「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve a problem of time-increase required for ashing due to difficult separation of resist on a periphery section of a substrate when conducting ion implantation with the resist as a mask.例文帳に追加

レジストをマスクとしてイオン注入を行うと、基板外周部のレジストが剥離されにくくなり、アッシングに要する時間が増大する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device wherein accuracy of aligning thin film transistor composing layers formed in an ion implantation region is improved.例文帳に追加

イオン注入領域に形成する薄膜トランジスタ構成層の位置合わせ精度を高めた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has an element separation region 23 by an impurity region, and a mask 29 for obstructing ion implantation remains on the element separation region 23.例文帳に追加

不純物領域による素子分離領域２３を有し、素子分離領域２３上にイオン注入阻止用マスク２９が残存して成る。 - 特許庁

Thus, n-type impurities are subjected to ion implantation in the opened drain/source formation regions by using the resist R15A as it is without removing it.例文帳に追加

レジストＲ１５Ａを除去することなくそのまま用いて、開口したドレイン／ソース形成領域にｎ形不純物をイオン注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce leakage current by suppressing an ion implantation defect concentrated at the part of an active region by a heat treatment.例文帳に追加

熱処理によって活性領域の一部に集中するイオン注入欠陥を抑制することにより、リーク電流の低減を図る。 - 特許庁

The ion implantation target chamber is configured to implant ionic species into the semiconductor wafer placed on the currently transported wafer plate.例文帳に追加

イオン注入ターゲットチャンバは、現在搬入されているウェハプレート上にある半導体ウェハ中にイオン種を注入するように構成される。 - 特許庁

The crystalline substrate 1 having ion implantation is dipped into an aqueous solution containing silicon and indium and the substrate 1 is heated to form voids 15.例文帳に追加

イオン注入された結晶基板１をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板１を加熱することでボイド１５を形成する。 - 特許庁

An Si based semiconductor substrate 200 is prepared, and oxygen ion implantation and epitaxial growth of an Si based semiconductor layer are repeated if required.例文帳に追加

Ｓｉ系半導体基板２００を準備し、酸素イオン注入と、Ｓｉ系半導体層のエピタキシャル成長とを必要に応じて繰り返す。 - 特許庁

As necessary, LDD regions may be formed through an ion implantation using a mask for protection of a gate channel region of an active area.例文帳に追加

必要に応じて、ＬＤＤ領域が、アクティブ領域のゲートチャネル領域の保護のためのマスクを用いてイオン注入によって形成され得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing decrease in thickness of an oxide film in a cleaning step performed after ion implantation.例文帳に追加

イオン注入後の洗浄工程における酸化膜の膜厚の減少を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Successively, the n-type ion implantation region n1 is diffused and activated through a heat treatment to form an n-type memory extension region.例文帳に追加

続いて、熱処理によってｎ型イオン注入領域ｎ１を拡散および活性化させることで、ｎ型メモリエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

Then, impurities are introduced into a part 34a formed outside the cavity section in the poly-Si layer 34 by an ion implantation method.例文帳に追加

次に、イオン注入法により、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４のうちの空洞部外側に形成された部分３４ａに不純物を導入する。 - 特許庁

To improve the yield of a product in an ion implantation apparatus for manufacturing parts such as LSI by preventing a contamination on a surface of a substrate.例文帳に追加

ＬＳＩ等の部品製造に用いられるイオン注入装置において、基板表面の汚染を防止して、製品の歩留まりの向上を図る。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

After this, the ion implantation at the time of the MOS element forming is conducted to the second polysilicon resistor 10b to form a third polysilicon resistor 10c.例文帳に追加

その後、ＭＯＳ素子形成時のイオン注入を第２のポリシリ抵抗１０ｂへも行うことで、第３のポリシリ抵抗１０ｃも形成する。 - 特許庁

This ion implantation device has a scanning arm 11 stretching along the first axis 12 and processes a single piece of semiconductor wafer 18 continuously.例文帳に追加

第１の軸１２に沿って延びている走査アーム１１を有する単一の半導体ウェーハ１８を連続的に処理するイオン注入装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus preventing crystal defects caused by damage in ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入のダメージに起因する結晶欠陥の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since Si+ ions are implanted, the effect of reducing stress due to ion implantation can be prevented from decreasing due to heat treatment.例文帳に追加

