「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

In a tunnel type magnetic detection element comprising a fixed magnetic layer that has a fixed direction of magnetization, an insulation barrier layer, and a free magnetic layer having a direction of magnetization that is variable with external magnetic field formed sequentially from below, a first protective layer of magnesium (Mg) is formed on the free magnetic layer.例文帳に追加

下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上にマグネシウム（Ｍｇ）で形成された第１保護層が形成される。 - 特許庁

A side wall part 6 of the heat insulating paper container has a foam insulation layer 3 made of a foamed resin, a paper layer 2, a polyethylene layer 51, a barrier layer 4 made of resin having a gas barrier property, and a polyethylene layer 52 that serves to be a sealant with a lid member 8, in this order from the outermost surface (left side of Fig. 2(a)).例文帳に追加

断熱紙容器の側壁部６は、最外面（図２（ａ）の左側）から順に、発泡した樹脂からなる発泡断熱層３と、紙層２と、ポリエチレン層５１と、ガスバリア性を有する樹脂からなるバリア層４と、蓋材８とのシーラントとなるポリエチレン層５２とを有する。 - 特許庁

The transistor comprises a columnar semiconductor layer 2, gate electrode 4 formed to surround the columnar semiconductor layer 2 through a gate insulation film 3, and a drain diffusion layer 5 and a source diffusion layer 6 formed in an upper and a lower end of the columnar semiconductor layer 2, respectively.例文帳に追加

トランジスタは、柱状半導体層２と、この柱状半導体層２を取り囲むようにゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極４と、柱状半導体層２の上端部及び下端部に形成されたドレイン拡散層５及びソース拡散層６とを有する。 - 特許庁

The carrying belt 14 consists of an insulating layer 14A and a conductive layer 14B wherein the insulating layer 14A side faces an ink head 16 and the conductive layer 14B side, i.e. the opposite side of the insulation layer 14A to the ink head 16, touches the belt rollers 20A, 20B and 20C.例文帳に追加

搬送ベルト１４は、絶縁層１４Ａ及び導電層１４Ｂから構成されており、絶縁層１４Ａ側がインクヘッド１６に対向し、絶縁層１４Ａのインクヘッド１６と逆側の導電層１４Ｂ側がベルトローラ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃに接するように配置されている。 - 特許庁

The organic thin film transistor element includes an upper layer of an underlayer including a compound selected from an inorganic oxide and inorganic nitride on the underlayer including a polymer formed as the lower layer, an electrode in contact with the upper layer of the lower extending layer, and also an electrode via a gate insulation layer.例文帳に追加

ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

In a laminated film structure comprising an upper layer film composed of the insulation film and a lower layer film composed of a silicon film containing holes, buffer hydrofluoric acid or hydrofluoric acid is used for a chemical solution to be dissolved, and the upper layer film and the lower layer film are simultaneously dissolved, thereby evaluating the film quality of the upper layer film.例文帳に追加

絶縁膜からなる上層膜と正孔を含むシリコン膜からなる下層膜とからなる積層膜構造において、溶解させる薬液に緩衝フッ酸やフッ酸を用いて、上層膜と下層膜とを同時に溶解させることにより上層膜の膜質を評価する。 - 特許庁

The insulation wire 10 is provided with a conductor part 11 and a coating part 12 coating the conductor part 11, of which, the coating part 12 is made by laminating an outer layer (a first layer) 12b containing the bridged polylactic acid and an inner layer (a second layer) 12a located inside the outer layer 12b and containing an ethylene system polymer.例文帳に追加

絶縁電線は、導体部１１と、この導体部１１を被覆する被覆部１２とを備え、被覆部１２は架橋ポリ乳酸を含む外層（第１の層）１２ｂと、この外層１２ｂの内側に位置し、エチレン系ポリマを含む内層（第２の層）１２ａとを積層してなる絶縁電線１０。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

An insulation layer 115 is formed between a conductive base material 111 and a reflection layer 114, in the scintillator panel 110 provided with the conductive base material 111 for supporting a phosphor layer 112, and the reflection layer 114 for emitting outwards light converted by the phosphor layer 112.例文帳に追加

