「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, an ion beam IB is formed so that ion implantation is carried out with a second beam quantity lower than a first ion quantity.例文帳に追加

これにより、イオンビームＩＢは例えば第１のビーム量より低い第２のビーム量でもってイオン注入がなされるようになる。 - 特許庁

A sequencer connected to an ion implanter carries out the following operations when a power failure occurs during the ion implantation process of the ion implanter.例文帳に追加

イオン注入機に接続されるシーケンサーは、イオン注入機のイオン注入処理中における停電発生時に以下の動作を行う。 - 特許庁

To provide a novel ion implantation method in which a variety of patterns of implantation amount distribution can be made inexpensively and an uneven implantation such that implantation distributions between each implantation regions become continuous and smooth can be performed.例文帳に追加

安価で、注入量分布のパターンに多様性を持たせることができ、各注入領域間の注入分布が連続的でスムーズになるような不均一注入を行うことができる新規なイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device in which deterioration of characteristics of an element can be prevented.例文帳に追加

素子特性の劣化を防止できるイオン注入装置を提供すること。 - 特許庁

Individual LEDs are separated, electrically, from each other by a trench or ion implantation.例文帳に追加

個別ＬＥＤはトレンチ又はイオン注入で電気的に互いに分離される。 - 特許庁

The cleaning process with the aerosol and the ion implantation process may be repeated more than once.例文帳に追加

エアゾル洗浄工程とイオン注入工程を複数回繰り返してもよい。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of correcting temperature of a wafer.例文帳に追加

ウエハの温度を補償をすることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR INSPECTING DOSE UNIFORMITY IN ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法 - 特許庁

Forming of wells 3, 4 and ion implantation for a high breakdown voltage circuit portion are carried out.例文帳に追加

高耐圧回路部のウェル３，４の形成及びチャネルイオン注入を行う。 - 特許庁

After an insulating layer 108 is formed on a substrate 100, and is subjected to an ion-implantation step.例文帳に追加

基板上に絶縁層を形成した後、イオン注入ステップを実施する。 - 特許庁

To accurately find the changeover timing of ashing conditions of a resist film after ion implantation.例文帳に追加

イオン注入後のレジスト膜のアッシング条件の切替タイミングを正確に知る。 - 特許庁

The silicon germanium layer is formed through a separation method or an ion implantation method.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層は、析出もしくはイオン注入プロセスによって形成される。 - 特許庁

After that, ion implantation of boron fluoride is performed for forming an extension region.例文帳に追加

その後、エクステンション領域を形成するためにフッ化ボロンをイオン注入する。 - 特許庁

Each Schottky barrier diode is isolated by an insulating region formed by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による絶縁化領域により、各ショットキーバリアダイオードを分離する。 - 特許庁

To appropriately adjust the state of ion implantation in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に対するイオンの注入状態を適切に調整すること。 - 特許庁

The SOI substrate is formed by wafer bonding, ion implantation, and annealing.例文帳に追加

ＳＯＩ基板は、ウェーハ結合、イオン打ち込みおよびアニールによって形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT USING MASK PATTERN FOR CHANNEL ION IMPLANTATION例文帳に追加

チャンネルイオン注入用のマスクパターンを用いた半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

Ion implantation is not performed from a direction in which this angle is larger than 7°.例文帳に追加

この角度が７°よりも大きくなる方向からはイオン注入を行わない。 - 特許庁

Irradiation from an alpha source or ion implantation techniques may be used.例文帳に追加

アルファ源からの照射またはイオン注入技術を使用することができる。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR FULLERENE SELECTIVELY INCLUDING ISOTOPE ATOM BY ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

イオン注入法による同位元素選択的原子内包フラーレンの製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE HAVING INSPECTION MECHANISM OF WAFER ANGLE AND FARADAY ALIGNMENT例文帳に追加

ウェハの角度及びファラデーのアラインメント検査機構を有するイオン注入装置 - 特許庁

ION IMPLANTATION ANNEALING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

イオン注入アニール方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 - 特許庁

Alternately, an ion irradiation process is executed after the last divided implantation process.例文帳に追加

または、最後の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, AND ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

マスクパターンの補正方法、マスクパターンの形成方法、及びイオン注入方法 - 特許庁

At this point, ion implantation for a base diffusion layer has not been carried out yet.例文帳に追加

この時点で、ベース拡散層のためのイオン注入は、まだ、行われていない。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SHALLOW WELL OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING LOW-ENERGY ION IMPLANTATION例文帳に追加

低エネルギーのイオン注入を利用した半導体素子のシャローウェル形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING MASK PATTERN FOR ION IMPLANTATION AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

イオン注入用マスクパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

STRUCTURE FOR DECREASING CONTAMINANT FOR ION IMPLANTATION UNITS, AND ITS METHOD例文帳に追加

イオン注入機用の汚染物質を減少させる構造体及びその方法 - 特許庁

To provide an optimum method for effectively utilizing ion beams in an ion implantation system of a single substrate.例文帳に追加

単一基板のイオン注入システムにおいて、イオンビームを有効に利用するために最適な方法を目的とする。 - 特許庁

On the basis of the ion implantation condition set to the ion implanter, adjustment target setting data are retrieved.例文帳に追加