Ｓｉ^+イオンをイオン注入したことにより、イオン注入による応力低減効果が熱処理によって減退するのを抑えることができる。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device can form an ohmic electrode by a low-temperature process without using an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程を用いることなく、低温プロセスでオーミック電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a base region 6 is formed on the surface of the n-type layer 5, an emitter region 6 is formed by ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型層５の表層にベース領域６を形成した後、イオン注入および熱処理により、エミッタ領域６を形成する。 - 特許庁

The device has a high resistance layer 6b which is formed by ion implantation of V(vanadium) between a second gate region 6 and a channel layer 4.例文帳に追加

第２ゲート領域６とチャネル層４との間に、Ｖ（バナジウム）をイオン注入することによって形成した高抵抗層６ｂを備える。 - 特許庁

After a storage node formation pattern 27 is formed before removing a resist 29, the ion implantation of an N-type impurity 30 is performed at an injection angle 0°.例文帳に追加

ストレージノード形成パターン２７の形成後、レジスト２９を除去する前に、Ｎ型不純物３０を注入角度０°でイオン注入する。 - 特許庁

The projection range of impurities in ion implantation of the mask material 1 is small when compared to that of the gate electrode 4 and the layer insulation film 7.例文帳に追加

注入マスク材１は、ゲート電極４および層間絶縁膜７と比較してイオン注入における不純物の投影飛程が小さい。 - 特許庁

Then, in this state, the regions located on the sides of the gate electrode 3 are doped with n-type impurities by an ion implantation method.例文帳に追加

次に、この状態で、シリコン基板１上のゲート電極３の両脇となる領域に、ｎ型の不純物をイオン注入法でドーピングする。 - 特許庁

To manufacture a bipolar transistor without performing an epitaxial growth process while avoiding a harmful effect caused by a multiple ion implantation method.例文帳に追加

多重イオン注入法により生じる弊害を回避しつつ、エピタキシャル成長工程を行なわずにバイポーラトランジスタを製造できるようにする。 - 特許庁

The step (C) includes at least a step of introducing the impurity into the semiconductor layer under the projection portions by skew ion implantation.例文帳に追加

上記（Ｃ）工程は、斜めイオン注入により、上記突出部の下の半導体層に不純物を導入する工程を少なくとも含む。 - 特許庁

To solve the problem wherein an extremely long calculation time is required for three-dimensional simulation including an ion implantation calculation for obtaining the distribution of impurity concentration of a multilayered film structure.例文帳に追加

多層膜構造の不純物濃度分布を求めるイオン注入計算を含む３次元シミュレーションの計算時間が膨大である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of SOI wafer and a plurality of thereof for adopting the ion implantation peeling method wherein no SOI wafer after peeling off is damaged.例文帳に追加

イオン注入剥離法において、剥離後のＳＯＩウェーハにキズをつけないＳＯＩウェーハの製造方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

A desired ion species is selected by a mass spectrometry slit 118, put into an angle correction apparatus 120, changed into a w_2 width ribbon form ion beam parallel in a horizontal plane (xz plane), and ion implantation is carried out to a workpiece 124 in an end station 122.例文帳に追加

所望のイオン種を質量分析スリット１１８で選別し、角度補正装置１２０に入れ、水平面（ｘｚ面）内で平行な幅w_2のリボン形イオンビームに変換して、エンドステーション１２２内の加工物１２４にイオン注入する。 - 特許庁

When a treatment of ion implantation or the like is applied by irradiating an ion beam 14 to a substrate 2, the charging of the substrate surface accompanied with the ion beam irradiation is suppressed by supplying a plasma 30 discharged from a plasma generator 20 to the neighborhood of the substrate 2.例文帳に追加

基板２にイオンビーム１４を照射してイオン注入等の処理を施す際に、プラズマ発生装置２０から放出させたプラズマ３０を基板２の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制する。 - 特許庁

To provide an ion implanter for controlling a parallel degree and a divergence angle when an ion beam incoming onto a substrate to improve implantation accuracy of ions and also for uniformly implant the ions.例文帳に追加

イオンビームが基板に入射する際の平行度及び発散角度を制御し、イオンの注入精度を向上させるとともに、均一なイオン注入を可能にしたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the positive electrification of a wafer by ion implantation by an electrification suppressing device capable of autonomously drawing out electrons by beam potential regardless of a scanning position of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームのスキャン位置によらず、ビームポテンシャルによって自律的に電子を引き出すことができるような帯電抑制装置により、イオン注入によるウエハへの正帯電を抑制できるようにする。 - 特許庁

