「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

VARIABLE OPENING ASSEMBLY AND BEAM LINE ASSEMBLY FOR ION IMPLANTATION DEVICE, AND CONTROL DEVICE THEREFOR例文帳に追加

イオン注入装置用の可変開口アセンブリ、ビームラインアセンブリ及びそのための制御装置 - 特許庁

Thereafter, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the other gate structure G1.例文帳に追加

その後、他のゲート構造Ｇ１脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

After ion implantation, polarization treatment of the separation layer 3 of the composite piezoelectric substrate 30 is performed.例文帳に追加

イオン注入後に、複合圧電基板３０の剥離層３の分極処理を行う。 - 特許庁

The ion implantation direction is different from a direction vertical to the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

イオン注入する方向は、半導体基板面の垂直方向とは異なる方向である。 - 特許庁

ION IMPLANTATION EQUIPMENT AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加

イオン注入装置およびそのイオン注入装置を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

To achieve ashing in a resist even when ion implantation of any density is applied to the resist.例文帳に追加

いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which facilitates ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入の工程が容易となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal nanoparticles 3 are formed in the thermal oxide film 2 by negative ion implantation.例文帳に追加

負イオン注入によって、熱酸化膜２中に金属ナノ粒子３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for testing the effectiveness of ion implantation in a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性をテストする方法を提供する。 - 特許庁

As a result, all ion implantation works can be performed in a state of thick wafer.例文帳に追加

その結果、すべてのイオン注入作業は厚いウェハの状態で行うことができる。 - 特許庁

The marginal dose DL of resist used as a mask in the ion implantation is calculated.例文帳に追加

イオン注入においてマスクとして用いるレジストの限界ドーズ量ＤＬを算出する。 - 特許庁

PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION IN HIGHLY UNIFORM CHAMBER SEASONING PROCESS FOR TOROIDAL SOURCE REACTOR例文帳に追加

トロイダルソースリアクタのための極めて均一なチャンバシーズニングプロセスにおけるプラズマ浸漬イオン注入 - 特許庁

A collector region 2 is formed by carrying out ion implantation in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にイオン注入を行うことでコレクタ領域２を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of implanting a plurality of ions at the same time.例文帳に追加

同時に複数のイオンを注入することが可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

GAS CONTROL DEVICE, METHOD OF CONTROLLING GAS CONTROL DEVICE AND ION IMPLANTATION DEVICE USING THEM例文帳に追加

ガス制御装置、ガス制御装置の制御方法及びそれらを用いたイオン注入装置 - 特許庁

In a method for manufacturing a solid-state imaging device, after an element isolation region 19 is formed in a pixel forming region by ion implantation by use of an ion implantation mask 20 formed on a semiconductor substrate 11, a film thickness of the ion implantation mask 20 is reduced.例文帳に追加

固体撮像装置の製造方法において、半導体基板１１上に形成したイオン注入マスク２０を用いて、イオン注入により画素形成領域に素子分離領域１９を形成した後、イオン注入マスク２０の膜厚を低減する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and an ion implanter capable of dynamically controlling a beam current value of an ion beam with time without changing energy.例文帳に追加

イオンビームのビーム電流値を経時的に動的に制御でき、且つ、エネルギーを変化させないイオン注入方法およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To adjust a current density distribution of an ion implantation apparatus with precision by finely bending a part of a stripe type ion beam in a surface of the stripe type ion beam.例文帳に追加

イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。 - 特許庁

To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device.例文帳に追加

先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencil mask which reduces flexure of a membrane resulting from ion beam heat generation, and has excellent heat resistance, durability, and ion implantation accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみを低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

A dose Faraday 1 is installed outside a path of an ion beam 6 applied toward a wafer 4 of an ion irradiation object, and measures a beam current of the ion beam 6 during ion implantation treatment into the wafer 4.例文帳に追加

ドーズファラデー1は、イオン照射対象物のウェハ4に照射するイオンビーム6の軌道外に設けられ、ウェハ4へのイオン注入処理中のイオンビーム6のビーム電流を測定する。 - 特許庁

To provide an ion source exchanging method in which the ion source can be exchanged efficiently without making an apparatus structure a complex one and by using an existing apparatus structure, when the ion source is exchanged in an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置におけるイオン源の交換の際、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行う。 - 特許庁

The measured value is compared with a calibration curve created beforehand which indicates relation of an apparent resist film thickness and implantation energy, thereby implantation energy of the ion implantation is found.例文帳に追加

その測定値とあらかじめ作成していた見かけのレジスト膜厚と注入エネルギーの関係を示す検量線とを比較することで、イオン注入の注入エネルギーを求める。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation improved in position precision of ion implantation by having superior heat resistance and durability and by improving a fault of a stencil mask for ion implantation that a membrane bends due to heat generation caused by a collision of an ion beam with the membrane, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオンビームのメンブレンへの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むというイオン注入用ステンシルマスクの欠点を改善し、優れた耐熱性や耐久性を具備することでイオン注入の位置精度を向上させたイオン注入用ステンシルマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An object 2 to be treated is installed in a vacuum container 3, at a fixed interval from the front surface of an electrode assembly 5 for performing ion implantation in the object 2 to be treated by a plasma ion- implantation method.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により被処理物２にイオン注入を行うのに、被処理物２を電極体５の前面とは一定の間隔をあけて真空容器３内に取り付ける。 - 特許庁

After ion implantation, the padding oxide film 21 is used as the capping oxide film for preventing out-diffusion, and then impurities subsequent to the ion implantation is thermally diffused to form the well 2 (a process shown in (b)).例文帳に追加

イオン注入後、パッド酸化膜２１をアウトディフュージョン抑止用のキャップ酸化膜として用いて、イオン注入後の不純物を熱拡散させ、ウエル２を形成する（図２（ｂ）に示す工程）。 - 特許庁

