「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

First, only the gate of an n-type transistor is worked, and then donor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus.例文帳に追加

まずｎ型トランジスタのゲート加工のみを行い、ドナー・イオンを質量非分離型イオン注入装置で注入する。 - 特許庁

To prevent the generation of the residues of resist, in a resist removing process carried out subsequent to ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程に続いて行なわれるレジスト除去工程においてレジスト残りの発生を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of preventing insulation failure by restraining temperature drop of an arc chamber during halt of plasma.例文帳に追加

プラズマ停止中のアークチャンバーの温度低下を抑え、絶縁不良を防止するイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Since the size of these semiconductor fine grains depends upon the depth of the ion implantation of hydrogen, the size of the grains can be formed uniformly.例文帳に追加

この半導体微粒子のサイズは、水素のイオン注入深さに依存するため、粒子サイズが均一にできる。 - 特許庁

ION implantation is carried out to the semiconductor substrate exposed through the groove so that a self- aligned channel area can be formed.例文帳に追加

グルーブを通じて露出された半導体基板上にイオン注入を実施して自己整合チャンネル領域を形成する。 - 特許庁

A source and drain area 6 is formed by ion implantation while the gate electrode and the side wall insulating film 4 are being used.例文帳に追加

ゲート電極およびサイドウォール絶縁膜４をマスクとしたイオン注入により、ソース・ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁

To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device.例文帳に追加

イオン注入法を用いてｐｎ接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。 - 特許庁

Such a film 4 can be formed by performing an oxygen ion implantation in the substrate 1 from the rear 1b or by annealing the substrate 1.例文帳に追加

かかる酸化膜４は、裏面１ｂからの酸素のイオン注入を行い、またアニールすることで形成できる。 - 特許庁

In this case only respective transistors in the pixel part are masked and boron is injected into other regions by ion implantation.例文帳に追加

これは、画素部の各トランジスタだけにマスクを施し、その他の領域について、イオン注入によってボロンを注入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an area doped at a high concentration instead of ion implantation is formed on a semiconductor film.例文帳に追加

イオン注入によらずに半導体膜に高濃度にドープされた領域を形成した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Successively, with the same resist as the mask, ion implantation is carried out, and furthermore, the base diffusion layer is formed by thermal diffusion.例文帳に追加

続けて、同一のレジストをマスクにして、イオン注入を行い、さらに、熱拡散により、ベース拡散層を形成する。 - 特許庁

Source/drain regions are formed through ion implantation using a mask for protection of the gates and the charge-trapping layer.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域が、ゲート及び電荷トラップ層の保護のためのマスクを用いて、イオン注入によって形成される。 - 特許庁

To improve the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

MULTI-HIERARCHICAL DATA BASE FOR PARAMETER EXPRESSING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION PRODUCED BY ION IMPLANTATION AND ITS DATA EXTRACTING PROGRAM例文帳に追加

イオン注入の不純物濃度分布用パラメータにおける多階層構造のデータベース及びそれのデータ抽出プログラム - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE IMAGING ELEMENT EMPLOYING IT例文帳に追加

イオン注入方法、並びに、これを用いた電界効果トランジスタの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第１のゲート電極３１をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域５１及び拡散層５２を形成する。 - 特許庁

The permeability of impurities in ion implantation of the penetration preventing film 30 is low compared to the element separation insulating film 16.例文帳に追加

透過防止膜３０は、素子分離絶縁膜１６に比べてイオン注入における不純物の透過性が低い。 - 特許庁

The ion implantation is performed in the direction of crystal axis to cause channeling for reducing lattice defects.例文帳に追加

このときのイオン注入も、格子欠陥を低減させるためにチャネリングを起こすように結晶軸方向から行う。 - 特許庁

Then with the gate electrode 4 and the sidewall 12 as masks, ion implantation is performed to form an impurity region 13.例文帳に追加

次に、ゲート電極４及びサイドウォール１２をマスクとしてイオン注入を行い、不純物領域１３を形成する。 - 特許庁

In the joint part, concentration of ion implanted by ion implantation is set in the range of 1×10^8/cm^2 to <1×10^16/cm^2.例文帳に追加

接合部は、イオン注入によって注入されたイオンの濃度が１×１０^８／ｃｍ^２以上１×１０^１６／ｃｍ^２未満の範囲に設定されている。 - 特許庁

To provide an ion implantation device for obtaining ion beam without energy contamination when post deceleration is used and post acceleration is used.例文帳に追加

