「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

In the ion implantation process of the step s2, ions 2 not forming a conductivity type region are implanted into a silicon substrate 1 to form a structure transition layer 3 of which crystal structure has changed.例文帳に追加

ステップｓ２のイオン注入工程では、シリコン基板１中に、導電型領域を形成することがないイオン２を注入し、結晶構造が変化した構造変化層３を形成する。 - 特許庁

To form a memory cell region and a high concentration impurity diffusion region of a high-voltage transistor at the same time by ion implantation so that the high-voltage transistor side is shallower.例文帳に追加

メモリセル領域と高電圧トランジスタとの高濃度不純物拡散領域を同時にイオン注入で形成し、且つ高電圧トランジスタ側の方が浅くなるように形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for suppressing the decrease of a reading margin due to the increase of the threshold voltage of a cell in which code ion implantation is not operated, and a method for manufacturing the semiconductor memory.例文帳に追加

コードイオン注入を行わないセルの閾値電圧が高くなり読み出しマージンが小さくなることを抑制する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI wafer, capable of flattening a silicon thin film of a laminated wafer obtained by an ion implantation peeling method with high film thickness uniformity.例文帳に追加

イオン注入剥離法により得られた貼り合わせウェーハのシリコン薄膜を、膜厚均一性高く平坦化することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner.例文帳に追加

ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。 - 特許庁

After connection holes 20 to 22 are formed in the silicon oxide film 19, etc., a p-type semiconductor region 24 is formed in a bottom part of the connection hole 20 by ion implantation of p-type impurities.例文帳に追加

シリコン酸化膜１９等に接続孔２０〜２２を形成した後、ｐ型不純物をイオン注入して接続孔２０の底部にｐ型半導体領域２４を形成する。 - 特許庁

The trenches 16a, 16b are buried with insulating films 17a, 17b by forming an n-low resistance regions 22a, 22c in the periphery of the trenches 16a, 16b by skew ion implantation.例文帳に追加

これらのトレンチ１６ａ，１６ｂの周囲にｎ低抵抗領域２２ａ，２２ｃを斜めイオン注入により形成し、これらのトレンチ１６ａ，１６ｂを絶縁膜１７ａ，１７ｂで埋める。 - 特許庁

A base layer 1 is partially separated along a peeling layer formed by ion implantation of material for peeling via the first planarized films 13 or the second planarized film 14.例文帳に追加

基体層１の一部は、第１平坦化膜１３又は第２平坦化膜１４を介して剥離用物質がイオン注入されることにより形成された剥離層に沿って分離されている。 - 特許庁

Consequently, the p-type RESURF layer 21 can be connected to the p-type base region 3 without requiring oblique ion implantation even if the side wall of the recess 20 is steep.例文帳に追加

これにより、凹部２０の側壁が急峻であったとしても、斜めイオン注入を行うことなく、ｐ型ベース領域３に対してｐ型リサーフ層２１を接続することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of decreasing the number of manufacturing steps of a triple well including a plurality of ion implantation steps and a heat treatment step.例文帳に追加

複数のイオン注入工程ならびに熱処理工程を含む３重ウェルの製造において工程数を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method.例文帳に追加

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。 - 特許庁

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11.例文帳に追加

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。 - 特許庁

As a result, an element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface of the semiconductor wafer and particle adhering to the surface of the semiconductor wafer is removed.例文帳に追加

この結果、半導体ウェーハの表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成されるとともに、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルが除去される。 - 特許庁

For example, the single crystallinity of the edge 1A of a wafer 1 is destroyed through ion implantation or sand blasting to form a damage layer 11 on the surfacial layer of the wafer edge 1A.例文帳に追加

例えばイオン注入法やサンドブラスト法によってウェーハ１のエッジ部１Ａの単結晶性を崩すことにより、当該ウェーハエッジ部１Ａの表層にダメージ層１１を形成する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

For the implantation of nitrogen ion, there exists no film coated with a black film or CVD, etc., at least on the surface part of the edge of the blade and the the surface should be ground or lapped.例文帳に追加

