「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, in another embodiment, while amplitude-modulating acceleration voltage added to an accelerating tube 6, the ion implantation is carried out.例文帳に追加

更に別の態様では、加速管６に加える加速電圧を振幅変調しながらイオン注入を行う。 - 特許庁

A well is then formed by ion implantation within a device activation area defined by the device separation insulating film 2.例文帳に追加

次に、素子分離絶縁膜２により区画された素子活性領域内に、イオン注入によりウェルを形成する。 - 特許庁

To reduce the number of manufacturing processes for a semiconductor device by eliminating resist processes before and after an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程前後のレジスト工程が不要とし、半導体装置の製造工程数を削減する。 - 特許庁

Next, ion implantation with the films 21 and 24 as masks is performed to form an n^+ type source region 4.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜２１、２４をマスクとしたイオン注入を行ってｎ^+型ソース領域４を形成する。 - 特許庁

The doped glass layer 30 contains phosphorous silicate glass and it can be formed by ion implantation of phosphorous and oxygen.例文帳に追加

ドープ・ガラス層３０は、燐珪酸塩ガラス（phosphorous silicate glass）を含み、燐と酸素のイオン注入により形成することができる。 - 特許庁

To allow precision mask registration (or evaluation of misregistration) even on an ion implantation region.例文帳に追加

イオン注入領域に対しても高精度のマスク合わせ（あるいは、位置ずれの評価）を行うことを可能とすること。 - 特許庁

Electronic damage and crystalline damage of high levels are formed with single ion implantation with sufficient energy.例文帳に追加

十分なエネルギーの一回のイオン注入により、高いレベルの電子的損傷と結晶性損傷が形成される。 - 特許庁

Essentially uniform n-type impurity doping is executed into the polysilicon film by the ion implantation mask pattern.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを用いて前記ポリシリコン膜内に実質的に均一なｎ型不純物ドーピングを実施する。 - 特許庁

To provide an ion implanting device in which ion implantation by a large area ion beam can be carried out in a large-scale substrate, uniformity of ion beam is controllable, there is no occurring of a sputter by the ion beam, and which can prevent adverse effect by a sputter.例文帳に追加

大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The well is formed in two times of first impurity ion implantation by the prescribed incident angle from a first direction, an acceleration voltage and a dosage; and second impurity ion implantation by the same incident angle, acceleration voltage and dosage as the first impurity ion implantation from a second direction different from the first direction by 180 degrees in plane view.例文帳に追加

ウェルの形成を、第１の方向からの所定の入射角度および加速電圧、ドーズ量による第１の不純物イオン注入と、第１の方向と平面視で１８０度異なる第２の方向からの、第１の不純物イオン注入と同じ入射角度および加速電圧、ドーズ量による第２の不純物イオン注入の２回に分けて行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI substrate which efficiently removes an ion implantation defect layer present in an ion-implantation layer near a flaked face flaked by an ion-implantation flaking method, obtains film thickness uniformity between substrates and in the surface of the substrate, and is also applied to the SOI substrate which uses low melting point material for a handle wafer.例文帳に追加

イオン注入剥離法によって剥離した剥離面近傍のイオン注入層に存在するイオン注入欠陥層を効率的に除去し、かつ基板間・基板面内の膜厚均一性を取ることができ、またハンドルウェーハに低融点材料を用いたＳＯＩ基板にも適用することのできるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacturing an SIMOX wafer having an oxygen implantation process and a high-temperature annealing process, prior to implantation of oxygen ions; an oxide film is formed on the surface of the wafer, and oxygen ion implantation is executed through the oxide film.例文帳に追加

酸素イオン注入工程および高温アニール工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、 該酸素イオン注入に先立ち、ウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を通して酸素イオンの注入を行う。 - 特許庁

Capacitance between a gate and a source and capacitance between the gate and a drain are inhibited by oxidizing a trench gate, forming a body to a sidewall by inclined ion implantation, forming a gate electrode and forming a lightly doped source region by inclined ion implantation.例文帳に追加

トレンチゲート酸化後に傾斜イオン注入で側壁にボディを形成し、ゲート電極形成後に低濃度ソース領域を傾斜イオン注入で形成することにより、ゲート・ソース間容量とゲート・ドレイン間容量を抑える。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

