「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This ion implantation device includes an ion beam generator to generate a beam 15 of implantation ions fed into a process chamber 40.例文帳に追加

イオン注入装置はプロセスチャンバ４０に送入される注入イオンのビーム１５を発生するイオンビーム発生器を含む。 - 特許庁

First, ions are implanted into an ion implantation surface of a piezoelectric substrate, to form an ion implantation portion inside the piezoelectric substrate.例文帳に追加

まず、圧電基板のイオン注入面からイオンを注入して、圧電基板内部にイオン注入部分を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which obtains a plurality of doping density levels in a single ion implantation process.例文帳に追加

複数のドーピング濃度レベルを単一のイオン打ち込み工程において可能にするイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

This realizes sequential ion implantation into parts being blocked from the ion implantation by the shield.例文帳に追加

このことにより遮蔽版によりイオン注入が妨げられていた部分に順次イオン注入する事が可能となる。 - 特許庁

As a result, the ion implantation for the P body 4a and the ion implantation for the N source 5a are carried out by self alignment.例文帳に追加

これにより、Ｐボディ４ａ用のイオン注入とＮソース５ａ用のイオン注入はセルフアラインで行なわれる。 - 特許庁

A condition preventing an ion beam from entering into a Faraday cage in an ion implantation chamber is created at least before or after an actual ion implantation process (S1).例文帳に追加

少なくとも実際のイオン注入処理前または後に、イオン注入室内のファラデーにイオンビームが入らない状態を作る（Ｓ１）。 - 特許庁

Ce ion, for example, is implanted into the implanted part 13 by ion implantation.例文帳に追加

注入部１３には、例えばＣｅイオンがイオン注入によって注入される。 - 特許庁

To provide an ion implanting method in which perpendicular ion implantation and tilt ion implantation are combined together, in the ion implanting method for a manufacture of semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の製造のためのイオン注入方法において、垂直イオン注入とチルトイオン注入とが組み合わせられたイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method for using an ion implantation mask which is stable even with a fine pattern without fall to form a good annular ion implantation region.例文帳に追加

微細パターンでも安定して倒れの生じないイオン注入マスクを用い、良好な環状のイオン注入領域を形成することができるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base board supporting member of an ion implantation device enabled to widen the range of ion implantation angle without largely changing the structure, and to provide an ion implantation device.例文帳に追加

構造を大幅に変更することなく、イオン注入角度の範囲を大きくすることができるイオン注入装置の基板支持部材およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation amount measurement method capable of extending a maintenance cycle and of realizing correct measurement of the ion implantation amount and to provide an ion implantation device using it.例文帳に追加

メンテナンス周期が延長できると共により正確なイオン注入量の測定を実現するイオン注入量測定方法及びこれを用いたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device improved in positional accuracy of ion implantation by making an error of positional accuracy of ion implantation caused by thermal expansion of a mask and a wafer fit into a prescribed range.例文帳に追加

マスクとウェハの熱膨張によるイオン注入位置精度誤差が所定の範囲内となるようにすることで、イオン注入の位置精度を向上したイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

In a first ion implantation process, ion implantation with an oblique angle is performed from a read part side to a pixel side to form a first ion implantation region 170 including the offset region 114.例文帳に追加

第１のイオン注入工程によって読み出し部側から画素側に斜めのイオン注入を行い、オフセット領域１１４を有する第１のイオン注入領域１７０を形成する。 - 特許庁

Thereby, the hole position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the impurity position in the subsequent ion implantation, and the impurity position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the hole position in the prior ion implantation.例文帳に追加

これにより、先のイオン注入における空孔位置と後のイオン注入における不純物の位置とを一致させ、先のイオン注入における不純物の位置と先のイオン注入における空孔の位置とを一致させることができる。 - 特許庁

To improve the uniformity of implantation to a target by normalizing a beam diameter at ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時のビーム径を適正化して、ターゲットに対する注入均一性を向上させる。 - 特許庁

In addition, increase in the energy is not required at the ion implantation eliminates the need for providing an ion implantation device, capable of conducting the ion injection with enormous energy.例文帳に追加

また、イオン注入時のエネルギーを高くしなくても済むため、莫大なエネルギーでのイオン注入が行えるイオン注入装置を備える必要も無くなる。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation, having superior heat resistance or durability and improving the ion implantation accuracy by reducing the defect of a stencil mask for ion implantation, such as, membrane deflection due to the heating of an ion beam, and to provide a low-cost method for manufacturing the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥が低減され、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクおよびその安価な製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation, having thermal resistance and durability which improves the fault, where a membrane is bent as a result of generation of heat, caused by a collision of an ion beam and improves the ion implantation accuracy, in an ion implantation process which uses the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むという欠点を改善し、イオン注入精度を向上させた耐熱性及び耐久性を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencile mask for ion implantation, having excellent heat resistance, durability and ion implantation accuracy by reducing a critical defect of a stencile mask for ion implantation such as deformation of a membrane due to heat generated from an ion beam in an ion implantation process using the stensile mask for ion implantation to be executed in manufacture of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイス作製において行われる、イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみという、イオン注入用ステンシルマスクの致命的欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

