「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An ion implantation part is formed in a part of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の部分内に、イオン注入部が形成される。 - 特許庁

To enable an ion beam of a high beam current in low-energy in an ion implantation system by a ribbon form ion beam.例文帳に追加

リボン形イオンビームによるイオン注入システムにおいて、低エネルギーで高ビーム電流のイオンビームを可能にする。 - 特許庁

In the ion implantation process 120, Si+ ions are introduced to the Si substrate that were subjected to the ion implantation process 110, with the ion implantation of a projection range Rp2 being smaller than the projection range Rp1.例文帳に追加

イオン注入工程１２０では，投影飛程Ｒｐ１より小さな投影飛程Ｒｐ２のイオン注入によって，イオン注入工程１１０を経たＳｉ基板に，Ｓｉ＋イオンを導入する。 - 特許庁

Although it is necessary to use a high energy type ion implantation device to carry out ion implantation into a deep position, little dose is used, so that ion implantation time is not sharply increased.例文帳に追加

しかも、深い位置にイオン注入するためには、高エネルギー型のイオン注入装置を用いる必要があるが、本発明ではドーズ量が少ないことから、イオン注入時間が大幅に長くなることはない。 - 特許庁

The ion implantation holes 16 of a photo resist decide to which transistor gate 13 are to be ions implanted and the ion implantation holes 15 of an aluminum film are used to accurately decide the position/area of ion implantation.例文帳に追加

イオン注入孔２４が密なところと疎なところでは、ガラスマスク上のイオン注入孔の寸法は同一であるのに、フォトレジストのイオン注入孔２４の寸法が互いに同一にならない。 - 特許庁

In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask.例文帳に追加

イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。 - 特許庁

SUPERCONDUCTING DEVICE HAVING PATTERN FORMED BY IMPLANTATION, AND INDIRECT ION-IMPLANTATION METHOD TO SUPERCONDUCTING FILM例文帳に追加

打込みによってパターン形成した超伝導装置及び超伝導膜の間接イオン注入方法 - 特許庁

The ion implantation is performed under conditions of 3MV acceleration voltage and 1.0×10^15/cm^2 implantation rate.例文帳に追加

加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０^15／ｃｍ^2の条件でイオン注入を行った。 - 特許庁

SUBSTRATE SUPPORT DEVICE, SUPPORT BASE AND ION IMPLANTATION DEVICE PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

基板支持装置、支持台及びこれを備えるイオン注入装置 - 特許庁

Partial ion implantation into a semiconductor laminate 15 is not performed.例文帳に追加

半導体積層１５に部分的にイオン注入を行っていない。 - 特許庁

To reduce the number of times of ion implantation in a photoelectric converter.例文帳に追加

光電変換装置において、イオン注入の回数を低減する。 - 特許庁

To relieve a shadowing effect caused by ion implantation having an inclination.例文帳に追加

傾斜付きイオン注入に起因するシャドーイング効果を緩和する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method using an ion implantation device which performs only one time mass spectrometry in which energy contamination is reduced.例文帳に追加

１回のみの質量分析を行なうイオン注入装置を用いたイオン注入方法において、エネルギーコンタミネーションを低減する。 - 特許庁

Implantation of oxygen ion in the step of forming the first ion implantation layer 12 is performed at a plurality of stages, namely 4 steps to 10 steps.例文帳に追加

第１イオン注入層１２を形成する工程での酸素イオン注入が、４段〜１０段の複数段に分けて行われる。 - 特許庁

Damage is given to the semiconductor substrate 1 by this ion implantation.例文帳に追加

当該イオン注入により、半導体基板１にダメージを与える。 - 特許庁

The mask 13M for ion implantation is sued to perform the selective ion implantation of boron (^11B^+) deep into the n-type epitaxial growth layer 12.例文帳に追加

イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の深い位置に、ボロン（^11Ｂ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

Also a method for ion implantation of germanium or argon can be used.例文帳に追加

又、ゲルマニウムとかアルゴンをイオン注入する方法を使用できる。 - 特許庁

Further, ion-implantation is possible over the entire surface without providing a mask.例文帳に追加

またマスクを設けることなく全面にイオン注入が可能である。 - 特許庁

WAFER ELECTRIFICATION SUPPRESSING DEVICE AND ION IMPLANTATION DEVICE PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

ウエハ帯電抑制装置及びこれを備えたイオン注入装置 - 特許庁

To provide an ion implantation device keeping a wafer at an optimum temperature, maintaining the temperature distribution of the wafer uniform at ion implantation.例文帳に追加

イオン注入装置において、イオン注入する際にウエハを最適な温度にし、かつウエハの温度分布を均一に保つようにする。 - 特許庁

In the heat treatment process 130, heat treatment is performed on the Si substrate that has been subjected to the ion implantation process 110 and the ion implantation process 120.例文帳に追加

