「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

In the insulation wire in which the surroundings of a conductor are covered with an insulating layer containing a crosslinked silicone rubber, the insulation layer includes a mica powder and surface treatment magnesium hydroxide formed by making a magnesium hydroxide surface-treated by a surface treatment agent composed of organic polymer.例文帳に追加

導体の周囲が架橋シリコーンゴムを含む絶縁層で被覆されている絶縁電線において、絶縁層が、有機高分子よりなる表面処理剤により水酸化マグネシウムが表面処理された表面処理水酸化マグネシウムおよびマイカ粉末を含有している。 - 特許庁

A first wiring 56a connected to the electrode terminal 2T of a shortest distance mutually through a part of a first via is formed on the first insulation layer 51 and a second insulation layer 52 wherein a second via leading to another part of a first via is formed is formed on a first wiring (a).例文帳に追加

第１の絶縁層５１上に第１のヴィアの一部を介して短距離の電極端子２Ｔ同士に接続された第１の配線５６ａが形成され、第１の配線ａ上に第１のヴィアの他の一部に至る第２のヴィアが形成された第２の絶縁層５７が形成される。 - 特許庁

The printed circuit board that includes the metal core and an insulation layer stacked on at least one surface of the metal core, where a portion of the insulation layer is removed to expose an edge surface of the metal core to the exterior and thereby form an exposed surface, allows superb heat release through the exposed surface.例文帳に追加

本発明は、金属コアと、金属コアの少なくとも一面に積層される絶縁層を含み、金属コアには絶縁層の一部が除去されてその縁面が外部に露出される露出面が形成された印刷回路基板は、露出面を介する熱放出が優れる。 - 特許庁

The stopper 20 comprises a tab 20a and a tab 20b arranged at an edge part in a cable width direction of the reinforcing plate 18, and the respective tabs are extended from the reinforcing plate 18 to the first insulation layer 12 side and are coupled, at least partially, with the edge part of the first insulation layer 12.例文帳に追加

ストッパー２０は、補強板１８のケーブル幅方向の端部に配設されるタブ２０ａ及びタブ２０ｂから構成され、これらのタブの各々は、補強板１８から第１絶縁層１２側に延びるとともに第１絶縁層１２の端部に少なくとも部分的に係合する。 - 特許庁

The hybrid integrated circuit device is provided with a metal base board 11 provided with an insulation layer 12 on the surface thereof, a conductive pattern 20 provided on the insulation layer 12, and connecting means C grounding the conductive pattern 20 operated as an earth potential, to the metal base board 11.例文帳に追加

表面に絶縁層１２が設けられた金属基板１１と、絶縁層１２上に設けられた導電パターン２０と、導電パターン２０上に実装された回路素子と、接地電位として働く前記導電パターン２０を金属基板１１に接地させる接続手段Ｃとを具備する。 - 特許庁

A first insulation layer 311 and a second insulation layer 321 are formed between a barrier rib 40 and a positive electrode terminal 31 and the barrier rib and a negative electrode terminal 32 respectively, and a first terminal lamination portion 41 and the second lamination portion 42 are formed between the barrier rib 40 and the positive electrode terminal 21 and between the barrier rib and the negative electrode terminal 22 respectively.例文帳に追加

隔壁４０と正極端子３１及び負極端子３２との間に第１及び第２の絶縁層３１１，３２１が形成されており、隔壁４０と正極端子２１及び負極端子２２との間に第１及び第２の端子積層部４１，４２が設けられている。 - 特許庁

An insulation film (2) on a silicon semiconductor substrate (1) presents a ferroelectric memory element of an MFIS structure containing a low permittivity layer control film (3) and a mutual diffusion prevention film (4), and it is restricted that an unnecessary low permittivity layer is formed between the semiconductor substrate and the insulation film.例文帳に追加

シリコン半導体基板（１）上の絶縁膜（２）が、低誘電率層抑制膜（３）と相互拡散防止膜（４）とを含むＭＦＩＳ構造の強誘電体記憶素子を提供し、不要な低誘電率層が半導体基板と絶縁膜の間に形成されるのを抑制する。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer 3 made of group III nitride semiconductor, a p-type GaN layer 4 and an n-type GaN layer 5 are grown in this order from the n-type GaN layer 7 exposed from the opening 9 of the insulation film mask 8, forming a mesa lamination part 15 with npn structure.例文帳に追加

