「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The film is desirably formed by bringing the base material into contact with metal ions and plasma ions including reactive gas ions by a plasma ion implantation film-forming method.例文帳に追加

被膜は、プラズマイオン注入成膜法により金属イオン及び反応ガスイオンを含むプラズマイオンと基材とを接触させることにより形成することが好ましい。 - 特許庁

The method also includes steps of: forming an anode forming mask material 8; forming a BF_2^+ ion implantation layer 9 in the inner wall of the anode forming groove 4, and removing the anode forming mask material 8.例文帳に追加

次に、アノード形成マスク材料８を形成し、アノード形成溝４の内壁にＢＦ_２^+イオン注入層９を形成した後、アノード形成マスク材料８を除去する。 - 特許庁

To easily set an ion implantation condition by evaluating energy in desired range projection or bonding depth by LSS theory.例文帳に追加

本発明の課題は、所望の飛程射影又は接合深さになるエネルギーをＬＳＳ理論で評価することによって、イオン注入条件の設定を容易とすることを目的とする。 - 特許庁

The structure (100) and the device include a base or a shield layer (116), a channel (118), and a surface layer (120) and desirably is formed by ion implantation.例文帳に追加

構造体（１００）及びデバイスは、ベース又はシールド層（１１６）、チャネル（１１８）及び表面層（１２０）を備え、望ましくはすべてイオン注入によって形成される。 - 特許庁

To form an insulating film over a wafer so as to have a precise thickness at the bottom of a trench, without using inclined ion implantation or a photoresist as an etching mask.例文帳に追加

斜めイオン注入法やホトレジストをエッチングマスクとして用いることなくウェーハ全面に亘ってトレンチ底部に高精度の膜厚を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To obtain simple R_p, ΔR_p and ΔR_pt by approximating a model formula of perturbation calculation in a second-order extended LSS theory in a method of generating an ion implantation distribution.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法に関し、２次の拡張ＬＳＳ理論における摂動計算のモデル式を近似して簡便なＲ_ｐ、ΔＲ_ｐ及びΔＲ_ｐｔを求める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of surely performing ion implantation of an impurity into a support substrate, and the semiconductor device capable of quickly operating a potential of the support substrate.例文帳に追加

支持基板へ確実に不純物をイオン注入できる半導体装置の製造方法と、支持基板の電位をすばやく操作できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Also, since the ion implantation is conducted, the ions of the insulator advances deep in the semi-insulating substrate 1 and an insulation injection part 6 are formed at the lower part of the step part 4.例文帳に追加

また、イオン注入を行なうため、絶縁物のイオンは半絶縁性基板１に深く進入し、段差部４の下部に絶縁注入部６が形成される。 - 特許庁

Then p-type regions 36A are formed, by introducing a p-type impurity to the surface section of the substrate 22 by low-energy ion implantation by using the photoresistor layer 6 as a mask.例文帳に追加

この第２のフォトレジスト層６をマスクとしてｐ型不純物を基板表面部に低エネルギーのイオン注入により導入し、ｐ型領域３６Ａを形成する。 - 特許庁

To efficiently provide a method for cleaning a plasma producing chamber and a method for ion implantation which improves the productivity of IC devices.例文帳に追加

イオン源のプラズマ生成室内を効率よく清浄化するクリーニング方法、並びにＩＣデバイスの製造効率を向上させることが可能なイオン注入方法を提供すること。 - 特許庁

Ion implantation is performed from the surface of a silicon single crystal wafer and then the wafer is heat treated at a temperature between 500°C and the melting point of silicon (1,410°C).例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの表面からイオン注入を行い、このイオン注入されたウェーハに５００℃以上、シリコンの融点（１４１０℃）以下の温度で熱処理を施す。 - 特許庁

To provide an ion implantation device and a replacement method of its source head which can reduce working hours to put a source head back into the usable state after replacement.例文帳に追加

ソースヘッド交換後、ソースヘッドを使用できる状態にするまでの作業時間を短縮できるイオン注入装置及びそのソースヘッド交換方法を提供する。 - 特許庁

Since a first N well area 9 required for the triple well structure is formed by the ion implantation of high acceleration energy, it is not necessary to form a step S.例文帳に追加

トリプルウエル構造に必要な第１のＮウエル領域９は高加速エネルギーのイオン注入で形成するようにしたので、段差Ｓを形成する必要がない。 - 特許庁

To obtain a method and device for monitoring static damage, capable of readily testing the presence or absence of the static damage caused, when a processing is effected by use of ions of ion implantation, etc.例文帳に追加

イオン注入等のイオンを用いる加工を行う際に生ずる静電破壊の有無を容易に検査可能な静電破壊モニタリング方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an image sensor in which the interface between the active region and the field region of the image sensor is not damaged by ion implantation, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

