「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

Hydrogen ions are implanted in a bulk from a wafer surface, and the substrate is heated to peel a surface side part of the wafer from an ion implantation layer and leave a part of it.例文帳に追加

このウェーハ表面からバルク中に水素イオンを注入し、その後加熱することによりイオン注入層からこのウェーハの表面側部分を剥離し、一部を残す。 - 特許庁

Germanium layer is formed on a wafer and Sb(Stibium) is ion implanted in a prescribed region of the germanium layer by a range of an implantation dose between 1014 cm-2 and 1016 cm-2.例文帳に追加

基板上にゲルマニウム層を形成し、このゲルマニウム層の所定の位置に、Ｓｂ（アンチモン）を注入ドーズが１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-^2 以下でイオン注入する。 - 特許庁

MOBILE DEVICE CONTROL METHOD, MOBILE DEVICE LINKING APPARATUS AND METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS, AND MECHANICAL SCAN ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加

移動装置の制御方法、及び移動装置の連動装置、及び移動装置の連動方法、及び半導体製造装置、及び液晶製造装置、及びメカニカルスキャンイオン注入装置 - 特許庁

After a control film is formed on a semiconductor substrate in which the sidewall is formed, an activating region for forming the silicide is formed by an ion implantation method.例文帳に追加

サイドウォールが形成されている半導体基板の上に制御膜を形成した後、シリサイドを形成するための活性化領域をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

On the laminate surface side of the Si substrate 10, a "minute air bubble layer" is formed by hydrogen ion implantation and bonding state of elements is made fragile locally.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の貼り合わせ面側には、水素イオン注入により「微小気泡層」が形成されており、元素の結合状態は局所的に脆弱化されている。 - 特許庁

Also, after the whole surface formation of a reflection preventing member film 12a, the ion implantation can be performed before the formation of the reflection preventing film 12 by selective etching.例文帳に追加

尚、反射防止材膜１２ａの全面形成より後、その選択的エッチングによる反射防止膜１２の形成前にそのイオン注入を行うようにしても良い。 - 特許庁

To suppress the degradation of an effective isolation width between a well and a diffusion layer due to impurity ion implantation at the time of well formation at a prescribed incident angle.例文帳に追加

ウェル形成の際の不純物イオン注入を所定の入射角度をもって行うことに起因するウェルと拡散層間の実効的分離幅の劣化を抑える。 - 特許庁

After that, in order to recover point defect leading to a cause of TED which is generated with the ion implantation of indium, anneal by RTA treatment is performed at a primary temperature.例文帳に追加

その後、インジウムのイオン注入で発生したＴＥＤの原因となる点欠陥を回復させるため、第１の温度でＲＴＡ処理によるアニールを行う。 - 特許庁

The guard ring is formed by ion implantation into the semiconductor contact layer, without completely annealing the semiconductor contact layer, for forming a high resistance region.例文帳に追加

保護リングは、高抵抗領域を形成するために、半導体コンタクト層を完全にアニール処理することなく半導体コンタクト層内へのイオン注入によって形成される。 - 特許庁

The first charge storage capability of one portion 31 of the gate charge storage layer 22b' is reduced by ion implantation using fluorine gas and/or hydrogen-based gas.例文帳に追加

前記ゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の前記一部（３１）の前記第１電荷蓄積能力は、フッ素系ガスおよび／または水素系ガスを用いるイオン注入によって低下している。 - 特許庁

In addition, the barier layer 134 in a transfer part is formed through ion implantation by which the polysilicon film of the lower-layer transfer electrode 132 is self-aligned, in the horizontal transfer register 130.例文帳に追加

また、水平転送レジスタ１３０では、トランスファ部のバリア層１３４を下層転送電極１３２のポリシリコン膜をセルフアラインとするイオン注入によって形成できる。 - 特許庁

The method uses a mask (e.g., a mask that has been previously used for etching features into a device) for selective epitaxial growth or selective ion implantation.例文帳に追加

この発明に従った方法は、マスク（たとえば機構を素子にエッチングするために以前使用されたマスク）を選択的エピタキシャル成長または選択的イオン注入用に使用する。 - 特許庁

Finally, a drain region 8 and a source region 9 are formed by forming an insulating gate 6 in the trench 6 and performing n-type impurity ion implantation and annealing.例文帳に追加

次に、溝部４内に絶縁ゲート６を形成し、ｎ型不純物をイオン注入及びアニール処理を行うことにより、ドレイン領域８及びソース領域９を形成する。 - 特許庁

As a result of the ion implantation, the electro-negativity of the electrode can be regulated to meet the electrode-negativity of a toner material used in the developing system or can be made coincident therewith.例文帳に追加

