「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

The hybrid deflector 500 for an ion implantation system is composed of a magnetic deflection module 350 which works to deflect ion beam from a beam axis, an electrostatic deflection module 504 which works to deflect the ion beam from the beam axis, and a controller 304 which, based on one or a plurality of input controlling signals, operates either the magnetic deflection module or the electrostatic deflection module selectively.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入システムのためのハイブリッド偏向器５００は、イオンビームをビーム軸から偏向するように動作する磁気偏向モジュール３５０と、前記イオンビームを前記ビーム軸から偏向するように動作する静電偏向モジュール５０４と、１つまたは複数の入力制御信号に基づいて、前記磁気偏向モジュールと前記静電偏向モジュールの１つを選択的に動作させるコントローラー３０４とを含む。 - 特許庁

An amorphous silicon film 14 whose top 14b is flattened is made by subjecting it to ion implantation shown by the arrow 13, with 0 degrees for incident angle, 20 keV of implantation energy, and 8×1015 atom/cm2, using a large current machine, to the topside of the amorphous silicon film having a recess made in an upper side 8b of an interlayer oxide film 8.例文帳に追加

層間酸化膜８の上面８ｂに形成された凹凸を有する非晶質シリコン膜１１の上面１１ｂに対して、大電流機を用いて注入量８×１０^15ａｔｏｍ／ｃｍ^2 、注入エネルギー２０Ｋｅｖ、入射角０度で矢印１３で示すイオン注入を行うことにより、上面１４ｂが平坦化された非晶質シリコン膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a negative resist material capable of forming a resist pattern suitable for use as a thick film mask when a substrate is subjected to ion implantation or plating and excellent in heat resistance and cross-sectional shape in a short time with good resolution.例文帳に追加

基板にイオン注入やめっき処理を施す場合に、厚膜のマスクとして好適に用いることができ、耐熱性及び断面形状に優れるレジストパターンを、短時間で解像性よく形成しうるネガ型レジスト基材を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method for the stucked wafer adopting the ion implantation peeling method has a process of separating a laminated body 34 of a remaining wafer 38 and the stucked wafer 39 into individual wafers after heat treatment for sticking.例文帳に追加

本発明は、イオン注入剥離法を採用した貼り合わせウェーハの製造方法であって、貼り合わせの熱処理後に、残存ウェーハ３８と貼り合わせウェーハ３９との積層体３４を個別のウェーハに分離する工程に特徴を有する。 - 特許庁

That is, an ion implantation of P and As is performed through an aperture 112A provided in the center of the ring-shaped end part 112 of the gate part 110, whereby the layer 120 of a small size which corresponds to the diameter of this aperture 112A can be formed.例文帳に追加

すなわち、ゲート部１１０の環状の端部１１２の中央開口部１１２Ａを通してＰやＡｓのイオン注入を行うことにより、この開口部１１２Ａの径に対応した小さいサイズのＮ＋層１２０を形成することができる。 - 特許庁

The ion implanting device is equipped with a vacuum preliminary chamber 20 to transfer a wafer 4 between the implantation chamber 10 and the atmospheric side and surface potential measuring devices 80 to measure surface potentials of a wafer 4 in the vacuum preliminary chamber 20 without touching it.例文帳に追加

このイオン注入装置は、注入室１０と大気側との間でウエハ４を出し入れするための真空予備室２０と、真空予備室２０内のウエハ４の表面の電位を非接触で測定する表面電位測定器８０とを備えている。 - 特許庁

The drift layer 2, first gate layer 3, source layer 4, channel layer 7, and second gate layer 8 are formed in an epitaxial layer, and at the same time an n^+ source layer 5 by ion implantation is formed at the surface layer section of the epitaxial layer 4 as a source layer.例文帳に追加

ドリフト層２と第１のゲート層３とソース層４とチャネル層７と第２のゲート層８はエピタキシャル層で形成されるとともに、ソース層とするためのエピタキシャル層４の表層部にはイオン注入によるｎ^+ソース層５が形成されている。 - 特許庁

Since the through hole 31b is such a hole as formed by etching a part in which Ar ion is implanted from a surface, the aperture of the through hole 31b becomes significantly smaller than that of the through hole 31a when the implantation pattern is smaller.例文帳に追加

貫通孔３１ｂは、表面からのＡｒイオン注入された部分がエッチングされて形成された孔であるので、注入パターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくなる。 - 特許庁

With a mask for exposing a cell region CN and a peripheral circuit region RN-1 of the same conductive-type MOS element at the same time held in-between, an ion-implantation process up to a line 40 is performed under the condition suitable for one of these regions.例文帳に追加

