「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

If the p-type SiC region 11 is thus formed as a current blocking region on the n-type SiC substrate 10, a current blocking region can be formed by e.g. ion implantation without using the epitaxial growth process.例文帳に追加

このように、ｎ型ＳｉＣ基板１０に電流阻止領域としてのｐ型ＳｉＣ領域１１を形成すれば、エピタキシャル成長工程によらずに、例えばイオン注入によって電流阻止領域を形成することができる。 - 特許庁

To suppress both substrate floating effect and short channel effect during FD operation of an MOSFET fabricated in an SOI substrate; and also to suppress increase in parasitic resistance, defect due to ion implantation, and lowering of threshold voltage.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に作り込まれたＭＯＳＦＥＴをＦＤ動作させる際に、基板浮遊効果と短チャネル効果との両方を抑制し、更に、寄生抵抗の増大、イオン注入による欠陥、及び閾値電圧の低下についても抑制する。 - 特許庁

First source-drain regions (16n, 16p, 17n, 17p) are formed by applying ion implantation of a first conductivity impurity, in a self-matching manner, to a gate insulating film (14) and a gate electrode (15), which are formed on a semiconductor substrate (11).例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成したゲート絶縁膜（１４）及びゲート電極（１５）に対し自己整合的に第１導電型不純物をイオン注入して第１のソース・ドレイン領域（１６ｎ、１６ｐ、１７ｎ、１７ｐ）を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of conducting an ion implantation for an implanting layer (7-1) for controlling a threshold of a MOS transistor and an implanting layer (7-2) for controlling a second threshold, and forming a third Si oxide film 8 to become a gate oxide film of the transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値制御用注入層（７−１）、第２の閾値制御用注入層（７−２）のためのイオン注入を行い、ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜となる第３のＳｉ酸化膜８を形成する。 - 特許庁

In the ion implantation method for implanting impurities into a workpiece 410, impurities are implanted into the workpiece 410 through a buffer plate 30 spaced apart therefrom.例文帳に追加

本発明のイオン注入方法は、被処理体４１０に不純物を打ち込むためのイオン注入方法であって、 前記被処理体４１０から離間された緩衝板３０を介して該被処理体４１０に前記不純物を打ち込む。 - 特許庁

When thick line regions and thin line regions exist at inspection of a resist pattern 3a formed on the surface of a wafer for size distribution (step ST14), the scanning waveform of an ion implantation unit on the surface of the wafer is controlled according to information on the size distribution.例文帳に追加

ウエハ面内のレジストパターン３ａの寸法分布の検査の際に（ステップＳＴ１４）、太い領域と細い領域とがあった場合に、その寸法分布情報に応じて、イオン注入機のウエハ面内スキャン波形を制御する。 - 特許庁

A channel stopping section 90 is formed by a plurality of impurity ion implantation processes and impurity regions 90A, 90B, 90C, and 90D in multiple stages are formed in the direction of a depth (bulk depth direction) of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

チャネルストップ部９０は、複数回の不純物イオン注入工程によって形成されており、半導体基板１００の深さ方向（バルク深さ方向）に多段階の不純物領域９０Ａ、９０Ｂ、９０Ｃ、９０Ｄが形成される。 - 特許庁

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation.例文帳に追加

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。 - 特許庁

The light-emitting device is provided in which, for example, an n-type region and a p-type region formed by an ion implantation method constitute a pn junction on an insulating layer buried type semiconductor silicon carbide substrate.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

The method includes a lens formation step in which a high refractive index is imparted only to an In ion implantation region by implanting In ions from the surface side of a first planarization layer 11, and a projection-shaped in-layer lens 12 is formed only on the underside.例文帳に追加

第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved.例文帳に追加

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation and preventing the fluctuation of an operation threshold Vt of a semiconductor device when the density of a contact region inserted into a lower part of a source region is increased.例文帳に追加

ソース領域の下部に入り込ませるコンタクト領域の濃度を濃くする場合に、イオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できるようにすると共に、半導体装置の動作しきい値Ｖｔが変動することを防止する。 - 特許庁

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate which can efficiently conduct parasitic channel suppressing ion implantation for an MOSFET having an SOI structure, based on SBSI method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有するＳＢＳＩ法によるＭＯＳＦＥＴに、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことのできる半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical element molding die which has a molding surface improved in adhesion to a film formed by ion implantation and a film-forming surface formed in a method different from that and having high adhesive strength.例文帳に追加

イオン注入によって、イオン注入後に成膜される膜と成形面との密着強度を向上させるとともに、それとは異なる方法で平滑な成膜面で高密着強度を有する光学素子成形用型を提供すること。 - 特許庁

The pump defines adjacent internal raw-material opposing faces to the solid carbonaceous raw materials, and at least a part of the internal raw-material opposing faces is covered with a coating which is coated by an ion implantation and penetration method or the other coating method.例文帳に追加