イオン注入の結果、電極の電気陰性度を、現像システムで使用されるトナー材の電気陰性度に併せて調整またはこれと一致させることができる。 - 特許庁

A sidewall 8 is formed on the sidewall of the gate electrode 5, and for forming an n^+-type semiconductor area 9 as the source/drain, ion implantation 9a is carried out.例文帳に追加

ゲート電極５の側壁上にサイドウォール８を形成し、ソース・ドレインとしてのｎ^+型半導体領域９を形成するためにイオン注入９ａを行う。 - 特許庁

The piezoelectric single crystal substrate which the ion implantation layer has been formed is bonded to a supporting substrate (S102→S103), and THG laser light is emitted from the supporting substrate side (S104).例文帳に追加

イオン注入層が形成された圧電単結晶基板を支持基板に接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、支持基板側からＴＨＧレーザ光を照射する（Ｓ１０４）。 - 特許庁

Further, a second impurity region 72 constituting a source region or drain region of a MOS transistor belonging to a circumferential circuit is formed by ion implantation.例文帳に追加

また、周辺回路に属するＭＯＳトランジスタのソース領域あるいはドレイン領域を構成する第２の不純物領域７２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 4 is formed on the surface of the oxide film 3 by a decompression CVD method, and then phosphorus is doped to the polycrystalline silicon film 4 by the ion implantation method.例文帳に追加

酸化膜３の表面に減圧ＣＶＤ法で多結晶シリコン膜４を形成した後、この多結晶シリコン膜４に対してリンをイオン注入法により添加する。 - 特許庁

An impurity region 121 is formed by performing oblique ion implantation below a bird's beak part 310 of the silicon oxide film 300 with the silicon nitride film 200 used as a mask.例文帳に追加

窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 - 特許庁

Ionized Ga and N, which are substances constituting an n-type layer or a p-type layer, are implanted into an ion implantation area 10A under the surface of a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面下のイオン打ち込み領域１０Ａにｎ層またはｐ型層を構成する物質であるイオン化したＧａおよびＮを打ち込む。 - 特許庁

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, a photoelectric conversion section (photodiode) 4 is formed by an ion implantation method.例文帳に追加

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法により光電変換部（フォトダイオード）４を形成する。 - 特許庁

A gate electrode comprising a gate insulation film and polycrystal silicon is formed onto a semiconductor substrate, and semiconductor regions as a source and a drain are formed by ion implantation.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜および多結晶シリコンからなるゲート電極を形成し、イオン注入によりソース・ドレインとしての半導体領域を形成する。 - 特許庁

A film thickness H2' of an oxide film 6 is set so as to block BF_2^+ ions from reaching a tungsten silicide film 4, after performing ion implantation IP2 of the EF_2^+ ions.例文帳に追加

酸化膜６の膜厚Ｈ２´を、ＢＦ_2^+イオンのイオン注入ＩＰ２を行った時に、ＢＦ_2^+イオンがタングステンシリサイド膜４に到達することを阻止できるように設定する。 - 特許庁

Then p-type regions 38A are formed on the substrate 22, by injecting a low- concentration p-type impurity deep into the substrate 22, by high-energy ion implantation by using the photoresist film 2 as a mask.例文帳に追加

この第１のフォトレジスト層２をマスクとして低濃度のｐ型不純物を深部に高エネルギーのイオン注入により導入しｐ型領域３８Ａを形成する。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

The method includes steps of forming a resist having an opening for forming an n-type photodiode for conversion of incident light to an electric signal on a silicon substrate, and carrying out ion implantation by a plurality of times from mutually different implantation directions with different implantation angles to a normal direction to the main surface of the silicon substrate.例文帳に追加

入射光を電気信号に変換するＮ型フォトダイオードが形成される領域を開口したレジストをシリコン基板上に形成するステップと、Ｎ型フォトダイオードを形成するためのイオン注入を、シリコン基板の主面の法線方向に対して注入角度をつけて、かつ、互いに異なる注入方向から複数回行うステップを含む。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding.例文帳に追加

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.例文帳に追加

半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁

The adjustment step adjusts both or either of ion implantation processing conditions of the ion implantation step and annealing processing conditions of the annealing step based on at least one of the thin film deposition conditions and the result of the deposition step, and the thin film processing result of the processing step.例文帳に追加

調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 - 特許庁

As a means for allowing the charge accumulator to get under the transfer gate (with no diagonal ion implantation with polysilicon gate regulation), implantation is implemented at the angle where the charge accumulation part is prevented from cutting into the transfer gate electrode with a mask regulation before formation of the polysilicon gate and from having any escape from the same.例文帳に追加

また、転送ゲート下に電荷蓄積部を潜り込ませる手段として（ポリシリコンゲート規定での斜めイオン注入を行わず）ポリシリコンゲート形成前にマスク規定で転送ゲート電極に対して食い込み、逃がしのない角度にて注入を行う。 - 特許庁