同一の導電型MOS素子のセル領域ＣＮと周辺回路領域ＲＮ−１を同時に露出させるためのマスクを介在して、これらのうち一つの領域に適合した条件でライン４０までのイオン注入工程を遂行する。 - 特許庁

A resist mask with a part of a silicon core 132 exposed therefrom is formed, and then, by an ion implantation technology using the resist mask as a mask, a p-type impurity is implanted into a part of the silicon core 132 to form a p-type silicon core 132a on an oxide silicon layer 102.例文帳に追加

一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, in which a cell region is formed as a shallow junctional region by forming a single crystal silicon in a selective epitaxial growth method, and a deep junction region with a uniform depth is formed at the surrounding region in an ion implantation step.例文帳に追加

セル領域は、選択的エピタキシャル成長方法で単結晶シリコン層を形成して浅い接合領域を形成し、周辺領域はイオン注入で均一な深さの深い接合領域を形成した半導体素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that an impurity non-formation region is generated in a region by ion implantation from one direction since a shoulder is generated in an opening shape at a sensor part in terms of machining accuracy when ions are implanted with a vertical transfer electrode as a mask.例文帳に追加

垂直転送電極をマスクにしてイオン注入を行う場合、加工精度上の問題から、センサ部の開口形状にくびれが発生するため、一方向からのイオン注入ではこの領域に不純物未形成領域が発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device, where a parasitic diode whose anode is an ion implantation resistor and whose cathode is an epitaxial region will not occur even if the power voltage is different, and moreover which operates so that a startup sequence circuit can be dispensed with at the outside.例文帳に追加

電源電圧が異なっていてもイオン注入抵抗をアノード、エピタキシャル領域をカソードとする寄生ダイオードが生じず、且つ、外部にて立ち上げ順序回路が不要となるように動作する半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of minimizing the occurrence of defect due to impurity ion implantation at the boundary of an active region and an isolation film beneath the gate electrode of a transistor constituting a CMOS image sensor, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを構成するトランジスタのゲート電極の下のアクティブ領域と素子分離膜間の境界で不純物イオン注入による欠陥発生を最小化できるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which performs ashing processing for a resist film which is cured after high concentration ion implantation under a vacuum at a higher temperature without a popping phenomenon, and therefore does not cause a scattered residue of a degeneration layer etc.例文帳に追加

高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal doped titanium oxide particulate having photocatalyst activity even in the visible light range with a higher production efficiency and more easily compared with conventional methods such as the sol-gel method, the solid-state reaction method, the ion-implantation method or the like.例文帳に追加

ゾルゲル法、固相反応法、イオン注入法などの従来の方法に比べて生産効率が高く、かつ容易に可視光線の領域でも光触媒活性を有する金属ドープ酸化チタン微粒子を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。 - 特許庁

The periphery of a piezoelectric monocrystal substrate is fixed by a fixing tool, hydrogen ions are then implanted to form an ion implantation layer in the piezoelectric monocrystal layer, and an insulating film is formed thereafter on any other surface of the piezoelectric monocrystal substrate than the portions fixed by the fixing tool.例文帳に追加

圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a base material for carbon nanotube production, in which growth nuclei of a catalytic element are formed while using an ion implantation method, a method for producing carbon nanotubes using the base material, a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

And, by applying the ion implantation method using the ring-shaped gate electrode 35 as a mask, arsenic is injected with high concentration into the surface n^+ layer 90 and the p^+ type region 89 through the LDD side spacer 91 to form an n^+ type source region 36.例文帳に追加

そして、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ＬＤＤサイドスペーサ９１を通して表面ｎ^+層９０及びｐ^+型領域８９内にひ素を高濃度で注入し、ｎ^+型のソース領域３６を形成する。 - 特許庁

A channel area 17 bonded to a source area 16 wherein the impurity concentration of the depth direction is made almost constant is formed outside a trench 13 in a well area 12 across the whole side wall of the trench 13 by oblique ion-implantation.例文帳に追加

ウェル領域１２内の、トレンチ１３のすぐ外側に、ソース領域１６に接合し、かつ深さ方向の不純物濃度がほぼ一定であるチャネル領域１７を、斜めイオン注入により、トレンチ１３の側壁全面にわたって形成する。 - 特許庁

A device like this is provided by performing ion-implantation, for example of boron, with an amorphous silicon film 3, and then patterning to form island-like semiconductor films 4a and 4b, and selectively implanting, for example, boron or phosphorous into either of them.例文帳に追加

このような装置は、非結晶シリコン膜３に例えばボロンのイオン注入を行った後、パターニングして島状の半導体膜４ａ、４ｂを形成し、いずれか一方に選択的に例えばボロン又はリンを注入することで得ることができる。 - 特許庁

