「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the silicon wafer for the CMOS device, the SiGe film and the SiC film are formed isolated from each other on a surface of the same silicon substrate using a selective epitaxial method or an ion implantation method, whereby an n-MOS device and a p-MOS device required for configuring the CMOS device are manufactured on the same silicon substrate isolated from each other like islands.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイス用シリコンウェハの製造方法において、同一シリコン基材の表面に、選択エピタキシャル法又はイオン注入法を用い、ＳｉＧｅ膜及びＳｉＣ膜を分離して形成し、ＣＭＯＳデバイスを構成するために必要なｎ−ＭＯＳデバイス、及びｐ−ＭＯＳデバイスを同一シリコン基材上に島状に分離して製造する。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen.例文帳に追加

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

By an epitaxial method, a first wafer 20 having a silicon single-crystal layer 24 formed on a principal surface is formed, and a silicon oxide layer 22 is formed on the silicon single-crystal layer 24; a defective layer 23 is formed in the silicon single-crystal layer 24 by an ion implantation method; and the silicon oxide layer 22 is stuck to a second wafer 17.例文帳に追加

エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層２４を有する第１のウェハ２０を形成し、シリコン単結晶層２４の上に酸化シリコン層２２を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層２４の内部に欠陥層２３を形成し、酸化シリコン層２２と第２のウェハ１７とを貼り合わせる。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

The solid-state imaging element 1 includes: a light receiving unit 3; an electric charge read unit 4; a vertical electric charge transfer unit 5; and a light shield film 19 for covering a transfer electrode 17 of the vertical electric charge transfer unit 5, and a rugged face 31 by ion implantation is formed on a boundary face immediately below the light shield film 19.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子１は、光電変換を行う受光部３と、電荷読み出し部４と、垂直電荷転送部５と、前記垂直電荷転送部５の転送電極１７を覆う遮光膜１９とを備え、前記遮光膜１９の直下の界面にイオン注入による凹凸面３１が形成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress defects generated in the semiconductor device and can prevent the variation of characteristics of the semiconductor device generated when manufacturing the semiconductor device having a semiconductor element that is produced by ion implantation and heat treatment in an element formation region surrounded by a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５に囲まれた素子形成領域にイオン注入および熱処理により製造される半導体素子を備えた半導体装置を形成する際に、半導体装置内に欠陥が発生することを抑制することができると共に半導体装置の特性変動が発生することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An alignment marker used for patterning in repeatedly performing epitaxial growth and ion implantation on a low resistance arsenic-doped silicon substrate by using the multistage epitaxial system is formed as a projection or recess having a level difference which is formed by selectively reducing the thickness of an oxide film provided on a back side opposite to an epitaxial growth side.例文帳に追加

低抵抗砒素ドープシリコン基板に多段エピタキシャル方式によるエピタキシャル成長とイオン注入を繰り返し実施する際にパターニングに用いられるアライメントマーカーを、前記エピタキシャル成長面とは反対側の裏面に設けた酸化膜の膜厚を選択的に減厚して形成した段差からなる凸部又は凹部として形成する。 - 特許庁

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer imparting gettering ability of an epitaxial wafer and without producing crystal defect on an epitaxial growth layer of a surface by providing a place near a device active area as a gettering site due to the crystal defect and high concentration injection atom layers by ion implantation immediately under the epitaxial layer.例文帳に追加

デバイス活性領域に近い場所において、つまり、エピタキシャル層直下のイオン注入による結晶欠陥と高濃度注入原子層により、ゲッタリングサイトとして設けることで、エピタキシャルウエハのゲッタリング能力を付与するとともに表面のエピタキシャル成長層に結晶欠陥を発生させないシリコンウエハの提供を目的とする。 - 特許庁

The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる技術である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein a plurality of IIL devices and a bipolar transistor are formed on the same semiconductor substrate, by which ion implantation process into bases of the IIL devices and the bipolar transistor is made common to manufacture at low cost, the device is compact, and the flexibility of the design of a logic circuit will not deteriorate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数のＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタとが同じ半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、ＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタのベースのイオン注入工程を共通化して安価に製造することができ、小型で、論理回路設計の自由度が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing method, polarized light is made incident on the optical fiber from one end of the optical fiber and ion implantation is performed to the core part of the optical fiber with respect to a plurality of prescribed positions from a plurality of prescribed directions respectively so that depolarization effects become the largest while observing the polarization degree of outgoing light from the other end of the optical fiber.例文帳に追加

