「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an ion implantation method, an ion implantation device, and a beam transport pipe for the ion implantation device capable of controlling an ion implantation angle without complicating the structure of a stage for holding a processed substrate.例文帳に追加

被処理基板を保持するステージの構成を複雑化することなくイオンの注入角度を制御できるイオン注入方法、イオン注入装置及びイオン注入装置用ビーム輸送管を提供すること。 - 特許庁

A source region 4b is formed by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入により、ソース領域４ｂを形成する。 - 特許庁

CONTROL METHOD OF ION IMPLANTATION PROCESS AND SYSTEM THEREFOR例文帳に追加

イオン注入プロセスの制御方法及びそのシステム - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERING METHOD, AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

スパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置 - 特許庁

ION IMPLANTATION APPARATUS, ION GENERATOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置、イオン発生装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

SHIELDING MASK FOR ION IMPLANTATION AND ION IMPLANTER FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR例文帳に追加

イオン注入用遮蔽マスクおよび半導体製造用イオン注入装置 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD OF BEAM WIDTH AND DIVERGENCE ANGLE OF ION BEAM, AND ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加

イオンビームのビーム幅、発散角の測定方法およびイオン注入装置 - 特許庁

ION BEAM IMPLANTATION SYSTEM, ION BEAM ENERGY MEASURING DEVICE AND MEAN ION KINETIC ENERGY MEASURING DEVICE例文帳に追加

イオンビ—ム注入装置、イオンビ—ムのエネルギ—測定装置、及びイオンの平均運動エネルギ—の測定方法 - 特許庁

MONTE CARLO ION IMPLANTATION SIMULATION METHOD, MONTE CARLO ION IMPLANTATION SIMULATOR, STORAGE MEDIUM WITH MONTE CARLO ION IMPLANTATION SIMULATION PROGRAM STORED THEREON AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

モンテカルロイオン注入シミュレーション方法、モンテカルロイオン注入シミュレータ、モンテカルロイオン注入シミュレーションプログラムを格納した記録媒体、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

STENCIL MASK FOR ION IMPLANTATION, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

イオン注入用ステンシルマスク及びその製造方法 - 特許庁

BENDING MAGNET, AND ION IMPLANTATION DEVICE EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

偏向電磁石およびそれを備えるイオン注入装置 - 特許庁

To provide an ion implantation method which blocks ion implantation in a state without satisfying a required condition for other parts of a semiconductor substrate in the ion implantation into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板へイオン注入するにあたり半導体基板の他の部分には条件を満足しない状態でのイオン注入を阻止するイオン注入法の提供。 - 特許庁

To highly precisely manage an ion implantation condition in an ion implantation process in silicon wafer manufacturing processes and device manufacturing processes using ion implantation.例文帳に追加

イオン注入が用いられるシリコンウエーハ製造プロセスやデバイス製造プロセスにおいて、イオン注入工程におけるイオン注入条件を精度よく管理することを目的とする。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE AND ITS WAFER TEMPERATURE CONTROL METHOD例文帳に追加

イオン注入装置及びそのウェハ温度制御方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES例文帳に追加

イオン注入装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

EXTRACTION ELECTRODE MANIPULATOR SYSTEM, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

引出電極用マニピュレータ・システム及びイオン注入システム - 特許庁

HYDROGEN ION IMPLANTATION PEELING METHOD AND ACTIVE SILICON EQUIPMENT例文帳に追加

水素イオン注入剥離方法及び活性シリコン装置 - 特許庁

BEAM ADVANCING ANGLE CORRECTION METHOD IN ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置におけるビーム進行角補正方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SOI WAFER例文帳に追加

イオン注入方法及びＳＯＩウエハの製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE例文帳に追加

イオン注入方法、及び炭化シリコンの製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION DISTRIBUTION GENERATING METHOD AND SIMULATION DEVICE例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CLEANING ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置のクリーニング方法及びクリーニング装置 - 特許庁

