「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the oblique ion implantation can be performed by using an implantation mask which is further reduced in thickness than a conventional mask.例文帳に追加

これにより、従来よりも膜厚の薄い注入マスクを用いて斜めイオン注入を行なうことができる。 - 特許庁

To reduce dispersion in implantation angle with respect to a semiconductor substrate by suppressing the ion implantation divergence angle.例文帳に追加

イオン注入発散角を抑制することによる半導体基板への注入角度ばらつきの低減を図る。 - 特許庁

To provide an implantation method, in which, when a wafer is divided into a plurality of implantation regions in the mechanical scan direction, and the beam scanning speed is varied for every implantation region, thus controlling the ion implantation amount in the wafer, the target ion implantation distribution and the ion implantation amount are realized for every implantation region while fixing together the beam scan frequency and the beam scan amplitude in the respective implantation regions.例文帳に追加

イオン注入方法において、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、それぞれの注入領域のビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device and an ion implantation method which can suppress the variation in an implantation angle due to a position on a wafer when ion implantation is carried out by a batch process method, and in which setting and varying of a tilt angle are easily carried out.例文帳に追加

バッチ処理方式によってイオン注入を行なう場合に、ウェハ上の位置によって注入角度が変化するのを抑制でき、且つ、ティルト角の設定及び変更を容易に行なえ得るイオン注入装置及びイオン注入方法を提供することにある。 - 特許庁

BEAM DEFLECTION SCANNING METHOD, BEAM DEFLECTION SCANNING DEVICE AS WELL AS ION IMPLANTATION METHOD, AND ION IMPLANTER例文帳に追加

ビーム偏向走査方法及びビーム偏向走査装置並びにイオン注入方法及びイオン注入装置 - 特許庁

Then, the main controller drives an ion generation processor 7 to execute the ion implantation processing for the waver.例文帳に追加

この後は、イオン発生処理装置７を駆動して、ウェーハに対するイオン注入処理を実行する。 - 特許庁

To reduce a loss time for ion beam by hardening a power supply for an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置における電源を補強することにより、イオンビームの損失時間を少なくすること。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device is provided with an implantation inhibition layer forming process, an ion implantation process, and an implantation inhibition layer removing process.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置の製造方法は、注入阻止層形成工程と、イオン注入工程と、注入阻止層除去工程とを備えている。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process.例文帳に追加

注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

MULTI-STAGE ION IMPLANTATION METHOD AND METHOD OF SIMULATING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION例文帳に追加

多段イオン注入方法及び不純物濃度分布のシミュレーション方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE AND ROTARY SUPPORT USED FOR SAME AND SUPPORTING METHOD例文帳に追加

イオン注入装置およびこれに用いる回転支持体とその支持方法 - 特許庁

An ion implantation portion 2 is formed by implanting ions to a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１にイオンを注入してイオン注入部分２を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation distribution simulation for analytically seeking impurity concentration distribution produced by ion implantation into a pocket region.例文帳に追加

本発明の課題は、イオン注入分布のシミュレーションに関し、ポケット領域へのイオン注入による不純物濃度分布を解析的に求めることを目的とする。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CONTAMINATED SURFACE IN ION-IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

イオン注入装置の汚染された表面を除去する装置および方法 - 特許庁

ALIGNMENT INSPECTION DEVICE FOR OBJECT BODY OF ION IMPLANTATION SYSTEM, AND ITS METHOD例文帳に追加

イオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法 - 特許庁

POSITION ADJUSTMENT DEVICE, METHOD, PROGRAM, ION IMPLANTATION DEVICE, AND WAFER MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

位置調整装置、方法、プログラム、イオン注入装置及びウェハ製造方法 - 特許庁

Since the etching rate increases in the ion implantation region 3, etching is performed to a larger degree and, therefore, the substrate 1 having a shape in accordance with the ion implantation depths is completed (process(d)).例文帳に追加