To provide a laminated wafer manufacturing method wherein the occurrence is prevented of bonding failures such as voids and blisters on the laminated surface due to ion implantation during the application of the ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法を用いた際のイオン注入に伴う貼り合わせ面でのボイドやブリスターなどの結合不良の発生を防止する貼り合せウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of low-energy doping for high-concentrated carrier impurity atoms with high time-efficiency compared with a conventional ion implantation process, in usual processing time of ion implantation.例文帳に追加

これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation amount measurement method that enables measurement of an ion implantation amount of a semiconductor substrate in a relatively short period of time without utilizing an expensive measuring device.例文帳に追加

高価な測定装置を利用することなく、比較的短時間で半導体基板のイオン注入量を測定することが可能なイオン注入量測定方法を提供する。 - 特許庁

Finally, the mask material 4 is removed, and then heat treatment causes the B^+ ion implantation layer 5 and the As^+ ion implantation layer 9 to be activated, thus forming an anode layer 7 and a cathode layer 10 respectively.例文帳に追加

最後に、マスク材料４の除去後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層５及びＡｓ^+イオン注入層９を活性化させ、それぞれアノード層７及びカソード層１０を形成する。 - 特許庁

To form a plurality of impurity regions simultaneously at desired densities and in desired distributions by reducing the number of stopping parameters of an ion implantation species as for a through film for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入のスルー膜についてイオン注入種のストッピングパラメータ数を出来るだけ減少させ、所望の濃度および分布形状にて複数の不純物領域を同時形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for successively transporting wafer plates from a load lock chamber into an ion implantation target chamber while keeping the current temperature and pressure of the ion implantation target chamber.例文帳に追加

イオン注入ターゲットチャンバの現在温度、圧力を維持しながら、ウェハプレートをロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に連続して搬入する装置、方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method or the like of an ion implantation group III nitride semiconductor substrate with a small warp and a group III nitride semiconductor layer junction substrate using the ion implantation group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

反りが小さいイオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびかかる基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板の製造方法などを提供する。 - 特許庁

To provide an ion generator of which, a maintenance cycle of the whole part can be prolonged, and provide an ion implantation device.例文帳に追加

イオン発生装置全体のメンテナンス周期を延長できるようにしたイオン発生装置及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

At the implantation of the second ion, the second ion reflected on a second inner wall surface of the second mask is supplied to the second region.例文帳に追加

第２イオンを注入する際に、第２マスクの第２内壁面で反射した第２イオンを第２領域に供給する。 - 特許庁

At the implantation of the first ion, the first ion reflected on a first inner wall surface of the first mask is supplied to the first region.例文帳に追加

第１イオンを注入する際に、第１マスクの第１内壁面で反射した第１イオンを第１領域に供給する。 - 特許庁

This can suppress impurity diffusion into deep region caused by ion channeling generated in doping by ion implantation.例文帳に追加

この結果、イオン注入によるドーピング時に発生するイオンのチャネリングによる深い領域までの不純物拡散を抑止できる。 - 特許庁

To reduce energy contamination generated when ion is implanted into wafer by low energy in an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置において、低いエネルギーでイオンをウェハに注入する際に生じるエネルギーコンタミネーションを軽減することである。 - 特許庁

By this setup, a low-energy ion doping process is carried out by the use of the ion implantation unit 31 with high impurity and high efficiency.例文帳に追加

これにより、イオン注入ユニット３１を用いて、低エネルギーのイオンドーピングを高純度かつ高効率で行うことができる。 - 特許庁

When ion implantation into a silicon carbide substrate wafer WF is performed, the implantation is performed not over the entire wafer surface at a time, but in a state wherein the wafer is divided in a vertical direction and while parts other than implantation regions are all covered with an implantation mask 100, with implantation angles set in the centers of the divided implantation regions.例文帳に追加

炭化珪素基板ウエハＷＦにイオン注入を行う際、ウエハ全面を一度に注入するのではなく、上下方向に分割し、注入領域ではない部分は注入マスク１００で全て覆い、同時に分割した注入領域の中心で注入角度を設定した状態でイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation device equipped with a plurality of ion source parts which can set up ion beam under different conditions at the same time and can be overhauled by uninstalling other ion source parts opened to the air while performing ion implanting with one.例文帳に追加

イオンビームを同時に異なる条件でセットアップでき、イオン注入しながら、その間、大気開放した他のイオンソース部を取り外してオーバーホールできる複数のイオンソース部を備えたイオン注入装置を得ること。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

The DTM by ion implantation is excellent in surface flatness, and can eliminated crosstalk by heat-assisted recording at a temperature between a Curie temperature (Tcn) in a part where ion implantation has been carried out (non-record area), and a Curie temperature (Tcr) of a part (recording area) where no ion implantation has been carried out.例文帳に追加

イオン注入によるＤＴＭは表面平坦性に優れ、且つイオン注入した部分（非記録領域）のキュリー温度（Ｔｃｎ）と、イオン注入していない部分（記録領域）のキュリー温度（Ｔｃｒ）の間の温度で熱アシスト記録することにより、クロストークを解消することができる。 - 特許庁

In a step of doping the first halo region, oblique ion implantation is carried out, with the use of a gate electrode as a mask, and in a step of doping the second halo region, vertical ion implantation is carried out with use of the gate electrode as the mask and with a dose rate which is larger than the dose rate of the first halo region ion implantation.例文帳に追加

第１ハロー領域のドーピング工程を、ゲート電極をマスクとして、斜めにイオン注入し、さらに、第２ハロー領域は、ゲート電極をマスクとして、垂直に、かつ第１ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成する。 - 特許庁