「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The field drain portion is an insulator formed in the semiconductor substrate under the gate electrode so as to be interposed between the gate electrode and the drain diffusion region.例文帳に追加

フィールドドレイン部は、ゲート電極とドレイン拡散領域との間に介在するように、ゲート電極の下方の半導体基板中に形成された絶縁体である。 - 特許庁

To obtain a memory cell of SRAM comprising a well contact cell and a memory cell in which disturbance of periodicity is suppressed in the layout of pattern of a diffusion region or a polysilicon layer.例文帳に追加

ウェルコンタクトセルとメモリセルとを有するＳＲＡＭのメモリセルにおいて、拡散領域やポリシリコン層等のパターンのレイアウトの周期性が乱れるのを抑制する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, in which a shallow surface diffusion region is formed on the surface of a HAD region on an N-type photodiode.例文帳に追加

Ｎ型のフォトダイオード上にあるＨＡＤ領域の表面に浅い表面拡散領域が形成されているＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのｐｎ接合部における不純物濃度分布勾配が、第１の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第３の活性化処理を行う。 - 特許庁

A titanium film 7 is formed (C), a titanium silicide layer 9a is formed in the diffusion region 5 through a thermal treatment, and a titanium silicide layer 9b is formed in the region 3a.例文帳に追加

チタン膜７を形成した後（Ｃ）、熱処理を施して拡散領域５にチタンシリサイド層９ａを形成し、領域３ａにチタンシリサイド層９ｂを形成する。 - 特許庁

In a CH1 side photothyristor and a CH2 side photothyristor, a shot key barrier diode 44 is formed between a p-gate diffusion region 33 and an n-type silicon substrate 31.例文帳に追加

ＣＨ1側のフォトサイリスタとＣＨ2側のフォトサイリスタとにおいて、Ｐゲート拡散領域３３とＮ型シリコン基板３１との間にショットキーバリアダイオード４４を形成している。 - 特許庁

Two diodes constituting a bridge rectification circuit are formed in each of two regions, and each diode is separated from surroundings by a p-type separation diffusion region.例文帳に追加

２つの領域には、ブリッジ整流回路を構成するダイオードが２つずつ形成されており、各ダイオードは、Ｐ型の分離拡散領域によって、周囲から分離されている。 - 特許庁

Thus, it is possible to reduced the influence of the code ion implantation on the low threshold transistor (a cell C under consideration) of a code ion implantation impurity diffusion region 3'.例文帳に追加

これにより、コードイオン注入によるコードイオン注入不純物拡散領域３’の低閾値トランジスタ（注目セルＣ）への影響を低減することが可能となる。 - 特許庁

To suppress the short channel effect in forming pocket regions on a semiconductor substrate without increasing the junction capacitance between a source-drain diffusion region and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にポケット領域を形成する場合に、ソース・ドレイン用拡散領域と半導体基板間の接合容量を増大させることなく、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

The electrode wing line 117 is formed on the thermal oxidation film 107, and the other end side of the electrode wiring is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 109.例文帳に追加

電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 - 特許庁

A MOS transistor is equipped with an n^+-source region 7, an n^+-drain region 8, and a gate electrode 6, and a p-type diffusion region 14 of an n-channel stopper is arranged around the MOS transistor.例文帳に追加

Ｎ＋ソース領域７、Ｎ＋ドレイン領域８、ゲート電極６を備えたＭＯＳトランジスタ周辺にＮチャネルストッパのＰ型拡散領域１４が配置される。 - 特許庁

A contact plug 40, which is electrically connected to an impurity diffusion region between sidewalls of two adjacent memory cells 1, is provided by penetrating an interlayer insulation film 18.例文帳に追加

隣り合う２つのメモリセル１のサイドウォール間の不純物拡散領域に電気的接続されるコンタクトプラグ４０が、層間絶縁膜１８を貫通して設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing an electrical resistance between a capacitor and dopant diffusion region of a transistor low and decreasing the number of processes.例文帳に追加

