「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A via hole 11 and a groove 12 for second layer Cu wiring are formed on a first layer Cu wiring 7 that is formed on a MOS transistor 1, a barrier metal layer 13 is formed, and ion implantation is conducted.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１上に形成された第１層Ｃｕ配線７の上層にビア孔１１及び第２層Ｃｕ配線用の溝１２を形成し、バリアメタル層１３を形成した後、イオン注入を行う。 - 特許庁

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation.例文帳に追加

そして、この剥離により第一基板７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

To provide an inspection method for an ion implantation device, capable of inspecting whether or not a wafer holding platen is normally rotating even if a setting value relating to the operation of the wafer holding platen is set to a false value.例文帳に追加

ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査することができるイオン注入装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 200 is separated in the hydrogen ion implantation layer 205 thereof by irradiating the semiconductor substrate 200 with a laser beam 630 having an absorption wavelength of the semiconductor substrate 200.例文帳に追加

半導体基板２００による吸収波長のレーザ６３０を半導体基板２００に対して照射することにより、半導体基板２００の水素イオン注入層２０５において半導体基板２００を分離する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high breakdown voltage in which a leak current can be reduced when a reverse voltage is applied while sustaining the on resistance without requiring ion implantation and high temperature heat treatment incident thereto.例文帳に追加

イオン注入並びにそれに伴う高温での熱処理を要することなく、オン抵抗を維持しつつ逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加

イオン注入処理によりエッチング溶液Ｅ（例えばリモネン）に不溶な表面改質層２１を基板Ｐの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層２１に開口部２１Ｕを形成する。 - 特許庁

The region in the silicon layer 3 except the compound regions 42, 51 constitute a substrate region and the compound regions 42, 51 are selectively formed in the silicon layer 3 by utilizing lithography and ion implantation.例文帳に追加

シリコン層３において化合物領域４２，５１以外の領域が基体領域を構成し、化合物領域４２，５１はリソグラフィ技術とイオン注入技術とを利用してシリコン層３内に選択的に形成される。 - 特許庁

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.例文帳に追加

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an end face window structure formed through neither impurity diffusion nor ion implantation, etc., and has the end face window structure even when using a nitride semiconductor.例文帳に追加

不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

After a resist 5 of a pattern in accordance with the program is formed on the layer insulation film 7, ion implantation for the program is carried out to a channel region 9 below the desired gate electrode 4.例文帳に追加

プログラムに応じたパターンのレジスト５を層間絶縁膜７上に形成した後、層間絶縁膜７の上から、所望のゲート電極４下部のチャネル領域９に対してプログラム用のイオン注入を行う。 - 特許庁

The forming method of the bipolar junction transistor capable of being integrated with a CMOS process of this invention forms a base region by adding a mask process and ion implantation process to the CMOS process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる本発明のバイポーラ接合トランジスタ形成方法は、ＣＭＯＳ工程でマスク工程及びイオン注入工程を追加することによってベース領域を形成する。 - 特許庁

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

この拡散抑止層２１が形成された側から、ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層２１よりも浅くｐ型カウンタ層６Ａを形成する。 - 特許庁

Ion implantation IP1 of fluorine element 4 is performed, and the fluorine element 4 is introduced into interface between the insulator 2 and the single crystal semiconductor layer 3, and into a surface and a side surface of the single crystal semiconductor layer 3.例文帳に追加

フッ素元素４のイオン注入ＩＰ１を行うことにより、絶縁層２と単結晶半導体層３との界面ならびに単結晶半導体層３の表面および側面にフッ素元素４を導入する。 - 特許庁

To provide a low-cost semiconductor device by suppressing increase of manufacturing processes when a predetermined element is introduced into a gate electrode by ion implantation to form a MOS transistor with a gate electrode having a different work function.例文帳に追加

イオン注入で所定の元素をゲート電極に導入して、異なる仕事関数を有するゲート電極のＭＯＳトランジスタを形成する際に、製造工程の増加を抑制して低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

The substrate cleaning method jets cleaning gas consisting of water vapor on the surface of the substrate after plasma washing the substrate having on the surface the resist used in an ion implantation process or the like.例文帳に追加

イオン注入工程などにおいて使用されたレジストを表面に有する基板を、１分未満のプラズマアッシングした後、水蒸気からなる洗浄ガスを該基板表面に噴射することを特徴とする基体洗浄方法。 - 特許庁

To enable to form several resistance layers of different resistivity from the same film and to enable to arbitrarily change only the resistance by multiple ion implantation without changing the design of the resistance layers.例文帳に追加

同一の膜から抵抗率の異なる複数の抵抗層を形成できるようにすると共に、抵抗層のデザイン変更を伴わずに、多重イオン注入によってその抵抗値のみを任意に変更できるようにする。 - 特許庁

A magnetic disk includes magnetic thin wires 5 concentrically on a substrate, and a high Ms area 5s with relatively high saturation magnetization is locally provided for each magnetic thin wire 5 by ion implantation.例文帳に追加