後段減速（ディセル）を用いた場合でも、後段加速（ポストアクセル）を用いる場合でも、エネルギーコンタミネーションの無いイオンビームを得られるようにしたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

In ion implantation device, a mask for shielding an ion beam movable intermittently and/or continuously between the sample base body and a beam scanning electrode is provided.例文帳に追加

イオン注入装置において、試料基体とビーム走査電極との間に断続的および／または連続的に移動が可能なイオンビーム遮蔽用のマスクを設ける。 - 特許庁

A capacitor is formed in a substrate having a doped Perovskite conductive ground layer by embedding an ion layer using a method such as an ion implantation technique.例文帳に追加

キャパシタは、イオン注入のような方法を使用して、イオンの層を埋め込むことにより、ドープされたペロブスカイト導電性グランド層を有する基板内に形成される。 - 特許庁

To provide a stereoconvergence mass separator for medium current type ion-implantation apparatus, which can converge ion beams not only on a median plane, but also in a direction perpendicular to the median plane.例文帳に追加

メディアン面だけでなくメディアン面に垂直な方向にもイオンビームを収束できる中電流型イオン注入装置用の立体収束質量分離器を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the ion is implanted to the element region 5 so as to perform first thermal processing to restore crystalization deteriorated by ion implantation, and second thermal processing for aiming drive-in.例文帳に追加

続いて、素子領域５にイオン注入し、イオン注入によって悪化した結晶性を回復させるための第１熱処理、ドライブインを目的とした第２熱処理を行う。 - 特許庁

An oxide film 17 is formed on the surface of an electrode 15 and ion implantation is carried out in the surface of the oxide film 17 to form a carbon-enriched ion implanted film 18.例文帳に追加

電極１５の表面には酸化膜１７を成膜し、酸化膜１７の表面にイオン注入を行ってカーボンリッチ状態のイオン注入膜１８とした。 - 特許庁

To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To remove particle or the like adhering to a surface of a semiconductor wafer by using an ion implantation device when element ion is implanted from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面から元素イオンを注入する際に、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルなどをイオン注入装置を用いて除去する。 - 特許庁

An impurity is ion implanted to form the transfer channel 9 in a layer underneath the first gate insulating film 6 by using the photoresist 8 for forming the transfer channel as the mask for the ion implantation.例文帳に追加

次に、転送チャネル形成用フォトレジスト８をマスクとして、不純物をイオン注入して、第１のゲート絶縁膜６の下層に転送チャネル９を形成する。 - 特許庁

The determination of the completion of the ion implantation is derived by detecting the previously stored measurement pulse value of the noise amount from the measurement value of the ion beam current.例文帳に追加

このイオンビーム電流の計測値から上記記憶しておいたノイズ量の測定パルス値を差し引きしイオン注入完了の判定を導き出すようにする（Ｓ６）。 - 特許庁

To provide an ion source for an ion implantation device for containing a solid material source for sputtering and minimizing influence of the change of this material source.例文帳に追加

スパッタ用ソリッド材料源を包含し、さらに、この材料源の変更による影響を最小限にするためのイオン注入装置用のイオン源を提供すること。 - 特許庁

The surfaces of metallic base materials 31, 34 are provided with an ion implantation layer 32 of one or more kinds of metallic elements selected from Al, Ba, Ca, Mg and Y reacted with F_2 gas and fluoride gas, but in which the vapor pressure of the resultant reaction product is low by using an ion implantation method or a plasma implantation method.例文帳に追加

金属製基材３１，３４の表面に対して、イオン注入法またはプラズマイオン注入法を用いて、Ｆ_２ガスやフッ化物ガスとは反応するものの、その反応生成物の蒸気圧が低いＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる１種以上の金属元素のイオン注入層３２を設ける。 - 特許庁

The channel region having the region of high impurity concentration and the region of low impurity concentration is formed in terms of self-matching by ion implantation through an implantation mask of two kinds of second conductivity impurities different in diffusion coefficients, extension of the implantation mask, ion implantation of the first conductivity impurity and diffusion of the second conductivity impurity with the large diffusion coefficient owing to activation annealing.例文帳に追加

拡散係数の異なる２種の第２導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第１導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第２導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a resin composition for an ion implantation process which is high in the uniformity of resist pattern dimension in a step part of a substrate and is excellent in an embedding property in the step part, and to provide a method of forming a pattern using the resin composition for the ion implantation process.例文帳に追加