イオン注入領域３では、エッチングレートが大きくなるので、大きくエッチングされ、イオン注入深さに応じた形状の基板１が完成する（ｄ）。 - 特許庁

To provide an ion-implantation control system and an ion-implantation control method that can prevent variations in the electrical characteristics of a transistor or the like.例文帳に追加

トランジスタの電気的特性等のばらつきを抑制することが可能なイオン注入管理システムおよびイオン注入管理方法を提供する。 - 特許庁

Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加

その後、メモリゲート電極ＭＧ１の側方下部の主面ｓ１にイオン注入ｄｐ０１を施してｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

To obtain ion implantation blocking performance sufficient in subjecting the microregions of a silicon substrate to selective high energy ion implantation and high pattern resolution performance.例文帳に追加

シリコン基板の微細領域に選択的な高エネルギーイオン注入を行う場合に十分なイオン注入阻止性能と高いパターン解像性能を得る。 - 特許庁

The ion implantation boron at room temperature is enriched from a shallow domain to a deep domain in accordance with the rise of ion implantation temperature.例文帳に追加

室温でイオン注入されたボロンは、イオン注入温度の上昇に従って浅い領域から深い領域のボロンの高濃度化が進むようになる。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which enables a reduction of an amount of ions implanted under a conductive film of an electrode or the like and variations in the implanted position independently of employment of oblique ion implantation.例文帳に追加

斜めイオン注入を行うにも拘わらず、電極等の導電膜下に注入されるイオンの量や注入位置のばらつきを低減する。 - 特許庁

To enable source/drain regions to be formed with higher accuracy by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によるソース／ドレイン領域の形成精度を向上させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加

半導体装置、イオン注入装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

In forming a p^+-type contact region 9, skew ion implantation is executed.例文帳に追加

ｐ^+型コンタクト領域９を形成する際に、斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

Besides, the threshold voltage change layer is formed by the ion implantation of impurities.例文帳に追加

また、閾値電圧変更層は、不純物のイオン注入により形成する。 - 特許庁

Then, as the formation depth from the first main surface J of the ion implantation layer 4 for peeling becomes small, a dose rate in ion implantation is set small.例文帳に追加

そして、剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さが小さくなるほど、イオン注入のドーズ量を小さく設定する。 - 特許庁

METHOD FOR SETTING ION IMPLANTATION CONDITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入条件の設定方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

イオン注入装置とこの装置を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びイオンインプランテーション方法 - 特許庁

A first body layer 17A' is formed by this first ion implantation.例文帳に追加

この第１のイオン注入により、第１のボディ層１７Ａ’が形成される。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND ION IMPLANTATION ANGLE CALCULATION PROGRAM例文帳に追加

固体撮像装置の製造方法およびイオン注入角度算出プログラム - 特許庁

In this ion implanter, an ion beam 11 from an ion source 1 is passed through a mass spectrometry part 3 and an As ion beam 4 and a P ion beam 5 are extracted to radiate on a semiconductor substrate 10 for performing the impurity ion-implantation.例文帳に追加

イオン源１からのイオンビーム１１を質量分析部３を経由させてＡｓイオンビーム４及びＰイオンビーム５を取出して半導体基板１０に照射し、不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation system and a method of manufacturing a semiconductor by the implantation of ion beams formed by N-type dopant cluster ions and the cluster of negatively charged cluster ion beams.例文帳に追加

イオン注入システムと、Ｎ型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an ion implanting system capable of conducting uniform ion implantation, even with respect to a substrate of three-dimensional shape and is capable of conducting ion implantation at high energy, using a simple structure.例文帳に追加

三次元形状の基体に対してもほぼ均一なイオン注入が可能であり、構成が単純でしかも高エネルギーのイオン注入が行えるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

A projected range in the ion implantation for forming the SIC region 21 in the ion transmission suppressing layer 14 is set smaller than that in ion implantation of a mask film.例文帳に追加

