「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device in which a leak electrode between a back electrode formed in a via hole and the electrode of an adjacent semiconductor element is reduced by ion implantation, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

バイアホール内に形成した裏面電極と隣接半導体素子の電極との間のリーク電極をイオン注入法により低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The inventive structure comprises a silicon substrate 10, a doped glass layer 30 formed thereon by ion implantation, and a thin silicon layer 32 formed on the doped glass layer 30.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１０、イオン注入によりシリコン基板１０上に形成されたドープ・ガラス層３０、およびドープ・ガラス層３０の上部に形成された薄いシリコン層３２を含む構造を提供する。 - 特許庁

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。 - 特許庁

An ion implantation region 9 for electrically insulating and isolating the semiconductor operation layers (channel layer 3 and electron supply layer 4) on the silicon substrate 1 into a plurality of semiconductor operation layers is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上の半導体動作層（チャネル層３と電子供給層４）を複数の半導体動作層領域に電気的に絶縁分離するイオン注入領域９が形成されている。 - 特許庁

Bias dependence is in the range of 0.3-0.5 %/V when the polysilicon is not doped with ions and it can be enhanced to 0.01-0.03 %/V through ion implantation.例文帳に追加

ポリシリコンにイオン注入を行わない場合はバイアス依存性が０．３〜０．５％／Ｖであるのに対して、イオン注入を行うことによってバイアス依存性を０．０１〜０．０３％／Ｖに向上することができる。 - 特許庁

Here, the ion-implantation is performed through the partitioning insulation film 105 and gate insulation film 103 using the first gate electrode element 104 as the mask to form an impurity region 111 to a semiconductor layer 102.例文帳に追加

第１ゲート電極要素１０４をマスクとして仕切絶縁膜１０５、ゲート絶縁膜１０３を通してイオン注入を行って、半導体層１０２に不純物領域１１１を形成する。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

When an element 21, a Hall element, is formed on a slope 16a having a large step, an n-type impurity ion is implanted on the whole surface of the substrate 12 from an oblique direction in parallel with or having a sharp angle β° with the slope 16a by the use of the oblique ion implantation.例文帳に追加

段差の大きな斜面１６ａ上にホール素子であるエレメント２１を形成する際に、斜めイオン注入法を用い、斜面１６ａに対して平行か又は鋭角の角度β゜を成すように斜め方向から、基板１２全面にＮ形不純物イオンを注入する。 - 特許庁

When the predicted destruction rate of the charge-up evaluation element exceeds a threshold set beforehand, a judgment part 22 adjusts the ion beam shape to make a destruction rate of the charge-up evaluation element not more than the threshold through a device controller 12 for controlling ion implantation in the above corresponding relation.例文帳に追加

予測されたチャージアップ評価素子の破壊率が予め設定された閾値を超えた場合、判定部２２は、イオン注入を制御する装置コントローラ１２を介して、上記対応関係において、チャージアップ評価素子の破壊率が前記閾値以下となる状態にイオンビーム形状を調整する。 - 特許庁

When there are the data that coincide with the ion implantation condition in the adjustment target setting data, the adjustment target of the beam current density of at least one of the respective ribbon-like ion beams is set using the value of a beam current read from the adjustment target setting data.例文帳に追加

調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも１本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。 - 特許庁

Next, in order to further reduce impurities such as moisture or hydrogen in the oxide semiconductor film, oxygen is added to the oxide semiconductor film by an ion implantation method, an ion doping method, or the like, and a second heat treatment is performed in the state where the oxide semiconductor film is exposed.例文帳に追加

次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 - 特許庁

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed.例文帳に追加

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

In a Monte Carlo simulation calculating process of an ion implantation process, when scattering of a cluster-type molecular ion consisting of ten or more atoms is calculated by the Monte Carlo method, a travelling direction of decomposed individual atom is defined in a uniform random direction spatially at decomposition processing of the cluster-type molecule.例文帳に追加

イオン注入プロセスのモンテカルロシミュレーション計算過程において、１０個以上の原子からなるクラスター型分子イオンのモンテカルロ法による散乱を計算する場合に、クラスター型分子の分解処理の時に、分解した個々の原子の進行方向を空間的に一様ランダムな方向に決定する。 - 特許庁

The primary reforming processing is carried out successively, on the preliminary reforming process; second ion implantation is performed with energy higher than that of the first ion injection to reform the organic SOG film to the target depth; and thus a lower reformed SOG film 52d is formed below the upper reformed SOG film 52u.例文帳に追加

予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma ion implantation which avoids a phenomenon in that the fall of the voltage of the high voltage pulse applied to a base material is damped by the load impedance of the base material, and in which generation of damages such as sputtering on the base material is prevented, the plasma ion is correctly implanted, and the diversified kinds of plasma are applied to.例文帳に追加

