「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The extension region 151 of a low concentration is formed by a first dose amount and, thereafter, the main diffusion region 152 of the source/drain is formed by a second dose amount bigger than the first dose amount.例文帳に追加

第１のドーズ量で低濃度のエクステンション領域１５１を形成後、第１のドーズ量より大きい第２のドーズ量でもってソース／ドレインの主拡散領域１５２を形成する。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

Then, connection with an anode electrode 39 is executed at a part right above the p+ type second diffusion region 32 and a parasitic resistor R1 is made larger than a parasitic resistor R2.例文帳に追加

そして、Ｐ＋型の第２の拡散領域３２の直上部でアノード電極３９と接続させ、寄生抵抗Ｒ１を寄生抵抗Ｒ２より大きくすることに特徴を有する。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent the reduction in the breakdown voltage of the capacitor dielectric film formed on the impurities diffusion region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の不純物拡散領域上に形成されるキャパシタ誘電体膜の耐圧が低下するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of surely and selectively forming an impurity diffusion region without needing a complicated process, and manufacturing an electrode including such an impurity diffusing agent layer.例文帳に追加

複雑な工程を必要とすることなく確実かつ選択的に不純物拡散領域を形成し、このような不純物拡散剤層を含む電極を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

As for the light guide plate 20, light incident from a side face is bent by a bending dot 32 installed in a diffusion region 30 and a groove part 34, and is led out mainly from a principal face.例文帳に追加

導光板２０では、側面から入射された光が、拡散領域３０に設けられた屈曲ドット３２及び溝部３４によって屈曲し、主に主面から導出される。 - 特許庁

The remaining noise that reach the p-type diffusion region 206 pass sequentially through a contact hole 207, a guard band metallic electrode layer 205, and an outside connecting pad and absorbed by a bypass capacitor.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した残りのノイズは、コンタクトホール２０７、ガードバンド用メタル電極層２０５、外部接続用パッドを順に通過しバイパスコンデンサに吸収される。 - 特許庁

The semiconductor substrate is subjected to heat treatment after implanting impurities to a plurality of depths L1-L5, thereby forming the deep impurity diffusion region 8 by heat treatment in a short period of time.例文帳に追加

複数の深さＬ１〜Ｌ５に不純物を注入しておいてから熱処理をするので、深い不純物拡散領域８を短時間の熱処理で形成することができる。 - 特許庁

The Hall element has a first N type diffusion region 10 provided in a semiconductor substrate 1, a plurality of second N type diffusion regions 20 provided in the semiconductor substrate 1 and bonded electrically to the first N type diffusion region 10, and an STI region 30 provided in the semiconductor substrate 1 and electrically separating the plurality of second N type diffusion regions 20.例文帳に追加

半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。 - 特許庁

A gate oxide film 12, a gate electrode 13, and a protective insulating film 14 are sequentially formed on a semiconductor substrate surface 11 and impurity injection is conducted, and after the formation of an extremely shallow impurity diffusion region 18, a semiconductor material film 21 having an impurity diffusion rate higher than that of the semiconductor substrate 11 is deposited on the extremely shallow impurity diffusion region 18.例文帳に追加

半導体基板面１１にゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、保護絶縁膜１４を順次形成した後、不純物注入を行い、極浅不純物拡散領域１８を形成後、極浅不純物拡散領域１８上に、半導体基板１１の不純物拡散係数以上の不純物拡散係数を有する半導体材料膜２１を成膜する。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加

光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するｎ型層３と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード５と、フォトダイオード５と浮遊拡散領域６との間に配置され、ｎ型層３に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁

The amount of the saturated electric charges Qs is increased by changing the power supply voltage AVD of a pixel 20 by ΔV to the positive side for a read period of the signal electric charges by a read transistor 22 so as to make the voltage between a photodiode 21 and the floating diffusion region FD larger than the voltage between the photodiode 21 and the floating diffusion region FD in a reset state.例文帳に追加

読み出しトランジスタ２２による信号電荷の読み出し期間で画素２０の電源電圧ＡＶＤをΔＶだけプラス側に変動させ、フォトダイオード２１と浮遊拡散領域ＦＤとの間の電位差（ポテンシャル）を、リセット状態でのフォトダイオード２１と浮遊拡散領域ＦＤとの間の電位差よりも大きくすることによって飽和電荷量Ｑｓを上げる。 - 特許庁

The boundary of the diffusion region 16 and the passive region 14 is moved to the direction where the passive region 14 becomes smaller by diffusion, then the boundary is dissipated during the impurity diffusion calculation.例文帳に追加

そして、これらの拡散領域１６と不動領域１４との境界は、拡散によって不動領域１４が小さくなる方向に移動して、不純物拡散計算中に消失するものとする。 - 特許庁

Also, a p^-well 16 is formed below the STI region 5, and a p^+ diffusion region 17 is formed in the region separated from the region right below the regions 6-8 inside the p^-well 16.例文帳に追加

また、ＳＴＩ領域５の下方にはＰ^−ウエル１６を形成し、Ｐ^−ウエル１６の内部における領域６乃至８の直下域から離間した領域にはＰ^＋拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