この再イオン透過抑制層１４のＳＩＣ領域２１を形成するためのイオン注入における投影飛程がマスク膜の前記イオン注入における投影飛程より小さく設定する。 - 特許庁

The method also includes steps of: removing the substrate protective film 2; activating the B^+ion implantation layer 6, the As^+ion implantation layer 7, and the BF_2^+ ion implantation layer 9 by a heat treatment; and forming a p-type region 10, a cathode layer 11, and an anode contact layer 12.例文帳に追加

次に、基板保護膜２を除去した後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層６，Ａｓ^+イオン注入層７，ＢＦ_２^+イオン注入層９を活性化させ、ｐ領域１０，カソード層１１，アノードコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which can avoid discharge tracks on the rear surface of a silicon wafer which has been generated, when ion implantation is carried out over the wafer at a temperature exceeding 300°C with use of a 10 mA-100 mA region ion implantation apparatus.例文帳に追加

１０ｍＡから１００ｍＡ領域のイオン打込み装置を使い３００℃を越える温度でシリコンウエハにイオン打込みを行うときに発生していたウエハ裏面放電痕のないイオン打込み装置を提供する。 - 特許庁

A method includes a step of carrying out ion implantation for a plurality of times by using a plurality of ion implantation masks whose main mask 23 is coupled by a bridge 24 and which includes an opening 25 corresponding to a part of an annular region to which ion implantation should be performed.例文帳に追加

主マスク部２３がブリッジ部２４で連結されて、イオン注入すべき環状の領域の一部に相当する開口部２５を有した複数のイオン注入用マスクを用いて、複数のイオン注入を行う工程を有する。 - 特許庁

To provide an ion implantation amount measuring apparatus capable of highly accurately measuring an ion implantation amount in a semiconductor subjected to ion implantation into a surface layer by a comparatively simple constitution without damaging the semiconductor.例文帳に追加

表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。 - 特許庁

A region where an As ion implantation region 13 and a P ion implantation region 14 mixedly exist becomes an effective region of the resistor device, and contact regions 151, 152 are formed only in the portion of the As ion implantation region 13.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４の混在している領域が抵抗素子の有効領域となり、Ａｓイオン注入領域１３のみの部分でコンタクト領域１５１，１５２が形成されている。 - 特許庁

The As ion implantation region 13 and the P ion implantation region 14 are constituted such that each dopant of As and P can obtain at least given temperature characteristics at a given ratio and by ion implantation with a dose quantity adjusted.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４は、Ａｓ，Ｐの各ドーパントを所定の比でかつドーズ量が調整されたイオン注入によって少なくとも所定の温度特性が得られるよう構成されている。 - 特許庁

The three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method comprises a step for forming an ion implantation layer on the surface of the packing body 1 by ion implantation of a hydrocarbon gas and a fluorine gas in plasma and a step for forming the diamond-like carbon thin film on the ion implantation layer by ion deposition of the hydrocarbon gas and the fluorine gas in plasma.例文帳に追加

三次元プラズマイオン注入成膜法は、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン注入によりパッキン本体１の表面にイオン注入層を形成する工程と、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン成膜によりイオン注入層上にダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The ion implantation method to fine powder includes: an application step where a dispersion liquid obtained by dispersing fine powder into a solvent is applied to the surface of a substrate; an ion implantation step where ion implantation is performed to the fine powder comprised in an application layer applied to the surface of the substrate; and a peeling step where the fine powder subjected to the ion implantation is peeled from the surface of the substrate.例文帳に追加

微細粉末を溶媒中に分散させた分散液を、基板表面に塗布する塗布ステップと、前記基板表面に塗布された塗布層に含まれる微細粉末に、イオン注入を行うイオン注入ステップと、イオン注入された微細粉末を前記基板表面から剥離する剥離ステップと、を備える。 - 特許庁