蛍光体層１１２を支持するための導電性基材１１１と、蛍光体層１１２で変換された光を外部に出射するための反射層１１４とを備えたシンチレータパネル１１０において、導電性基材１１１と反射層１１４との間に絶縁層１１５を形成する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is composed by forming, on a substrate in a sealed state, a layered product including a positive electrode layer, a negative electrode layer and an organic luminescent layer sandwiched therebetween, and is characterized by forming a polyparaxylene-based insulation layer at least on the negative electrode layer.例文帳に追加

陽極層、陰極層及びこれらに挟持された有機発光層を含む積層体が封止された状態で基板上に設けられてなる素子であって、少なくとも前記陰極層上にポリパラキシレン系絶縁層が形成されていることを特徴とする有機電界発光素子に係る。 - 特許庁

An insulation layer 3 has a composite structure comprising an inner layer 3a and an outer layer 3b, the inner layer 3a is made up of a non-polar material, such as polyethylene, excelling in electrical characteristics, and the outer layer 3b is made up of a polar material, such as poly-vinyl chloride, allowing high-frequency thermal fusion.例文帳に追加

絶縁層３を内層３ａと外層３ｂの複合構造とし、内層３ａを電気的特性に優れるポリエチレン等の非極性材料により構成し、外層３ｂを高周波熱融着が可能なポリ塩化ビニル等の極性材料により構成する。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

In the temperature fuse, an adhesive layer 16 arranged between a first insulation film 13 and a second insulation film 15, between first and second metal terminals 11, 12 and the second insulation film 15, is constituted of a resin of which the softening point is lower than that of a resin constituting the first insulation film 13 and the second insulation film 15.例文帳に追加

本発明の温度ヒューズは、第１の絶縁フィルム１３と第２の絶縁フィルム１５との間、および第１の金属端子１１、第２の金属端子１２と前記第２の絶縁フィルム１５との間に設けられた接着層１６を前記第１の絶縁フィルム１３と第２の絶縁フィルム１５を構成する樹脂よりも軟化点が低い樹脂で構成したものである。 - 特許庁

The electron emitter is composed of a first substrate and a second substrate facing each other, a cathode electrode formed on the first substrate, an electron emitting part formed on the cathode electrode, a gate electrode formed on the cathode electrode interposing a first insulation layer, and a conversion electrode formed on the first insulation layer and the gate electrode interposing a second insulation layer.例文帳に追加

本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板、第１基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第１絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第２絶縁層を間に置いて、第１絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含む。 - 特許庁

To provide a highly refined and reliable printed wiring board and a palladium inactivating treatment liquid therefor, by inactivating a palladium remaining on the surface of an insulation layer as a catalyst so as to improve the insulation property of a circuit pattern, in a method for manufacturing a printed wiring board using an additive method to form the circuit pattern by a copper plated layer formed on the surface of the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層の表面に形成した銅めっき層により回路パターンを形成するアディティブ法によるプリント配線板の製造方法において、絶縁層の表面に残留する触媒たるパラジウムを不活性化して回路パターンの絶縁性を向上させ、高精細かつ高信頼性のプリント配線板を得ると共に、そのパラジウム不活性化処理液を提供する。 - 特許庁

When attaching this insulation member 11 to a roof portion, a projection forming member 14 is directed to a roof sheathing member 2, and the insulation member 11 is fitted between rafters 3 and 3, and a ventilation layer 18 determined by the size defined by the height of a projection forming member 14 can be formed and an insulation layer formed with a ventilation layer at one surface can be easily formed.例文帳に追加

この断熱材１１を屋根部に取り付ける際には、凸部形成部材１４を屋根下地材２に向け、断熱材１１を垂木３、３の間に嵌め込むことで、屋根下地材２と断熱部材１２との間に凸部形成部材１４の高さで定まるサイズの通気層１８を形成でき、片面に通気層を形成した断熱層を容易に形成できる。 - 特許庁

Rewiring is further executed to a member composed by forming a third insulation layer (in a semi-cured state) covering the insulation layer 44, thereafter superposing a first structure with a conductor to be connected to the projecting parts 43b through the rewiring formed therein on a second structure manufactured through a process similar to that of it, and thermally curing the third insulation layer to be integrated.例文帳に追加

