「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

After being stripped bordering on the ion implantation layer, the SOI wafer is oxidized to form an oxide film having a predetermined thickness.例文帳に追加

このイオン注入層を境界として剥離した後、ＳＯＩウェーハを酸化処理し、所定厚さの酸化膜を形成する。 - 特許庁

To precisely extract an ion implantation distribution, in a short period, in a semiconductor element structure where thickness of a surface oxide film changes.例文帳に追加

表面酸化膜膜厚が変化する半導体素子構造内のイオン注入分布を短時間且つ高精度に抽出する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device in which a crystallinity is not deteriorated even if an ion implantation is made to SiC at a low temperature.例文帳に追加

低温でＳｉＣへイオン注入を行っても結晶性の劣化しない炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

On the boundary of a section 62, an isolation region 64 of p^+ region is formed by ion implantation from the surface of a substrate.例文帳に追加

区画６２境界に、基板表面からのイオン注入によって、ｐ^＋領域である分離領域６４を形成する。 - 特許庁

To provide an improved method and device for stripping a photoresist for HDIS and an ion implantation-related residue.例文帳に追加

ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the breaking of the gate insulating films of TFT in ion implantation without increasing the number of treating steps.例文帳に追加

イオン注入時におけるＴＦＴのゲート絶縁膜の破壊を、処理工程の増大を招くことなく、防止することができる。 - 特許庁

A diffusion layer 5 is formed by an ion implantation on the substrate 1 positioning on both sides of the electrode 3.例文帳に追加

ゲート電極３の両側に位置する半導体基板１には、イオン注入により形成された拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A silicon nitride film 114 acting like an ion implantation adjustment film is formed on the entire surface of the silicon substrate 1 including the gate electrode 3.例文帳に追加

イオン注入調整膜として、シリコン窒化膜１１４を、ゲート電極３を含むシリコン基板１の全面に形成する。 - 特許庁

A silicon wafer for an active layer is implanted with hydrogen gas ions through an oxide film thus forming an ion implantation layer in silicon bulk.例文帳に追加

活性層用シリコンウェーハに酸化膜を介して水素ガスをイオン注入し、シリコンバルク中にイオン注入層を形成する。 - 特許庁

A Non-crystalline chromium based ceramic film 3 and a crystalline chromium based ceramic film 4 are formed on a forming surface by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によって成形面に非結晶性クロム系セラミック膜３及び結晶性クロム系セラミック膜４を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the cost can be reduced by employing p^+ field ion implantation for forming the anti-inversion region B.例文帳に追加

また、この反転防止領域Ａを形成するイオン注入をｐ^＋ フィールドイオン注入で行うことで低コスト化することができる。 - 特許庁

To solve a problem that a precise real time dose measurement is required in a plasma processing chamber such as high frequency plasma immersion ion implantation reactor.例文帳に追加

高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる - 特許庁

The vias may be formed by, for example, etching, ion implantation, or selective growth of the layer of second conductivity type.例文帳に追加

これらのヴィアは、例えば、エッチング、イオン注入、又は、第２導電型層の選択的な成長によって形成することができる。 - 特許庁

Then, thermal treatment (annealing) after ion implantation is executed at a temperature lower than the temperature for thermal treatment for the source region and the drain region.例文帳に追加

次に、当該イオン注入後の熱処理（アニーリング）をソース領域・ドレイン領域の際の熱処理よりも低い温度で行う。 - 特許庁

The gate oxide film, corresponding to 14a, becomes thicker than that corresponding to 14b by forming the ion implantation layer 18.例文帳に追加

イオン注入層１８を形成したことで１４ｂ対応のゲート酸化膜より１４ａ対応のゲート酸化膜が厚くなる。 - 特許庁

Then, ion implantation and thermal treatment (annealing) are executed through the contact hole 7, and a source region 8 and a drain region 9 are formed.例文帳に追加

次に、コンタクトホール７を介してイオン注入・熱処理（アニーリング）し、ソース領域８及びドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

A temporary support substrate, which is composed of an etched layer 3 and a temporary substrate 4, is formed on an ion implantation side surface of the piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

