「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optimal method for manufacturing an optical device substrate having a β-FeSi_2 layer on its surface by introducing Fe atoms on an SOI substrate using the ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上にイオン注入法でＦｅ原子を導入し、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を有する光デバイス基板を製造するための最適の方法を提供すること。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

The preliminary reforming processing is carried out to reform the organic SOG film by first ion implantation to an intermediate depth shallower than the target depth, and thus an upper reformed SOG film 52u is formed.例文帳に追加

まず、予備改質工程が行われ、目的深さより浅い中間深さまで有機ＳＯＧ膜を第１のイオン注入により改質し、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which ion implantation is conducted before the silicide process and leak current in MISFET can be controlled more reliably.例文帳に追加

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置およびその製造方法であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。 - 特許庁

Then, the oxide film 120 is selectively etched using a N well-ion-implantation mask, and a region key and a first alignment key are formed in the scribe lane region 111 simultaneously.例文帳に追加

次に、Ｎウェルイオン注入マスクを利用して前記酸化膜１２０を選択的にエッチングし、前記スクライブレーン領域１１１に領域キー及び第１整列キーを同時に形成する。 - 特許庁

By conducting wet etching to the oxide film 2, after performing ion implantation to the oxide film 2 on the primary surface of the silicon single-crystal substrate 1, the pattern opening 2a is formed.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１の主表面上の酸化膜２に対しイオン注入を行った後、該酸化膜２をウェットエッチングすることにより、パターン開口部２ａを形成する。 - 特許庁

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like.例文帳に追加

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。 - 特許庁

Thus, respective originally required processes for forming one of the extraction electrode and the isolation layer (resist formation, its opening pattern formation and ion implantation, etc., for instance) can be omitted.例文帳に追加

このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程（例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等）が省略できる。 - 特許庁

With the gate electrode 106 as a mask for impurity ion implantation, a plurality of doped regions which self-align in correspondence with the group of slits 107 are formed in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極１０６を不純物イオンの注入マスクとして、半導体基板１中に、スリット群１０７に対応して自己整合する複数の不純物注入領域を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing apparatus includes a load lock chamber 105, a transport assembly 125 in the load lock chamber, and an airtight ion implantation target chamber 120 connected to the load lock chamber.例文帳に追加

半導体デバイス製造装置は、ロードロックチャンバ１０５と、ロードロックチャンバ内の搬入アセンブリ１２５と、ロードロックチャンバに気密封止して連結されたイオン注入ターゲットチャンバ１２０とを含む。 - 特許庁

To provide the method for producing a photocatalyst effectively exhibiting the function even in visible ray region without using a special equipment such as an ion implantation device.例文帳に追加

可視領域でも有効に機能を発現する光触媒を、イオン注入装置のような特殊な設備を使用することなく製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Ions of at least one of oxygen(O), silicon(Si) and carbon(C) are introduced into the vicinity of a bottom in the non-defect layer 13 by ion implantation to form a gettering region 14.例文帳に追加

無欠陥層１３内の底部付近に、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つをイオン注入によって導入することで、ゲッタリング領域１４を形成する。 - 特許庁

To provide the transistor of a semiconductor element for which an oxygen ion implantation layer is formed at the lower part of an LDD region, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ＬＤＤ領域の下部に酸素イオン注入層が形成された半導体素子のトランジスタ及びその製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To improve carrier transfer capability and carrier implantation by applying doping without generating an ion current in a liquid crystal compound having high carrier mobility in an organic electroluminescence element.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア移動度の高い液晶化合物に、イオン電流を発生させることなくドーピングを施してキャリア輸送能及びキャリア注入性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an ion implanter capable of implanting ions to a plurality of substrates at one time and improving uniformity of implantation volume distribution in a surface of each substrate.例文帳に追加

複数枚の基板に一括してイオン注入を行うことができ、しかも各基板の面内における注入量分布の均一性を良くすることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

In the beam deflection scanning device to be applied for a beam treatment device such as an ion implantation device, a pair of scanning electrodes 21A, 21B are provided to face each other with a beam orbit in between.例文帳に追加