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices.例文帳に追加

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。 - 特許庁

To provide a high resolution magnetic analyzer for an ion implantation device capable of bending ribbon ion beams with a high aspect ratio with an angle between about 45 degrees or larger and about 110 degrees or lower, capable of setting a focus through an analyzing slit for mass analysis.例文帳に追加

約４５度以上、約１１０度以下の角度で高アスペクト比のリボンイオンビームを曲げることができ、質量分析のために分析スリットを通してその焦点を合わせることのできる、イオン注入装置用の高分解能磁気アナライザを提供する。 - 特許庁

A silicon layer 10B of conductivity type opposite to that of a bulk is provided on the surface of a silicon substrate 100, and a hydrogen ion is implanted to prescribed depth L at a surface region via the silicon layer 10B to form a hydrogen ion implantation layer 11.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面にバルクの導電型とは反対の導電型のシリコン層１０Ｂを設け、表面領域の所定の深さ（Ｌ）にシリコン層１０Ｂを介して水素イオンを注入して水素イオン注入層１１を形成する。 - 特許庁

At the implantation depth heating step S12, after the surface heating step S10, at least the semiconductor substrate 12 at the depth 50 is heated until reaching a temperature of the hydrogen ion outward-diffusion temperature or higher within a hydrogen ion activation-temperature range.例文帳に追加

注入深さ加熱工程Ｓ１２は、表面加熱工程Ｓ１０後に、少なくとも前記深さ５０の半導体基板１２を、水素イオン活性化温度域内にあって水素イオン外方拡散温度以上の温度に到達するまで加熱する。 - 特許庁

Nitrogen ion or silicon ion is implanted into the surface of the glass plate in a depth of 10 nm to 10μm from the surface in the implantation amount of 1×10^12-1×10^18 ions/cm^2.例文帳に追加

ガラス板の表面に窒素イオンまたはケイ素イオンをイオン注入法で、表面から１０ｎｍ〜１０μｍの範囲の深さに、１×１０^１２ｉｏｎｓ／ｃｍ^２〜１×１０^１８ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の範囲のイオン注入量を注入する。 - 特許庁

To efficiently adjust a current density distribution of beams of respective ribbon-like ion beams in an ion implanter for at least partially overlapping irradiation regions on a glass substrate by m (m is an integer equal to or larger than 2) lines of ribbon-like ion beams and realizing a predetermined implantation amount distribution.例文帳に追加

ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide.例文帳に追加

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion implantation apparatus is provided with a plurality of gas introducing parts 38 introducing raw material gas 34 into an ion source 2 generating a ribbon-shape ion beam 4 and arranged in the Y-direction, and a plurality of flow regulators 36 controlling the flow of the introducing raw material gas 34.例文帳に追加

このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム４を発生させるイオン源２内に原料ガス３４を導入するものであってＹ方向に配列された複数のガス導入部３８と、それから導入する原料ガス３４の流量を調節する複数の流量調節器３６とを備えている。 - 特許庁

On the ion implantation device having an end station 4 with wafer holders 6 holding wafers 5 on which ion beams 3 are irradiated, and beam lines (1, 31a, 2, 31b) guiding the ion beam 3 to the end station 4, a heating means 10, heating a part of the wafers 5 held on the wafer holders 6 without contacting the wafer, is provided.例文帳に追加

イオンビーム３を照射するウエハ５を保持するウエハホルダ６を有するエンドステーション４と、前記エンドステーション４にイオンビーム３を導くビームライン（１、３１ａ、２、３１ｂ）と、を有するイオン注入装置に、ウエハホルダ６に保持したウエハ５の一部を非接触で加熱する加熱手段１０を設ける。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

Then, ion implantation using a second implantation mask 8 having an opening part with a width Ln (desirably, the value obtained by adding the twofold value of the spreading range in the lateral direction of ions in the region 6 to the width Lp) larger than the width Lp is performed to form an n-type source region 7.例文帳に追加

次に、幅Ｌｐよりも大きな幅Ｌｎ（望ましくは領域６のイオンの横方向の拡がり範囲の２倍値を幅Ｌｐに加えた値）の開口部を有する第２注入マスク８を用いたイオン注入を行うことで、ｎ型ソース領域７を形成する。 - 特許庁

An ion implantation step is carried out with the mask of the dummy gates 7 and 8 and the gate-side wall insulating film 9 to form deep source drain regions 11p and 11n at first as in a reverse way to the usual one.例文帳に追加

次にダミーゲート７，８、ゲート側壁絶縁膜９をマスクに用いてイオン注入を行い、通常とは逆に深いソース／ドレイン領域１１ｐ，１１ｎを先に形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device which is capable of preventing the deterioration of productivity due to the supply of gas into the device, and also improving its stability.例文帳に追加

イオン注入装置において使用されるガスの供給に起因する装置の生産性の低下を防ぐことができ、安全性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