磁気ディスクは基板上に磁性細線５を同心円状に備え、それぞれの磁性細線５に、イオン注入により相対的に飽和磁化の高い高Ｍs領域５ｓを局所的に設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The n-type drain region 19 can be formed by As ion implantation and its impurity concentration distribution can be accurately controlled to suppress the variations in the saturation characteristic of the photodiode, improving the overflow drain function.例文帳に追加

Ｎ型ドレイン領域１９はＡｓイオン注入で形成しその不純物濃度分布を高精度に制御できるので、フォトダイオードの飽和特性のばらつきを抑え、オーバーフロードレイン機能の向上を図れる。 - 特許庁

To evaluate the overlay accuracy of ion implantation processes directly with high precision and high reproducibility while minimizing the impact of process variation other than overlay or the impact of parasitic resistance component using a monitor element.例文帳に追加

イオン注入工程同士の重ね合わせ精度を、モニター素子を用いて重ね合わせ以外の工程変動や寄生抵抗成分の影響を最小に抑えつつ直接的に高精度かつ高再現性で評価する。 - 特許庁

Since an amorphous silicon region formed on a wafer surface layer by ion-implantation has a higher light absorption coefficient than a single crystal silicon, only the amorphous silicon region can be melted at a heating temperature lower than a silicon wafer.例文帳に追加

ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which prevents a silicon carbide surface from getting rough when heat treatment is conducted for activating various kinds of ions after ion implantation.例文帳に追加

本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Thereafter, by selectively introducing impurities into the polysilicon thin film 12 via the gate insulation film 13 by ion implantation method or the like, an LDD region 19 and a source/drain region 18 are formed at the same time.例文帳に追加

その後、イオン注入法等によりゲート絶縁膜１３を介してポリシリコン薄膜１２に選択的に不純物を導入するとＬＤＤ領域１９とソース・ドレイン領域１８が同時に形成される。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

In a method for manufacturing an insulated gate field effect transistor, two source-drain regions 10 are formed in a P well 3 by performing impurity ion implantation and activation annealing while using a gate stack 7 and a spacer of a sidewall insulating film 9 having a predetermined width as a mask.例文帳に追加

ゲートスタック７と側壁絶縁膜９からなる所定の幅のスペーサをマスクとする不純物のイオン注入と活性化アニールにより、２つのソース・ドレイン領域１０をＰウェル３に形成する。 - 特許庁

A vertical groove 4 is formed in a semiconductor substrate 1, and a p-type base region 6 is formed in the substrate 1 by injecting boron (B^+) into the substrate 1 through ion implantation and thermally diffusing the boron in the substrate 1 by using a resist film 5 embedded in the groove 4 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１に垂直溝４を形成し、垂直溝４に埋め込んだレジスト膜５をマスクとして、ボロン（Ｂ^＋）をイオン注入、熱拡散して、ｐ型のベース領域６を形成する。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device for forming an impurity implantation region on the surface of a semiconductor substrate by an ion implantation method includes processes of: forming a mask layer including an SiO_2 film and a thin metal film on the surface of the semiconductor substrate; and implanting impurity ions.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入法により半導体基板の表面に不純物の注入領域を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、ＳｉＯ_2膜と金属薄膜を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic disk manufacturing method performs a film forming process (A) for forming a magnetic film 62 on a glass substrate 61 so that its Curie temperature may be 600 K or lower, and an ion implantation process (C) for locally implanting ion into the area of the magnetic film 62 other than a protection area.例文帳に追加

磁気ディスク製造方法において、ガラス基板６１上に、キュリー温度が６００Ｋ以下となるように磁性膜６２を形成する製膜工程（Ａ）と、その磁性膜６２に対し、所定の保護領域を除いた他の領域に対して局所的にイオンを注入するイオン注入工程（Ｃ）とを実行する。 - 特許庁

To attain cost reduction in an SOI substrate 1 using, so-called a smart cut method, constituted so as to perform hydrogen embrittlement on an implantation surface of hydrogen ion to obtain a single-crystal silicon thin film by implanting the hydrogen ion in a single-crystal silicon strip 6, and performing heat treatment after having stuck the single-crystal silicon strip 6 to a substrate 2.例文帳に追加

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。 - 特許庁

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10.例文帳に追加

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。 - 特許庁

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer.例文帳に追加

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for ion implantation forming a resist film which is excellent in ion blocking property and in the breaking resistance of the resist even in the case of a thin film, has good sensitivity and resolution even when an antireflection film is not formed on a substrate, and ensures a good pattern profile and a small pattern variation range.例文帳に追加

薄膜であってもイオン遮断性及びレジストの耐破壊性に優れ、基板上に反射防止膜が形成されていない場合にも、良好な感度及び解像度を有し、良好なパターンの形状、及びパターン変動幅の小さいレジスト膜を形成可能なイオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The ion implantation device 1 has two ion source parts 4A, 4B, with an interval in symmetry at an end part opposite to the side of a target in a chamber 2 in which a pair of common electrodes 5A, 5B are arranged with a given interval with an offset voltage applied.例文帳に追加

本発明の一実施形態のイオン注入装置１は、オフセット電圧が印加される一対の共通電極５Ａ、５Ｂが所定の間隔を開けて内部に配設されているチャンバー２のターゲット（不図示）側とは反対側の端部に、２本のイオンソース部４Ａ、４Ｂを互いに対称的に離間して着脱自在に取り付けられている。 - 特許庁