イメージセンサのアクティブ領域とフィールド領域との境界面がイオン注入によって損傷することないイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, ion implantation is conducted, using a remaining conductor layer 208a and a remaining barrier layer 206a as a mask, so as to form a lightly-doped region 212.例文帳に追加

次に、マスクとして残留導体層２０８ａおよび残留バリヤ層２０６ａを使用してイオン注入を実施し、基板内に低ドーピング領域２１２を形成する。 - 特許庁

To provide a resist-removing apparatus and its method for removing resist, even when a resist cured layer is formed through ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によりレジスト硬化層が形成されたレジストを、下地層にダメージを与えずに除去することが可能なレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供する。 - 特許庁

Then, ion implantation of Mg is executed, by subjecting the mask 2, as it is, to heat treatment, thereby forming a p-type region 4 on the side and bottom of the trench groove 3 (Fig. 1c).例文帳に追加

次に、そのままマスク２を用いてＭｇをイオン注入し、熱処理をすることで、トレンチ溝３の側部と底部にｐ型領域４を形成する（図１ｃ）。 - 特許庁

Into a p-layer region 107 constituted of a non-doped GaAlN layer 105 and a non-doped GaN layer 106, first, a p-type dopant is implanted by an ion implantation.例文帳に追加

ノンドープＧａＡｌＮ層１０５とノンドープＧａＮ層１０６から構成されるｐ層領域１０７に対し、まず、イオン注入によりｐ型ドーパントを注入させる。 - 特許庁

Next, the concentration of the element C is calculated for each of the composition areas on the surface of the standard specimen based on the ion implantation conditions.例文帳に追加

次に、標準試料の表面における各組成領域の各々についてイオン注入条件をもとに元素Ｃの濃度を算出して算出濃度を得る。 - 特許庁

To reduce the occurrence of stripes in the oscillation direction of a semiconductor wafer when ion implantation scanning is performed by radiating ions while oscillating the wafer like a pendulum.例文帳に追加

半導体ウェーハを振り子状に揺動させながらイオンを照射してイオン注入スキャンを行った際のウェーハの揺動方向のストライプの発生を低減する。 - 特許庁

It is then heat-treated and columnar grains are formed in the amorphous silicon film 21 except a part where the hydrogen ion implantation layer 41 is formed.例文帳に追加

次に、熱処理を行うことにより、水素イオン注入層４１が形成されている部分以外のアモルファスシリコン膜２１内においては、柱状グレインが形成される。 - 特許庁

At formation of the offset drain region 3 around the trench 2, the impurity ions are implanted only to the side face part of the trench 2 through oblique ion implantation.例文帳に追加

トレンチ溝２の周囲にオフセットドレイン領域３を形成するにあたり、斜めイオン注入によりトレンチ溝２の側面部分にのみ不純物イオンを注入する。 - 特許庁

An impurity region 28 of a source-drain region is formed on the semiconductor substrate 11 on both sides of the gate electrode 24 by use of the ion implantation mask 20.例文帳に追加

そのイオン注入マスク２０を用いてゲート電極２４の両側の半導体基板１１にソース・ドレイン領域の不純物領域２８を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted at a dose of 8×10^16-4×10^17 atoms/cm^2 to form an ion implantation layer 11 in a single crystal silicon substrate 10.例文帳に追加

ドーズ量８×１０^16〜４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2で水素イオンを注入して単結晶シリコン基板１０中にイオン注入層１１を形成する。 - 特許庁

The ion implantation device 1 includes a laser beam radiating part 11 to radiate to a principal plane of the substrate to be treated a laser beam whose optical axis angle against the principal plane is adjustable.例文帳に追加

イオン注入装置１は、処理基板の主面に対する光軸の角度を調節可能なレーザー光を主面に向けて発するレーザー光照射部１１を含む。 - 特許庁

The tool for friction stir processing for titanium or a titanium alloy is obtained by subjecting the surface of a tool for friction stir processing composed of a nickel alloy to surface treatment by fluorine ion implantation.例文帳に追加

、ニッケル合金からなる摩擦攪拌加工用ツールの表面を、ふっ素イオン注入により表面処理してなるチタンまたはチタン合金用の摩擦攪拌加工用ツール。 - 特許庁

MACHINING METHOD OF Si SEMICONDUCTOR FINE STRUCTURE DUE TO ION BEAM IMPLANTATION LITHOGRAPHY OF INORGANIC MULTILAYER RESIST AND INTEGRATED CIRCUIT, DEVICE, AND MICROMACHINE COMPONENT THEREBY例文帳に追加

無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるＳｉ半導体微細構造体の加工方法及びその方法による集積回路、デバイス及びマイクロマシーンコンポーネント - 特許庁

Phosporus ions and arsenic ions are implanted on the surface layer of a semiconductor wafer 11 with an ion implantation masked by a gate electrode 13 on the semiconductor wafer 11.例文帳に追加

半導体基板１１上のゲート電極１３をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１１の表面層にリンイオン及びヒ素イオンを導入する。 - 特許庁

