「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method of an MOS-type semiconductor device, a threshold voltage is adjusted by ion implantation which decides the impurity concentration of a channel region 101c.例文帳に追加

しきい値電圧の調整をチャネル領域１０１ｃの不純物濃度を決定するイオン注入によって行うＭＯＳ型半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Subsequently, ion implantation is performed using a resist mask of a convex shape pattern covering a drain region 3, a channel region 35 and the source region 4 to form a channel stopper 7.例文帳に追加

そして、ドレイン領域３、チャネル領域３５及びソース領域４を覆う凸字形パターンのレジストマスクを用いてイオン注入し、チャネルストッパ７を形成する。 - 特許庁

The secondary electrons flying out of the wafer W during ion implantation are efficiently absorbed into the conductor areas of the insulating film ZM.例文帳に追加

一方、イオン注入時に半導体ウエハＷから飛び出した二次電子は、ファラデーカップ１０の絶縁膜ＺＭにおける導体領域が効率よく吸収する。 - 特許庁

A damage layer 32 is formed only in a region ranging from a depth of nearly 73 μm to that of nearly 78 μm inside each of the glass substrates 1, 21 by the hydrogen ion implantation.例文帳に追加

水素イオン注入により、ガラス基板１、２１内の約深さ７３μmから約７８μmまでの間の領域にのみ、ダメージ層３２が形成される。 - 特許庁

To provide a system and a method using ion implantation, efficiently manufacturing a medical implant and providing efficient control of a radioactive amount.例文帳に追加

医療インプラントを効率的に作製し、放射性量の効率的な制御を提供する、イオン移植を使用したシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁

After forming lead electrodes 118 and 119, impurities are applied through ion implantation the thermal oxide films 111 and 109 to form base areas 123 and 124.例文帳に追加

ベース引出し電極１１８，１１９を形成後、熱酸化膜１１１，１０９を通して不純物をイオン注入しベース領域１２３，１２４を形成する。 - 特許庁

A second impurity area 72 composing a source area or a drain area of a transistor belonging to a surrounding circuit is formed by an ion implantation.例文帳に追加

また、周辺回路に属するトランジスタのソース領域あるいはドレイン領域を構成する第２の不純物領域７２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

Moreover, since the level of the node NH or NL is selected and outputted through the wiring pattern of the pattern connection section 20, no ion implantation for ROM formation is required.例文帳に追加

また、パターン接続部２０の配線パターンでノードＮＨ，ＮＬのレベルを選択して出力するので、ＲＯＭ化のためのイオン注入を必要としない。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck generating no unevenness of an ion implantation and no lowering of an attraction force and keeping a storage-charge quantity on the surface of a workpiece constant.例文帳に追加

イオン注入むらや吸着力の低下がなく、被処理体の表面における蓄積電荷量を一定に維持した静電チャックを提供する。 - 特許庁

Since the thin SiC film thus formed is annealed by a laser beam, damages at the time of ion implantation are recovered sufficiently and good crystalinity is ensured.例文帳に追加

形成されたＳｉＣ薄膜は、レーザ光によりアニールされているため、イオン注入時に受けた損傷が十分に回復され良好な結晶性を有する。 - 特許庁

The ion implantation device is composed of an extraction electrode of an iron source 2 which is divided in a plurality of extraction electrode pieces in a Y direction.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。 - 特許庁

Oxygen is introduced into a part of a surface layer of a semiconductor wafer by internal diffusion associated with a heat treatment in an atmosphere of an oxidized gas or ion implantation.例文帳に追加

半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。 - 特許庁

Making an ion implantation region and a LOCOS oxide film overlap, the crystal defects can be formed in the surface layer part of a first silicon substrate.例文帳に追加

イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜とをオーバラップさせることにより、第１のシリコン基板の表層部に結晶欠陥を形成することができる。 - 特許庁

Upon ending three times of ion implantation, impurities are diffused in the single crystal silicon film 30 and activated by heat treatment.例文帳に追加

こうして３回のイオン注入が終了すると、上記単結晶シリコン膜３０内で不純物を拡散させるとともにこれを活性化すべく、熱処理を行う。 - 特許庁

The gate pattern and the spacer are used as an ion implantation mask, impurities are injected to the semiconductor substrate, and high density source/drain regions are formed.例文帳に追加

