「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve MOS transistor characteristic by finding an ion implantation condition which retrieves concentration of the electric field on an LDD diffusion layer while suppressing threshold voltage (Vth) increase and drive current (Ids) drop.例文帳に追加

しきい値電圧（Ｖth）の増加、駆動電流（Ｉds）の低下を抑えつつ、ＬＤＤ拡散層の電界集中を緩和するイオン注入条件を見出し、ＭＯＳトランジスタ特性の向上を図る。 - 特許庁

Since the surface of the photoresist film after an ion implantation step is hardened, it is necessary to blast dry ice particles of a particle size as large as a certain degree at a pressure of as high as a certain degree.例文帳に追加

イオン注入工程を経たフォトレジスト膜の表面は硬化されているので，ある程度の大きな粒径のドライアイス粒子をある程度の大きな圧力で吹き付ける（ブラスト）ことが必要である。 - 特許庁

This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.例文帳に追加

抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層（第１のポリシリコン層）（３）の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層（３）を残したまま、抵抗層（１０）をイオン注入にて形成する。 - 特許庁

After that, the BG tape is peeled, and a dopant is introduced into the rear face of the semiconductor substrate 1 by ion implantation, continuously the supporting substrate 21 is peeled, then the semiconductor substrate 1 is performed by a heat treatment.例文帳に追加

その後、ＢＧテープ２２を剥離して、半導体基板１の裏面にイオン注入により不純物を導入し、続いて支持基板２１を剥離して、半導体基板１に熱処理を施す。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of securing preferable charge transfer efficiency without any degradation of element uniformity by forming a double n-type ion implantation region, and provide a manufacturing method of the CMOS image sensor.例文帳に追加

ｎ型イオン注入領域を二重に形成することにより、素子の均一度の低下なく、良好な電荷移送効率を確保できるＣＭＯＳイメージ・センサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the ion implantation of a wafer W is performed, the wafer W in a wafer receiving cassette 37 is grasped by a wafer transporting robot 39 and mounted to the surface of an elastic body.sheet 31 of each wafer holding part 23.例文帳に追加

ウェハＷのイオン注入を行うときは、ウェハ搬送ロボット３９により、ウェハ収容カセット３７内のウェハＷを把持して各ウェハ保持部２３の弾性体シート３１の表面に装着する。 - 特許庁

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.例文帳に追加

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。 - 特許庁

After a pattern forming layer 21 is formed on the uppermost layer on a first main surface J of a second substrate 1 made of silicon single crystal, an ion implantation layer 4 for peeling is formed with respect to the second substrate 1.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる第二基板１の第一主表面Ｊ上の最表層にパターン形成用層２１を形成した後、第二基板１に対して剥離用イオン注入層４を形成する。 - 特許庁

To provide a graphite member for an internal member of a beam line which can remarkably reduce particles which enter into a surface of a wafer in an ion implantation apparatus of a high-current and low-energy type.例文帳に追加

高電流低エネルギータイプのイオン注入装置において、ウエハー表面に混入するパーティクルを著しく低減できるイオン注入装置のビームラインの内部部材用の黒鉛部材を提供すること。 - 特許庁

In the region near the surface of the substrate of a photodiode, a high-concentration N-layer 32 of its light receiving portion is so formed by an ion implantation as to form a low-concentration N-type epitaxial layer 25 in a further deeper region than the N-layer 32 by an epitaxial growth.例文帳に追加

基板表面に近い領域にイオン注入で高濃度の受光部Ｎ層３２を形成し、さらに深い領域にエピタキシャル成長で低濃度Ｎ型エピタキシャル層２５を形成する。 - 特許庁

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11.例文帳に追加

また、リンイオン２１を、Ｐ型領域形成位置９では注入マスク用絶縁膜１３に留まり、Ｎ型領域形成位置１１ではＳＯＩ層５に留まる条件で注入する。 - 特許庁

In an n-layer 102, an n-side crystal defect layer 107 formed by ion implantation of a light element is locally formed in stripes extending in a vertical direction in Fig.1(b).例文帳に追加

ｎ^−層１０２中には、軽元素のイオン注入によって形成されたｎ側結晶欠陥層１０７が、図１（ｂ）における上下方向に延びたストライプ状に局所的に形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device capable of satisfactorily removing an organic material such as a resist used as a mask at the time of ion implantation without giving damage to a substrate.例文帳に追加