To provide: a gas control device capable of preventing gas from rushing into a chamber where a mass flow controller is securely in a completely closed state at time of an open processing; a method of controlling the gas control device; and an ion implantation device using them.例文帳に追加

開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a means for preventing a semiconductor device, etc. from being damaged when a front surface of a semiconductor wafer is held by an electrostatic chuck and an ion implantation is performed from a rear surface, and for enhancing a production yield of the semiconductor device formed on the semiconductor wafer.例文帳に追加

静電チャックにより半導体ウェハのおもて面を保持して裏面からのイオン注入を行う場合の半導体素子等の損傷を防止して半導体ウェハに形成した半導体素子の歩留りを向上させる手段を提供する。 - 特許庁

To make it possible to perform satisfactory magnetic recording to recording areas in a main magnetic film in a magnetic recording medium in which a magnetic pattern is formed by ion implantation, its manufacturing method and a magnetic recording and reproducing apparatus.例文帳に追加

本発明はイオンイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録再生装置に関し、主磁性膜内の記録領域に対する良好な磁気記録を可能とすることを課題とする。 - 特許庁

After forming a photoresist layer 18, first ion implantation is performed from a first direction, indicated by an arrow A' toward a first corner section 14C1 inside a gate electrode 14, by using the photoresist layer 18 and the gate electrode 14 as masks.例文帳に追加

ホトレジスト層１８を形成した後に、ホトレジスト層１８及びゲート電極１４をマスクとして、Ａ’の矢印で示された第１の方向からゲート電極１４の内側の第１のコーナー部１４Ｃ１を臨んで第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

To reduce particles produced on a surface of a semiconductor wafer and its vicinity by displacing concentration of stress that is generated in a semiconductor wafer due to a centrifugal force during ion implantation, to a rear side from a center line of the semiconductor wafer in the thickness direction.例文帳に追加

イオン注入時の遠心力により半導体ウェーハに発生する応力集中を、半導体ウェーハの厚さ方向の中心線より裏面側にずらすことにより、半導体ウェーハの表面及びその近傍に発生するパーティクルを低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents punch-through of ion implantation for making amorphous layers prior to the formation of silicide films, and reduces sheet resistance in source/drain areas and a gate electrode in the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、シリサイド膜の形成に先立つ非晶質化のためのイオン注入の突き抜けを防止しつつ、ソース／ドレイン領域及びゲート電極のシート抵抗を低減しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the silicon wafer includes a process S11a for preparing a silicon substrate 11 and an ion implantation process S13a for implanting ions to the silicon substrate 11 by dose of 1×10^13 to 3×10^14 atoms/cm^2.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１ａと、シリコン基板１１に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入工程Ｓ１３ａとを備える。 - 特許庁

After forming a wiring/heater pattern composed of a conductive layer and including a plurality of heaters for heating ink and a plurality of wiring on a silicon substrate, the wiring and/or the resistance of the heater are/is adjusted by the ion implantation.例文帳に追加

本発明は，シリコン基板に一つの導電体層よりなる，インクを加熱するための複数のヒータと複数の配線を含む配線/ヒータパターンを形成した後に，イオン注入により配線及び／またはヒータの抵抗をそれぞれ調節する。 - 特許庁

Further, by performing the above step concurrently with ion implantation for threshold voltage adjustment of the MOS transistor, the manufacturing method of the semiconductor device is provided for suppressing an increase in man-hours, with high accuracy, low cost and short TAT.例文帳に追加

さらに、上記工程をMOSトランジスタの閾値電圧調整用イオン注入と同時に行なうことにより、工程数の増加を抑えるとともに高精度かつ低コストで短TATな半導体装置の製造方法を提供することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SIMOX wafer by which roughness of the SOI surface or the like stays equal or is improved even when annealing treatment is performed at low temperature in a short time, by implanting predetermined doses of hydrogen ions either before or after oxygen ion implantation.例文帳に追加

酸素イオン注入の前後いずれかで、所定ドーズ量の水素イオンを注入することにより、低温短時間でアニール処理したとしても、SOI表面等のラフネスを同等以上に改善できるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, by using the gate electrode 103 and the first sidewall spacer 1-5 as a mask, ion implantation is conducted to form the heavily-doped region 106, and thereafter a second sidewall spacer 108 is formed on the first side wall spacer 105.例文帳に追加

次に、ゲート電極１０３及び第１のサイドウォールスペーサ１０５をマスクとしてイオン注入を行なって高濃度不純物領域１０６を形成した後、第１のサイドウォールスペーサ１０５上に第２のサイドウォールスペーサ１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing an increase in leakage current to thereby improve effective voltage resistance, and also easy to be manufactured without using special ion implantation or epitaxial regrowth, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