ゲートパターン及びスペーサをイオン注入マスクとして使用し、半導体基板に不純物を注入して高濃度ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

After that, the retaining substrate 15 is stripped, and ion implantation is performed for forming a p-type impurity layer 19 on the back side of the substrate 11.例文帳に追加

その後、支持基板１５を取り除き、第１の半導体基板１１の裏面側にｐ型不純物層１９を形成するために、イオン注入をおこなう。 - 特許庁

Since the elements can be formed without ion implantation through a gate electrode, the mask ROM can be formed on the glass substrate.例文帳に追加

これらの素子は、ゲート電極を通してイオン注入せずに作成することが出来るため、ガラス基板上にマスクＲＯＭを作り込むことができるようになる。 - 特許庁

To provide a new, useful method of manufacturing electronic device that prevents Si digging defects due to an ashing process after phosphorus ion implantation.例文帳に追加

燐のイオン注入後のアッシング工程に起因するＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制する新規で有用な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Afterwards, ion implantation is conducted by using mask materials and the electrode material film for forming the opening as a mask, so that the optoelectric conversion part 3 is formed.例文帳に追加

その後に、この開口部を形成するためのマスク材料及び電極材料膜をマスクとしてイオン注入を行い、光電変換部３を形成する。 - 特許庁

The first getter layer 16 is formed on all the surface of the substrate 19 through an ion implantation process which is carried out before an epitaxial growth process.例文帳に追加

第１のゲッタ層１６は、基板１９の全面に形成されており、エピタキシャル成長工程の前のイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁

At this time, the angle of ion implantation is within ±3° with respect to the orientation of the semiconductor substrate, namely where a channeling phenomenon occurs.例文帳に追加

このとき、イオン注入の角度は、半導体基板の面方位、すなわち、チャネリング現象が発生する結晶面の面方向に対して±３°以内の角度とする。 - 特許庁

After etching of a trench groove 1a, a solid diffusion source film 5 including boron is formed in the trench groove 1a instead of the conventional implantation of tilt ion.例文帳に追加

トレンチ溝１ａのエッチング後に、従来のチルトイオン注入の代わりに、ボロンを多く含む固体拡散源膜５をトレンチ溝１ａ内に成膜する。 - 特許庁

Curing of an alignment pattern 106 of a resist (curing by ultraviolet ray or heat) is performed after ion implantation, and a cured layer 107 is formed on its surface.例文帳に追加

イオン注入後に、レジストからなるアライメントパターン１０６の硬化（紫外線あるいは熱による硬化）を実施し、その表面に硬化層１０７を形成する。 - 特許庁

Impurity ion implantation is performed with a first concentration in order to form sources/drains 116 in the semiconductor substrate with the gate structures 120 serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０をマスクとして前記半導体基板にソース／ドレーン１１６を形成するために第１濃度で不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering.例文帳に追加

イオン注入によって形成される汚染保護層１１ｘによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。 - 特許庁

To improve the reliability and the productivity of a solid-state imaging apparatus by controlling an ion implantation angle so as to suppress characteristic variations due to process dispersions.例文帳に追加

イオン注入角度を制御してプロセスばらつきによる特性変動を抑制し、固体撮像装置の信頼性向上、生産性向上を可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having satisfactory electrical characteristics, with its on-resistance reduced and blocking effect improved by ion implantation with a relatively low energy.例文帳に追加

比較的低いエネルギーでのイオン注入により、低オン抵抗化とブロッキング効果を向上し、良好な電気特性を実現できる半導体装置を得る。 - 特許庁

In the ion implantation for regulating the threshold voltage, redistribution of impurities due to well diffusion is prevented as much as possible through adoption of arsenic.例文帳に追加

そこで、しきい値電圧調節用イオン注入において、砒素を採用することにより、ウエル拡散により不純物の再分布を極力防止する。 - 特許庁

Ion implantation is conducted into the surface of the semiconductor substrate 1 exposed by etching to form the emitter region 21 of a vertical PNP bipolar transistor.例文帳に追加