次に、圧電基板１のイオン注入側の面に、被エッチング層３および仮基板４からなる仮支持基板を形成する。 - 特許庁

This etched masking layer is used as a P+ type body diffused layer and an ion implantation mask for N- type and source offset layer.例文帳に追加

このエッチング加工したマスク層は、Ｐ^+ 型ボディー拡散層、Ｎ^- 型のソースオフセット層のイオン注入マスクとして利用される。 - 特許庁

The ion implantation control opening constitutes a self-alignment structure in each diffusion layer forming process, thereby diffusion layers are formed.例文帳に追加

イオン注入制御開口部が各拡散層形成工程におけるセルフアライメント構造を構成して各拡散層が形成される。 - 特許庁

The wafer thus stuck is then heated and a part thereof is stripped bordering on the ion implantation layer thus producing an SOI wafer.例文帳に追加

この貼り合わせウェーハを加熱することにより、イオン注入層を境界にその一部を剥離し、ＳＯＩウェーハを作製する。 - 特許庁

The layer comprising the substance of the same kind as in the substrate is formed by ion implantation using the same mask window as in the extended drain area.例文帳に追加

基板と同種の物質の該層が、延在ドレイン領域と同じマスクウインドを用いイオン注入により形成される。 - 特許庁

An ion implantation device 15 implants ions into the wafer on the basis of the data on the dosage computed by the arithmetic unit.例文帳に追加

イオン注入装置１５は、前記演算装置により演算されたドーズ量のデータに基づき、前記ウェハにイオンを注入する。 - 特許庁

Accordingly, the drain electrode 11 can be formed into an ohmic electrode by a low-temperature process without using an ion implantation process.例文帳に追加

したがって、イオン注入工程を用いることなく、かつ低温プロセスによってドレイン電極１１をオーミック電極にできる。 - 特許庁

Next, ion implantation or heat diffusion treatment is performed to form a p^- diffusion layer 41 and an n^+ diffusion layer 31 (b).例文帳に追加

次に，イオン注入や熱拡散処理等を行うことにより，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する（ｂ）。 - 特許庁

To suppress formation of a silicide on sidewalls which occurs, when ion implantation is performed for making silicon into amorphous form for suppressing thin wire effect.例文帳に追加

細線効果抑制用のアモルファス化のためにイオン注入した際に生じるサイドウォール上のシリサイド形成を抑制する。 - 特許庁

The organic SOG film is reformed by ion implantation and is changed into a reformed SOG film 52 to a position deeper than a contact hole 56.例文帳に追加

有機ＳＯＧ膜をイオン注入により改質し、コンタクトホール５６より深い位置まで改質ＳＯＧ膜５２に変える。 - 特許庁

The conductive fine particle 102 is formed by introducing silver into the silicon oxide film 101 by an ion implantation technique.例文帳に追加

上記導電性微粒子１０２は、シリコン酸化膜１０１中に銀を負イオン注入法により導入して形成する。 - 特許庁

Then, the gate electrode 21 is used as a mask for carrying out impurity ion implantation for forming the LDD diffusion layer of the logic element.例文帳に追加

その後、ゲート電極２１をマスクとして、ロジック素子のＬＤＤ拡散層形成のための不純物イオン注入を行なう。 - 特許庁

Second impurity layers are formed in the substrate using a photoresist pattern as an ion implantation mask and third impurity layers are formed in the substrate.例文帳に追加

フォトレジストパターンをイオン注入マスクとして半導体基板に第２不純物層を形成し、第３不純物層を形成する。 - 特許庁

After the aperture 32a is covered with a resist, ion implantation is performed through the aperture 32b to form a p-type deep base layer 9.例文帳に追加

そして、開口部３２ａをレジストで覆ったのち、開口部３２ｂよりイオン注入してｐ型ディープベース層９を形成する。 - 特許庁

Further, ion implantation in the first stress film N1a in the pMIS region Rp is carried out to reduce stress.例文帳に追加

その後、ｐＭＩＳ領域Ｒｐの第１応力膜Ｎ１ａにイオン注入３００を施すことで応力を緩和させる。 - 特許庁

To provide a substrate holding device suited for reducing dispersion of ion implantation requirements at each point on a substrate surface.例文帳に追加