そして、この絶縁膜マスク８の開口部９から露出するｎ型ＧａＮ層７から、III族窒化物半導体からなるｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、この順に成長させられてｎｐｎ構造からなるメサ状積層部１５が形成される。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

By depositing an EL layer with a deposition substrate tilted from a deposition source, the second insulation layer serves as a barrier, so that a region where the EL layer is not deposited and the conductive layer is exposed is formed in a self-aligning manner in a part of the opening.例文帳に追加

また、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着することにより、第２の絶縁層が障害物となり、開口部の一部にはＥＬ層が蒸着されずに導電層が剥き出しとなる領域が自己整合的に形成される方法を用いた。 - 特許庁

In the printed wiring board having a wiring pattern including, on a surface of an insulation base material 10, a base layer 23 and a copper-plated layer 24 formed by a semi-additive method on top of the base layer, the copper-plated layer 24 has a multilayer structure, wherein a twin particle diameter is <5 μm.例文帳に追加

絶縁基材１０の表面に、下地層２３と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層２４とを含む配線パターンを有するプリント配線基板であって、前記銅めっき層２４が、多層構造を有し、双晶粒径が５μｍ未満である。 - 特許庁

On the semiconductor or the semiconductor insulator substrate, the undoped AlN layer and the n-type AlN layer are formed by epitaxial growth and then the n-type AlN layer which has extremely superior electric conductivity because of the less-defect undoped AlN layer is obtained, so that a Schttoky barrier height and an insulation breakdown voltage can be greatly increased.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

The image signal wire is formed of a stacked film of two layers, comprising the lower-layer electrode film and an upper-layer electrode film of aluminum, covering the lower-layer electrode film, by overlapping at least a part of the lower-layer electrode film, facing the groove of the first insulation substrate and deposited up to the flat principal surface.例文帳に追加

下層電極膜の少なくとも一部に重畳して当該下層電極膜を覆うと共に、第１絶縁基板の溝を臨む平坦な主面にかけて蒸着されたアルミニウムの上層電極膜との二層の積層膜で画像信号配線が構成される。 - 特許庁

A conductive member 2 that is connected to a predetermined position on a conductive layer 1 in contact is provided at the predetermined position, and an insulation region layer 3 for burying the conductive member 2 to an area to the conductive layer 1 is provided on the conductive layer 1, thus forming a circuit part connection material 4.例文帳に追加

導電層１上の所定位置にこの導電層１に当接して接続する導電部材２を設け、この導電層１上に、導電層１との間に導電部材２を埋め込む絶縁性樹脂層３を設けることで回路部品接続材４を形成する。 - 特許庁

The wiring board comprises a nickel oxide layer 66 formed on the outer layer of wiring patterns 65a, 65b which are formed of a silver conductor on a substrate 1; and an insulation protecting film formed on the nickel oxide layer, wherein the nickel oxide layer contain 5-12 wt% phosphorus.例文帳に追加

基板１上に銀導体で形成された配線パターン６５ａ、６５ｂの表層に形成された酸化ニッケル層６６と、この酸化ニッケル層の上に形成された絶縁保護膜とを有し、前記酸化ニッケル層は、５ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のリンを含有する層としたものである。 - 特許庁

An insulation layer capable of discharging oxygen by heating is formed in contact with an oxide semiconductor layer, and by applying light on a gate electrode or a metal layer formed in a region overlapping the gate electrode, oxygen is added in the oxide semiconductor layer in the region overlapping the gate electrode.例文帳に追加

酸化物半導体層に接して、加熱により酸素の放出が可能な絶縁膜を形成し、ゲート電極又はゲート電極と重なる領域に形成された金属層に光照射を行うことで、ゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に酸素を添加する。 - 特許庁

In a substrate 10 for use in mounting components of this invention, wiring circuit electrode portions 12 are formed with a metal plating layer and a surface of the metal plating layer is covered with an electric insulation resin film layer 13 and furthermore its surface is covered with an electromagnetic wave absorption layer 14.例文帳に追加

本発明の部品実装用基板１０はＩＣチップ２１が接続される配線回路電極部１２が金属メッキ層で形成されており、その金属メッキ層の表面が電気絶縁樹脂被膜層１３で、更にその表面に電磁波吸収材層１４で被覆されていている。 - 特許庁