光ファイバの一端から偏光された光を入射し、該光ファイバの他端からの出射光の偏光度を観測しながら、偏光解消効果が最も大きくなるように、複数の所定の位置にそれぞれ複数の所定の方向から、該光ファイバのコア部分にイオン注入を行う光ファイバデポラライザの製造方法。 - 特許庁

Especially, in order to separate mutually photodiodes having sensitivity in light of long wavelength, since the pixel separation domain (20) needs to possess sufficient thickness for a depthwise direction, it is intentionally formed by ion implantation from the direction where channeling tends to occur, and an impurity region for separation between pixels which has a desired concentration profile with low implanting energy is formed efficiently.例文帳に追加

特に、長波長の光に感度をもつフォトダイオード間を分離するためには、画素分離領域（２０）は深さ方向に十分な厚みをもつ必要があるため、意図的に、チャネリングが生じ易い方向からのイオン注入により形成し、低い打ち込みエネルギーで所望の濃度プロファイルをもつ画素間分離用の不純物領域を効率的に形成する。 - 特許庁

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece.例文帳に追加

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。 - 特許庁

A p^+ region 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the p^+ region 4a is partially exposed by selectively etching the p^+ region 4a, thereby forming a p^+ semiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ^+領域４ａを形成し、当該ｐ^+領域４ａを選択的にエッチングしてｐ^+領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ^+半導体凸部４を形成する。 - 特許庁

Also, since the through oxide film 20 at a first region is eliminated with a resist film R1 as a mask, the through oxide film 20 remains in the second region after the resist film R1 is eliminated, so that the through oxide film 20 can be used for ion implantation or the like for adjusting thresholds into the semiconductor substrate 10 in the second region thereafter.例文帳に追加

また、レジスト膜Ｒ１をマスクとして、第１領域のスルー酸化膜２０の除去を行うことから、レジスト膜Ｒ１を除去した後には、第２領域には、スルー酸化膜２０が残るので、その後の第２領域の半導体基板１０中への、閾値調整用イオン注入等のときに、このスルー酸化膜２０を使用することができる。 - 特許庁

Then, a crystallization suppressed region CCR is formed on the main plane of the semiconductor substrate 1, by forming a first side wall 12 and a second sidewall 13 on the side surface of the gate electrode 7G, and carrying out ion implantation of nitrogen, and the like, to the semiconductor substrate 1 with the second sidewall and the gate electrode 7G used as a mask.例文帳に追加

続いて、ゲート電極７Ｇの側面に第１サイドウォール１２および第２サイドウォール１３を形成した後、第１サイドウォール１２、第２サイドウォールおよびゲート電極７Ｇをマスクとして半導体基板１に窒素等をイオン打ち込みすることにより、半導体基板１の主面に結晶化抑制領域ＣＣＲを形成する。 - 特許庁

A trench is formed in a wiring layer, and the increase of electric resistance thereof is minimized and the mechanical strength thereof is enhanced and then influence of the electromigration and the stress migration of the wiring is decreased by a method filling a material hardly affected by a migration problem into the trench with use of technologies such as electroless plating, ion implantation, and gas phase depositing.例文帳に追加

配線層にトレンチを形成し、トレンチをマイグレーション問題の影響を受け難い材料を無電解メッキ、イオン注入、および気相堆積法などの技術を用いて充填するなどの方法で電気抵抗の増加を最小限にして、機械的強度を増し、配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの影響の受けやすさを減少させる。 - 特許庁

After each gate electrode 14 and each gate insulating film 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and the ferroelectrics FET are formed, respectively, the formation of each source region 15 and each drain region 16 of the nMOSFET and the ferroelectrics FET and the formation of each source region 17 and each drain region 18 of the pMOSFET are carried out separately by ion implantation of impurities.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。 - 特許庁

Although ion implantation to the full surface of the magnetic head slider will increase the surface roughness of the front and center rail surfaces 4 and 7, by implanting ions to the surfaces, excluding the front and center rail surfaces 4 and 7, the sticking of contaminants to the floating surface will be prevented effectively, without having to increase the surface roughness; and slider floating instability is suppressed.例文帳に追加

また、磁気ヘッドスライダ浮上面全面へのイオン注入はフロントレール面４、センタレール面７の表面粗さを増大するが、本発明のようにフロントレール面４、センタレール面７を除いてイオン注入を実施すれば、表面粗さを増大することなく浮上面へのコンタミネーション付着を効果的に防止し、スライダ浮上不安定化を抑制できる。 - 特許庁