DEVICE AND ELECTRODE STRUCTURE FOR DEVELOPING ELECTROSTATIC LATENT IMAGE USING ION IMPLANTATION FOR TRIBOELECTROSTATIC CHARGE CHARACTERISTIC OF MATERIAL OR HYBRID SCANVENGELESS DEVELOPING WIRE AND ELECTRODE STRUCTURE例文帳に追加

材料またはハイブリッドスカベンジレス現像ワイヤの摩擦帯電特性を調整するためのイオン注入を用いる静電潜像を現像する装置及び電極構造 - 特許庁

To prevent an in-plane temperature of a wafer held during ion implantation from becoming uneven, and to uniformize in-plane film thicknesses of both an SOI layer and a BOX layer.例文帳に追加

イオン注入時に保持されるウェーハ面内の温度が不均一になることを抑制してＳＯＩ層とＢＯＸ層双方の面内における膜厚を均一にする。 - 特許庁

To provide a hybrid scan type ion implantation device processing a single wafer, capable of uniformly injecting and having a simple structure, excellent durability and reliability.例文帳に追加

単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。 - 特許庁

To improve production efficiency while suppressing scratches on a wafer in a method of adopting an ion implantation peeling method in the manufacturing method of a stucked wafer.例文帳に追加

貼り合わせウェーハの製造方法の中でもイオン注入剥離法を採用する方法において、ウェーハにキズが発生することを抑制しつつ生産効率を高める。 - 特許庁

This method is used to manufacture a p-channel type MOS transistor, and a III-group acceptor 21 or its compound is applied to a channel area through ion implantation.例文帳に追加

Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタの製造方法であって、ゲート電極７形成前に、III族アクセプター２１あるいはその化合物をチャネル領域にイオン注入する。 - 特許庁

First impurity layers 810 are formed in the substrate using the control gate layer as an ion implantation mask and the control gate layer is patterned to form a gate on the peripheral circuit part.例文帳に追加

コントロールゲート層をイオン注入マスクとして半導体基板に第１不純物層８１０を形成し、コントロールゲート層をパタニングして周辺回路部にゲートを形成する。 - 特許庁

Then, a side wall spacer 6 is formed on each side of the gate electrode 3, and regions located outside of the wall spacers 6 are furthermore doped with n-type impurities through an ion implantation method.例文帳に追加

次に、ゲート電極３の両側面にサイドウォールスペーサ６を形成して、その外側となる領域に、ｎ型の不純物をさらにイオン注入法でドーピングする。 - 特許庁

An n^+-type source region 37 formed in the base region 35 is formed by oblique ion implantation from the surface of the base region 35 including the groove 45.例文帳に追加

また、ベース領域３５に形成されたＮ^＋型ソース領域３７は、溝４５を含むベース領域３５の表面からの斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a composite board includes: a mask process (S11), an ion implantation process (S12), a mask removing process (S13), a binding process (S14) and a peeling process (S15).例文帳に追加

複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。 - 特許庁

Between the laser element portion 10A and the LED element portion 10B, an ion implantation layer 10C is provided for current constriction to the laser element portion 10A.例文帳に追加

レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂの間には、イオン打ち込み層１０Ｃが設けられ、これによりレーザ素子部１０Ａへの電流狭窄がなされる。 - 特許庁

Ion implantation is performed on at least a surface portion of the unit resist given the form of the micro-lens in the step (a) and a heat-resistant micro-lens is obtained (c).例文帳に追加

（ｃ）工程（ｂ）においてマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る。 - 特許庁

To accurately predict an impurity concentration profile formed in a semiconductor substrate, by implanting impurities into the substrate through an amorphous film in a low-energy ion implantation method using an analytical model.例文帳に追加

低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。 - 特許庁

The ion implantation apparatus includes a mass spectrometry magnet 114, a power source 174 applying an electric field to a passage 139, and a magnetic apparatus 170 applying a multi-cusp magnetic field to the passage 139.例文帳に追加

本発明のイオン注入装置は、質量分析磁石114、通路139に電界を与えるパワー源174、及び通路139にマルチ−カスプド磁界を与える磁気装置170を含む。 - 特許庁

Since the gate poly-oxide film 240 on the semiconductor wafer which is not non-crystallized is formed thin, shallow bonding can be formed by the ion implantation of low energy.例文帳に追加

非晶質化しない半導体基板上のゲートポリ酸化膜２４０は薄く形成されるので、低いエネルギのイオン注入を行って浅い接合を形成できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage.例文帳に追加

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a sidewall 27 is formed on a sidewall of the gate electrode 24, and a sidewall forming film 26 used at that time is utilized to increase the film thickness of the ion implantation mask 20.例文帳に追加

次にゲート電極２４の側壁にサイドウォール２７を形成し、そのときに用いたサイドウォール形成膜２６を利用してイオン注入マスク２０の膜厚を積み増す。 - 特許庁