ポンプは、固体炭素質原料に隣接する内部原料対向面を画定し、内部原料対向面の少なくとも一部が、イオンの埋め込み及び浸透、或いはその他の被覆法を用いて塗布された被膜で覆われている。 - 特許庁

A processed layer pattern 4 is formed using an alternating phase shift mask, then ion implantation of an impurity is selectively carried out in the unnecessary pattern 4b to increase an etching rate of the unnecessary pattern 4b, after which the unnecessary pattern 4b is etched away.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン４を形成した後、不要パターン４ｂに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン４ｂのエッチングレートを上げた後に、不要パターン４ｂをエッチングにより除去する。 - 特許庁

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10.例文帳に追加

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。 - 特許庁

Since ohmic junction is formed by means of a drain electrode 31 containing aluminum with the p^--type drain layer 11 after the rear surface of the wafer is ground, ion implantation and heat treatment performed for separately forming a high-concentration layer for drain contact become unnecessary.例文帳に追加

裏面研削後、アルミニウムを含むドレイン電極３１によって、ｐ^-低濃度ドレイン層１１とオーミック接合が形成されるので、ドレインコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

To provide a means for removing the surface part of an ion implantation layer in a semiconductor layer without causing new damage in a method for manufacturing a semiconductor device possessed of the semiconductor layer containing Si and C and serving as an active region.例文帳に追加

ＳｉとＣとを含む半導体層を活性領域とする半導体素子を製造する方法において、半導体層内へのイオン注入層の表面部を新たなダメージを与えずに除去する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method including a channel ion implantation process for regulating a threshold voltage of a transistor in a manufacturing process of a semiconductor memory element comprising a self-aligned contact plug self-aligned by a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極によって自己整列されるセルフアラインコンタクトプラグを備えた半導体メモリ素子の製造工程において、トランジスタのスレショルド電圧を調節するためのチャンネルイオン注入工程を含む製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the insulating region 4 is provided under the exterior base region without ion implantation, and thereby the junction capacity Cbc between the base and collector is reduced and the maximum oscillation frequency fmax can be improved.例文帳に追加

このようにして、イオン注入をおこなわずに、外部ベース領域の下に絶縁領域４を設けることによって、ベース−コレクタ間の接合容量Ｃｂｃを低減させ、最大発振周波数ｆｍａｘを向上させる。 - 特許庁

To provide the dual gate forming method of a semiconductor device for removing a photoresist film pattern for use as an ion implantation mask film without a residue and preventing a water mark generated in a cleaning step for the removal of a natural oxide film.例文帳に追加

イオン注入マスク膜として用いられるフォトレジスト膜パターンを残留物なしに除去し、自然酸化膜除去のための洗浄工程で発生するウォーターマークを防止する半導体素子のデュアルゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The self-pulsation semiconductor laser having a ridge stripe 11 in a clad layer has high-resistance regions 14 formed by ion implantation etc., at parts nearby both side surfaces of a center part of a ridge stripe 11 in a resonator-length direction.例文帳に追加

クラッド層にリッジストライプ１１を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域１４を形成する。 - 特許庁

An n-type pocket layer 34 is formed in a surface of a semiconductor substrate 31 by performing ion implantation of phosphorous to the semiconductor substrate 31 in which an n-type well, a gate insulating film 32, and a gate electrode 33 are formed.例文帳に追加

Ｎ型ウェル並びにゲート絶縁膜３２及びゲート電極３３が形成された半導体基板３１に対し、リンをイオン注入することにより、半導体基板３１の表面にＮ型ポケット層３４を形成する。 - 特許庁

To provide a bonding SOI wafer manufacturing method with less defect density in an epitaxial layer in the case where epitaxial growth is performed on a surface of an SOI layer of a bonded wafer manufactured by using an ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法を用いて作製した貼り合わせウエーハのＳＯＩ層の表面上にエピタキシャル成長を行った場合に該エピタキシャル層の欠陥密度が少ない貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The support structure comprises an element 20, provided with a material with a small sputter rate, a material with a large sputter threshold energy, or a material with a large ion implantation yield, in order to suppress the sputtering and the generation of sputtering product.例文帳に追加

支持構造は、スパッタリングおよびスパッタリング生成物の生成を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を備えたエレメント２０を備えている。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which the occurrence of crystal defect due to synergistic action of concentration of stress in the vicinity of the STI end of a semiconductor substrate and the occurrence of microdefects caused by ion implantation is suppressed.例文帳に追加

半導体基板のＳＴＩ端部近辺での応力集中とイオン注入起因の微少な欠陥の発生との相乗作用による結晶欠陥の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the abnormal discharge in ion implantation and the damage or the like of the resist pattern on the wafer by falling are reduced.例文帳に追加

