「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an option-setting circuit that precludes the possibility of the causing a breakdown of gate oxide film of transistors(TRs) and can set a mode signal without relying on ion implantation.例文帳に追加

トランジスタのゲート酸化膜の破壊を生ずるおそれがなく、かつイオン注入によらずにモード信号の設定ができるオプション設定回路を提供する。 - 特許庁

Prior to depositing the electrode film, ion implantation may be performed in order to render the surface amorphous by Ar ions, Ge ions or Xe ions.例文帳に追加

また、電極膜を成膜する前に、ＡｒイオンやＧｅイオンやＸｅイオンによって表面を非晶質化するためのイオン注入をおこなってもよい。 - 特許庁

To provide a method for annealing diamond by which the damaged inside of a diamond monocrystal caused by ion implantation or other processes can be restored at a low temperature.例文帳に追加

イオン注入その他のプロセスによりダイヤモンド中に発生した損傷を低温において回復する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A dopant is driven to the diamond thin film 5-12 at an acceleration voltage of 60 kV and a dose of 1×10^14 cm^-2 by using an ion implantation device.例文帳に追加

上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。 - 特許庁

The method for manufacturing the composite substrate includes: a pattern formation processes (S11-S13); an ion implantation process (S14); a bonding process (S15); and a separation process (S16).例文帳に追加

複合基板の製造方法は、パターン形成工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）とイオン注入工程（Ｓ１４）と接合工程（Ｓ１５）と剥離工程（Ｓ１６）とを含む。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus which enable an accurate adjustment of a twist angle to an angle given as one of conditions of an ion implantation.例文帳に追加

ウェーハのツイスト角度を、イオン注入条件の一つとして与えられる角度に精度良く合わせることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of variations in the quality of a raw material wafer in an annealing step after an ion implantation of the raw material wafer made from silicon carbide (SiC).例文帳に追加

炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする原料ウェハのイオン注入後のアニール工程において、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制する。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser free of anomalous crystal growth or the like, wherein ion implantation depth is shallow and reduction in resistance due to heat treatment is controlled.例文帳に追加

結晶の異常成長等がなくイオン注入深さが浅く熱処理工程による低抵抗化を抑制することが可能な面発光レーザを実現する。 - 特許庁

The condition for ion implantation is selected to compensate for deviation of the threshold voltage due to the deviation of the gate insulating film thickness from the design thickness.例文帳に追加

イオン注入の条件は、ゲート絶縁膜の膜厚の設計膜厚からのずれによるしきい値電圧のずれが補償されるように選択される。 - 特許庁

Also, the distance between the outer peripheral edges of the adjacent resistance-element regions 8, 8 to each other is brought into the minimum space of the photoresist of a mask used in the case of the foregoing ion-implantation.例文帳に追加

また、抵抗素子領域８，８，…は、互いに隣接する外縁の間の距離が、イオン注入時のマスクのフォトレジストの最小間隔になっている。 - 特許庁

Then, ion implantation using the readout electrode and the side walls as masks is carried out to form a second impurity region 8 of one conductivity type in a self-alignment manner.例文帳に追加

読み出し電極とサイドウォールをマスクとするイオン注入により自己整合的に、一導電型の第二不純物領域８を形成する。 - 特許庁

To obtain a method for forming Co silicide film having a small sheet resistance, when a TEOS(tetraethylothosilicate) oxide film is used as a through- oxide film at ion implantation.例文帳に追加

イオン注入の際にＴＥＯＳ酸化膜をスルー酸化膜として用いた場合に、シート抵抗の小さいＣｏシリサイド膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the ion implantation system, a temporary temperature operation parameter is controlled based on mechanical rotation of 180° of a wafer during beam scanning fixed by a two-dimensional mechanical scanning.例文帳に追加

一時的な温度操作パラメータは、２次元の機械的スキャニングで固定されたビームスキャンの間でウエハの１８０度の機械的回転に基づいて制御される。 - 特許庁

Subsequently, the substrate 100 is removed so as to expose the insulating layer 150 on a side of an ion implantation layer 102 of the substrate 100.例文帳に追加

次に半導体用基板１００のイオン注入層１０２側の絶縁層１５０が露出するように半導体用基板１００を除去する。 - 特許庁

An ion implantation mask for forming (N-type source layer 11)/(N-type drain layer 12) is also used for forming a thin oxide film 5.例文帳に追加