To provide a method which prevents the reduction in volume of a floating body by forming a landing plug so as to have a lower part narrower than an upper part in a manufacturing process of a floating body transistor and is capable of preventing a punch-through phenomenon by raising a density through ion implantation to a lower part of the floating body, and to provide a semiconductor storage device fabricated by this method.例文帳に追加

本発明はフローティングボディトランジスタの製造過程でランディングプラグの下部を上部より狭く形成し、フローティングボディの体積が減少するのを防止し、フローティングボディの下部にイオン注入を介して濃度を高めることによりパンチスルー現象を防止することができる方法と、それに伴い製造された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2.例文帳に追加

カソード層２の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層５及びアノード層４に、それぞれ、アノード層４形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層４形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層２の不純物濃度をカソード層２よりも高くする。 - 特許庁

The surface of the germanium-based crystal layer 20B is stuck to that of a support substrate 30, impact is given externally in this state, a silicon crystal 10 is separated from the silicon substrate 100 along the hydrogen ion implantation layer 11, and the laminated structure of the germanium-based crystal 20 and the silicon crystal 10 is transferred (separated) onto the support substrate 30.例文帳に追加

ゲルマニウム系結晶層２０Ｂの表面と支持基板３０の表面とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１１に沿ってシリコン基板１００からシリコン結晶１０を分離して、ゲルマニウム系結晶２０とシリコン結晶１０の積層構造体を支持基板３０上に転写（剥離）する。 - 特許庁

Since the etching rate at the interface between a resist film 13 and the metal film 11 is speeded up/down by the impurity 12 which is subjected to ion-implantation, the taper of the etching cross section of the metal film 11 is controlled to an appropriate angle, independently of the kinds or minute changes in the metal film 11 (which means unevenness, etc.).例文帳に追加

レジスト膜１３と金属膜１１との界面部分のエッチングレートは、イオン注入された不純物１２によって速くされたり遅くされたりするので、結果的に金属膜１１の種類や微妙な変化（凹凸等を意味する）に拘らず、金属膜１１のエッチング断面のテーパを適正な角度にコントロールすることができる。 - 特許庁

A first impurity region 4ad acting line a source region and a second impurity region 4ae acting like a drain region are formed through ion implantation by using a resist pattern for forming a gate electrode of a transistor as a mask, and the gate electrode 9 including lower electrodes 6a, 8a and an upper electrode 7a is formed by using the resist pattern for a mask.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極を形成するためのレジストパターンをマスクとしてイオン注入によりソース領域となる第１不純物領域４ａｄとドレイン領域となる第２不純物領域４ａｅが形成され、そのレジストパターンをマスクとして下部電極６ａ，８ａと上部電極７ａを有するゲート電極９が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI wafer with a high-concentration layer at a bottom of an SOI layer at lost cost in a manner that a bonded SOI wafer manufactured by an ion implantation separation method with a wafer with general dopant concentration used as a bonding wafer is subjected to epitaxial growth after the dopant concentration of a seed layer is increased.例文帳に追加

本発明は、ボンドウェーハとして、通常のドーパント濃度のウェーハを用いてイオン注入剥離法で作製された貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、シード層のドーパント濃度を高めた後にエピ成長させることによって、ＳＯＩ層の底部に高濃度層を有する構造のＳＯＩウェーハを低コストで製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A process to form a reflection preventing film 12 on a semiconductor substrate 1 on which a silicon oxide film 7-1 covering the whole surface, a transfer electrode 8, and a silicon oxide film 7-2 coating the transfer electrode 8 are formed is operated prior to the process to form a source 32 and a drain 33 of an output transistor constituting an output part 30 by ion implantation.例文帳に追加

表面を全面的に覆うシリコン酸化膜７−１、転送電極８及びそれを被覆するシリコン酸化膜７−２が形成された半導体基板１上に反射防止膜１２を形成する工程の方を、イオン注入により、出力部３０を構成する出力トランジスタのソース３２及びドレイン３３を形成する工程よりも先に行う。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

After an offset spacer formation step (S104), the thickness of an alteration layer formed on the surface of a silicon substrate is measured (S106); the injection parameter of impurity elements is calculated from a relationship among the in-advance acquired injection parameter, sheet resistance, and the thickness of the alteration layer (S108); and then an extension area is formed by ion implantation by using the injection parameter.例文帳に追加

オフセットスペーサ形成工程（Ｓ１０４）の後に、シリコン基板表面に形成された変質層の厚さを測定し（Ｓ１０６）、予め取得した注入パラメータとシート抵抗と変質層の厚さとの関係から、不純物元素の注入パラメータを算出し（Ｓ１０８）、その注入パラメータを用いてイオン注入法によりエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