本発明においては、レジストからのアウト・ガス成分が沈着しない程度に、加速電極を加熱しながらイオン注入を実行するので、イオン注入の際の異常放電や脱落遺物によるウエハ上レジストパターンの損傷等を低減することができる。 - 特許庁

A resist 20 is formed to a region, excluding the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed and on the LOCOS oxide film 16 and the N-type emitter region 15 is formed by ion implantation and thermal diffusion (Figs. 3(b), 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｎ型エミッタ領域１５の形成予定場所を除く場所およびＬＯＣＯＳ酸化膜１６上にレジスト２０を形成し、イオン注入、熱拡散を行ってＮ型エミッタ領域１５を形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。 - 特許庁

This annealing process can be applied mainly to a polishing process for manufacturing the wafer, or an ion implantation process, a dry etching process or a chemical mechanical polishing process for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明のアニーリングが主として適用される段階としては、ウェーハを製作するためのポリシング段階、半導体素子を製造するための各種のイオン注入段階、ドライエッチング段階、化学的及び機械的ポリシング段階がある。 - 特許庁

Impact force is given to the bonded substrate, and a silicon thin film is separated from a bulk section 13 of a single crystal Si along the hydrogen ion implantation layer 11, thus obtaining the SOI substrate having the SOI layer 12 on the crystal substrate 20.例文帳に追加

そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層１１に沿ってシリコン薄膜を単結晶Ｓｉのバルク部１３から剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を有するＳＯＩ基板を得る。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist.例文帳に追加

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 formed of the carbon diffusion layer is formed on a surface of a silicon wafer W, formation of the gettering layer 12 in contact with the epitaxial film 11 which is difficult by a conventional carbon ion implantation method is facilitated.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜１１に接してのゲッタリング層１２の形成が容易となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device that can be stabilized in a doping shape for threshold voltage adjustment by adjusting a residual dose by a spike annealing after ion implantation for the threshold voltage adjustment.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオン注入後、スパイクアニーリングによって残留ドーズを調節することにより、しきい値電圧調節のためのドーピング形状を安定化することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling dispersion of ion implantation and diffusion of dopant in an field effect transistor(FET) with a shallow junction that reduces a short-channel effect, and provide a device in this method.例文帳に追加

短チャンネル効果を軽減するため浅い接合深さを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）におけるイオン注入散在およびドーパント拡散を制御する方法およびその方法を使用して製作されるデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide an amorphous layer evaluation method having a deep tilt angle as a parameter, which accurately predicts the thickness of an amorphous layer formed on the surface layer of a crystalline substrate by performing ion-implantation with impurities at a high dose.例文帳に追加

深いtilt角度をパラメータに持ち、不純物のイオン注入を高ドーズで行うことによって結晶性基板の表層に形成される非晶質層の厚さを精確に予想する非晶質層評価方法を提供する。 - 特許庁

Next, ion implantation process is performed, using the photoresist layer as a mask for forming a source/drain in the first region of the polysilicon layer and the LDD in the second region below the edge portion of the photoresist layer.例文帳に追加

次に、前記ポリシリコン層の第１領域におけるソース／ドレインと、前記フォトレジスト層のエッジ部分の下の前記第２領域におけるＬＤＤとを形成するマスクとして前記フォトレジスト層を使用し、イオンインプランテーションプロセスを行う。 - 特許庁

In this case, impurity concentration is precisely controlled by a plasma ion implantation method, but impurity ions are not implanted directly into the semiconductor substrate, so that the crystalline structure of the substrate is not damaged.例文帳に追加

このようにする場合、プラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙの濃度を精密に制御しつつも直接に半導体基板にｉｍｐｕｒｉｔｙをイオン注入しないために基板の結晶構造を損傷させない。 - 特許庁

For the device for ion implantation with plural rows of Q-lenses 5, a resistor 14 is connected between the negative electrode 11 and the ground through a switch 15 which is controlled in its operation through a negative potential controller 13.例文帳に追加

Ｑレンズ５を複数配列したイオン注入装置において、Ｑレンズ５の負電極１１と接地間に抵抗体１４をスイッチ１５を介して接続し、このスイッチ１５の動作を負電位コントローラ１３により制御する。 - 特許庁

Plasma treatment and ozone treatment for cleaning and activating the surface are performed to the junction surface between the single-crystal Si substrate 10 and a crystal substrate 20 where a hydrogen ion implantation layer 11 is formed for bonding.例文帳に追加

水素イオン注入層１１を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film where laser annealing is made is subjected to ion implantation for forming a seed crystal having a specific orientation, and then solid-phase growth is made, thus controlling the crystal orientation.例文帳に追加

レーザアニールを施した多結晶シリコン膜に対して、イオン注入処理を行なうことによって特定方位を有する種結晶を形成し、その後固相成長させることによって結晶配向を制御することが出来る。 - 特許庁