Ｎ−型ソース層１１／Ｎ−型ドレイン層１２を形成するためのイオン注入用マスクと、薄い酸化膜５を形成するためのマスクとを同一マスクとした。 - 特許庁

To suppress production of a degenerated layer in a resist when a resist pattern on a substrate is subjected to ion implantation, and to strip the resist without damaging the substrate.例文帳に追加

基板上のレジストパターンにイオン注入処理を行う際のレジストの変質層の生成を抑制し、基板に損傷を与えることなくレジストを除去する。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

When projection range during ion implantation is defined as Rp and the thickness of the isolation oxide film 9 is (t), the formula Rp<0.45×t is established.例文帳に追加

そして、前記イオン注入の際の投影飛程をＲｐ、素子分離酸化膜９の厚さをｔとしたとき、数式Ｒｐ＜０．４５×ｔが成り立つ。 - 特許庁

(2) In the manufacturing process of the Si chip 2, the Si chip 2 is formed by subjecting a silicon wafer acquired by the preceding process to each process such as etching, oxidation, diffusion, CVD or ion implantation.例文帳に追加

（２）Ｓｉチップ２の製造工程では、シリコンウェーハに、前工程により、エッチング、酸化、拡散、ＣＶＤ、イオン注入、等の工程を経て形成する。 - 特許庁

To prevent generation of blister, after stripping by preventing generation of voids during sticking operation in a manufacturing process of an SOI substrate by means of hydrogen ion implantation method.例文帳に追加

水素イオン注入法によるＳＯＩ基板の製造工程において、貼り合わせ時のボイドの発生を防止し、剥離後のブリスタの発生を防止する。 - 特許庁

When the wafer 100 is subjected to ion implantation, a charged amount and its polarity of the wafer 100 are measured by an electric field meter 330.例文帳に追加

また、ウェーハ１００のイオン注入作業を行なう場合に、電界計３３０によりウェーハ１００の帯電量及びその極性を測定する。 - 特許庁

The occurrence of a pit of an epitaxial film 14 is restrained to decrease the surface defect of the film 14 even though the oxide film ends because of a problem in the ion implantation.例文帳に追加

また、イオン注入の不具合で酸化膜が途切れても、エピタキシャル膜１４のピットの発生が抑制され、膜１４の表面欠陥が低減される。 - 特許庁

The SiC substrate 3 patterns a section for forming a p-type impurity region, and performs the ion implantation of He or the like to a required depth for changing into amorphous.例文帳に追加

ＳｉＣ基板３はｐ型不純物領域を形成すべき部分をパターンニングし、必要な深さだけＨｅ等をイオン注入してアモルファス化している。 - 特許庁

To provide a method for diffusing impurities in which an effective n-type impurity region can be formed by an ion-implantation using an atoxic or low toxic material.例文帳に追加

無毒性または低毒性の原料を用いたイオン注入によって有効なｎ型不純物領域が形成できる不純物拡散方法の提供。 - 特許庁

Ion implantation of boron is executed on one desired part of the second hard mask 40, and the first hard mask 30 is etched using the second hard mask 40 as a mask.例文帳に追加

第２ハードマスク４０の所望の一部にボロン等のイオン注入を行った後、第２ハードマスク４０をマスクとして第１ハードマスク３０をエッチングする。 - 特許庁

To provide a lighter ion implantation device of high reliability having a scanning arm assembly allowing a wafer holder to rotate round a wafer axis.例文帳に追加

ウェーハ軸の周りにウェーハ・ホルダの回転を可能にする走査アーム組立体を有し、従来技術より軽くて信頼性が高い注入装置を提供する。 - 特許庁

B ion implantation is carried out into an n- type epitaxial layer 2, and then the layer is subjected to an annealing operation to activate B and to form a p-type base region 3.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２にＢのイオン注入を行ったのち、Ｂを活性化させるアニール処理を行ってｐ型ベース領域３を形成する。 - 特許庁

The sealant is obtained by coating the surface of a packing body 1 formed from a rubber with a diamond-like carbon thin film by using a three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method.例文帳に追加

三次元プラズマイオン注入成膜法を用いて、ゴムにより形成されるパッキン本体１の表面をダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜で被覆する。 - 特許庁