熱処理工程１３０では，イオン注入工程１１０及びイオン注入工程１２０を経たＳｉ基板に熱処理を施す。 - 特許庁

Because the ratio of ions of a kind included in an ion beam 31 can be determined, the simulation of ion distribution in the implantation depth direction can be performed, when a shower-type ion implantation device 5 for executing ion implantation without carrying out the mass spectrometry analysis is used.例文帳に追加

イオンビーム３１中のイオン種の割合が分かるので、質量分析せずにイオン注入を行うシャワー型イオン注入装置５を用いた場合に、注入深さ方向のイオン分布のシミュレーションを行えるようになる。 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD OF TITANIA PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING ION IMPLANTED TITANIA THIN FILM ELECTRODE例文帳に追加

チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 - 特許庁

To provide a mass spectrometer, an ion implantation apparatus, and an ion beam sealing method.例文帳に追加

質量分析装置、イオン注入装置、およびイオンビームの封じ込め方法を提供すること。 - 特許庁

ION GENERATOR, ION IMPLANTATION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン発生装置、半導体プロセス用イオン注入装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To obtain an ion implanter having uniform directivity in an ion implantation beam incident angle direction, and capable of continuously varying the directivity of the ion implantation beam.例文帳に追加

イオンビーム入射角方向に均一な指向性を持たせ、かつイオン注入ビ−ムの指向性を連続的に変化させることが可能なイオン注入装置を得る。 - 特許庁

METHOD FOR SELECTIVELY PATTERNING SILICON GERMANIUM LAYER BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入によりシリコンゲルマニウム層を選択的にパターニングする方法 - 特許庁

To provide an ion source of an ion implantation device to evaporate decaborane or other suitable implantation material accurately and controllably.例文帳に追加

デカボランまたは他の適当な注入材料を、正確にかつ制御可能に蒸発させるためのイオン注入装置のイオン源を提供すること。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）に水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

OPERATING METHOD AND CONSTITUTIONAL PARTS FOR ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置の作動方法およびイオン注入装置の構成部品 - 特許庁

BEAM SPACE CHARGE NEUTRALIZATION DEVICE AND ION IMPLANTATION DEVICE PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置 - 特許庁

To simplify a process by reducing the number of steps for an ion- implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程のステップ数を減らして、工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which can achieve accurate and efficient ion implantation on a substrate that depends on multiple recipes.例文帳に追加

１枚の基板に対して、複数のレシピに依るイオン注入を、明確にかつ効率良く行うことができるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a residue when subjecting a substrate to ion implantation with the resist formed thereon as a mask and removing the resist after the ion implantation.例文帳に追加

基板上に形成したレジストをマスクとしてイオン注入し、イオン注入後にレジストを除去するときの残留物発生を防止する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR OPERATING VARIABLE OPENING IN ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置における可変開口を操作する方法および装置 - 特許庁

To realize an ion implantation device in which impurity concentration profile that is implanted into a target can be controlled freely, and an ion implantation method.例文帳に追加

ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現する。 - 特許庁

ION-IMPLANTATION METHOD AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

イオン注入方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

At least a part of ion implantation to the impurity region of a sensor and heat treatment are performed, separately prior to other ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

センサ部の不純物領域に対するイオン注入と熱処理の少なくとも一部を他のイオン注入や熱処理と分離して先に行う。 - 特許庁

VERTICALLY OSCILLATING DEVICE FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE STAGE DEVICE, AND ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加

基板縦方向揺動装置、基板ステージ装置及びイオン注入装置 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING COATING FILM AND ION IMPLANTATION EQUIPMENT USING THE SAME例文帳に追加

コーティング膜の検出方法及びこれを用いるイオン注入装置 - 特許庁

To reduce dirts adhering to a wafer holding part and thereby improve the cooling efficiency of the wafer in an ion implantation device and an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入装置及びイオン注入方法において、ウェハ保持部に付着する汚れを少なくし、ウェハの冷却効率を向上させる。 - 特許庁

To reduce dirts adhering to a wafer holding part and thereby improve the cooling efficiency of the wafer in an ion implantation method and an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入方法及びイオン注入装置において、ウェハ保持部に付着する汚れを少なくし、ウェハの冷却効率を向上させる。 - 特許庁

First, a source diffusion layer is formed through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

まず、イオン注入及び熱拡散によりソース拡散層を形成する。 - 特許庁

To carry out two kinds of ion implantation at the same time as needed, and suppress contamination of an unused channel in case of ion implantation of one kind.例文帳に追加

必要に応じて同時に２種のイオン注入を行なうとともに、１種のイオン注入を行なう場合に未使用通路の汚染を抑える。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ION IMPLANTATION APPARATUS USING SAME例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びそれを用いたイオン注入装置 - 特許庁