「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method comprises the stages of providing a semiconductor substrate 101 for which designated steps are taken to build a semiconductor device, forming an ion implantation layer 103 at the ion implantation step, and adjusting the impurities density of the ion implantation layer at the cleaning step.例文帳に追加

半導体素子を形成するために所定の工程が行われた半導体基板１０１を提供する段階と、イオン注入工程でイオン注入層１０３を形成する段階と、洗浄工程でイオン注入層の不純物濃度を調節する段階とを含む。 - 特許庁

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W.例文帳に追加

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。 - 特許庁

Due to this, the crystallinity of MOS transistor formation regions is destroyed by ion implantation of a rare gas, etc.例文帳に追加

希ガスのイオン注入などにより、ＭＯＳトランジスタ形成領域の結晶性を崩す。 - 特許庁

Thereafter, high-energy ion implantation such as well formation, etc., is performed by an acceleration voltage of 200 kV or higher.例文帳に追加

その後、ウェル形成などの加速電圧２００ｋＶ以上の高エネルギーイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To provide a post ion-implantation heat treatment method and an apparatus for improving characteristics of an SiC element.例文帳に追加

ＳｉＣ素子の特性を向上させるイオン注入後熱処理方法及び装置を実現する。 - 特許庁

To provide a method for forming a shallow well of a semiconductor element using a low-energy ion implantation.例文帳に追加

低エネルギーイオン注入を利用した半導体素子のシャローウェル形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simplified and inexpensive apparatus required for manufacturing of temperature monitoring wafer by making unnecessary the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入を不要とし温度モニタウェーハの作成に必要な装置を簡易にし低コスト化する。 - 特許庁

To realize an effective ion implantation method to constitute a low resistance and shallow pn junction.例文帳に追加

低抵抗の浅いｐｎ接合を形成するために有効なイオン注入方法を実現すること。 - 特許庁

First of all, an LDD region 5 is formed by an ion implantation using a gate electrode 4 as a mask.例文帳に追加

まず、ゲート電極４をマスクとしたイオン注入によりＬＤＤ領域５が形成される。 - 特許庁

To readily remove a resist film used in an ion implantation process and with a low energy.例文帳に追加

イオン注入工程において使用したレジスト膜を容易に、低エネルギーで除去できるようにする。 - 特許庁

To provide a masked ROM wherein the dimension of all ion implantation holes is made identical to each other with high accuracy.例文帳に追加

従来のマスクＲＯＭではイオン注入孔２４が見かけ上ランダムに並んでいる。 - 特許庁

Then, ion implantation is carried out for a part being a source-drain region of an N-type transistor.例文帳に追加

その後、Ｎ型トランジスタのソース・ドレイン領域となる部分に対してイオン注入処理を施す。 - 特許庁

The Id-max characteristic decrease is further reduced by avoiding using the ion implantation.例文帳に追加

このイオン注入の使用回避により、Ｉｄ—ｍａｘ特性低下を更に低減可能である。 - 特許庁

By the ion implantation process via the insulating layer 26, extension regions 28 and 30 are formed.例文帳に追加

絶縁層２６を介してのイオン注入処理によりエクステンション領域２８，３０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a p injection layer 6P is formed by the ion implantation of phosphorus (P) with the resist 7 as a mask.例文帳に追加

さらに、レジスト７をマスクにして、リン（Ｐ）をイオン注入してＰ注入層６Ｐを形成する。 - 特許庁

In the ion implantation process (S1), He^+ ions are implanted into a single-crystal base material 1 of the piezoelectric material.例文帳に追加

イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe^+イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a method by which a radioactive isotope is included into fullerene by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法により放射性同位元素等をフラーレンに内包させることに関する。 - 特許庁

To provide a method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法によりｐ型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Then, ions can be implanted up to a depth different from that in the ion implantation performed previously (process (b)).例文帳に追加

すると、先に行ったイオン注入と異なる深さまでイオンを注入することができる（ｂ）。 - 特許庁

The diffused region 367 is formed through vapor-phase doping, plasma doping, or plasma infiltration ion implantation.例文帳に追加

拡散領域は、気相ドーピング、プラズマドーピング、あるいはプラズマ浸漬イオンインプランテーションにより形成される。 - 特許庁

An ion irradiation process is executed at least after the first divided implantation process.例文帳に追加

そして、少なくとも最初の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。 - 特許庁

Then, a first pattern 54 and a second pattern 56 are formed, and an ion implantation preventing film is laminated.例文帳に追加

そして、第１パターン５４、および第２パターン５６を形成し、イオン打ち込み防止膜を積層する。 - 特許庁

To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation.例文帳に追加

炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUIT TRAY COMPRISING CHARGE PREVENTING HIGH POLYMER MATERIAL BY ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