基板の段差部におけるレジストパターン寸法の均一性が高く、段差部の埋込性が良好である、イオン注入工程用の樹脂組成物及び該イオン注入工程用の樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of photomasks for forming an ion implantation mask, then reduce manufacturing cost of a semiconductor device, accurately control a shape and a position of an ion implantation region into a substrate, and improve a manufacturing yield of the semiconductor device.例文帳に追加

イオン注入マスクを形成するためのフォトマスクの枚数を削減し、半導体装置の製造コストを低減させると共に、基板へのイオン注入領域の形状や位置をより正確に制御して、半導体装置の製造歩留りを改善する。 - 特許庁

This ion implantation group III nitride semiconductor substrate 20 includes an ion implantation region 20i which resides at one principal plane 20m side and is formed by a predetermined depth D from the principal plane 20, and has a thickness T of 500 μm or larger.例文帳に追加

本イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０は、一方の主面２０ｍ側であって主面２０から所定の深さＤで形成されているイオン注入領域２０ｉを含み、５００μｍ以上の厚さＴを有する。 - 特許庁

As a result, in the wafer treatment processing 100, the Si+ ions introduced at the ion implantation processing 120 are bonded to a vacant lattice defects, produced in the ion implantation process 110, thereby crystal defect generation caused by the vacant lattice defect is prevented.例文帳に追加

結果として，ウェハ処理工程１００では，イオン注入工程１２０で導入されたＳｉ＋イオンが，イオン注入工程１１０で生じる空格子欠陥と結合し，空格子欠陥に起因する結晶欠陥の発生が抑制される。 - 特許庁

This stencil mask for the ion implantation is used in the ion implantation process in the manufacture of the semiconductor device, and comprises at least a substrate portion and a stencil portion, and the stencil portion has a diamond layer.例文帳に追加

半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクであって、少なくとも、基材部、ステンシル部を具備し、前記ステンシル部がダイヤモンド層を有するものであることを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

When the oxygen ions 16 are implanted, divided into a plurality of number of times, the periphery of the mask oxide film 23 is removed by etching or, is padded for enlargement between the previous oxygen ion implantation process and the subsequent oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオン１６の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜２３の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 - 特許庁

By implanting hydrogen ions through the buried insulating film 2, a peeling ion implantation layer 21 is formed, and further, by implanting Ar ions, etc. on the buried insulating film 2 side than the ion implantation layer 21, an amorphous layer 22 is formed.例文帳に追加

そして、埋込絶縁膜２を通じて水素イオンを注入することで剥離用のイオン注入層２１を形成すると共に、イオン注入層２１よりも埋込絶縁膜２側にＡｒイオンなどを注入することでアモルファス層２２を形成する。 - 特許庁

In the regeneration processing method of flaked wafer as byproduct in an ion implantation flaking method, in which a joint wafer is obtained, the surface of the wafer is polished after an ion implantation layer of at least a chamfered part of the flaked wafer is removed.例文帳に追加

イオン注入剥離法によって結合ウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハを再生処理する方法において、前記剥離ウエーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後、ウエーハ表面を研磨する。 - 特許庁

The glass cover 10 is manufactured by carrying out a process for an ion implantation method of implanting either of a metal ion or a metalloid ion into one part of the base material, and a heat treatment process for heat-treating the base material.例文帳に追加

カバーガラス１０は、金属イオンおよび半金属イオンのうちいずれか一つを基材の一部に注入するイオン注入工程と、基材の熱処理を行う熱処理工程と、を実施することによって製造される。 - 特許庁

Channel doping ion implantation is done by converging an ion beam 22 passed through a filter FL with multiple fine openings OP regularly arranged by a lens 26 and by irradiating a semiconductor wafer 1W with the ion beam.例文帳に追加

規則的に配列した複数の微細な開口部ＯＰを有するフィルタＦＬを通過したイオンビーム２２をレンズ２６で収束して半導体ウエハ１Ｗに照射することにより、チャネルドープイオン注入を行なう。 - 特許庁

To provide an ion implanting device and an ion implanting method, capable of providing heat treatment for a particular region on a semiconductor substrate as soon as having provided ion implantation for the particular region.例文帳に追加

イオン注入装置で半導体基板の特定領域にイオン注入を施した後、間を置かずに特定領域の熱処理を施し得るイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an ion implantation device that suppresses the occurrence of energy contamination while enhancing ion beam transport efficiency by compensating divergence in the Y-direction of an ion beam due to space charge effects or the like.例文帳に追加

イオンビームの空間電荷効果等によるＹ方向の発散を補償して、イオンビームの輸送効率を高めることができ、しかもエネルギーコンタミネーションの発生を抑制することができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