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストなどの有機物を良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, an n-type region 4 and a p-type region 5 are formed by an ion implantation method to form a photodiode.例文帳に追加

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法によりＮ型領域４およびＰ型領域５を形成してフォトダイオードを形成する。 - 特許庁

In the manufacture of a substrate for fabricating such a semiconductor device, first, a trench is formed in the n-type main semiconductor layer 1, an active layer is formed in the bottom of the trench by ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

このような半導体装置の作成用基板の製造は、まず、ｎ型主半導体層１に、トレンチを形成し、イオン注入および熱処理により、トレンチの底面に活性層を形成する。 - 特許庁

Then high-concentration n-type impurity regions 151 which become parts of bit lines BL are formed on a substrate 10 by performing ion implantation by using regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

次に、ＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入し、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる高濃度Ｎ型不純物領域１５１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high quality semiconductor substrate removing residual defects occurring after annealing after ion implantation and causing no lamination fault regardless of later formation of a silicon epitaxial layer.例文帳に追加

イオン注入後のアニール後に生じる残留欠陥を除去することができ、その後シリコンエピタキシャル層を形成しても積層欠陥を生じない、高品質な半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of ion implantation into the semiconductor wafer W1, a tilting angle θ with respect to a (100)-plane is set to 0° or above and a twisting angle δ with respect to the <011>-direction is set within a range of 45°±5°.例文帳に追加

半導体ウェハＷ１のイオン注入を行う場合、（１００）面に対するチルト角θが０°以上、＜０１１＞方向に対してツイスト角δが４５°±５°の範囲内になるように設定する。 - 特許庁

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing initial defects and damage on an insulation layer caused by an ion implantation.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、イオン注入に起因する絶縁膜の初期欠陥やダメージを低減させて歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To perform impurity implantation into a wafer or the like without performing an erroneous control caused by inaccurate measurement of an ion beam based on decline of the degree of vacuum, defective assembling of a structure or the like.例文帳に追加

真空度の悪化、構造物の組立不良等に基づくイオンビームの不正確な測定による誤った制御を行なわずウェハ等に不純物注入を行うイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To prevent channeling in ion implantation, and to prevent any impurity from damaging an insulating film in a lower layer, and to reduce the increase of the crystal grain diameter of a crystallized amorphous semiconductor film.例文帳に追加

イオン注入におけるチャネリングを回避し、不純物が下層の絶縁膜に損傷を与えるのを防止するとともに、結晶化された非晶質半導体膜の結晶粒径の大粒径化を抑制する。 - 特許庁

To provide a high-reliable nitride semiconductor device which easily and surely obtains a desired concentration distribution of a two-dimensional hole gas without ion implantation, and achieves gentle relaxation of an electric field concentration.例文帳に追加

イオン注入を用いることなく２次元正孔ガスの所期の濃度分布を容易且つ確実に得て、電界集中のなだらかな緩和を実現する高信頼性の窒化物半導体装置を得る。 - 特許庁

To allow reduction of size and power consumption of an analysis electromagnet by reducing a projecting distance of an interconnecting part of a coil, and thereby to allow the reduction of size and power consumption of an ion implantation device.例文帳に追加

コイルの渡り部の張り出し距離を小さくして分析電磁石の小型化および低消費電力化を可能にし、ひいてはイオン注入装置の小型化および低消費電力化を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for performing plasma immersion ion implantation with a highly uniform seasoning film on the interior of a reactor chamber having a wafer support pedestal facing a ceiling, a cylindrical sidewall, and the ceiling.例文帳に追加

シーリングと円筒形側壁とシーリングに面するウエハ支持ペデスタルを有するリアクタチャンバの内部に極めて均一なシーズニング膜を有するプラズマ浸漬イオン注入を行う方法を提供する。 - 特許庁

Since the ion implantation holes 15 of the aluminum film are provided to gates 13 of all transistors independently of a program code, the holes are not subjected to the optical proximity effect.例文帳に追加

どのトランジスターのゲート１３にイオン注入をするかはフォトレジストのイオン注入孔１６で決め、イオン注入する位置・面積を正確に決めるのにアルミニウム膜のイオン注入孔１５を使う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride film which attains improvement in a modulus of activation after ion implantation into the group III nitride film, for a short time while preventing deterioration of a crystal quality.例文帳に追加

III族窒化物膜にイオン注入後の活性化率の向上を、結晶品質の劣化防止しつつ短時間で実現することのできるIII族窒化物膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist removing method and a resist removing apparatus capable of promptly removing a resist formed on the surface of a substrate, even if high-dose ion implantation has been performed on the substrate.例文帳に追加