As the single crystalline silicon substrate 10 to be laminated on the quartz substrate 20, a substrate satisfying the relation 2L≤t_ox between the thickness of the oxide film t_ox and an average ion implantation depth L of an ion implantation layer 12 of hydrogen may be used.例文帳に追加

石英基板２０と貼り合わせる単結晶シリコン基板１０として、酸化膜の膜厚と水素のイオン注入層１２の平均イオン注入深さＬが２Ｌ≦ｔ_oxの関係を満足する基板を用いることとしてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which carries out ion implantation into an exact area when carrying out the ion implantation using a stencil mask, semiconductor device manufacturing equipment, a semiconductor device, an electrooptic apparatus, and an electronic apparatus.例文帳に追加

ステンシルマスクを用いてイオン注入を行う場合にも、正確な領域にイオン注入を行う半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、電気光学装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

A high resistance area 110 is formed on the side end face of the semiconductor layer 101 by ion implantation, and a high resistance area 111 is also formed adjacent to the side end face of the upper surface of the semiconductor layer 101 by ion implantation.例文帳に追加

半導体層１０１の側端面には、イオン注入による高抵抗領域１１０が形成され、半導体層１０１上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域１１１が形成されている。 - 特許庁

A base electrode 11, in a collector top heterojunction bipolar transistor is brought into contact with the side plane of a base layer 5 which has not been subjected to ion implantation and with the front surface of a high resistance parasitic emitter region 14, which has been subjected to the ion implantation.例文帳に追加

コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極１１がイオン打ち込みがなされていないベース層５の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域１４の表面に接するようにする。 - 特許庁

Oxygen deposit (a) having size and density for achieving the gettering of metal impurities is formed inside a silicon single crystal substrate 10 before oxygen ion implantation, thus achieving the sufficient gettering of the metal impurities in the oxygen ion implantation.例文帳に追加

酸素イオン注入前に金属不純物のゲッタリングが可能なサイズと密度とを有する酸素析出物ａをシリコン単結晶基板１０の内部に形成するので、酸素イオン注入時に金属不純物を十分にゲッタリングできる。 - 特許庁

Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.例文帳に追加

したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。 - 特許庁

To provide a mask ROM which can perform accurate ion implantation of r a desired channel region alone, thus realizing fine machining and reduce TAT through ion implantation after gate electrode formation.例文帳に追加

所望のチャネル領域のみにイオンを正確に注入でき、したがって、微細化を達成でき、しかもゲート電極形成後にイオン注入できてＴＡＴを短縮することができるマスクＲＯＭおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a dose region of a plurality of species on one wafer in a one time ion implantation process without masking, etc., in an ion implanter and an ion implanting method.例文帳に追加

イオン注入装置及びイオン注入方法において、マスキング等を行うことなしに、１回のイオン注入プロセスで１枚のウェハ上に複数種類のドーズ量領域を形成することができるようにする。 - 特許庁

The release film comprises a substrate film 1 the surface of which an ion-implanted layer is formed by plasma-based ion implantation and a release layer formed on the ion-implanted layer of the substrate film.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により、表面部にイオン注入層が形成された基材フィルムと、該基材フィルムのイオン注入層上に形成された剥離層とを有することを特徴とする剥離フィルム。 - 特許庁

Then, the region RN-1, Where ion is implanted under the condition, is shielded with a mask, and related to the remaining CN, with a mask for exposure in-between, an ion-implantation process is performed with a region 44 under conditions which compensates for the ion-implantation conditions to the remaining region.例文帳に追加

以後、前記適合した条件でイオン注入された領域ＲＮ−１はマスクで遮断して、残り領域ＣＮは露出させるためのマスクを介在して前記残り領域に対するイオン注入条件を補償する条件で領域４４にイオン注入工程を遂行する。 - 特許庁

In the ion implanting method, contaminant ions of first dose as a part of whole dose of the contaminant ions planed to be implanted is implanted by a perpendicular ion implantation (520), and contaminant ions of remaining dose formed by removing the first dose from the whole dose is processed in the tilt ion implantation (530).例文帳に追加

このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し（５２０）、続いて、全体ドーズから第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する（５３０）。 - 特許庁

An ion implantation processing is carried out, in order to form a doped region having a first conductivity type which is substantially below the isolation structure, by using at least two different implantation energies.例文帳に追加

イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。 - 特許庁

To provide an ion implantation method to fine powder where the scattering of fine powder by a charge up phenomenon is prevented, the stirring of the fine powder is made needless, and the precise control of implantation volume is performed.例文帳に追加

微細粉末へのイオン注入において、チャージアップ現象による微細粉体の飛散を防止し、微細粉体の攪拌を不要にして、注入量の精密な制御を可能にする。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus for preventing contamination during implanting impurities into a semiconductor substrate, assuring accurate implantation of the impurities of a desired amount, and facilitating maintenance.例文帳に追加

半導体基板に不純物を打ち込む際、コンタミネーションを防止するとともに、不純物を所望量で正確に打ち込むことができ、また、メンテナンスが容易なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device has a process to heat a substrate composed of SiC to be 400°C or lower, and to perform ion implantation to the substrate.例文帳に追加

ＳｉＣからなる基板を４００℃以下に加熱して、当該基板にイオン注入を行う工程を有する。 - 特許庁

In a first embodiment, the initial oxynitride layer is formed on the substrate by ion implantation of nitrogen atoms.例文帳に追加

一実施形態で、初期酸窒化物層は、基板に窒素原子をイオン注入することによって、基板上に形成される。 - 特許庁

To provide a method and a device for operating an adjustable opening used for a beam line of an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置のビームラインに使用する調整可能な開口を操作する方法および装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step s2, namely an ion implantation process; and a step s6, namely a backgrinding process.例文帳に追加

半導体デバイスの製造方法は、ステップｓ２のイオン注入工程と、ステップｓ６の裏面研削工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element for suppressing a decrease in a degree of vacuum in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程における真空度の低下を抑制することができる半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁

Next, a P^+-drain layer 1 is formed on the rear surface of the N^+-buffer layer 2 by means of the ion implantation and irradiation of a second laser light beam.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

Performing the ion implantation twice by changing the tilt angle increases the probability for a first beam track to be different from a second beam track.例文帳に追加

チルト角度を変えてイオン注入を２回行えば、２回目のビーム軌跡は、１回目と異なる確率が高い。 - 特許庁

To offer the operating method for an ion implantation device to reduce X-ray radiation and to provide the necessary constitutional parts therefor.例文帳に追加

Ｘ線放射を低下させるイオン注入装置の作動方法およびそのための構成部品を提供すること。 - 特許庁

And then, a p-type diffusion layer 18 is formed using the openings 21 by ion implantation according to a self-aligning technique.例文帳に追加

そして、該開口部２１を用いて、自己整合技術によりＰ型の拡散層１８をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT, capable of suppressing a rise in the temperature of a substrate due to ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による基板温度の上昇を抑制することが可能なＴＦＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

Volumetric expansion is produced in the implanted region by the ion implantation and a plurality of stripe-like barrier walls 11 are formed.例文帳に追加

このイオン注入により、注入部位に体積膨張が生じ、ストライプ状の複数の障壁１１が形成される。 - 特許庁

To estimate a dose amount of ions implanted by an ion implantation device with a quick and simple measuring method.例文帳に追加

迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。 - 特許庁

After an array substrate and a counter substrate are stuck to each other, hydrogen ion 31 implantation is performed into respective insides of glass substrates 1, 21.例文帳に追加

アレイ基板と対向基板とを貼り合わせ後に、ガラス基板１、２１の各内部に水素イオン３１をイオン注入する。 - 特許庁

Thereafter, a pn junction 104 is formed at a third depth C shallower than the second depth B by ion implantation.例文帳に追加

この後、イオン注入により第２の深さＢよりも浅い第３の深さＣにｐｎ接合１０４を形成する。 - 特許庁

The LDD region of P-channel MOS is similarly formed by conducting ion implantation in a state of the photoresist being left.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳのＬＤＤ領域も同様にフォトレジストが残存した状態でイオン注入を行って形成する。 - 特許庁

The influence of the code ion implantation of a mask ROM on an adjacent cell is suppressed by devising cell layout.例文帳に追加

マスクＲＯＭのコードイオン注入における隣接セルへの影響をセルレイアウトの工夫により抑制することである。 - 特許庁

To provide a doping method and ion implantation apparatus which can form a shallow p-type layer or n-type layer.例文帳に追加

浅いｐ形層またはｎ形層を形成することができるドーピング方法、およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