イオン注入装置等のビーム処理装置に適用されるビーム偏向走査装置において、ビーム軌道を間にして対向し合うように一対の走査電極２１Ａ、２１Ｂを配置する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERING METHOD TO INNER PERIPHERAL SURFACE SIDE OF CYLINDRICAL BODY AND AND APPARATUS THEREFOR AND COATING METHOD USING SPUTTERING METHOD AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置並びに筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたコーティング法及びその装置 - 特許庁

The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon.例文帳に追加

この製造方法は、シリコンを主成分とするエミッタ１８の形成後に少なくともエミッタ１８の先端部に炭素イオン４０を注入するイオン注入工程を備えている。 - 特許庁

Ions are implanted from the flat surface 20a of a piezoelectric body 20 to form an ion implantation layer 22 in a region of a prescribed depth from the surface 20a inside the piezoelectric body 20.例文帳に追加

圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating the surface of a base material, which can uniformly deposit a film on a base material having a large surface area by sputtering and reform the surface of the base material by plasma ion implantation.例文帳に追加

面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a.例文帳に追加

第１のスペーサ膜１５形成前に、コントロールゲート１３をマスクとしてｎ型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域１４ａを形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed.例文帳に追加

ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。 - 特許庁

Further, a buried collector layer 103 is formed by ion-implanting (151) second conductivity second impurities to the semiconductor single crystal substrate 100 in a direction having an inclined angle to the normal line direction of the principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100, with an implantation energy higher than that in the ion implantation process of the first impurities.例文帳に追加

また、半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に対して傾斜角度を持つ方向に沿って半導体単結晶基板１００に、前記第１不純物のイオン注入処理における注入エネルギーよりも高い注入エネルギーで、第２導電型の第２不純物をイオン注入（１５１）することにより埋め込みコレクタ層１０３を形成する。 - 特許庁

The entire or partial first charge storage capability of the second gate charge storage layer 22b' subjected to ion implantation using fluorine gas and/or hydrogen-based gas is smaller than the entire or partial second charge storage capability of the second gate charge storage layer 22b' before ion implantation using fluorine gas and/or hydrogen-based gas is executed.例文帳に追加

フッ素系ガスおよび／または水素系ガスを用いるイオン注入が実施された前記第２のゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の全部または一部の第１の電荷蓄積能力は、フッ素系ガスおよび／または水素系ガスを用いるイオン注入が実施される前の前記第２のゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の前記全部または前記一部の第２の電荷蓄積能力より低い。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method.例文帳に追加

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。 - 特許庁

To provide an ion implanter and an ion implantation method effective in preventing the generation of particles or a scratch to a substrate surface conventionally being generated when the temperature of the substrate rises and temperature distribution is generated to deform the substrate.例文帳に追加

基板温度が上昇し、また温度分布が発生して基板が変形するようなことがあった場合にも従来発生していたパーティクルの発生あるいは基板面への傷の発生を防止するに有効なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

In the inventive ion implantation method, CmHy^+ ions (m is an integer of 4≤m≤6, y is an integer of 1≤y≤2m+2) are generated using a raw material for ion generation represented by CnHx(n is an integer of 4≤n≤6, x is an integer of 1≤x≤2n+2).例文帳に追加

本発明のイオン注入方法では、ＣｎＨｘ（ｎは４≦ｎ≦６の整数、ｘは１≦ｘ≦２ｎ＋２の整数）で表されるイオン生成用原料を使用し、ＣｍＨｙ^＋イオン（ｍは４≦ｍ≦６の整数、ｙは１≦ｙ≦２ｍ＋２の整数）を生成する。 - 特許庁

To improve reduction of half-width (θ//) in the horizontal direction of a far field pattern by current flow, in an AlGaAs based ion implantation type gain guide laser light emitting device which is formed by using a so-called off substrate.例文帳に追加