ION-IMPLANTATION METHOD, AND DEVICE USING THEREOF例文帳に追加

イオン注入方法及びその方法を使用するデバイス - 特許庁

To provide a method and device to adjust parallelism and implantation angles of an ion beam in ion implantation.例文帳に追加

イオン注入に関し、イオンビームの平行度および注入角度を調整するための方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and an ion implantation device which effectively restrain dielectric breakdown of a wafer surface.例文帳に追加

ウエハ表面の絶縁破壊を有効に抑制するイオン注入法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation pattern detecting method capable of detecting of ion implantation domains of relatively low concentration.例文帳に追加

比較的低濃度のイオン注入領域を検出可能なイオン注入パターン検出方法を提供する。 - 特許庁

(2) A high impurity concentration layer is formed by phosphorous-ion implantation or other ion implantation and an ohmic electrode is provided on the surface.例文帳に追加

(２)燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁

The semiconductor substrate to be ion implanted is sequentially moved in parallel in horizontal direction at the ion implantation or after the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時、あるいはイオン注入後、順次被イオン注入半導体基板を水平方向に平行移動させることである。 - 特許庁

To provide an extraction electrode block for an ion implantation device, which can extract an ion beam in a desired direction, and the ion implantation device.例文帳に追加

イオンビームを所望の方向に引き出すことができるイオン注入装置の引出電極系およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD EMPLOYING IMPLANTATION OF BORON HYDRIDE CLUSTER IONS例文帳に追加

水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTATION SYSTEM HAVING HYBRID JUNCTION AND DOUBLE MECHANICAL SCANNING STRUCTURE AND IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

ハイブリッド結合及び二重機械式走査構造を有するイオン注入システム及び方法 - 特許庁

USE OF ION INDUCED LUMINESCENCE (IIL) AS FEEDBACK CONTROL FOR ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入のためのフィードバック制御としてのイオン励起発光（ＩＩＬ）の使用 - 特許庁

Ion is implanted in the buffer layer to form an ion implantation region 6.例文帳に追加

バッファ層３は、イオンを注入されて、イオン注入領域６を形成する。 - 特許庁

ION IMPLANTER, ION IMPLANTATION METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置、イオン注入方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide an ion implantation system utilizing detected ion induced luminescence as feedback.例文帳に追加

検出されたイオン励起発光をフィードバックとして用いるイオン注入システム。 - 特許庁

This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support.例文帳に追加

本イオン注入装置は、被イオン注入基板Ｗを保持する基板保持部２２を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。 - 特許庁

In Step S43, the sequencer holds a measured ion implantation time in an implantation time memory 11m and terminates an ion implantation time count process.例文帳に追加

ステップＳ４３において、注入時間メモリ１１ｍ内の測定イオン注入時間をホールドするとともに、イオン注入時間カウント処理を終了する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HALF-INSULATING ZINC OXIDE BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入による半絶縁酸化亜鉛の作製方法 - 特許庁

ARC DISCHARGE DEVICE, AND ION IMPLANTATION DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

アーク放電装置及びそれを用いたイオン注入装置 - 特許庁

ION-IMPLANTATION MACHINE CONTROL SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

イオン注入機管理システムおよびイオン注入機管理方法 - 特許庁

INTRAORAL APPLIANCE AND ION IMPLANTATION METHOD TO INTRAORAL APPLIANCE例文帳に追加

口腔内装置と口腔内装置へのイオン注入方法 - 特許庁

Ion implantation failure caused by adhering contaminant can be prevented.例文帳に追加

付着したごみによるイオン注入不良を防止できる。 - 特許庁

ELECTROSTATIC ACCELERATING TUBE AND ION IMPLANTATION APPARATUS PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

静電加速管およびそれを備えるイオン注入装置 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD TO REALIZE DESIRED DOPANT CONCENTRATION例文帳に追加

所望のドーパント濃度を実現するためのイオン注入法 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