The production method of an electro-optical device comprises a step for sticking a semiconductor substrate to the surface of a supporting substrate 500, step (A) for forming a semiconductor layer 220 by separating the semiconductor substrate in a hydrogen ion implantation layer, and step (B) for melting the surface layer part of the semiconductor layer 220 by irradiating it with a laser beam having an absorption wavelength of the semiconductor layer 220.例文帳に追加

支持基板５００の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、（Ａ）半導体基板を水素イオン注入層において分離することにより、半導体層２２０を形成する工程と、（Ｂ）半導体層２２０による吸収波長のレーザを半導体層２２０に対して照射することにより、半導体層２２０の表層部を溶融させる工程とを有する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which can improve light efficiency of blue light by reducing the depth of a p-type impurity region to be introduced to isolate a photodiode and the surface of a silicon substrate, reduce a determination defect which may occur during an ion implantation process, and improve light characteristics by forming a high-density p-type impurity region.例文帳に追加

フォトダイオードとシリコン基板の表面との間の隔離のために導入されるＰ型不純物領域の深さを浅くしてブルー系の光の光効率を改善し、イオン注入時に生じる決定欠陥を抑制し、高濃度のＰ型不純物領域を形成することにより光特性を改善させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing NOP fail by disturbance caused by stress left inside a channel junction by performing an ion implantation process applying Zero Tilt conditions to form a P well, thereby minimizing stress caused by collision of dopants and silicon lattices and minimizing stress left inside a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、ゼロチルト(Zero Tilt)条件を適用するイオン注入工程を実施してPウェルを形成することにより、ドーパントとシリコン格子の衝突によるストレスを最小化し、半導体基板内に残留するストレスを最小化することにより、チャネルジャンクション内に残留したストレスに起因したディスターバンスによるNOPフェイルを減少させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a bonded wafer which executes heat treatment for planarizing the surface of a thin film, in an atmosphere containing hydrogen or hydrogen chloride to the bonded wafer manufactured by the ion implantation peeling method, the surface of a susceptor for mounting the bonded wafer to be used in planarization heat treatment is coated with a silicon film beforehand.例文帳に追加

イオン注入剥離法により作製した貼り合わせウェーハに、水素又は塩化水素を含む雰囲気中で薄膜の表面を平坦化する熱処理を施す貼り合わせウェーハの製造方法において、平坦化熱処理時に用いる前記貼り合わせウェーハを載置するためのサセプタの表面を、予めシリコン膜でコーティングしておくことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁

The depression type transistor, the transistor constituting the mask ROM and the submicron CMOS are integrated on a same semiconductor substrate 1 by implanting impurity ions for making a transistor 102 constituting the mask ROM into a resistor when an ion implantation is carried out for making an enhancement type transistor into the depression type transistor 101.例文帳に追加

エンハンスメント形のトランジスタをデプレッション形のトランジスタ１０１にするためにおこなうイオン注入の際に、マスクＲＯＭを構成するトランジスタ１０２を抵抗化するために不純物イオンを注入することによって、デプレッション形のトランジスタ１０１とともに、マスクＲＯＭを構成するトランジスタ１０２、さらにはサブミクロンＣＭＯＳを同一半導体基板１上に集積する。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

A thin film transistor manufacturing method comprises a first step in which an auxiliary conductor pattern is provided so as to connect conductor patterns which are electrically insulated from each other, a second step in which impurity ions are implanted using the conductor patterns and the auxiliary conductor pattern as an ion implantation mask, and a third step in which the auxiliary conductor pattern is removed.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタの製造方法において、電気的に孤立した複数の導体パターンを相互に連結する補助導体パターンを設ける段階と、前記導体パターン及び前記補助導体パターンをイオン注入マスクとして利用して不純物イオン注入を実施する段階と、前記補助導体パターンを除去する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

This gas detection system has a plurality of types of gas detectors 300 corresponding to types of gases of used gases monitoring the presence or absence of a leakage of used gas, an output signal 102 indicating type of used gas during use outputted from an ion implantation device 100 using a plurality of types of gases, and a monitor switching unit 200 switching monitoring gas detectors 300 by the output signal 102.例文帳に追加

使用ガス漏洩の有無をモニターする使用ガスのガス種に対応した複数種類のガス検知器３００と、複数種類の使用ガスを使用するイオン注入装置１００から出力された使用中の使用ガスのガス種を示す出力信号１０２と、出力信号１０２によりモニターするガス検知器３００を切り替えるモニター切替ユニット２００とを有する。 - 特許庁