さらに、絶縁層４４を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、上記再配線を介して突起部４３ｂに接続される導体が形成された第１の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体とを重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 - 特許庁

An integrated insulation coated electric wire layer 13 is constructed by mutually bonding electric wires 12 having an integrated insulation coated film 11 on the surface in a state installed in parallel in large numbers nearly in plane, and the insulation coated electric wire layer 13 is mutually bonded to construct an integrated multi-layer type transmission passage component 14 by laminating in multiple layers of at least three layers or more.例文帳に追加

表面に一体の絶縁被膜１１を有する電線１２を、ほぼ平面状に多数並設した状態で互いに接着して一体の絶縁被膜電線層１３を構成し、絶縁被膜電線層１３を、少なくとも三層以上の多層に積層した状態で互いに接着して一体の多層型電送路部品１４を構成するようにしている。 - 特許庁

The semiconductor device and its manufacturing method are provided with an accurate positioning mark by having a semiconductor board 4 providing a circuit element, an insulation layer 1 provided on the semiconductor board 4 and having an opening part 2, and positioning marks 3, 5 provided in the insulation layer 1, exposing the upper face on the opening part 2 and covered by the insulation layer other than the upper face.例文帳に追加

回路素子が設けられた半導体基板４と、前記半導体基板４上に設けられ、開口部２を有する絶縁層１と、前記絶縁層１中に設けられ、前記開口部２にその上面が露出し、上面以外は前記絶縁層で被覆された位置合わせマーク３，５とを有することで、高精度な位置合わせマークを備えた半導体装置及びその製造方法。 - 特許庁

Of the spots 511 to 516, those to be actually repaired are radiated with laser to cut a surface protection film, an electrode layer forming signal transfer line 508, an N+ type a-Si layer, an a-Si layer, and an a-SiNx film to become an insulation layer.例文帳に追加

５１１〜５１６の箇所の中で、実際にリペアする箇所についてレーザー照射し、表面の保護膜、信号転送線５０８を形成する電極層、Ｎ＋型ａ−Ｓｉ層、ａ−Ｓｉ層や絶縁層となるａ−ＳｉＮｘ膜を切断する。 - 特許庁

Organic light-emitting devices 10R, 10G and 10B are provided with a first electrode layer 13, a lower part organic layer 14, an upper part organic layer 15 and a second electrode 16 on a concave part 121 of a flat insulation layer 12 fitted on a base body 11, in this order.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基体１１に設けられた平坦化絶縁層１２の凹部１２１に、第１電極層１３、下部有機層１４、上部有機層１５および第２電極１６が順に設けられたものである。 - 特許庁

To provide a highly rustproof adhesion layer for a wiring board which imparts high adhesiveness between a metal layer and an insulation layer without relying upon an anchor effect by roughening, and to provide the wiring board having the adhesion layer for the wiring board and its manufacturing method.例文帳に追加

粗化処理によるアンカー効果によらずに、金属層と絶縁層との間に高い密着性を付与し、防錆性が良好な配線基板用密着層、該配線基板用密着層を有する配線基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A PIN diode 212 is constituted on an insulation film 44 by sequentially laminating a lower electrode 212a, an N-type semiconductor layer 212b, a light receiving layer 212c made of a polysilicon layer, a P-type semiconductor layer 212d, and an upper electrode 212e.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２１２は、絶縁膜４４上に順に積層された下電極２１２ａ、Ｎ半導体層２１２ｂ、ポリシリコン層からなる受光層２１２ｃ、Ｐ型半導体層２１２ｄ、及び上電極２１２ｅを備えて構成されている。 - 特許庁

Also, a groove from a semiconductor surface constituting a base layer 18 to the deep n+ buried layer 4 for the collector is provided around the base layer, an insulation layer 6 is buried inside the groove, and thus the parasitic capacitance between the base and the collector is reduced.例文帳に追加

また、ベース層１８を構成する半導体表面からその深いコレクタ用ｎ^+埋め込み層４に達する溝をベース層の周囲に設けその溝内部に絶縁層６を埋め込むことによってベース・コレクタ間の寄生容量を小さくする。 - 特許庁