基板面上の各点におけるイオン注入条件のばらつきを低減させるのに適した基板保持装置を提供する - 特許庁

ION IMPLANTATION MASK, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

イオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

After performing processes such as ion implantation to form a semiconductor device, individual device formation regions are separated from one another along the dicing line.例文帳に追加

イオン注入などの工程を経て半導体装置を形成後、ダイシングラインに沿って各装置形成領域に分離する。 - 特許庁

When manufacturing this device, either of the following methods is conducted: (1) The n^+-type source region 4 is formed by ion implantation in a region different from a facet plane growth region 10.例文帳に追加

▲１▼Ｎ^＋型ソース領域４をイオン注入により、ファセット面成長領域１０と異なる領域に形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

On the piezoelectric substrate, a micro cavity is generated along the ion implantation layer by heating and in a terminal part of the ion implantation layer, a separating surface is generated by generating a crack between a boundary between an ion implanted area and a non-implanted area and a boundary between the insulating film and a recess where the insulating film is not formed.例文帳に追加

このとき、圧電基板は、加熱によりイオン注入層に沿ってマイクロキャビティが発生し、またイオン注入層の端部では、イオン注入領域と非注入領域との境界部と、絶縁膜と絶縁膜の非形成領域である凹部の境界部との間にクラックが発生して分離面が生成される。 - 特許庁

It is possible to lower a ratio of pressure of out gas in a resist and reduce the effect of ion neutralization (or ionization) even when ion implantation on a wafer 2 having the resist is carried out by holding the pressure more than 1×10-4 Torr within a chamber 1 of the ion implantation apparatus.例文帳に追加

イオン注入装置のチャンバ１内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上にすることにより、レジスト付きウエーハ２にイオン注入を行っても、レジストからのアウトガスの圧力の割合を低くすることができ、イオンビームの中性化（又はイオン化）に対する影響を少なく抑えることを特徴とする。 - 特許庁

This board dicing method, using ion implantation, is used to implant a gas ion 22 of hydrogen gas or helium gas in the dicing line of a board 21 by utilizing an ion implantation method with the help of one mask, heating the board, cutting the board along the dicing line to complete dicing.例文帳に追加

イオン注入法を利用し並びに一つのマスクの補助により、水素ガス或いはヘリウムガス等のガスイオン２２を基板２１のダイシングライン中に注入し、さらに該基板に熱処理を進行し、基板を該ダイシングラインで裂開させて基板のダイシングを完成するイオン注入利用の基板ダイシング法としている。 - 特許庁

To provide an ion source worth producing and a method capable of using new source materials (especially, a new decaborane for an ion implantation process and heat-sensitive materials such as hydrides and dimer-containing compounds), and to achieve performance in a new range in a commercial ion implantation of a semiconductor wafer.例文帳に追加

新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。 - 特許庁

The ion implantation system comprises a wafer, a spectrometer, a photodetector, and an ion source generator, wherein the ion source generator is configured to implant the wafer with ions, and the photodetector is configured to detect ion induced luminescence both on and off the wafer.例文帳に追加

このイオン注入システムは、ウエハ、分光器、光検出器、イオン源発生器を含み、イオン源発生器は、ウエハにイオンを注入するように構成され、光検出器は、ウエハ上及びウエハ外の両方のイオン励起発光を検出するように構成されている。 - 特許庁

To provide an ion implanter capable of carrying out the implantation of a plurality of ion types in parallel, setting desired conditions to each different ion type, and performing a plurality of ion implantations with excellent processing efficiency and low cost.例文帳に追加

複数の異なるイオン種の注入を並行して実行でき、異なるイオン種に対しそれぞれ独自に所望のイオン注入条件を設定でき、良好な処理効率で低コストの複数種のイオン注入を行うことの可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of making the height of an oxide film uniform after well implantation and channel implantation without causing variations in ion concentration in each device region.例文帳に追加

素子領域それぞれのイオン濃度にばらつきを生じさずに、ウェル注入及びチャネル注入後における酸化膜の高さを均一にできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