キャパシタとトランジスタの不純物拡散領域との間の電気抵抗を低く安定化し得て、工程数を削減し得る半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置２０は、ＮＭＯＳトランジスタ３１を含む内部回路１と、ｐ型ウェル拡散領域１１と、そのｐ型ウェル拡散領域１１内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のｎ型領域１２ａおよび１２ｂとを有する保護素子４１を含む静電気保護回路２とを備えている。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for an electronic device that can improve crystallinity of a group III nitride semiconductor grown above an aluminum diffusion region by providing the aluminum diffusion region in a predetermined region of a silicon substrate and setting surface roughness within a proper range and a method of manufacturing the same, and an epitaxial substrate for a group III nitride electronic device.例文帳に追加

シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

With an MOS type capacitor employed as a variable capacity element, a second conductive type diffusion region 15 is provided which covers a first conductive type high-concentration diffusion region 3 constituting a substrate electrode except for the vicinity of the end of a gate insulating film 5, so that a variable resistor is formed within the substrate electrode to enhance the capacitor change coefficient.例文帳に追加

可変容量素子をＭＯＳ型コンデンサとし、基板電極を構成する第１導電形の高濃度拡散領域３の周囲のうち、ゲート絶縁膜５の端付近以外を被う第２導電形の拡散領域１５を設けることにより、基板電極内に可変抵抗部分を形成して、容量変化率を助長する。 - 特許庁

Further, a P^-- diffusion region 52 having a concentration lower than that of the P^- body region 41, and the P diffusion regions 51 is formed to be in contact with the end of the gate trench 21 in the longitudinal direction thereof.例文帳に追加

また，ゲートトレンチ２１の長手方向の端部と接し，Ｐ^- ボディ領域４１およびＰ拡散領域５１よりも低濃度のＰ^--拡散領域５２が形成されている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which color mixture is prevented by utilizing arrangement of a capacitor region separately provided from a floating diffusion region, and to provide a camera using the solid-state imaging device.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域と別に設けたコンデンサ領域の配置を活用して混色を防ぐことができる固体撮像装置及びその固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁

In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.例文帳に追加

第１不純物拡散領域３３では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部２０の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁

Display light output from a projection optical system 11 is image-formed at a diffusion region 13a of a screen 13, and is reflected and magnified by a concave mirror 15 to be projected onto a windshield 21.例文帳に追加

投射光学系１１から出力された表示光は、スクリーン１３の拡散領域１３ａにて結像し、凹面鏡１５で反射拡大され、ウインドシールド２１に投射される。 - 特許庁

That is, when a signal charge is transferred from the impurity diffusion region for electric charge storage to the charge detection part, a potential barrier is not generated between both thereof and complete transfer is realized.例文帳に追加

即ち、電荷蓄積用不純物拡散領域から電荷検出部に信号電荷を転送するときに、両者の間に電位の障壁は生じず、完全転送を実現できる。 - 特許庁

To easily form a correction pattern effective for preventing the deformation of a gate size occurring in the level difference portion consisting of a boundary between the diffusion region and element separation region of a transistor(TR).例文帳に追加

トランジスタの拡散領域と素子分離領域との境界からなる段差部分に起因したゲート寸法の変形を防止する有効な補正パターンを簡便に生成できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The first N well 9 or a predetermined region contacted with the base region 10 is formed so as to be located from the immediately below an emitter impurities diffusion region 15, for example, to a right side region.例文帳に追加

第１Ｎウェル９は、ベース領域１０に接する所定の領域であって、例えばエミッタ不純物拡散領域１５の直下から右側領域にくるように形成する。 - 特許庁

To suppress electrical breakdown voltage deterioration at the contact part of a gate electrode and a diffusion region, without separately adding processes for removing an insulating film on the gate electrode.例文帳に追加

別途ゲート電極上の絶縁膜を除去するための工程を追加することなしに、ゲート電極と拡散領域のコンタクト部の電気的な耐圧劣化を抑制することを課題とする。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed on one side of a drift region 11 contained in an n-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type source diffusion region 7S is formed on the body 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１が含むドリフト領域１１の一方の側方にはＰ型ボディ部５を形成し、ボディ部５上にはＮ^+型ソース拡散領域７Ｓを形成する。 - 特許庁