Plural lower electrodes 8 are provided on one surface of the insulation substrate 11 as a substrate, and a semiconductor layer 20 is formed on the lower electrode 8, and a non-doped polycrystalline silicon layer 3 is formed on the semiconductor layer 20, and a drift part 6a is formed on the polycrystalline silicon layer 3.例文帳に追加

基板としての絶縁性基板１１の一表面上に複数の下部電極８が列設され、下部電極８上に半導体層２０が形成され、半導体層２０上にノンドープの多結晶シリコン層３が形成され、多結晶シリコン層３上にドリフト部６ａが形成されている。 - 特許庁

Essential part of the nitride semiconductor element is formed on a sapphire substrate 10 and comprises a protrusion-like nuclide crystal layer 11 having an insulation layer 12 on one side face, and a GaN layer 15 grown on the substrate and the nuclide crystal layer by lateral growth method.例文帳に追加

本窒化物半導体素子の要部は、サファイア基板１０上に形成され、絶縁層１２を一方の側面に有する凸部状種結晶層１１と、基板上及び種結晶層上に横方向成長法により成長させたＧａＮ層１５とから構成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer and an insulation layer are laminated on a transparent base plate made of sapphire, quartz or the like, and intermittent light is made to be irradiated from the rear of the transparent base plate, to generate an electron-hole pair within the semiconductor layer, thereby utilizing a surface light voltage generated on the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

サファイヤ、石英等の透明基板上に半導体層と絶縁層を積層し、該透明基板の裏面より断続した光を照射して該半導体層内に電子−正孔対を発生させることにより該半導体層表面に生ずる表面光電圧を利用する。 - 特許庁

The metallic layer covering the insulation layer is ground to be removed, and with the metallic layer left in the trench, a metallic pixel 44 is formed, and with the metallic layer left in the via opening part, a mutual connection body 42 is formed between the metallic pixel and the inner semiconductor device, and the upper surface of the base material is flattened.例文帳に追加

絶縁層に被せた金属層を研磨して除去し、金属層をトレンチ内に残して金属ピクセル４４を形成し、バイア開口部内に残して金属ピクセルと下側の半導体装置との間に相互連結体４２を形成し、基材の上面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a heat-insulating waterproof repair method wherein repair work can be executed over an existing waterproof layer and an existing heat insulation layer without removing them when the waterproof layer laid on the roof of a building or the like has to be repaired after deterioration of the waterproof layer, or a repair structure.例文帳に追加

建築物などにおいて屋上に施された防水層の劣化に伴い改修工事を行う場合に、既設の防水層、断熱層を除去することなくそのまま上から敷設することができる断熱防水の改修方法又は構造を提供する。 - 特許庁

In the terminal structure of a superconducting cable equipped with a cable core 102 having a superconducting shield layer 203 and an electric insulation layer 202, electrodes (a ground electrode, a connecting electrode) 1 are arranged on an outer periphery of the superconducting shield layer 203, and the superconducting shield layer 203 and the electrodes 1 are connected by low melting-point soldering 5.例文帳に追加

超電導シールド層203と電気絶縁層202とを有するケーブルコア102を具える超電導ケーブルの端末構造であり、超電導シールド層203の外周に電極(接地電極、接続電極)1が配置され、超電導シールド層203と電極1とを低融点ハンダ5にて接続する。 - 特許庁

In this heat insulation structure which constitutes an exterior wall surface of a building, a heat insulating layer (A), a base material layer (B), a film layer (C) which is formed of a paint containing an organic resin, and a film layer (D) where water vapor adsorbing/desorbing properties have hysteretic characteristics are provided toward the outdoor side of the wall surface from the indoor side thereof.例文帳に追加

建築物外壁面を構成する断熱構造体であって、壁面の屋内側から屋外側へ向かって、断熱層（Ａ）、基材層（Ｂ）、有機質樹脂を含有する塗料から形成される被膜層（Ｃ）、水蒸気吸脱着性がヒステリシス特性を有する被膜層（Ｄ）、を有する。 - 特許庁

The heat resistant oilproof insulation wire has a first layer 1 made of a fluororubber mixture covered on a circumference of a conductor 3, a second layer 2 made of a fluororesin covered on the outer circumference of the first layer 1, and the fluororesin of the second layer 2 is a copolymer of ethylene-tetrafluoroethylene.例文帳に追加