This stack 11 has a structure wherein a plurality of the cells 1 are stacked by interlaying collectors 12; and each collector 12 has a three-layer structure comprising an upper conductive layer, an insulation layer and a lower conductive layer, and is formed into a shape having a corrugated form or having a plurality of uneven parts.例文帳に追加

スタック１１は、セル１を集電体１２を介して複数積み重ね、集電体１２が、上部導電層、絶縁層、下部導電層の三層構造で波形或いは複数の凹凸を有する形状に形成された構成を有する。 - 特許庁

The printed wiring board consists of a substrate 1 wherein an inner layer conductor circuit 2 for electrical conduction is formed in both upper and lower surfaces and an outer layer conductor circuit 4 which is formed in an upper surface 81 and a lover surface 82 of the substrate 1 with a layer insulation layer 3 interposed.例文帳に追加

上下両面に電気導通用の内層導体回路２を形成した基板１と，基板１の上面８１及び下面８２に層間絶縁層３を介して形成した外層導体回路４とからなるプリント配線板である。 - 特許庁

The epitaxial layer is provided with a substrate 1, a base layer 2 that is epitaxially grown on the substrate 1 and is made of a first nitride semiconductor, and a semi-insulation layer 3 that is epitaxially grown on the base layer 2 and is made of a second nitride semiconductor.例文帳に追加

エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。 - 特許庁

To provide a flexible pipe body that is used for a type of flexible pipe transporting a production fluid and including a thermal insulation layer between a barrier layer of a flexible pipe, namely, an inner fluid-retaining layer such as a liner, and an outer protective layer.例文帳に追加

生産流体を輸送することができ、かつフレキシブルパイプの障壁層すなわちライナーなどの内側流体保持層と外側保護層との間に断熱層を含むタイプのフレキシブルパイプに用いることができるフレキシブルパイプ本体を提供する。 - 特許庁

Or, the semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the insulation film and has its part surrounded by the diffusion layer patterns and is formed through the diffusion layer patterns and the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、絶縁膜には接することなくその一部が拡散層パターンに包囲されて拡散層パターンおよび半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on at least one resin insulation layer and a Cu paste filling process in which the groove is filled with Cu paste forming the conductor layer with an ink jet device.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記少なくとも１層の樹脂絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に対してインクジェット装置を用いて前記導体層となるＣｕペーストを充填するＣｕペースト充填工程と、を備える。 - 特許庁

The protective layer 231, formed on the peripheral edge part of the surface wiring layer 2 formed on surfaces of the glass ceramic insulation layers 11, 12, 13, 14, and the protective layer 232 partially covering the glass ceramic insulation layers 11, 12, 13, 14 around the protective layer are formed of different compositions of a filler of SiO_2, chromium oxide and glass component.例文帳に追加

ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の表面に形成された表面配線層２の周縁部に形成された保護層２３１と、その周囲の前記ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２とを、ＳｉＯ_２のフィラー、酸化クロム、およびガラス成分の組成を異ならせて形成したものである。 - 特許庁

In this sheet for forming an insulation layer, a coating layer 20 which is soluble in a treatment liquid is formed on the surface of a carrier film 10, fine recessed and projecting parts 24 are formed thereon, and an insulation layer 30 which is made of insulative material difficult to be dissolved is formed on the surface of the coating layer 20.例文帳に追加

絶縁層形成用シートを、キャリアフィルム１０の表面に処理液に可溶なコーテング層２０であって、その表面に微細な凹凸２４が形成されたコーテング層２０が形成され、その微細な凹凸２４が形成されたコーテング層２０の表面に、処理液に難溶な絶縁材からなる絶縁層３０が形成された構造とする。 - 特許庁

When manufacturing a multilayer wiring board, conductive wires 13 each formed of a predetermined conductive material is driven from the side of an insulation layer formation material 12 within a base material with the insulation layer formation material 12 stuck to one surface of a conductive layer formation material 11, and the conductive wires 13 are inserted until contacting the conductive layer formation material 11.例文帳に追加

多層配線基板を製造するにあたっては、導電層形成材１１の片面に絶縁層形成材１２が貼着された基材のうち、絶縁層形成材１２の側から、所定の導電性材料からなる導電性ワイヤ１３を打ち込み、当該導電性ワイヤ１３を導電層形成材１１に接触するまで挿通させる。 - 特許庁