Since the P-type semiconductor diffusion region 160 is provided, no potential barrier is provided on the way from the surface of silicon substrate 110 to the P-type well region 120.例文帳に追加

このＰ型半導体拡散領域１６０を設けたことにより、シリコン基板１１０の表面からＰ型ウエル領域１２０に至る間の中途位置でポテンシャルバリアをもたないものとなる。 - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

And the p-type epitaxial layer PEpi2 is connected to the ground via the p-type epitaxial layer PEpi1, the p-well PW, a p+ diffusion region PD5, a via V11 and wiring W11.例文帳に追加

そして、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１、ＰウエルＰＷ、ｐ^＋拡散領域ＰＤ５、ビアＶ１１及び配線Ｗ１１を介して接地端子に接続する。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

The antifuse structure includes a bit line formed in a first diffusion region inside a substrate, an insulating layer formed on the bit line, and a word line formed on the insulating layer.例文帳に追加

基板内に第１拡散領域で形成されたビットラインと、ビットライン上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたワードラインと、を備えるアンチヒューズ構造体である。 - 特許庁

Both masks are defined based on a region (a diffusion region, for example) in a different layer of the integrated circuit layout than the structure (the gate, for example) being created with the phase shifting process.例文帳に追加

これらのマスクはともに、集積回路レイアウトの、位相シフト処理で作成している構造（例えばゲート）とは異なる層中の領域（例えば拡散領域）に基づいて区画される。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

In a CO converter 810, there are provided a gas diffusion region 812 into which a reformed gas flows and a CO conversion reaction region 813 filled with a CO conversion catalyst in communication with each other.例文帳に追加

ＣＯ変成器810の内部に、改質ガスが流入するガス拡散領域812およびＣＯ変成触媒を充填するＣＯ変成反応領域813をそれぞれ連通して設ける。 - 特許庁

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

To form a memory cell region and a high concentration impurity diffusion region of a high-voltage transistor at the same time by ion implantation so that the high-voltage transistor side is shallower.例文帳に追加

メモリセル領域と高電圧トランジスタとの高濃度不純物拡散領域を同時にイオン注入で形成し、且つ高電圧トランジスタ側の方が浅くなるように形成する。 - 特許庁

The drift diffusion region 10 has a substrate inner region 11, and a surface region 12 which contains first conductive type impurities at a higher concentration than the substrate inner region 11.例文帳に追加

また、ドリフト拡散領域１０は、基板内部領域１１と、基板内部領域１１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む表面領域１２とを有している。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer 8 is formed outside the source region and the P^+ diffusion region detaches the source region from the oxidized film for element isolation by the previously predetermined distance.例文帳に追加

例えば、ソース領域の外側にＰ^＋拡散層８を形成して、このＰ^＋拡散層によって予め規定された距離だけソース領域を素子分離用酸化膜から離間する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses basic cells that are capable of changing the parallel connections of transistors in number without changing an impurity diffusion region and a gate electrode in layout.例文帳に追加

不純物拡散領域及びゲート電極のレイアウトを変更することなくトランジスタの並列接続数を変更することが可能なベーシックセルを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a plan view, the gate electrode 110 has a configuration formed in a comb-like structure having comb teeth covering the second conduction type impurity diffusion region of the drift region 172.例文帳に追加

ゲート電極１１０は、平面視で、ドリフト領域１７２の第２導電型の不純物拡散領域上を覆う櫛歯を有する櫛形構造に形成された構成を有する。 - 特許庁

At four corner parts of the n-type semiconductor layer region 130, a p type impurity diffusion region 170 is formed so that at least a part of it is in contact with the dielectric separation film 120.例文帳に追加

ｎ−型半導体層領域１３０の四隅部には誘電体分離膜１２０に少なくともその一部が接するようにｐ型不純物拡散領域１７０が形成される。 - 特許庁

The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加

第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁

An impurity doped polysilicon film 31 is formed, and an impurity is diffused from the film 31 to the semiconductor substrate 30 side so that the impurity diffusion region for contact can be formed on the surface.例文帳に追加

不純物ドープトポリシリコン膜３１を形成するとともに、膜３１から半導体基板３０側に不純物を拡散させて表層部にコンタクト用不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