MAGNETIC/ELECTROSTATIC HYBRID DEFLECTOR FOR ION IMPLANTATION SYSTEM, AND DEFLECTION METHOD OF ION BEAM例文帳に追加

イオン注入システムのための磁気／静電式ハイブリッド偏向器およびイオンビームの偏向方法 - 特許庁

In the ion implantation process (S14), ion is implanted to the flat surface of a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

イオン注入工程（Ｓ１４）は圧電基板１の平坦面にイオンを注入する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE, AND METHOD OF URGING EXCHANGE OF ION SOURCE ELECTRODE FOR THE SAME例文帳に追加

イオン注入装置、イオン注入装置におけるイオン源電極の交換を促す方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD, ION IMPLANTER AND PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入方法およびイオン注入装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide an ion implantation device, for uniformly implanting ion into several substrates.例文帳に追加

複数の基体に対して、均一なイオン注入が行えるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which achieves ion implantation of low COO into a glass substrate without using a collimator lens.例文帳に追加

平行化レンズを用いずに、ガラス基板に対してのイオン注入を実現するＣООに優れたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To control variations in a dose and an implantation depth of ion implantation resulting from a mismatch between an ion beam shape and a scan pitch.例文帳に追加

イオンビーム形状とスキャンピッチとのミスマッチに起因するイオン注入のドーズ量及び注入深さ等のバラツキを抑制する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR REDUCING HEATING OF WORKPIECE IN ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入におけるワークピースの加熱低減装置及び方法 - 特許庁

The crystallinity of the ion implantation region 6 is degraded.例文帳に追加

このイオン注入領域６の結晶性は、劣化されている。 - 特許庁

Then a memory source-drain region SDm is formed by ion implantation D01 using the dummy gate DG as an ion implantation mask.例文帳に追加

その後、ダミーゲートＤＧをイオン注入マスクとしたイオン注入Ｄ０１によって、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成する。 - 特許庁

This skew ion implantation can suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation on the surface of the substrate.例文帳に追加

そして、このような斜めイオン注入によれば、基板表面にイオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できる。 - 特許庁

The implantation amount of nitrogen ion should be 10^20cm^2 or more and the implantation energy of nitrogen ion should be 15KeV or more.例文帳に追加

窒素イオンの注入量は（１０の２０乗）／平方ｃｍ以上、窒素イオンの注入エネルギーは１５ｋｅＶ以上とする。 - 特許庁

In the ion implantation process 110, impurity ions are introduced to the Si substrate through the ion implantation of a projection range Rp1.例文帳に追加

イオン注入工程１１０では，投影飛程Ｒｐ１のイオン注入によってＳｉ基板に不純物イオンを導入する。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING DOPANT CONCENTRATION DURING PLASMA ION IMPLANTATION例文帳に追加

プラズマイオン注入中にドーパント濃度を測定するための方法 - 特許庁

Next, ion implantation is carried out by controlling driving motors 24, 26.例文帳に追加

続いて、駆動モータ２４，２６を制御してイオン注入を行う。 - 特許庁

Then, high concentration ion implantation is performed to the source and drain regions.例文帳に追加

この後、ソース、ドレイン領域へ高濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

THREE-DIMENSIONAL SIMULATION METHOD AND EQUIPMENT OF ION IMPLANTATION PROCESS例文帳に追加

イオン注入工程の３次元シミュレーション方法および装置 - 特許庁

METHOD FOR EXTRACTING PARAMETER OF ION IMPLANTATION SIMULATION AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

イオン注入シミュレーションのパラメータ抽出方法、記録媒体 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE AND METHOD FOR HARDENING POWER SUPPLY THEREFOR例文帳に追加

イオン注入装置およびそのための電源を補強する方法 - 特許庁

ION-IMPLANTATION SIMULATION PROGRAM, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

イオン注入シミュレーションプログラムおよび半導体素子製造方法 - 特許庁

The ion implantation region is formed to have a refractive index of 1.7-2.0.例文帳に追加

イオン注入領域は、屈折率１．７〜２．０に形成される。 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF AMORPHOUS LAYER FORMED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入によって形成される非晶質層評価方法 - 特許庁

Further, the ion implantation of conductive impurities and the elimination of through oxide film for ion implantation can be made using the same mask.例文帳に追加

さらに、導電性不純物のイオン注入およびイオン注入用スルー酸化膜の除去を同一のマスクを用いて行う。 - 特許庁

ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR USING THE SAME例文帳に追加

イオン打込み装置及びこれを用いた半導体製造方法 - 特許庁

The ion implantation region 18 for connection shares the ion implantation process with other regions so that it does not require any exclusive process.例文帳に追加

この接続用イオン注入領域１８は、他の領域のイオン注入と工程が共有され、専用工程とはならない。 - 特許庁

METHOD OF REDUCING WAFER TEMPERATURE TEMPORARILY DURING ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入中にウエハ温度を一時的に低下させる方法 - 特許庁