This ion implantation method combines a reciprocating scan of an ion beam 4 in the X-direction with a mechanical reciprocating drive of the substrate 2 in the Y-direction orthogonal to the X-direction.例文帳に追加

このイオン注入方法は、イオンビーム４をＸ方向に往復走査することと、基板２をＸ方向と直交するＹ方向に機械的に往復駆動することとを併用するものである。 - 特許庁

An ion implantation region 18 for connection between a source and a channel is formed beforehand by selectively ion implanting an n-type impurity beyond a gate insulating film 16 having a high withstand voltage film thickness.例文帳に追加

高耐圧用の膜厚を有するゲート絶縁膜１６越しに選択的にＮ型不純物をイオン注入し、予めソース−チャネル部間の接続用イオン注入領域１８を形成する。 - 特許庁

To provide a device to inspect, prior to implanting ions, the angle of wafer ion-implanted on the holder and movable Faraday alignment in the implantation chamber, to control the ion beam.例文帳に追加

イオン注入に先立って、イオンビームを調整するために用いられる、ホルダ上のイオン注入されるウェハの角度と、注入室内の移動ファラデーのアラインメントとを検査するための装置を提供する。 - 特許庁

To provide a bending magnet capable of controlling an orbit state in Y direction of ion beams without bending a beam line and while suppressing a focusing action of an undesirable X direction, and an ion implantation device equipped therewith.例文帳に追加

ビームラインを曲げることなく、かつ不所望なＸ方向の集束作用を抑えつつ、イオンビームのＹ方向における軌道状態を制御することができる偏向電磁石を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a polysilicon gate electrode from penetrating by a channeling ion on ion implantation, in a manufacturing method for a field-effect transistor having the gate electrode using a polysilicon layer.例文帳に追加

ポリシリコン層を用いたゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法において、イオン注入時のチャネリングイオンによるポリシリコンゲート電極の突き抜けを防止できる方法を提供する。 - 特許庁

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁

The process for manufacturing a laminated wafer comprises a step for implanting hydrogen ions, rare gas ions, or the mixture thereof into a bond wafer to form an ion implantation layer in the bond wafer, a step for sticking the bond wafer in which the ion implantation layer is formed to a base wafer, and a step for stripping the bond wafer with the ion implantation layer as the boundary.例文帳に追加

ボンドウェーハに、水素イオン、希ガスイオンまたは水素イオンと希ガスイオンとの混合物をイオン注入し、前記ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、前記イオン注入層を形成したボンドウェーハを、ベースウェーハに貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせたウェーハを熱処理することにより、イオン注入層を境界としてボンドウェーハを剥離する剥離工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁

Ion implantation into the treating object is carried out using bivalent ions and establishing the total value of the bivalent extraction voltage and the bivalent acceleration voltage in implantation of the bivalent ions at a half value of the total value of a monovalent extraction voltage and a monovalent acceleration voltage in implantation of monovalent ions of the same ion species as the bivalent ions, and establishing the bivalent acceleration voltage smaller than the monovalent acceleration voltage.例文帳に追加

２価イオンを用い、その２価イオンを注入する際の２価用引出電圧及び２価用加速電圧の合計値を、その２価イオンと同一イオン種の１価イオンを注入する際の１価用引出電圧及び１価用加速電圧の合計値の半分の値に設定し、かつ、２価用加速電圧を１価用加速電圧よりも小さく設定して被処理体へのイオン注入を行なう。 - 特許庁

A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C.例文帳に追加

フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、ｐ型ＬＤＤ６形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極３，２３のサイドウォールの形成前に９００℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来，その結果ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのリークレベルを低くすることができ，かつリークのばらつきも小さくできる。 - 特許庁

The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51.例文帳に追加

イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。 - 特許庁

This ion implantation device is provided with an ion source 2 for extracting ions 8 by extraction voltage VE, an accelerating tube 12 for accelerating the ions from the ion source by accelerating voltage VA, and a momentum separating magnet 14 for selecting the ion having specific momentum in the ions from the accelerating tube, and is constituted so as to make the objective ion incident on the target 16.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオン８を引出し電圧Ｖ_E で引き出すイオン源２と、それからのイオンを加速電圧Ｖ_A で加速する加速管１２と、それからのイオンの内の特定の運動量を有するイオンを選別する運動量分離マグネット１４とを備えていて、目的のイオンをターゲット１６に入射させる構成をしている。 - 特許庁

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。 - 特許庁