イオン注入装置に設定されるイオン注入条件に基づいて、調整目標設定データを検索する。 - 特許庁

To establish an electric current confinement structure in the laser body without requiring ion radiation and ion implantation.例文帳に追加

イオン照射やイオン注入を行う必要なしにレーザ本体内に電流閉じ込め構造を設けること。 - 特許庁

In the preparatory stages of the ion implantation, the ion beam is forced to pass in the Faraday cage 11 then the electric charges are measured.例文帳に追加

イオン注入の準備段階にて、イオンビームをファラデー箱１１側を通過させ、その電荷量を計測する。 - 特許庁

A variable opening assembly 30 is operated to adjust quantity of an ion beam current passing through into an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置内を通過するイオンビーム電流の量を調整する可変開口アセンブリ30を操作する。 - 特許庁

The ion implantation apparatus of the present invention is a mass-spectrometry type ion implantation apparatus 1 which radiates a ribbon-shaped ion beam 3 on a glass substrate 7, and is provided with ion beam divergence means on a transportation route of the ion beam 3 from an ion source 2 to a mass spectrometry magnet 4.例文帳に追加

本発明のイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム３をガラス基板７に照射する質量分析型のイオン注入装置１であって、さらに、イオン源２から質量分析マグネット４までのイオンビーム３の輸送経路にイオンビーム発散手段を備えている。 - 特許庁

When the recording area separation type magnetic recording medium which relatively reduces the ratio of ferromagnetic material by ion implantation is manufactured, by etching an ion implantation portion in advance, the height after the ion implantation is made relatively lower than a portion where ion is not implanted.例文帳に追加

イオン注入により強磁性材料の元素比率を相対的に低くする記録領域分離型の磁気記録媒体の作製時に、あらかじめイオン注入部分をエッチングしておくことで、イオン注入後の高さを非注入部分と比べて相対的に低くする。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation, which is used in an ion implantation process in the manufacture of a semiconductor device, has excellent ion irradiation resistance, and stably carries out high precision and high purity ion implantation for a long period of time.例文帳に追加

半導体デバイスの作製におけるイオン注入工程で使用するイオン注入用ステンシルマスクであって、イオン照射耐性に優れ、長時間に渡って、高精度かつ高純度のイオン注入を安定して行うことができるイオン注入用ステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

The ion implantation preventing film on the peripheral circuit region is removed, while leaving the ion implantation preventing film behind on the cell array area and a field oxidized film is formed in the element isolation region of the peripheral circuit region which is exposed from the ion implantation preventing film.例文帳に追加

セルアレイ領域にイオン打ち込み防止膜を残留させたまま周辺回路領域上のイオン打ち込み防止膜を除去し、イオン打ち込み防止膜から露出している周辺回路領域の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する。 - 特許庁

To enable an ion source used for an ion implantation system to move from one output mode to the other output mode and from one ion source material to the other ion source material.例文帳に追加

イオン注入システムに使用されるイオン源を、一つの出力モードから他の出力モードへ、一つのイオン源材料から他のイオン源材料へ、移行可能とする。 - 特許庁

To provide an ion source device and an ion generation method, for stabilizing a supply volume of a raw material, eventually for stably generating ion, and an ion implantation device equipped with the ion source device, as well as an ion implantation method generating ions by the ion generation method.例文帳に追加

原材料の供給量を安定化することができ、ひいてはイオンを安定して発生させることができるイオン源装置およびイオン発生方法、ならびに前記イオン源装置を備えるイオン注入装置および前記イオン発生方法によってイオンを発生させるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

When the ion implantation process is started, the ion beam current measuring part 4 is disconnected from the direct current generator 6 by the operation of the exchange unit 7, and connected to the platen 2 to start ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入処理開始時に、切り替えユニット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は直流電流発生器６と接続を遮断し、プラテン２と接続され、イオン注入処理が開始される。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus of providing highly accurate implantation uniformity to a wafer and improved productivity.例文帳に追加

ウエハへの高精度注入均一性が得られるとともに、生産性が向上したイオン注入装置を提供することにある。 - 特許庁

The ion implantation system (10) is described as to the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing.例文帳に追加

イオン注入システム（１０）は、半導体素子製造のための半導体基板内へのクラスターイオンの注入に関して説明される。 - 特許庁

To provide an ion beam implantation device capable of preventing damage of an ion beam current detection means and exactly implanting ion beam.例文帳に追加

本発明は、イオンビーム電流検出手段の損傷を防止して正確にイオンビームを注入できるイオンビーム注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of properly exchanging an ion source electrode in compliance with an individual difference of life of the ion source electrode.例文帳に追加

イオン電極装置において、イオン源電極の電極寿命の個体差に応じて、適切にイオン源電極を交換できるようにする。 - 特許庁

The fibrous carbon 5 is formed by implanting a catalytic metal ion 4 on the fixed position of the surface of a substrate 1 using the ion implantation method, the focused ion beam method or the single ion implantation method and using a catalytic metal as a catalyst.例文帳に追加

イオン注入法、集束イオンビーム法又はシングルイオン注入法のいずれかによって、触媒金属イオン４を基板１表面上の所定位置に注入し、触媒金属を触媒として繊維状カーボン５を形成する。 - 特許庁