高ドーズのイオン注入が行われた基板であっても、その基板の表面に形成されているレジストを速やかに除去することができるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device in which ions are implanted and/or a film is formed by using a plasma ion implantation method by which an element other than a target element and coarse particles are excluded.例文帳に追加

プラズマイオン注入をもちいて、目的元素以外の元素および粗大粒子が混入しないイオン注入および／または成膜を行う方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a thin-film polysilicon resistance element of zero or small temperature coefficient and a thin-film polysilicon resistance element of high resistance are formed through ion implantation of boron ions, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ボロンイオンをイオン注入して、温度係数ゼロまたは小さな薄膜ポリシリコン抵抗体や高抵抗の薄膜ポリシリコン抵抗体を形成する半導体装置およびその製造方提供すること。 - 特許庁

A p-type base region 35 to the silicon oxide film 32 formed on the silicon layer 33 is formed by oblique ion implantation from the surface of the silicon layer 33 including the groove 45.例文帳に追加

そして、シリコン層３３に形成されたシリコン酸化膜３２まで到達したＰ型ベース領域３５は、溝４５を含むシリコン層３３の表面からの斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

The heating treatment results in thermal stress due to a difference in thermal expansion coefficient between both substrates 10 and 20, and the chemical bond of silicon atoms in the ion implantation layer 11 is weakened.例文帳に追加

この加熱処理により、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力が生じてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合が弱化する。 - 特許庁

A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３側面に第１の絶縁膜４からなる側壁絶縁膜４１を形成し、ロジック回路領域１２における基板１内に拡散層５をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which productivity is enhanced while reducing the cost by attaining a pn junction conveniently without performing a doping step, e.g. ion implantation, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

イオン注入などのドーピング工程を行うことなく、簡便にｐｎ接合が得られて、生産性の向上及び低コスト化を図れるゲルマニウムを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The analysis electromagnet 200 constituting the ion implantation device is provided with a first internal coil 206, a second internal coil 212, three first external coils 218, three second external coils 224, and a yoke 230.例文帳に追加

イオン注入装置を構成する分析電磁石２００は、第１内側コイル２０６、第２内側コイル２１２、三つの第１外側コイル２１８、三つの第２外側コイル２２４およびヨーク２３０を備えている。 - 特許庁

To provide a forming method of a dual gate electrode, wherein stable silicide film formation can always be made, even if the alignment accuracy of ion implantation mask is finite and increase in wiring resistance can prevented.例文帳に追加

イオン注入マスクの位置合わせ精度が有限であっても常に安定したシリサイド化膜形成ができ、配線抵抗の上昇を防止できるデュアルゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

A first sidewall 15a and a second sidewall are formed on the side face of the gate electrode 3a and used as a mask for forming a heavily doped source-drain region 9 by ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３ａの側面上に第１サイドウォール１５ａと、第２サイドウォールとを形成した後、これをマスクとして用いるイオン注入により、高濃度ソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which is equipped with a mechanism for preventing an obstacle from occurring due to the positive electrification of a substrate, and can implant ions without generating cross- contamination in different kinds of ions.例文帳に追加

基板の正帯電による障害が生じないような構成を備え、しかも異種イオン種間のクロスコンタミネーションが生じないように、イオン注入できるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

After the pre-amorphous step, at least one of the steps of performing an ion implantation of boron into the amorphous region or of converting the amorphous region to a silicide region is performed.例文帳に追加

プレアモルファス工程の後に、前記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程，又は前記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。 - 特許庁

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 - 特許庁

Accordingly, a UBM contact layer 10 including an alumina (Al_2O_3) film damaged by ion implantation and an amorphous aluminum (Al) film in a lower layer is formed in the surface layer of the pad electrode 9a.例文帳に追加

それにより、パッド電極９ａの表面層に、イオン注入により損傷されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜と、その下層のアモルファス化されたアルミニューム（Ａｌ）膜からなるＵＢＭコンタクト層１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。 - 特許庁

To perform ion implantation to a prescribed region in which source/drain regions should be formed precisely with a desired profile by solving the problem of photoresist residue without generating the alignment deviation of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のアライメントずれを生ずることなくフォトレジスト残留の問題を解消し、ソース／ドレイン領域を形成すべき所定の領域に所望のプロファイルで高精度にイオン注入する。 - 特許庁