基材に印加する高電圧パルスの電圧の立ち下がりが、基材の負荷インピーダンスのために減衰する現象を回避して、基材にスパッタリングなどの損傷が生ずるのを防止し、プラズマイオンの的確な注入と、多様なプラズマ種への対応を図る。 - 特許庁

To optimize an antireflection film for use, when patterning a resist for use in an ion implantation step and enhance throughput in the manufacture of a semiconductor device, containing a step of ion-implanting impurities in a region selected by the use of a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを使用して選択された領域に不純物をイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、イオン注入工程において使用されるレジストをパターニングする際に使用される反射防止膜の最適化を図るとともに、スループットを向上すること。 - 特許庁

Next, for further reducing the impurities such as moisture or hydrogen in the oxide semiconductor film, after oxygen is added to the oxide semiconductor film by an ion implantation method, an ion doping method, or the like, second heat treatment is performed again with the oxide semiconductor film exposed.例文帳に追加

次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation method or the like, by which a plurality of implantation regions having different level of dose each other on the surface of a substrate are formed without forming regions of excess level of dose, and a width of a transient region of dose can be narrowed while preventing the decrease in the beam current, and additionally, the control operation is simple.例文帳に追加

一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided.例文帳に追加

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a device and a method for treating substrate, by which a resist (particularly, a resist having a cured layer formed on its surface by ion implantation) formed on the surface of a substrate can be removed satisfactorily, without giving damages to the oxidized film formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に形成されているレジスト（とくに、イオン注入によって表面に硬化層が形成されているレジスト）を、基板表面の酸化膜などにダメージを与えることなく良好に除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can reduce a region, where ions can not be implanted by an oblique ion implantation method because the shadow of a block layer falls on the region, and can improve the integration rate of a semiconductor chip.例文帳に追加

斜めイオン注入工程においてブロック層の影となってイオン注入できない領域を低減でき、半導体素子の集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The taper angle of the tapered mask 9 is set to 30 to 60° when the material of the tapered mask 9 has the same range as SiC does in ion implantation, and is set to 20 to 45° when the material of the tapered mask is SiO_2.例文帳に追加

また、テーパ形状の同一マスク９の材料として、イオン注入の飛程がＳｉＣと同じ材料を用いた場合、マスク９のテーパ角度を３０°〜６０°とし、ＳｉＯ_２を用いた場合、２０°〜４５°とする。 - 特許庁

After a heat storage layer 2 is formed on a heater substrate 1, i.e., a silicon substrate, a heating element layer is formed of polysilicon followed by formation of high and low resistance regions 3a, 3b by ion implantation.例文帳に追加

ヒータ基板１となるシリコン基板上に蓄熱層２を形成後、多結晶シリコンにより発熱抵抗体層を形成し、イオン注入法等で高抵抗領域３ａと低抵抗領域３ｂを形成する。 - 特許庁

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41.例文帳に追加

ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。 - 特許庁

First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加

ｐ型ベース層２４をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第１および第２スペーサ層３１，３２を用いることによって、ｐ型ベース層２４をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁

An angle (a tilt angle θ, a twist angle) of an implantation of an amorphous ion 107 before silicide is limited, and the surface of a trench 402 which is easily shaded when ions are implanted for making amorphous is uniformly made amorphous.例文帳に追加

シリサイド前の非晶質化イオン１０７の注入の角度（チルト角θ、ツイスト角）に制限を設け、非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝４０２の表面を均一に非晶質化する。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

At this point, an impurity ion implantation treatment for forming the second source-drain region 7 is a treatment for changing a concentration of an implanted impurity according to a result of the resistance value of the impurity region 5p.例文帳に追加

ここで、当該第二のソースドレイン領域７を形成するための不純物イオン注入処理は、上記不純物領域５ｐの抵抗値の結果に応じて、注入される不純物の濃度を変化させる処理である。 - 特許庁

The method disclosed includes (i) ion implantation to create a thin amorphization layer, (ii) deposition of a high stress film on the amorphization layer, (iii) a thermal anneal to recrystallize the amorphization layer, and (iv) removal of the high stress film.例文帳に追加

（ｉ）薄いアモルファス化層を生成するためのイオン注入と、（ｉｉ）アモルファス化層上への高応力膜の堆積と、（ｉｉｉ）アモルファス化層を再結晶させるための熱アニールと、（ｉＶ）高応力膜の除去とを含む。 - 特許庁

In a semiconductor device having a SiGe HBT part, a high-density base region based on ion implantation of a depth which does not reach the collector region is formed on an external base portion of the HBT portion.例文帳に追加

本願発明は、ＳｉＧｅ系ＨＢＴ部を有する半導体装置において、ＨＢＴ部の外部ベース部に、コレクタ領域に達しない深さのイオン打ち込みによる高濃度ベース領域が形成されているものである。 - 特許庁