イオン注入法による帯電防止用高分子材料からなる集積回路トレ—の製造方法 - 特許庁

On the surface of an n-type epitaxial growth layer 12, a mask 13M for ion implantation is formed.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面にイオン注入用マスク１３Ｍを形成する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

イオン注入方法、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、並びに電子機器 - 特許庁

A part of the second hard mask 40 where ion implantation is not executed is removed by wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチングにより第２ハードマスク４０のイオン注入されていない部分をエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a means for detecting alignment accuracy with high accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程におけるアライメント精度を、高精度に検出する手段を提供すること。 - 特許庁

OXYGEN ION IMPLANTATION DEVICE AND SILICON WAFER WITH IMPLANTED OXIDE FILM MANUFACTURED BY USING THE DEVICE例文帳に追加

酸素用イオン打込み装置及びこれを用いて作製された埋込み酸化膜付シリコンウエハ - 特許庁

Consequently, a via hole surrounded by a deep ion implantation region 9 can be formed.例文帳に追加

その結果、深いイオン注入領域９で取り囲まれたバイアホールを形成することができる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR THROUGH ION IMPLANTATION AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

イオンの注入による窒化物半導体の形成方法及びこれを利用して製造した電子素子 - 特許庁

The ferromagnetic storage domains may be formed in the multiferroic thin film by an ion implantation process.例文帳に追加

強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。 - 特許庁

The order, in which the ion-implantation step is performed, may be changed as required.例文帳に追加

本発明においては、必要に応じてイオン注入ステップを実施する順番を変更しても良い。 - 特許庁

After the ion implantation, a substrate having the above structure is subjected to high temperature activation annealing.例文帳に追加

さらに、前記イオン注入後、この構造を持つ基板に対し、高温活性化アニールを施す。 - 特許庁

The implantation energy at that time is so set that no implanted ion penetrate the polysilicon gate 12.例文帳に追加

このときの注入エネルギーは、注入イオンがポリシリコンゲート１２を突き抜けないように設定する。 - 特許庁

The three-layer insulating film in the portion of ion implantation is removed thereafter, and the resist mask is removed.例文帳に追加

その後、イオン注入された部分の３層絶縁膜を除去し、また、レジストマスクを除去する。 - 特許庁

A mask material 18 for ion implantation is formed on a principal surface of a SiC semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板１０の主面上にイオン注入用マスク材１８を形成する。 - 特許庁

Thereby, use of epitaxial growth, ion implantation or the like in ultra-high vacuum is unnecessary.例文帳に追加

したがって、超高真空中でのエピタキシャル成長やイオンインプランテーションなどを用いる必要がない。 - 特許庁

A damage layer 10 is formed by injecting an impurity into an Si wafer 6 by performing ion implantation.例文帳に追加

Ｓｉウェハ６にイオン注入法で不純物を注入し、ダメージ層１０を形成する。 - 特許庁

To provide an ion irradiator capable of reducing an error more than a conventional error, and capable of controlling an implantation quantity by controlling the implantation quantity by accurately measuring an ion beam current value while irradiating a semiconductor wafer with an ion.例文帳に追加

半導体ウェハにイオン照射を行いながら、且つ、正確にイオンビーム電流値を測定して注入量制御することで、従来よりも誤差の少ない注入量制御が可能なイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which a uniformity of a beam current density distribution in a Y direction of the ion beam can be improved even if a plasma density distribution is not uniform in a plasma generator of an ion source.例文帳に追加

イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。 - 特許庁

To provide a beam stop for ion implantation apparatus for comprehending a magnitude of an incident ion beam current, which can be used in an optimization of ion beam.例文帳に追加

入射するイオンビーム電流の大きさを提供するイオン打ち込み装置用ビームストップであって、イオンビームの最適化に使用されることが可能なビームストップを提供する。 - 特許庁

A front Faraday 2 is installed on the path of the ion beam 6 near the does Faraday 1, and measures a beam current on the upper stream of the wafer 4 of the ion beam 6 before the ion implantation treatment.例文帳に追加

フロントファラデー2は、ドーズファラデー1近傍のイオンビーム6の軌道上に設けられ、イオン注入処理前にイオンビーム6のウェハ4の上流のビーム電流を測定する。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING ELECTRONIC COMPONENT CAPABLE OF ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGE, ION-IMPLANTATER CONTROLLER USED FOR SAME, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

スレッショルド電圧調節が可能な電子素子の製造方法とこれに使用されるイオン注入器調節器及びイオン注入システム - 特許庁

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on the substrate surface to which the ion is implanted by the ion implantation step.例文帳に追加

前記カーボン層形成工程では、前記イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