導体３周上に、フッ素ゴム混和物からなる第一層１が被覆され、該第一層１の外周にフッ素樹脂からなる第二層２が被覆され、上記上記第二層２のフッ素樹脂が、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体である耐熱耐油絶縁電線。 - 特許庁

The light emitting device includes a substrate 2 having a recess 2a and insulation characteristics, and a laminate 1 composed of an n-type semiconductor layer 1c, a light emitting layer 1b and a p-type semiconductor layer 1a arranged in the recess 2a, where the light emitting layer 1b touches the inner surface of the recess 1a.例文帳に追加

発光素子は、凹部２ａを有し、絶縁性を有する基板２と、凹部２ａ内に設けられ、ｎ型半導体層１ｃと発光層１ｂとｐ型半導体層１ａとから構成された積層体１であって、発光層１ｂが凹部１ａの内面と接触している積層体１と、を具備する。 - 特許庁

The sheath of the terminal part of a high-voltage power cable 1 is peeled off stepwise for successively exposing a shielding layer 14 consisting of a cable conductor 11, an insulation layer 12, an external semiconductor electric layer 13, copper tape winding layer, and the like, and a normal temperature shrinkage type tube 2 covers the terminal part of the cable 1.例文帳に追加

高圧電力ケーブル１の終端部が段剥ぎされて、順次ケーブル導体１１、絶縁層１２、外部半導電層１３、及び銅テープ巻き層等からなる遮蔽層１４が露出され、かかるケーブル１の端末部に、常温収縮型チューブ２が被覆される。 - 特許庁

A semiconductor package includes a structure that an insulating adhesion layer 17 having an electric insulation and adhesiveness is formed at an interposer side by an intermediate insulating layer 12, a re-wiring layer 15 formed on one side surface of a semiconductor chip 31 and an electrode member 21 is exposed to the front surface 17A of the insulating adhesion layer 17.例文帳に追加

半導体チップ３１の片面に形成される中間絶縁層１２、再配線層１５によるインタポーザ側に、電気絶縁性と接着性とを有する絶縁接着層１７が形成され、絶縁接着層１７の表面１７Ａに電極部材２１が露呈した構造とする。 - 特許庁

A plate polysilicon layer 104 is formed additionally between a bond pad metal layer formed by bonding a first metal layer 108 and a second metal layer 112 directly and an underlying first insulation film 102 so that an external thermal/mechanical stress is absorbed thus increasing durability against a tensile force in the vertical direction and enhancing adhesion by preventing slip between the bond pad metal layer and the first insulation film 102.例文帳に追加

第１メタル層１０８と第２メタル層１１２とが直接接着された形のボンドパッドメタル層とその下部に位置する第１絶縁膜１０２との間にプレートポリシリコン層１０４を追加で形成し、外部から加わる熱的／機械的ストレスを吸収するようにして、垂直方向の引張力に対する耐久性を増大させ、ボンドパッドメタル層と第１絶縁膜１０２との滑りを防止して接着性を改善できる。 - 特許庁

In a charge coupled device having a first layer of polysilicon electrodes 2 formed through an insulation film on a semiconductor and a second layer of polysilicon electrodes 4 electrically insulated from the first layer of electrodes 2 and formed through an insulation film on the semiconductor, a charge transfer part is formed by pairing two polysilicon electrodes 2a, 2b in the first layer with one polysilicon electrode 4 in the second layer.例文帳に追加

半導体上に絶縁膜を介して形成された第１層目のポリシリコン電極２と、この第１層目のポリシリコン電極と電気的に絶縁され、半導体上に絶縁膜を介して形成された第２層目のポリシリコン電極４とによって形成される電荷転送装置において、電荷転送部を、２つの第１層目のポリシリコン電極２ａ、２ｂと、１つの第２層目のポリシリコン電極４とを対にすることにより形成する。 - 特許庁

An LED light source 10 includes: an LED chip 11; conductive adhesives 13a, 13b; an insulation structure 14; a substrate 16; and a resist layer 17.例文帳に追加

ＬＥＤ光源１０は、ＬＥＤチップ１１、導電性接着剤１３ａ，１３ｂ、絶縁構造１４、基板１６、レジスト層１７を備えている。 - 特許庁

In a step 11, pad members, for example, Al pads which are formed mainly of Al, are formed on an insulation film in the upper layer of an IC on a wafer.例文帳に追加

