「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A base board supporting member 8 is housed in a target chamber of the ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置のターゲットチャンバ内には、基板支持部材８が配置されている。 - 特許庁

To provide an inspecting method capable of appropriately inspecting an ion implantation pattern.例文帳に追加

イオン注入パターンを的確に検査することが可能な検査方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes steps of: then forming a B^+ ion implantation layer 6 and an As^+ ion implantation layer 7 in the inner wall of the cathode forming groove 3; and removing the cathode forming mask material 5.例文帳に追加

次に、カソード形成溝３の内壁にＢ^+イオン注入層６とＡｓ^+イオン注入層７を形成した後、カソード形成マスク材料５を除去する。 - 特許庁

The emitter is formed by performing ion implantation twice with a conductive film as a mask.例文帳に追加

導電膜をマスクとして、２回のイオン注入を行ってエミッタを形成する。 - 特許庁

A second emitter area 111b is formed by low-concentration impurity ion implantation, and a first emitter area 111a is formed by high-concentration impurity ion implantation.例文帳に追加

第２エミッタ領域１１１ｂは、低濃度の不純物イオン注入によって形成し、第１エミッタ領域１１１ａは、高濃度の不純物イオン注入によって形成する。 - 特許庁

A resist 2 is applied onto a substrate 1, then, the resist 2 on a place to be subjected to ion implantation is eliminated according to a lithography step and, subsequently, the ion implantation is performed with a prescribed impact.例文帳に追加

基板１の上にレジスト２を塗布し、リソグラフィ工程により、イオン注入を行いたい場所のレジスト２を除去しておき、所定の強さでイオン注入を行う。 - 特許庁

Further, the mask 13M for ion implantation is used to carry out the selective ion implantation of aluminum (^27Al^+) from the surface of the n-type epitaxial growth layer 12 shallower than the boron.例文帳に追加

更に、イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム（^27Ａｌ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

To form a gettering region without performing an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程を行うことなくゲッタリング領域を形成できるようにすること。 - 特許庁

The ion implantation of phosphor that forms an N well region 53 on the whole surface of a silicon substrate 51 is performed and then the ion implantation of boron that forms a P well region 54 is performed.例文帳に追加

シリコン基板５１の全面にＮウエル領域５３を形成するリンのイオン注入を行い、その後にＰウエル領域５４を形成するボロンのイオン注入を行う。 - 特許庁

DEVICE, METHOD, AND PROGRAM FOR ION IMPLANTATION SIMULATION AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WITH ION IMPLANTATION SIMULATION PROGRAM RECORDED THEREON例文帳に追加

イオン注入シミュレーション装置、イオン注入シミュレーション方法、イオン注入シミュレーションプログラム及びイオン注入シミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

A source-drain region 108 is formed by forming an n+high concentration impurity region 107 by the ion implantation using the gate electrode side wall 104 as the ion implantation mask.例文帳に追加

このゲート電極側壁１０４等をイオン注入マスクとして、ｎ＋高濃度不純物領域１０７をイオン注入で形成し、ソース・ドレイン領域１０８を形成する。 - 特許庁

On the other hand, columnar grains are formed in the hydrogen ion implantation layer 41.例文帳に追加

一方、水素イオン注入層４１内においては、粒状グレインが形成される。 - 特許庁

To provide a technology capable of suppressing cross contamination during ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時にクロスコンタミネーションを抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

A wafer W subjected to ion implantation processing is carried in the UV processing chamber 7, first.例文帳に追加

イオン注入処理後のウエハＷは、まず、ＵＶ処理室７に搬入される。 - 特許庁

Impurities are introduced into the polycrystalline silicon film 3 by ion implantation.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３には、イオン注入などにより不純物が導入されている。 - 特許庁

To enhance in-plane uniformity of a dose in ion implantation using a ribbon beam.例文帳に追加

リボンビームを用いたイオン注入において、ドーズ量の面内均一性を高める。 - 特許庁

Thus, it is possible to reduced the influence of the code ion implantation on the low threshold transistor (a cell C under consideration) of a code ion implantation impurity diffusion region 3'.例文帳に追加

これにより、コードイオン注入によるコードイオン注入不純物拡散領域３’の低閾値トランジスタ（注目セルＣ）への影響を低減することが可能となる。 - 特許庁

After the ion implantation and the non-crystallization, the n-type silicon substrate 1 is annealed.例文帳に追加

イオン注入及び非晶質化を経た後にｎ型シリコン基板１をアニールする。 - 特許庁

ION IMPLANTATION SIMULATION METHOD, SIMULATOR, AND SIMULATION PROGRAM例文帳に追加

イオン注入シミュレーション方法、イオン注入シミュレータ、及びイオン注入シミュレーションプログラム - 特許庁

Next, an As^+ ion implantation layer 9 is formed by ion implantation so that the concentration peak of the n^+ region 10 comes near to the surface of the p^- semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次に、ｎ^+領域１０の濃度のピークが、ｐ^-半導体基板３表面付近になるように、Ａｓ^+イオン注入層９をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

Since ion implantation is conducted only through the film 13, the ion implantation can be effected as far as to the film 12 with low accelerated energy.例文帳に追加

そして第１のゲート絶縁膜１４のみを通してイオン注入を行うので、低加速エネルギーのイオン注入でｐ−Ｓｉ膜１２にまで注入を行うことができる。 - 特許庁

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10.例文帳に追加

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

An internal protecting member for the ion implantation apparatus, mounted in the ion implantation apparatus, is formed of a semiconductive material doped with the impurities.例文帳に追加