リーク電流が増大するのを防止することができ、よって、実効的な耐圧を向上させることができ、しかも、特殊なイオン注入やエピタキシャル再成長を用いることなく、製造が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The impurity ion implantation 180 is performed with a second concentration higher than the first in order to form a source/a drain in the semiconductor substrate 110 with the gate structures 120, the first insulation spacers142 and the second insulation spacers 148a serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０、第１絶縁スペーサ１４２及び第２絶縁スペーサ１４８ａをマスクとして前記半導体基板１１０にソース／ドレーンを形成するために第１濃度より高い第２濃度で不純物イオン注入１８０を行う。 - 特許庁

After a step of forming a gate electrode 3 of a MOS transistor, a silicon oxide film 2 having a film thickness of 400 nm or more is formed on the whole surface of a wafer, and ion implantation 6 is performed through the silicon oxide film 2 to form an offset drain region.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極３形成工程後に、膜厚が４００ｎｍ以上のシリコン酸化膜２をウェハ全面に形成し、シリコン酸化膜２上からイオン注入６をすることによりオフセットドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The distance dr, between a resist 18 and an element region 8 provided with an exposed surface, is decided based on the height Hr between the bottom surface of an embedded insulation layer 17 and the surface of the resist 18, thickness Hs of the embedded insulation layer 17, and ion implantation angle θ.例文帳に追加

レジスト１８と露出面を備えた素子領域８との距離ｄｒが、埋め込み絶縁層１７の底面からレジスト１８の表面までの高さＨｒと埋め込み絶縁層１７の厚さＨｓとイオン注入の角度θとで決められる。 - 特許庁

Diffused layers 4 are formed on each side of the control gate 3 on the silicon substrate 1 through ion implantation to serve as a source region and a drain region for the formation of a memory transistor, and thus a MONOS- type semiconductor nonvolatile memory device is fabricated.例文帳に追加

コントロールゲート３の両側の部分のシリコン基板１に、イオン注入によりソース領域およびドレイン領域としての拡散層４を形成してメモリトランジスタを形成し、ＭＯＮＯＳ型半導体不揮発性記憶装置を製造する。 - 特許庁

To solve the problem that the body region of a MOSFET is formed through oblique ion implantation from one direction, and the body region after diffusion is not homogeneously formed, and an avalanche resistance is weak, and the variations increase, because a low concentration region (laterally asymmetric in the sectional structure) is formed partially.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのボディ領域は、一方向からの斜めイオン注入により形成しており、拡散後のボディ領域が均一に形成されず、部分的に（断面構造において左右非対称となる）低濃度領域が形成されてしまう。 - 特許庁

An N-type impurity having a high concentration is ion-implanted to a P-type region 11 with a field oxide film 12 formed on the P-type region 11 having a low impurity concentration as an implantation mask, and an N-type region 14 having a high impurity concentration is formed.例文帳に追加

低不純物濃度のＰ型領域１１上に形成されたフィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に高濃度のＮ型不純物をイオン注入し、高不純物濃度のＮ型領域１４を形成する。 - 特許庁

To enhance positional accuracy of impurity implanted regions to contrive a high integration of the regions and also to reduce the number of processes in the manufacturing method of a semiconductor device to contrive reduction of the cost of manufacturing of the device by forming regions of different ion implantation depths in one process.例文帳に追加

イオン注入の深さが異なる不純物注入領域を１回の工程で行うことのよって、不純物注入領域間の位置精度を高めて高集積化を図るとともに、工程数を削減して製造コストの低減を図る。 - 特許庁

An oxide layer 12 is grown on a board 10 and patterned using a first resist as a mask, a tunnel part 24 is etched to expose a part of the board 10 located under the tunnel part 24, an ion-implanted region 18 is formed inside the board 10 by implantation of nitrogen ions, and then the resist is removed.例文帳に追加

基板１０上に酸化物層１２を成長させ第１レジストでパターニングしてトンネル部２４をエッチングして基板を露呈し、窒素イオンを注入して基板１０にイオン注入領域１８を形成した後レジストを除去する。 - 特許庁

Then a second drain region 16 used also for a drift region is formed in a way of self-alignment to the gate electrode 19 along the side wall of the trench through ion implantation of n-type impurities while using the gate electrode 19 for part of a mask.例文帳に追加

そして、このトレンチの側壁に沿って、ドリフト領域を兼ねる第２のドレイン領域１６を、ゲート電極１９をマスクの一部に用いたｎ型不純物のイオン注入により、ゲート電極１９に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that separates, when manufacturing a piezoelectric compound substrate through smart-cutting, even if an ion implantation layer is formed while fixing the piezoelectric substrate at some places around the piezoelectric substrate using a fixing tool, a piezoelectric thin film from the piezoelectric substrate without fail.例文帳に追加

スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