窒素イオンの注入に当たっては、少なくとも刃先の表面部には黒皮や、ＣＶＤ等で被覆された膜が存在せず、研削もしくはラッピングされた表面であることとする。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of reducing a loss time of the changeover between a waiting state and an operating state while accomplishing power saving in waiting, and to provide its operation control method.例文帳に追加

待機時の省電力化を達成しつつ待機状態と稼動状態の切換えのロス時間を低減させるイオン注入装置及びその稼動制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible.例文帳に追加

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily providing an asymmetrical SOI (Silicon On Insulator) field effect transistor formed with an inactive ion implantation region only on a source region side.例文帳に追加

ソース領域側だけに不活性イオン注入領域が形成される非対称型ＳＯＩ電界効果トランジスタを容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The LDMOS transistor also includes a source region and a drain region at both sides of the asymmetric conductive spacer, and a channel region formed by ion implantation on the asymmetric conductive spacer.例文帳に追加

LDMOSトランジスタはまた、非対称導体スペーサの両側のソース領域及びドレイン領域と、イオン注入を非対称導体スペーサに行うことで形成されたチャネル領域とを備える。 - 特許庁

Preferably, the oxygen-vacancy-inducing factors to be introduced are introduced by an ion implantation method using one or more metal elements selected from among titanium, tungsten, and molybdenum.例文帳に追加

導入する酸素欠陥誘起因子としては、チタン、タングステン、及びモリブデンのいずれか一または複数から選択される金属元素を用いてイオン注入法によって導入することが好ましい。 - 特許庁

Then, a P-type impurity having a middle concentration is ion-implanted to the P-type region 11 with the field oxide film 12 as an implantation mask for forming a P-type region 15 having an intermediate impurity concentration.例文帳に追加

次に、フィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に中濃度のＰ型不純物をイオン注入し、中不純物濃度のＰ型領域１５を形成する。 - 特許庁

The film 31 suppresses the outward diffusion of impurities, and hence suppresses impurity ions breaking through the electrode 8 when ion implantation for promoting silicidization is subsequently performed.例文帳に追加

酸化膜３１によって不純物の外方拡散を抑制し、その後にシリサイド化促進用のイオン注入を行なう際に不純物イオンがゲート電極８を突き抜けるのを抑制する。 - 特許庁

In this configuration, an ion implantation method is not used for introducing impurities deeply, so that impurities contained in the extensions are not thermally diffused into the substrate in activation annealing.例文帳に追加

この構造では深くまで不純物を導入するイオン注入を用いないので、その活性化アニールによりエクステンション部内の不純物が基板側に熱拡散することがない。 - 特許庁

An ion implantation layer is formed at a position of desired depth from one principal surface of a piezoelectric single crystal substrate by implanting hydrogen ions into the piezoelectric single crystal substrate under predetermined conditions (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

HIGH-ENERGY ION IMPLANTATION DEVICE CONTROLLING ELECTRODE VOLTAGE PHASE BY APPLYING DIGITAL FREQUENCY SYNTHESIS AND PHASE SYNTHESIS, AND METHOD FOR CORRECTLY CALIBRATING ELECTRODE VOLTAGE PHASE例文帳に追加

デジタル周波数合成およびデジタル位相合成を応用して電極電圧の位相を制御する高エネルギーイオン注入装置、並びに、電極電圧の位相を正確に較正する方法 - 特許庁

To provide a substrate processing method by which a resist used as a mask at ion implantation is well separated (removed) without damaging a substrate, and also to provide a substrate processing device.例文帳に追加

基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストを良好に剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ion implantation equipment which operates stably for a long period of time by preventing lowering of creepage resistance due to conductive deposit accreted on the inner face of an insulation bushing.例文帳に追加

絶縁ブッシングの内面に導電性生成物の付着による沿面抵抗の低下を防止することにより、長期間安定的して稼動するイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

A back of a first semiconductor substrate 11 is ground, ion implantation is performed for forming an n-type impurity layer 14 on a back side of the substrate 11, and a retaining substrate 15 is stuck on the back.例文帳に追加

