| 意味 | 例文 (999件) |
ion implantationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1862件
For example, the semiconductor substrate 101 is composed of monosilicon and the n-type region 102 is composed of an n-type impurities introducing region where phosphorus is introduced by ion implantation and the insulating layer 103 is composed of silicon oxide and the electron emission layer 104 is composed of poly-silicon where impurities are introduced in a high concentration and the electrode layer 105 is composed of aluminum.例文帳に追加
例えば、半導体基板１０１は、単結晶シリコンから構成され、ｎ型領域１０２は、イオン注入によりリンが導入されたｎ型不純物導入領域から構成され、絶縁層１０３は酸化シリコンから構成され、電子放出層１０４は、高濃度に不純物が導入されたポリシリコンから構成され、電極層１０５は、アルミニウムから構成されたものである。 - 特許庁
A gate oxide film 3, a polysilicon film 4 becoming a gate electrode, and a sidewall 5 are formed on a silicon substrate 1, a source-drain region is formed by introducing impurities by ion implantation, and then a cobalt film 6 is deposited, and a first phase cobalt silicide film 7 is formed by first heat treatment on the silicon substrate 1 and the polysilicon film 4 before the unreactive cobalt film 6 is removed.例文帳に追加
シリコン基板１上にゲート酸化膜３、ゲート電極となるポリシリコン膜４、サイドウォール５を形成し、イオン注入による不純物導入によってソース、ドレイン領域を形成した後、コバルト膜６を堆積し、第１の熱処理で第１相のコバルトシリサイド膜７をシリコン基板１およびポリシリコン膜４上に形成し、未反応のコバルト膜６を除去する。 - 特許庁
The LCD driver chip includes a first conductivity well formed in a substrate, a second conductivity drift region formed in the first conductivity well, a first element isolation film formed in the second conductivity drift region, a gate formed at a first side of the first element isolation film, and a second conductivity first ion implantation region formed in the second conductivity drift region between the first element isolation film and the gate.例文帳に追加
基板に形成された第１導電型ウェルと、前記第１導電型ウェルに形成された第２導電型ドリフト領域と、前記第２導電型ドリフト領域内に形成された第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の一側に形成されたゲートと、前記第１素子分離膜と前記ゲートの間の第２導電型ドリフト領域内に形成された第２導電型第１イオン注入領域を含む。 - 特許庁
The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加
トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁
An ion implantation method to the intraoral appliance includes that a conductive material 7 having conductivity and clearances for letting the ions to pass is disposed outside the intraoral appliance, the conductive material 7 is electrically connected to a holder 6 having the intraoral appliance set therein, plasma is formed in the periphery of the intraoral appliance 1, and pulsed high voltage is impressed on the intraoral appliance to implant the antimicrobial ions from the surface.例文帳に追加
さらに、口腔内装置へのイオン注入方法は、導電性があってイオンの通過隙間がある導電材７を口腔内装置１の外側に配置し、口腔内装置１をセットしているホルダー６に導電材７を電気的に接続し、口腔内装置１の周辺にプラズマを形成すると共に、口腔内装置１にパルス状の高電圧を印加して表面から抗菌材をイオン注入する。 - 特許庁
Ion implantation is carried out surrounding gate electrodes 305 to 307 of transistors formed in a pixel 2 to form n^+ regions 426 and 427 functioning as a source region and a drain region, thereafter a first insulating film 35 and a second insulating film 36 functioning as a block film are formed, and a sidewall of a gate electrode having the first insulating film 35 and the second insulating film 36 partly is formed by etch-back.例文帳に追加
画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 - 特許庁
In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加
縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁
The method for producing an SOI substrate comprises a step for preparing an Si basic body 21 produced by floating zone(FZ) method, a step for forming an ion implantation layer 24 in the Si basic body 21 by implanting oxygen ions from the surface side thereof, and a step for forming a buried Si oxide layer 25 beneath a single crystal Si layer on the surface side by heat treating the Si basic body.例文帳に追加
ＳＯＩ基板の作製方法において、フローティング・ゾーン法（ＦＺ法）により作製したＳｉ基体２１を用意する工程と、該Ｓｉ基体２１の該主表面側から酸素をイオン注入し、該Ｓｉ基体中にイオン注入層２４を形成する工程と、該Ｓｉ基体を熱処理して、該種表面側の単結晶Ｓｉ層の下方に埋め込まれた酸化Ｓｉ層２５を形成する埋め込み酸化Ｓｉ層形成工程とを有する。 - 特許庁
The method for manufacturing the nonvolatile memory cell comprises the steps of: forming a tunnel oxide film, a floating gate electrode, a dielectric film, and a control gate electrode; forming a source and drain region by processing a source/drain ion implantation; forming an oxide layer on the source and drain region by selectively processing oxidation; and forming a spacer on the both sides of the floating gate electrode and the control gate electrode.例文帳に追加
半導体基板上部にトンネル酸化膜、フローティングゲート電極、誘電体膜及びコントロールゲート電極を形成する段階と、ソース／ドレインイオン注入工程を行ってソース及びドレイン領域を形成する段階と、選択的酸化工程を行って前記ソース及びドレイン領域上に酸化層を形成する段階と、前記フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極の両側面にスペーサを形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁
The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加
更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁
The positive resist composition for an ion implantation process contains (A) a resin having a rate of dissolution in an alkaline developer increased by the action of an acid and (B) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray, wherein a resist film formed from the positive resist composition has a transmittance at 193 nm of 30-60%.例文帳に追加
（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有するイオン注入工程用ポジ型レジスト組成物であって、該ポジ型レジスト組成物より形成したレジスト膜の１９３ｎｍに対する透過率が３０〜６０％であることを特徴とするイオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及び該組成物を用いたイオン注入方法。 - 特許庁
A first mask for defining a first well region is formed on a first conductivity type semiconductor substrate, second conductivity type impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 by ion implantation technology of large inclination angle using the first mask and impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 every time when the semiconductor substrate 100 reaches a position having a specified directional angle during rotation of 360° thus forming a first well isolation region 104.例文帳に追加
第１導電型の半導体基板上に第１ウェル領域を定義するための第１マスクが形成され、第１マスクが用いられる大きい傾斜角度のイオン注入技術で半導体基板１００上に第２導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００が３６０°回転する間所定の方向角を有する位置に到達した時ごとに、半導体基板１００上に不純物イオンが注入され、第１ウェル隔離領域１０４が形成される。 - 特許庁
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