次いで、このエッチングにより露出した半導体基板１の表面にイオン注入を行い、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域２１を形成する。 - 特許庁

To suppress a residue of a gate electrode forming film which is generated in a sidewall portion of an ion implantation mask by etching upon gate electrode processing.例文帳に追加

ゲート電極加工時のエッチングでイオン注入マスクの側壁部分に発生するゲート電極形成膜の残渣を抑制することを可能にする。 - 特許庁

To provide an ion implantation device, a waveguide and a mass analyzer therefor, and a method of distributing microwave output to a beam guide of the mass analyzer.例文帳に追加

イオン注入装置、その導波管、質量分析装置及びこの装置のビームガイドにマイクロ波出力を配給する方法を提供すること。 - 特許庁

On the main surface side of a semiconductor layer 3 composed of a p-type silicon layer on an insulation layer 2, ion implantation is conducted for controlling a threshold voltage (Figure 1 (a)).例文帳に追加

絶縁層２上のｐ形シリコン層よりなる半導体層３の主表面側にしきい値電圧を制御するためのイオン注入を行う（図１（ａ））。 - 特許庁

To prevent a substrate from being shaved through oxidization by allowing a silicon substrate not to be oxidized when removing a photosensitive resin used for pattern formation of an ion implantation area.例文帳に追加

イオン注入領域をパターン形成した感光性樹脂を除去する時に、シリコン基板を酸化させないことで、酸化による基板の削れを抑制する。 - 特許庁

To provide a method for simply adjusting the threshold voltage of a thin film transistor using plasma without performing ion implantation process.例文帳に追加

この発明は、イオン注入工程を行わず、プラズマにより簡単に薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

Next, the other principal surface of the semiconductor substrate 1 is ground and thinned, and ion implantation of phosphor is performed to the semiconductor substrate 1 from a surface exposed by the grinding.例文帳に追加

次いで、半導体基板１の他方の主面を研削して薄板化し、研削により露出した面から半導体基板１にリンをイオン注入する。 - 特許庁

In forming a p-type deep layer 10, p-type impurities are implanted by oblique ion implantation tilted in a direction for canceling an off-angle.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を形成する際に、オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入によりｐ型不純物を注入する。 - 特許庁

Subsequently, the high-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask the first spacer film 15 as to form a high-concentration drain region 14b.例文帳に追加

そして、この第１のスペーサ膜１５をマスクとしてｎ型不純物を高濃度にイオン注入することで、高濃度のドレイン領域１４ｂを形成する。 - 特許庁

When the ion implantation is completed, the wafer W is dismounted from each of the wafer holding parts 23 and returned to the inside of wafer receiving cassette 37 by the wafer transporting robot 39.例文帳に追加

イオン注入が終了すると、ウェハ搬送ロボット３９により、各ウェハ保持部２３からウェハＷを取り外してウェハ収容カセット３７内に戻す。 - 特許庁

In the lens 13, its height is regulated so as to compensate a sensitivity difference of each color filter 8 through an ion implantation for this organic SOG film.例文帳に追加

レンズ１３は、この有機ＳＯＧ膜に対するイオン注入を通じて、カラーフィルタ８各々の感度差を補償し得るようにその高さが調整される。 - 特許庁

In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.例文帳に追加

本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁

The hydrogen ion implantation step and the wet etching step are repeated several times until the glass substrates 1, 21 reach to a state in which both of them have desired film thickness.例文帳に追加

水素イオン注入工程とウエットエッチング工程とを、ガラス基板１、２１が共に所望の膜厚を有する状態になるまで、数回繰り返して行う。 - 特許庁

Ion implantation is performed in two steps, so as to form an overall barrier region 20B and a high-concentration barrier region 20 underlying a vertical transfer register 120.例文帳に追加

このイオン注入を２段階で行い、全体的なバリア領域２０Ｂと、垂直転送レジスタ１２０の下層の高濃度バリア領域２０Ａとを有する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

The gate electrode having the work function variable in the lateral direction can be formed using angle inclined ion implantation or a sequent lamination layer method.例文帳に追加

横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。 - 特許庁