いわゆるオフ基板を使用して形成されるＡｌＧａＡｓ系イオン注入型ゲインガイドレーザ発光装置における、通電による遠視野像の水平方向の半値幅(θ//)の減少の改善を図る。 - 特許庁

To charge electric charges to a diaphragm (rear pole plate) provided in a condenser microphone, that is, a thin film of a polymer substance on both sides of which a conductive substance is vapor-deposited by means of corona discharge and ion implantation.例文帳に追加

本発明はコロナ放電とイオン注入にコンデンサマイクロホンに設けた振動板（背極板）、すなわち、両面に電導性物質が蒸着した高分子物質の薄膜フィルム中に電荷を帯電する。 - 特許庁

This method forms a counter doped portion by using a standard technique such as ion implantation and bringing a high-mobility channel close to the counter doped portion without reducing a mobility.例文帳に追加

この方法により、イオン注入などの標準技術を用いてカウンタ・ドープ部を形成することができ、さらに、移動度を劣化させずに高移動度チャネルをカウンタ・ドープ部に近接させることができる。 - 特許庁

An arithmetic unit 34 computes data on a dosage of ion implantation for uniforming a threshold voltage in the wafer surface on the basis of a distribution of gate lengths measured by the measuring units in the wafer surface.例文帳に追加

演算装置３４は、測定装置により測定されたゲート長のウェハ面内の分布に基づき、ウェハ面内における閾値電圧を均一化するためのイオン注入のドーズ量のデータを演算する。 - 特許庁

The stack structure body further has a current confining region 28 in which ion is implanted, and peak implantation concentration portion is estranged by a distance longer than 0.5μm in longitudinal direction from the cavity region 12.例文帳に追加

スタック構造体は、イオン注入された電流閉じ込め領域〔２８〕を更に有し、ピーク注入濃度部が、空洞領域〔１２〕から長手方向に０．５μｍよりも長い距離だけ離間する。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor substrate 1 is prepared and along with impurity ion-implantation in the substrate 1, the impurities are diffused in the substrate 1 to form P-type and N-type diffused layers 3 and 4 in the substrate 1.例文帳に追加

単結晶の半導体基板１を用意し、半導体基板１に不純物をイオン注入する共に、不純物を拡散させてｐ型拡散層３及びｎ型拡散層４を形成する。 - 特許庁

The resist mask 7 is removed, heat treatment is carried out for 3 hours at 1,100°C, for example, in hydrogen atmosphere and a part of the gate insulating film 5 in a part where the bonding of element is weak through ion implantation is reduced.例文帳に追加

レジストマスク７を除去し、水素雰囲気中で例えば１１００℃で３時間の熱処理を行い、イオン注入され元素の結合が弱い部分のゲート絶縁膜５の一部を還元する。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a gate oxide film due to threshold ion implantation damage in a semiconductor device incorporating a mask ROM that is composed by two kinds MOS transistors with high and low thresholds.例文帳に追加

高低2種類のしきい値のＭＯＳトランジスタで構成するマスクＲＯＭを内蔵した半導体装置においてしきい値イオン注入ダメージによるゲート酸化膜の信頼性劣化を抑制する。 - 特許庁

Then, since an n^--type semiconductor region 7 as the extension diffused layer of the source/drain is formed, ion implantation 7a is carried out in an aslant direction, with respect to the main face of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

それから、ソース・ドレインのエクステンション拡散層としてのｎ^-型半導体領域７を形成するため、半導体基板１の主面に対して斜め方向にイオン注入７ａを行う。 - 特許庁

In the channel layer 21, the impurity density of the first part 21a is equal to that of the second part 21b, so ion implantation into the first part of the channel layer 21 is not carried out.例文帳に追加

チャネル層２１において第１の部分２１ａの不純物濃度が第２の部分２１ｂの不純物濃度と同じであるから、チャネル層２１における第１の部分にイオン注入が行われていない。 - 特許庁

Further, by compensating the setting of the ion implantation device depending on the estimated dose amount, the dose amount of ions implanted to a semiconductor substrate can be brought close to target dose amount.例文帳に追加

また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