The organic FET 1 has a gate electrode 2 formed on one side of a gate insulation film 4, an organic semiconductor layer 6 formed on the other side of the gate insulation film 4, source and drain electrodes 10, 12 formed above the layer 6 and disposed with a constant space between them, and a buffer layer 8 formed between both the electrodes 10, 12 and the organic semiconductor layer 6.例文帳に追加

有機ＦＥＴ１は、ゲート絶縁膜４の一側にゲート電極２を有しており、ゲート絶縁膜４の他側には有機半導体層６、及びその上方に一定の間隔をおいて配置されたソース電極１０及びドレイン電極１２を有しており、さらに両電極１０，１２と有機半導体層６との間にバッファ層８が形成されている。 - 特許庁

The printed wiring board comprises a fiber-reinforced insulation layer 11, and a wiring layer 12 formed at least on one side thereof, wherein an insertion type terminal part T is formed by a part of the wiring layer 12, and the insulation layer 11 is coated with coating resin 13a, at least on the forward end face TE of the terminal part T.例文帳に追加

繊維補強された絶縁層１１と、少なくともその片面に形成された配線層１２とを備え、その配線層１２の一部によって挿入型の端子部Ｔが形成されたプリント配線板において、少なくとも前記端子部Ｔの先端端面ＴＥの絶縁層１１が被覆樹脂１３ａで被覆されていることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a thin semiconductor device in which a semiconductor structure, referred to as a CSP, is provided on a base plate, an insulation layer is provided on the base plate around the semiconductor structure, upper layer wiring is provided on the semiconductor structure and the insulation layer, and a solder ball is provided on the connection pad of the upper layer wiring.例文帳に追加

ベース板上にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が設けられ、半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層上に上層配線が設けられ、上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられた半導体装置において、薄型化を図る。 - 特許庁

Subsequently, the multilayer film 100 on the insulation layer 80 is removed to leave only the burying part 100A in the opening 90.例文帳に追加

次に、絶縁層８０上に配置される積層膜１００を除去し、開口部９０内の埋め込み部１００Ａだけを残す。 - 特許庁

The application pressure of the interlayer insulation layer 3 on the backside 12 of the substrate 1 is smaller than that of the surface 11.例文帳に追加

基板１の裏側面１２における層間絶縁層３の塗布圧力は，表側面１１の塗布圧力よりも小さい。 - 特許庁

To provide a thin film electronic part and a substrate capable of ensuring high insulation properties, protecting an insulating layer against cracking.例文帳に追加

絶縁体層におけるクラック発生を防止し、絶縁性を確保することができる薄膜電子部品および基板を提供する。 - 特許庁

Further, the side face part 9 of the probe 2 is covered with an insulation layer and a distal end part 8 is sharp.例文帳に追加

さらに、前記プローブ２の側面部９が絶縁層で覆われるとともに、先端部８が鋭利であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a heat insulation member with which a ventilation layer at one surface can be easily formed for a roof portion or wall portion of a building.例文帳に追加

建物の屋根部や壁部に、片面に通気層を形成した断熱層を容易に形成可能な断熱材を提供する。 - 特許庁

The holder element 11 holds a lower surface of the heat insulation coating layer of the piping P in an area wider than a supporting area of the piping support material R.例文帳に追加

該保持体１１は、配管支持材Ｒの支持面積よりも広い面積で配管Ｐの保温被覆層下面を保持する。 - 特許庁

In the cable, a chemical for moisture deterioration measures of the insulation layer is injected through the chemical injecting passage of the cable.例文帳に追加

また、このケーブルの前記薬剤注入用通路を介して絶縁層の水分劣化対策用の薬剤を注入したケーブル。 - 特許庁

At least a left side surface 20L and a right side surface 20R of the inner insulation layer 20 are coated with a light reflecting material film 21.例文帳に追加

内部絶縁層２０の少なくとも左側面２０Ｌ、右側面２０Ｒに光反射材料膜２１を被膜する。 - 特許庁

To prevent deterioration of insulation quality of an adhesive layer and reliability of bonding.例文帳に追加

接着層の絶縁性が劣化することを防止するとともに、接合の信頼性が低下することを防止することを課題とする。 - 特許庁