ステップ１１で、ウェハにおける集積回路上層の絶縁膜上にパッド部材、例えばＡｌを主成分とするＡｌパッドを形成する。 - 特許庁

To provide a double glazing panel improved so as to absorb a pressure difference produced between the internal pressure of a heat insulation layer space and the atmosphere.例文帳に追加

断熱層空間の内圧と大気圧との間に生じた圧力差を吸収し得るように改良された複層ガラスパネルを提供する。 - 特許庁

When the number of overlapping windings is increased, an electrostatic shield layer is arranged in an interlayer of the insulation covered flat tint copper wire coil, and a grounding terminal is provided.例文帳に追加

重ね巻きして巻数を多くする場合は、絶縁被覆平編銅線コイルの層間に、静電シールド層を配設し接地端子を設ける。 - 特許庁

To provide a heat insulating composition capable of forming a heat insulating material coating layer having low heat conductivity, excellent in heat insulation and fire resistance by spray coating.例文帳に追加

熱伝導率が低く、断熱性、耐火性に優れた断熱材被覆層を吹き付け塗工で形成しうる断熱材組成物を提供する。 - 特許庁

Also, the end of the thick film of the first non p-type layer 104 is extended so as to burrow right under the peripheral edge of a gate insulation film 106.例文帳に追加

また、第１非ｐ型層１０４の厚膜部の端部は、ゲート絶縁膜１０６の周縁部の直下にまで潜り込む様に延びている。 - 特許庁

The low-tension fire-resisting cable is given which is provided, on the conductor 1, with the fire-resisting insulation layer 2 that comprises the above silicone resin and is crosslinked.例文帳に追加

導体１上に、前記シリコーン樹脂組成物からなり、架橋された耐火絶縁層２が設けられた低圧耐火ケーブルを用いる。 - 特許庁

A conductive pattern 13 is formed on the surface of the first insulation layer 12A, and a circuit element 15 is fixed to the conductive pattern 13.例文帳に追加

第１の絶縁層１２Ａの表面には、導電パターン１３が形成され、この導電パターン１３には回路素子１５が固着されている。 - 特許庁

To provide a wiring board which uses an insulating resin layer of a thermo-setting transfer adhesive electrocoating paint composition with high insulation reliability.例文帳に追加

絶縁信頼性の高い熱硬化性転写用粘着性電着塗料組成物からなる絶縁樹脂層を用いた配線板の提供。 - 特許庁

To provide coated wires and cables that prevent fusion between an insulation layer and a sheath in a manufacturing process, and excellent in strippability and flexibility for installation.例文帳に追加

製造工程において絶縁体とシースとの融着が起こらず、施工時の皮むき性や可撓性に優れた被覆電線・ケーブルを提供する。 - 特許庁

After the electrical plating, the thin part is perforated along with the conductive layer, thereby attaining an electrical insulation between the first and the second circuit patterns.例文帳に追加

電気めっき後、導体層とともに薄肉部を打抜くことで第１回路パターンと第２回路パターンとの間の電気絶縁が得られる。 - 特許庁

A thin-film transistor 13 is formed on a substrate 12, and an insulation layer 15 for a black matrix is formed so as to cover the thin-film transistor 13.例文帳に追加

基板１２上に薄膜トランジスタ１３を形成し、薄膜トランジスタ１３を覆うようにブラックマトリックス用絶縁層１５を形成する。 - 特許庁

On the second insulation film 4b, a semiconductor layer 5 formed of ZnO or the like is formed.例文帳に追加

第１絶縁膜４ａを絶縁性の高いＳｉＮ_x などで形成する一方、第２絶縁膜４ｂを酸化物（例えば、ＳｉＯ_2 ）によって形成する。 - 特許庁

A barrier film 11 which is a base material is composed of, for example, a Ti/TiN multilayered film, and formed on a connection region CON and on an insulation layer INL.例文帳に追加

下地のバリア膜１１は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、接続領域ＣＯＮ及び絶縁層ＩＮＬ上に形成されている。 - 特許庁

The thermal conductive sheet 15 is arranged such that the insulation layer 17 side covers the terminals 13 of the heat generating electronic component 13 and the electric circuit 14.例文帳に追加

この熱伝導性シート１５は、絶縁層１７側が発熱電子部品１２の端子１３及び電気回路１４を覆うように配置される。 - 特許庁