To provide a position adjustment device accurately and efficiently setting a reference position for controlling a wafer replacement position in an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置におけるウェハの交換位置を制御するための基準位置の設定を正確に効率良く行う位置調整装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, an n-type high-concentration source region 6 and an n-type high-concentration drain region 7 are formed by performing ion implantation by using the gate electrode 3 as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極３をマスクとしてイオン注入を行い、ｎ型の高濃度ソース領域６及び高濃度ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which surface distribution of impurities on a wafer becomes uniform, even if the beam current is unstable, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

ビーム電流が不安定でもウェハへの不純物面内分布が均一になるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device that performs ion implantation before silicide process, and can control a leakage current in MISFET more reliably.例文帳に追加

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。 - 特許庁

To provide a volatile memory that has a desired threshold voltage value although relatively lowering the doping concentration of a channel ion implantation region.例文帳に追加

チャネルイオン注入領域のドーピング濃度を相対的に低下しながらも所望のしきい電圧値を得ることができる揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

1) An ion implantation method, 2) a clad method, 3) coating by an immersion method, 4) accumulation of the coating layer, and 5) electroplating or the like may be used for the formation of the composite layer.例文帳に追加

複合層の形成には１）イオン注入法、２）クラッド法、３）浸漬法による被覆、４）被覆層の堆積、５）電気メッキ法等を使用すると良い。 - 特許庁

The transport assembly is configured to transport the subsequent wafer plate of the plurality of wafer plates from the load lock chamber into the ion implantation target chamber.例文帳に追加

搬入アセンブリは、複数のウェハプレートのうちの次のウェハプレートを、ロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に搬入するように構成される。 - 特許庁

To reduce reverse leakage current of a semiconductor device produced by grinding a semiconductor substrate to have a smaller thickness and performing ion implantation on the grinding surface.例文帳に追加

半導体基板を研削して薄くし、その研削面にイオン注入を行うことにより作製される半導体装置の逆漏れ電流を少なくすること。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric composite substrate including the single-crystal thin film of the piezoelectric material includes an ion implantation process (S1) and a separation process (S2).例文帳に追加

圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。 - 特許庁

A turn table 1, a finger 12, and a platen cover 13 constituting the platen 10 of the ion implantation device 40 are all formed with a single crystal silicon.例文帳に追加

イオン注入装置４０のプラテン１０を構成するターンテーブル１１、フィンガ１２およびプラテンカバー１３の全てを単結晶シリコンにより形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 and a polycrystalline silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1 in order, and silicon atoms are applied to the polycrystalline silicon film 3 through ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１上に酸化シリコン膜２、多結晶シリコン膜３をこの順で形成した後、多結晶シリコン膜３にシリコン原子をイオン注入する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ION IMPLANTATION GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER JUNCTION SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To provide a substrate for removing a resist used in ion implantation or the like at a high degree of cleaning in a short time.例文帳に追加

イオン注入などにおいて使用されたレジストを高い清浄度を以って短時間で除去することが可能な基体洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

If the overlapping length of the ion implantation region and the LOCOS oxide film is 3 μm or more, the occurrence of the crystal defects can be increased further.例文帳に追加

また、イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜のオーバーラップ量を３μｍ以上とすれば、より結晶欠陥の発生割合を高めることができる。 - 特許庁

An n-type impurity 5 such as phosphorous or the like is introduced into the upper surface of a silicon substrate 1 by using the photo resist 4 as an injection mask by ion implantation.例文帳に追加

フォトレジスト４を注入マスクとして用いて、イオン注入法によって、リン等のＮ型不純物５を、シリコン基板１の上面内に導入する。 - 特許庁

First, the structure is manufactured by forming a damage region on the front surface of an Si content substrate by ion implantation of a light atom such as He.例文帳に追加

この構造体は、まず、Ｈｅなどの軽原子のイオン注入によりＳｉ含有基板の表面に損傷領域を形成することによって、製造される。 - 特許庁

A protective film 3, which serves as a protective film for ion implantation, is formed on a substrate 1 so as to coat a control gate electrode 8 and a gate electrode 15.例文帳に追加

コントロールゲート電極８およびゲート電極１５を覆うように基板１上にイオン注入用の保護膜となる保護膜３を形成する。 - 特許庁