第１の半導体基板１１の裏面を研削し、その裏面側にｎ型不純物層１４を形成するために、イオン注入をおこなった後、裏面に支持基板１５を貼り付ける。 - 特許庁

With the generated heat, a piezoelectric thin film is detached from the piezoelectric single crystal substrate using the ion implantation layer as a detaching interface, and a piezoelectric composite substrate including the piezoelectric thin film and the supporting substrate is formed.例文帳に追加

この発熱によりイオン注入層を剥離面として、圧電薄膜が圧電単結晶基板から剥離され、圧電薄膜と支持基板とを有する複合圧電基板が形成される。 - 特許庁

By performing ion implantation of the nonmagnetic element 23 via the nonmagnetic layer 20 with the mask layer 21' as a mask, a part 24 having a high content of nonmagnetic elements in the magnetic recording layer is formed.例文帳に追加

マスク層２１′をマスクとして非磁性元素２３を非磁性層２０を介してイオン注入することで、磁気記録層の非磁性元素の含有率が高い部分２４を形成する。 - 特許庁

Finally, a drain region 8 and a source region 9 having an impurity concentration gradient in the lateral direction are formed by conducting ion implantation and annealing, using the insulating gate 6 as a mask.例文帳に追加

次に、絶縁ゲート６をマスクとしてイオン注入及びアニール処理を行うことにより、横方向に不純物濃度勾配を持つドレイン領域８及びソース領域９を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

A doping system has a shielding plate comprising a metal, a quartz, or the like provided in order to avoid ion implantation on the periphery section of the substrate.例文帳に追加

本発明のドーピング装置は、基板の外周部にイオンが注入されないように、金属又は石英などの絶縁材で形成される遮蔽板を設けることに特徴を有している。 - 特許庁

In introduction of the impurities by ion implantation, different doses of ions are implanted onto different sites of the semiconductor chip to change the thicknesses of the insulating films depending on the doses.例文帳に追加

また、イオン注入による不純物導入では、半導体チップ上の箇所で異なるドーズ量のイオンを注入し、このドーズ量に応じて絶縁膜の膜厚を変化させる。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

After ion implantation by forming a resist mask 14, the resist mask 14 is removed and the surface of a semiconductor wafer 2 is subjected to a cleaning process including at least pure water rinsing.例文帳に追加

レジストマスク１４を形成してイオン注入を行なった後、レジストマスク１４を除去して半導体ウェハ２表面に対して少なくとも純水リンスを含む洗浄処理を行なう。 - 特許庁

As the constitutional parts for the ion implantation device, the electrode 72 for the RF linear accelerator 20 is filmed with a film material.例文帳に追加

本発明のイオン注入装置の構成部品は、イオンビームが通過するときに発生するＸ線の量を低下するために、ＲＦリニア加速器20の電極72が被膜材料で被膜されている。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device fabricating method in which properties of a device can be improved through making a heat treatment temperature low, for activating atoms of impurities subjected to ion implantation.例文帳に追加

イオン注入された不純物原子の活性化のための熱処理温度を低くして、デバイス特性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A drain region and a source region are formed at the position sandwiching the gate electrode by conducting the ion implantation to the surface of the semiconductor substrate exposed by the etching of the LOCOS film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜のエッチングによって露出した半導体基板の表面にイオン注入を行ってゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer, which can manufacture the epitaxial wafer having an ion implantation layer with required minimum process and can attain both reduction in contamination and cost.例文帳に追加

必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、汚染の低減と共に、コスト低減を両立させたエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region.例文帳に追加

本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の１つへの、炭素、Ｃのイオン打込みを含む。 - 特許庁

After forming side walls 109 on the side walls of the gate electrode 105a, a source drain diffusion layer 111 is formed on the surface side of the semiconductor substrate 101 by the ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａの側壁にサイドウォール１０９を形成した後、イオン注入によって半導体基板１０１の表面側にソース・ドレイン拡散層１１１を形成する。 - 特許庁

The ion implantation device according to the invention comprises a beam guide 200 of mass analysis magnet, a power source for providing electric field, and a magnetic device 170 providing a multicusped magnetic field and having multiple magnets 220.例文帳に追加

本発明のイオン注入装置は、質量分析磁石のビームガイド200、電界を与えるパワー源、及びマルチ−カスプド磁界を与え、複数の磁石220を有する磁気装置170を備える。 - 特許庁