および基板処理速度の低下を抑制しつつ、基板の大型化に対応可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate.例文帳に追加

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

After forming an insulating film 2 on a substrate 1, a non-single-crystal film 4 is formed by introducing an impurity element 3 by providing a concentration gradient in a crystallization region by an ion implantation or an ion doping.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜２を形成した後、不純物物元素３をイオン注入またはイオンドーピングによって結晶化領域において濃度勾配を設けて導入し、その上に非単結晶膜４を形成する。 - 特許庁

Since charging of the silicon oxide film 110 can be avoided by negative ion implantation, silver ion distribution in the silicon oxide film 110 can be set with high precision while avoiding deterioration of the silicon oxide film 110.例文帳に追加

負イオン注入法によれば、シリコン酸化膜１１０の帯電が回避できるので、シリコン酸化膜１１０中の銀イオンの分布を高精度に設定でき、また、シリコン酸化膜１１０の劣化を回避できる。 - 特許庁

The ion implantation device includes a gas introduction means 30 for introducing an inert gas 36 arranged in the transportation path of the ion beam 4 downstream of the acceleration tube 8 and upstream of the analysis slit 12.例文帳に追加

このイオン注入装置は、加速管８よりも下流側かつ分析スリット１２よりも上流側におけるイオンビーム４の輸送経路に不活性ガス３６を導入するガス導入手段３０を備えている。 - 特許庁

To provide an ion implantation annealing method for single crystal silicon carbide (SiC) which has good electric activity of ion doping, can reduce surface roughness due to annealing processing and has good throughput.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）に対するイオン注入アニール方法において、イオンドープの電気的活性度が良好であると同時にアニール処理による表面粗れを低減でき、且つスループットが良好な方法を提供する。 - 特許庁

This photocatalytic material is constituted so that F ion is diffused to the surface of the TiO2 crystal preferentially by implanting the ion of F being a nonmetallic element into the TiO2 crystal while the amount of F ion to be implanted per unit area and the depth of F ion to be implanted are adjusted by controlling the implantation energy of F ion to the TiO2 crystal and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal.例文帳に追加

酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶に非金属元素のフッ素（Ｆ）イオンを注入する際に、酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶へのＦイオンの注入エネルギーを制御してＦイオンの単位面積あたりの注入量及び注入深さを調整した後に、Ｆイオン注入後の酸化チタン結晶を焼鈍処理することによりＦイオンを結晶表面へ優先的に拡散させた光触媒材料。 - 特許庁

This sputter ion pump includes a vacuum vessel having an ion implantation hole on a side wall, two bar-shaped anode electrodes arranged in the vacuum vessel so as to become symmetrical to the axis of the vacuum vessel, and at least one cold cathode electron emission device arranged outside the vacuum vessel in response to the ion implantation hole.例文帳に追加

本発明に係るスパッタイオンポンプは、側壁に電子注入孔を有する真空容器と、前記真空容器の中心軸に対して対称になるように前記真空容器に設置された二本の棒状の陽極電極と、前記電子注入孔に対応して、前記真空容器の外側に設置された少なくとも一つの冷陰極電子放出装置と、を含む。 - 特許庁

There is provided a method for confirming an ion implantation status upon implanting ions into one entire surface of a semiconductor wafer having an insulating film thereon, in which it is confirmed whether the ion implantation is conducted into the entire surface of the semiconductor wafer by observing directly or indirectly light emitted when the surface of the semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of the implanted ions from the start of the ion implantation through the end thereof.例文帳に追加

表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。 - 特許庁

Thereafter, by using the gate electrode 4 as a mask, arsenic is ion-implanted on the semiconductor substrate 1 at four revolutions under conditions of a dose of 8×10^12/cm^2, implantation energy of 40 keV and implantation angle of 25°, to form an n-type LDD region 5.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をマスクにして半導体基板１に、砒素をドーズ量８×１０^１２／ｃｍ^２、注入エネルギー４０ｋｅＶ、注入角度２５°の条件で４回転イオン注入を行い、ｎ型ＬＤＤ領域５を形成する。 - 特許庁

Thereafter, by using the gate electrode 4 as the mask, arsenic is ion-implanted on the semiconductor substrate 1 under conditions of a dose of 5×10^11/cm^2, implantation energy of 5 keV and implantation angle of 0°, to form an n-type surface LDD region 6.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をマスクにして半導体基板１に、砒素をドーズ量５×１０^１１／ｃｍ^２、注入エネルギー５ｋｅＶ、注入角度０°の条件でイオン注入を行い、ｎ型表面ＬＤＤ領域６を形成する。 - 特許庁

Meanwhile, impurity seed and implantation condition are employed to connect amorphous regions formed by n-type impurity ion implantation that will become a second pocket region in the source and drain sides at the lower side of the polycrystal silicon film 13b.例文帳に追加