After each ion implantation, quick heat treatment is performed wherein the temperature of the semiconductor substrate 11 is increased up to about 850-1050°C at the temperature-up rate of about 200°C/s, and the peak temperature is kept for 10 seconds at maximum.例文帳に追加

各イオン注入の後には、半導体基板１１を、約２００℃／秒の昇温レートで且つ８５０℃〜１０５０℃程度にまで昇温し、ピーク温度を最大で１０秒間程度保持する急速熱処理を行なう。 - 特許庁

Thermal impact, vibration impact or mechanical impact is given to the ion implantation layer 11 weakened by the heat treatment from the outside, so as to peel off a silicon thin film and to obtain an SOI layer 12 on the quartz substrate 20.例文帳に追加

この熱処理で弱化された状態のイオン注入層１１に、熱衝撃、振動衝撃、あるいは機械的衝撃を外部から付与してシリコン薄膜を剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を得る。 - 特許庁

A second thin gate oxide film that is formed on a semiconductor substrate 10 in a second region goes through the elimination of a through oxide film 20 after ion implantation and a formation process of the gate oxide film only once.例文帳に追加

第２領域における半導体基板１０に形成された膜厚の薄い第２ゲート酸化膜は、イオン注入後のスルー酸化膜２０の除去、およびゲート酸化膜の形成工程を１度しか経ない。 - 特許庁

Since the regions 36A can be formed thin and the openings 8 can be made fine in size due to low-energy ion implantation, the p-type regions A constituting the channel stop regions 40A can be made fine in size.例文帳に追加

第２のフォトレジスト層６は、イオン注入エネルギーが低いため、薄く形成してよく、微細な開口部８を形成できるため、チャンネルストップ領域４０Ａを成すｐ型領域３６Ａを微細化することができる。 - 特許庁

Since well ion implantation can be carried out prior to the gate formation, sacrificial oxide growth and the exposure of STI oxide due to the removal can be prevented and an excessive recess in the STI structure can be eliminated.例文帳に追加

ゲート形成前にウェル・イオン注入を実行することができ、それにより、犠牲酸化物成長および除去に対するＳＴＩ酸化物の露出を防止し、ＳＴＩ構造内の過剰な凹部を解消する。 - 特許庁

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage.例文帳に追加

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

Consequently, since B, which is a p-type dopant, and C for filling C holes can be positioned close to each other from immediately after the ion implantation, B can be replaced fully, even when a little amount of C is implanted.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントであるＢとＣ空孔を埋めるためのＣとがイオン注入直後から近接した場所に位置するようにできるため、Ｃの注入量が少なくても十分にＢの置換が行われる。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域２９の不純物濃度を、同一基板１上に集積される微細ＣＭＯＳデバイスのＮ−ＬＤＤ領域３１と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁

The stress relaxing treatment is an ion implantation 12 to the nitride film 11 to be a wet etching stop layer, before opening capacitance contacts 7 for connecting the charge storing lower electrode 14 to the diffused layer region 2.例文帳に追加

応力緩和処理は、電荷蓄積用下部電極１４と拡散層領域２を接続する容量コンタクト７の開口に先立ち、ウェットエッチングストップ層となる窒化膜１１に、イオン注入１２を行う処理である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein an etching height is not varied by a change in an etching speed due to ion implantation to an element isolation insulating film when forming a CMOS having an STI type element isolation structure.例文帳に追加

ＳＴＩ型の素子分離構造を有するＣＭＯＳを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By having ion implantation in a substrate having the passivation layer 112, an ROM code programming step is conducted.例文帳に追加

そして、このパッシベーション層１１２を選択的に食刻してボンディングパッドを露出する工程を実行してから、パッシベーション層１１２が形成された基板にイオン注入を実行することでＲＯＭコードプログラミング工程を行う。 - 特許庁

The piezoelectric body 20 is heated, the piezoelectric body 20 is separated at the ion implantation layer 22, and a piezoelectric body film structure 10t for which a piezoelectric body film 24 separated from the piezoelectric body 20 and the insulator 34 are bonded is formed.例文帳に追加

圧電体２０を加熱して圧電体２０をイオン注入層２２で分離して、圧電体２０から分離された圧電体膜２４と絶縁体３４とが接合された圧電体膜構造体１０ｔを形成する。 - 特許庁

The graphite member for the internal member of the beam line of the ion implantation apparatus has a bulk density of 1.80 Mg/m^3 and an electric resistivity of 9.5 μΩm.例文帳に追加

イオン注入装置に用いるための黒鉛部材であって、かさ密度が１．８０Ｍｇ／ｍ^３以上であり電気抵抗率が９．５μΩ・ｍ以下であるイオン注入装置のビームラインの内部部材用の黒鉛部材。 - 特許庁