イオン注入装置の内部に取り付けられる保護部材であって、不純物がドーピングされた半導体材料からなることを特徴とするイオン注入装置用内部保護部材。 - 特許庁

This way, a silicide film 15 of equal thickness is made without hindering the growth at the boundary section between the n+ ion implantation region and the p+ ion implantation region.例文帳に追加

こうして、ｎ＋イオン注入領域とｐ＋イオン注入領域との境界部分での成長を妨げることなく、均一な膜厚のシリサイド膜１５を形成する。 - 特許庁

The hard mask is removed after ion implantation is performed for forming source and drain regions.例文帳に追加

そのハードマスクは、ソースドレイン領域形成のためのイオン注入後に除去する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device and its wafer temperature control method capable of controlling a generation amount of crystal defect by restraining temperature variation of a semiconductor wafer during ion implantation.例文帳に追加

イオン注入中における半導体ウェハの温度変化を抑え、結晶欠陥発生量を制御するイオン注入装置及びそのウェハ温度制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an effective monitoring method of ion implantation energy capable of efficiently evaluating the implantation energy if an acceleration energy is accurately adjusted with respect to a set value, and also provide an ion implantation apparatus.例文帳に追加

加速エネルギーが設定値に対して正しく調整されているかについて、能率的に注入エネルギーを評価することが出来る有効なイオン注入エネルギーのモニター方法およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

The inclined ion implantation is performed in the sharp angle to the substrate surface so that the ion beam passes the material line.例文帳に追加

イオンビームが材料ラインを通過するように、基板表面に対し鋭い角度で、傾斜イオン注入が行われる。 - 特許庁

To provide a hybrid deflector for reducing energy contamination in ion implantation, and to provide a deflection method of ion beam.例文帳に追加

イオン注入におけるエネルギーコンタミネーションを低減するハイブリッド偏向器およびイオンビームの偏向方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, while the wafer disk 12 is rotated and translated, the wafers 18 are irradiated with ion beams for ion implantation.例文帳に追加

その後、ウエハディスク１２を回転及び並進移動させながら、イオンビームをウエハ１８に照射してイオン注入を行う。 - 特許庁

In the manufacturing method of the solid-state imaging apparatus including a process of embedding and forming a photodiode layer in a semiconductor substrate by ion implantation and a process of embedding and forming a shield layer on the photodiode layer by the ion implantation, at least in the ion implantation process of forming the shield layer, at least one ion implantation process suspension period is provided in the ion implantation process period.例文帳に追加

半導体基板にフォトダイオード層をイオン注入により埋め込み形成する工程と、このフォトダイオード層上にシールド層をイオン注入により埋め込み形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法のうち、少なくともシールド層を形成するイオン注入工程において、このイオン注入工程期間に少なくとも１回以上のイオン注入工程休止期間を設けることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 特許庁

ION IMPLANTATION OF NITROGEN INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRIOR TO OXIDATION FOR OFFSET SPACER FORMATION例文帳に追加

オフセット・スペーサ形成用の酸化に先立つ半導体基板への窒素のイオン注入方法 - 特許庁

To provide a method for selectively patterning a silicon germanium layer by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によりシリコンゲルマニウム層を選択的にパターニングする方法を提供する。 - 特許庁

After an ion implantation process is carried out, the silicon nitride film 3 is removed by wet etching using a hot phosphoric acid.例文帳に追加

イオン注入後、熱燐酸によりウェットエッチングによりシリコン窒化膜３を除去する。 - 特許庁

This device and method is provided for reducing the heat of a workpiece 11 in ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時にワークピース１１の加熱を低減する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

After the ion implantation, the heat treatment is executed to form a silicon dioxide film as the insulation layer.例文帳に追加

イオン注入後熱処理を行い二酸化シリコン層を形成し、絶縁層となる。 - 特許庁

With the resist pattern as a mask, impurities are subjected to ion implantation to the surface layer of the active region.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとして活性領域の表層部に不純物をイオン注入する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method suitable for forming shallow impurity implanted regions.例文帳に追加

浅い不純物注入領域の形成に適したイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

(b) Coating devices that employ ion implantation method and with a beam current of 5 milliamperes or more 例文帳に追加

ロ　イオン注入法を用いるものであって、ビーム電流が五ミリアンペア以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

In ion implantation, argon ions of a dose amount of 5E+14 atoms/cm^2 and 5E+17 atoms/cm^2 are implanted.例文帳に追加

イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 - 特許庁

The tip surface 43a including a discharge port 41a has water repellency by ion implantation method.例文帳に追加

先端面４３ａはイオン注入法により吐出口４１ａまで撥水性を有する。 - 特許庁

Electrodeposition and ion implantation can be used as a means for supplying the substance which is given nuclide transmutation.例文帳に追加

核種変換を施す物質を付与する手段は電着やイオン打ち込みが利用できる。 - 特許庁

Next, ion implantation is conducted to the semiconductor substrate 1 at the side of the one gate structure G2.例文帳に追加

次に、一のゲート構造Ｇ２脇の半導体基板１に対してイオン注入を行う。 - 特許庁

Next, the soure layer 6 is formed by an ion implantation using the floating gate 11 as a mask.例文帳に追加

次に、フローティングゲート１１をマスクとしたイオン注入によりソース層６を形成する。 - 特許庁