一方、第２のポケット領域となるｎ型不純物のイオン注入により形成されるアモルファス領域が、多結晶シリコン膜１３ｂの下方においてソース側とドレイン側とで繋がるような不純物種及び注入条件を用いる。 - 特許庁

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

The implantation method has a step of scanning a substrate with an ion beam along a series of scan lines extending in a first direction, a step of providing relative rotation between the substrate and the ion beam, and a step of scanning the substrate with the ion beam along a series of second scan lines in a different direction.例文帳に追加

注入方法に関し、第１の方向に延びる一連の走査線に沿って基板に対してイオンビームを走査するステップと、該基板と該イオンビーム間の相対的な回転をもたらすステップと、異なる方向に一連の第２の走査線に沿って該イオンビームを走査するステップとを備えている。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

In the ion implantation device parallelizing an ion beam scanned at a scanner 20 by an angle compensator 24, and implanting it in a semiconductor wafer 34, first, beam parallelism is measured by a measurement system 80, and then, the angle compensator 24 is controlled based on the result to adjust the ion beam to have a desired beam parallelism.例文帳に追加

スキャナー２０で走査されたイオンビームを角度補正器２４で平行化し、半導体ウエハ３４に注入するイオン注入装置において、先ず、測定システム８０でビーム平行度を測定し、その結果に基づいて角度補正器２４を制御して所望のビーム平行度になるよう調節する。 - 特許庁

In the ion implantation, at least one of scanning of an ion beam IB by electric field or magnetic field or translation movement of the substrate is carried out by simultaneously rotating the substrate W centered on a rotating axis RA crossing the surface on which the ion beam IB is irradiated.例文帳に追加

イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。 - 特許庁

Each unit pixel includes a first conduction-type ion implantation region separated per unit pixel, and at least one unit pixel out of the multiple unit pixels includes a first conduction-type upper substrate region that is located below the first conduction-type ion implantation region, extended to the outer side of the first conduction-type ion implantation region, and electrically separated from the first conduction-type ion implantation region of next pixel.例文帳に追加

イメージセンサは第１導電型の半導体基板、基板の所定深さに形成されて半導体基板を第１導電型の上部基板領域及び下部基板領域に分離する第２導電型のディープウェル、入射光に対応して電荷を蓄積する複数の単位画素と、を含み、各単位画素は、各単位画素別に分離された第１導電型のイオン注入領域をそれぞれ含み、複数の単位画素のうち少なくとも一つの単位画素は、第１導電型のイオン注入領域下部に位置して第１導電型のイオン注入領域外側に延長されて隣接画素の第１導電型のイオン注入領域と電気的に分離された第１導電型の上部基板領域を含む。 - 特許庁

And by subjecting the laminate to an ion implantation a plurality of times with a varied ion energy, the N+ type drain lead-out diffusion layer 106A can be formed to contain a high concentration of impurities in a wide range in a depthwise direction and thus to have a low resistance.例文帳に追加

そして、Ｎ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

The ion implantation device is provided with first/second permanent magnet rows 40, 42 that are respectively provided on the further upstream side than a target so as to face each other in the Y-direction across a path of an ion beam 4.例文帳に追加

このイオン注入装置は、ターゲットよりも上流側に設けられていて、イオンビーム４の経路を挟んでＹ方向において相対向するように配置された第１および第２の永久磁石列４０、４２を備えている。 - 特許庁

A P-type region 19 is formed by injecting the P-type impurity ion into a predetermined region of the N-type region 5 of the semiconductor wafer 1 using the photoresist 17 and the periphery insulating film 13 as masks by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。 - 特許庁

To provide a device and a method for inspecting dose uniformity in ion implantation, accurately obtaining the dose even if a hole of an aperture plate is etched by ion beams to enlarge its aperture area.例文帳に追加

アパーチャープレートの孔部がイオンビームによりエッチングされてその開孔面積が大きくなっても、ドーズ量を正確に求めることができるイオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法を提供すること。 - 特許庁

An ion-implanted region 11b is formed within the first semiconductor substrate by ion-implantation thereto, and a laminated material 13 is formed by laminating the first semiconductor substrate 11 on the second semiconductor substrate 12.例文帳に追加

第１半導体基板１１にイオン注入して第１半導体基板１１内部にイオン注入領域１１ｂを形成し、第１半導体基板１１を第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する。 - 特許庁

Carbon, nitrogen, argon, etc., are ion-implanted into a concavely curved surface, thereby improving the surface hardness and flattening the surface of the plastic disk substrate 1 by the buildup of the substrate surface caused as a result of the ion implantation.例文帳に追加

その凹状に湾曲した表面に、カーボン、窒素、アルゴン等をイオン注入して、表面硬度を改善するとともに、そのイオン注入の結果生じる基板表面の盛り上がりで、プラスチックディスク基板１の表面を平坦化する。 - 特許庁

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions.例文帳に追加

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。 - 特許庁