| 意味 | 例文 (999件) |
ion implantationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1862件
OPERATION METHOD OF ION SOURCE AND ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
イオン源の運転方法およびイオン注入装置 - 特許庁
METHOD FOR EVALUATION OF ION-IMPLANTATION DISTRIBUTION例文帳に追加
イオン注入分布の評価方法 - 特許庁
MECHANICAL COMBINATORIAL ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
機械式コンビナトリアルイオン注入装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING ION-IMPLANTATION STENCIL-MASK AND ION-IMPLANTATION STENCIL-MASK例文帳に追加
イオン注入用ステンシルマスクの製造方法及びイオン注入用ステンシルマスク - 特許庁
ION IMPLANTATION AMOUNT DISTRIBUTION EVALUATING METHOD例文帳に追加
イオン注入量分布評価方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION METHOD TO FINE POWDER例文帳に追加
微細粉末へのイオン注入方法 - 特許庁
PULSE BIAS HYDROGEN NEGATIVE ION IMPLANTATION METHOD AND IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
パルスバイアス水素負イオン注入方法及び注入装置 - 特許庁
ION CONVERTER ION CONVERSION RATIO ADJUSTING METHOD AND ION IMPLANTATION EQUIPMENT例文帳に追加
イオン変換機、イオン変換率調節方法、及びイオン注入設備 - 特許庁
A hydrogen ion implantation interface 12 is formed by this hydrogen ion implantation.例文帳に追加
この水素イオン注入により、水素イオン注入界面１２が形成される。 - 特許庁
ION IMPLANTATION SIMULATION METHOD, ION IMPLANTATION SIMULATOR, ION IMPLANTATION SIMULATION PROGRAM, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入シミュレーション方法、イオン注入シミュレータ、イオン注入シミュレーションプログラム、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
WAFER FOR EVALUATING ION IMPLANTATION AMOUNT DISTRIBUTION例文帳に追加
イオン注入量分布評価用ウエハ - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD FOR OBTAINING A NONUNIFORM ION IMPLANTATION ENERGY例文帳に追加
不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェーハのイオン注入方法 - 特許庁
METHOD FOR REGULATING ION IMPLANTATION TREATMENT AND ION IMPLANTATION APPARATUS THEREOF例文帳に追加
イオン注入処理の調整に使用する方法及びそのイオン注入装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION MASK, ION IMPLANTATION METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入マスク、イオン注入方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION SYSTEM AND CONTROL METHOD例文帳に追加
イオン注入システム及び制御方法 - 特許庁
SIMULATION METHOD OF ION IMPLANTATION PROCESS例文帳に追加
イオン注入プロセスのシミュレーション方法 - 特許庁
To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method for performing ion implantation with a different implantation energy for each area of a wafer so as to obtain nonuniform ion implantation energy.例文帳に追加
ウエハー内の領域別に相異なる注入エネルギーでイオン注入を行う、不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 - 特許庁
ION IMPLANTER AND METHOD FOR REGULATING ION IMPLANTATION DOSAGE例文帳に追加
イオン注入装置およびイオン注入量管理方法 - 特許庁
Particularly, an ion implantation device has an ion source at the starting end.例文帳に追加
特に、始端はイオン源を有するイオン注入装置。 - 特許庁
ION GENERATING DEVICE, ION IRRADIATION DEVICE, ION GENERATING METHOD AND ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加
イオン発生装置、イオン照射装置、イオン発生方法およびイオン注入方法 - 特許庁
NON-ANNEALING ION IMPLANTATION MATERIAL DETECTION METHOD例文帳に追加
未アニーリングイオン注入物検出方法 - 特許庁
METHOD FOR JUDGING MISALIGNMENT IN ION IMPLANTATION例文帳に追加
イオン注入の誤整列判断方法 - 特許庁
MASS SPECTROMETER FOR ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置用の質量分析器 - 特許庁
This tilt ion implantation can be processed by subdividing it into a plurality pieces of tilt ion implantation.例文帳に追加
このチルトイオン注入は、複数個のチルトイオン注入に細分化させても良い。 - 特許庁
Ion implantation conditions for the ion implantation are 300 keV ion implantation energy and 2×10^18 atoms/cm^2 dose amount.例文帳に追加
このときのイオン注入条件は、注入エネルギー３００ｋｅＶ、ドーズ量２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２である。 - 特許庁
ION SOURCE, ION IMPLANTATION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン源、イオン注入装置、半導体装置の製造方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND DEFLECTION ANGLE CORRECTING METHOD OF ION BEAM例文帳に追加
イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法 - 特許庁
DEVICE FOR INSPECTING DOSE UNIFORMITY IN ION IMPLANTATION例文帳に追加
イオン注入のドーズ均一性検査装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION MACHINE WITH SUPERCONDUCTIVE MAGNET例文帳に追加
超伝導磁石を有するイオン注入機 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ION IMPLANTATION PROCESS AND ION IMPLANTATION METHOD USING SAME例文帳に追加
イオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたイオン注入方法 - 特許庁
MASK FOR ION IMPLANTATION, METHOD AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION USING THE SAME例文帳に追加
イオン注入用マスクと、これを使用するイオン注入方法およびイオン注入装置 - 特許庁
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