As a result, not only a patterned photo resist film 34 but also the slope 16a function as a mask for an ion implantation, the n-type impurity ion is not implanted into the slope 16a but implanted into a bottom face 15 and each slope 16b to 16d to form high concentration n-type impurity regions 18, 20.例文帳に追加

すると、パターニングしたフォトレジスト膜３４だけでなく斜面１６ａについてもイオン注入用マスクとして機能し、斜面１６ａにはＮ形不純物イオンが注入されず、底面１５および各斜面１６ｂ〜１６ｄにＮ形不純物イオンが注入され、高濃度Ｎ形不純物領域１８，２０が形成される。 - 特許庁

A method for obtaining the low permittivity insulating film comprises the steps of forming a number of air gaps 8 in the insulating film 2 by implanting at least a kind of ion 6 out of inert gas, nitrogen, or hydrogen to the insulating film 2 which composes the semiconductor device, and lowering the relative permittivity of the insulating film 2 lower than before the ion implantation, resulting in obtaining a low permittivity insulating film 10.例文帳に追加

半導体装置を構成する絶縁膜２に不活性ガス、窒素および水素の内の少なくとも一種のイオン６を注入して絶縁膜２中に多数の空隙８を形成し、絶縁膜２の比誘電率をイオン注入前よりも低下させ、これによって低誘電率絶縁膜１０を得る。 - 特許庁

A charge-up potential of the mask member 21 is detected by a mask potential sensor 30 at the time of ion implantation, and a sufficient amount of electrons for canceling the potential is generated at an electron source 28 to restrict the charge-up of a wafer W.例文帳に追加

イオン注入時、マスク電位センサ３０によってマスク部材２１のチャージアップ電位を検出し、この電位を打ち消すのに十分な量の電子を電子発生源２８から発生させて、ウェーハＷのチャージアップを抑制する。 - 特許庁

Select gate lines exposed to open side walls at a bit line contact position and a source line contact position are covered with an insulating film for ion implantation, and a first conductive diffusion layer is formed for bit line contact and source line contact.例文帳に追加

ビット線コンタクト位置及びソース線コンタクト位置の開口側壁に露出した選択ゲート線を絶縁膜で覆った状態でイオン注入を行って、ビット線コンタクト及びソース線コンタクト用の第１導電型拡散層を形成する。 - 特許庁

A device isolation oxide film is etched to form a silicon fin that protrudes, and then a gate electrode and a source/drain region, of which tops are flattened, are formed after a channel region being formed on a sidewall of the silicon fin by means of inclined ion implantation.例文帳に追加

素子分離酸化膜を食刻して突出されたシリコンフィンを形成し、傾斜イオン注入でシリコンフィンの側壁にチャンネル領域を形成したあと上部が平坦化したゲート電極とソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

With an ion implantation layer 55 formed on the cap wafer 50 as a cleavage surface, the side of a backside 52 of the cap wafer 50 is peeled rather than the cleavage surface to make the trench 53 serve as a through-hole 25a and to make the embedded electrode 54 serve as a through electrode 25c.例文帳に追加

キャップウェハ５０に形成したイオン打ち込み層５５を劈開面として該劈開面よりもキャップウェハ５０の裏面５２側を引き剥がし、トレンチ５３を貫通孔２５ａとし、埋め込み電極５４を貫通電極２５ｃとする。 - 特許庁

An n^++ diffusion layer 3 is formed by ion implantation or diffuison method in the dicing region of the semiconductor wafer 1, in such a manner that it may reach an n^++ layer 11 formed in a deep place of the semiconductor wafer 1 from the front surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ１のダイシング領域にｎ^＋＋拡散領域３を、ウェハ表面から、半導体ウェハ１の深いところに設けられたｎ^＋＋層１１に達するように、イオン注入法や拡散法により形成する。 - 特許庁

Si^+ is subjected to ion implantation as an element in a plurality of stripe like states parallel to each other with respect to the region which surrounds at least a part of the analyzing region irradiated with primary ions on the surface 1a of the sample 1, herein, the surface 1a of the sample 1.例文帳に追加

試料１の試料面１ａにおける一次イオンが照射される分析領域の少なくとも一部を囲む部位、ここでは試料面１ａで並列する複数のストライプ状に、元素としてＳｉ^+をイオン注入する。 - 特許庁

At that time, conditions of the ion implantation and the heat treatment at high temperature is set so as to obtain a prescribed value of the diffused resistor 12, but in fact, the value of resistances of the diffused resistor 12 is sometimes deviated from the prescribed value.例文帳に追加

このとき、イオン注入と高温熱処理の条件は、拡散抵抗１２が所定の抵抗値になるように設定されているが、実際には完成後の拡散抵抗１２は所定の抵抗値からずれていることが多い。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which secures high quality by reducing noise caused by a non-recording part even when using ion implantation in forming a magnetic pattern comprising a magnetic recording part and the non-recording part.例文帳に追加

磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically.例文帳に追加

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。 - 特許庁