In an electric charge section of a solid-state imaging device, a plurality of unit pixels 131, each of which has a photodiode 141, a first CCD 142, a second CCD 143 and a floating diffusion region 145, are arranged two-dimensionally.例文帳に追加

固体撮像装置の電荷部には、フォトダイオード１４１と、第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３、浮遊拡散領域１４５とを備える複数の単位画素１３１が、２次元に配列される。 - 特許庁

Thereby, electric field concentration on the vicinity of a transfer gate TG end easily causing a crystal defect in the floating diffusion region FD in turning off the transfer gate is prevented, and leak current is suppressed.例文帳に追加

これにより、転送ゲートがオフ時に、フローティングディフュージョン領域ＦＤにおいて、結晶欠陥が生じ易い転送ゲートＴＧ端付近への電界集中を防ぎ、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

The impurity selective diffusion region 7 is composed of a first region 7b formed to the lower section of a contact section 7a (a p-side electrode 11) and second regions 7c excepting the first region 7b.例文帳に追加

この不純物選択拡散領域７は、コンタクト部７ａ（ｐ側電極１１）の下方に形成された第１領域７ｂと、第１領域７ｂ以外の第２領域７ｃとから構成されている。 - 特許庁

The other conductive type diffusion region is formed at a depth and a concentration aligned with those of the body, on the wall of the trench 3, and both areas are fully depleted under reverse-direction blocking.例文帳に追加

トレンチ３の壁に、もう一方の導電型の拡散領域が、ボディの深さおよび濃度に整合した深さおよび濃度で形成され、逆方向ブロッキング下で両方の領域が完全に空乏化する。 - 特許庁

A gate electrode 14, a source-drain region 13, and a N-type diffusion region 15 are formed on the surface of the region 12, and the capacitive element is formed with a gate oxide 16 as a dielectric.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１２の表面にゲート電極１４、ソース・ドレイン領域１３、Ｎ型の拡散領域１５を形成し、ゲート酸化膜１６を誘電体として容量素子を形成する。 - 特許庁

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

Boron and phosphorus are injected into the drain diffusion region 20a of a PMOS transistor 20 with pouring rates of 3×1015/cm2 and 3×1014 to 1.5×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ２０のドレイン拡散領域２０ａには、ホウ素が３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びリンが３×１０^14〜１．５×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

Furthermore, a hot zone is formed by the radiation of the light from the lighting fixture unit 20A, and a diffusion region is formed by the radiation of the light from the lighting fixture units 20B, 20C, and 20D.例文帳に追加

そして、灯具ユニット２０Ａからの光照射によりホットゾーンを形成するとともに、灯具ユニット２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄからの光照射により拡散領域を形成するようにする。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

またソース２６とドレイン２８と同一の導電層で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

The light that arrives at the screen 13 is reflected to a photo-receiver 17 in a reflection region 13b that is provided at a place other than the diffusion region 13a, and is image-formed at the photo-receiver 17.例文帳に追加

スクリーン１３に到達した光は、拡散領域１３ａ以外の場所に設けられた反射領域１３ｂにて受光装置１７に向けて反射され、受光装置１７にて結像する。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.例文帳に追加

ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To achieve element isolation more securely while suppressing an increase in plane size of a semiconductor device when an element isolation region is shallower than a part of a low-concentration diffusion region nearby a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域が低濃度拡散領域におけるゲート電極近傍の部分より浅い場合に半導体装置の平面寸法の大型化を抑制しつつ素子分離をより確実に行う。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device has an electrode 53 which is formed on the first semiconductor region 23 existing between the floating diffusion region FD and the element isolation region 28, and to which a necessary bias voltage is applied.例文帳に追加

さらに、フローティングディフージョン領域ＦＤと素子分離領域２８の間に存在する第1の半導体領域２３上に形成され、所要のバイアス電圧が印加される電極５３とを有する。 - 特許庁

In this MOS transistor 21, after an LOCOS oxide film 28 and a gate electrode 35 are formed on an epitaxial layer 23, an N+ type diffusion region 31 as the drain lead-out region is formed.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタ２１では、エピタキシャル層２３上にＬＯＣＯＳ酸化膜２８、ゲート電極３５を形成した後に、ドレイン取り出し領域であるＮ＋型の拡散領域３１を形成する。 - 特許庁

Phosphorus and boron are injected into the drain diffusion region 22a of an NMOS transistor 22 with pouring rates of 6×1015/cm2 and 6×1014 to 3×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ２２のドレイン拡散領域２２ａには、リンが６×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びホウ素が６×１０^14〜３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加

そして、ＭＩＳ領域のＭＯＳＦＥＴのドレインとなるｎ^+拡散領域７と、バルク領域のｐｎダイオードのｐ−ＧａＮ層１１を、短絡電極８を介して電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a method for forming a window of a semiconductor laser capable of arranging a diffusion source film in the further vicinity of an active layer than before, and capable of further stably controlling the diffusion region.例文帳に追加

拡散源膜を従来方法よりも活性層の近くに配置することができ、拡散領域をより安定的に制御することができる半導体レーザの窓形成方法を提供する。 - 特許庁

Offsets are arranged by forming LOCOS regions 9 between the ends of an electrode of the gate G and a first diffusion region 8 to be the source/drain region.例文帳に追加

ゲートＧの電極端とソース／ドレインとなる第１の拡散領域８の間に、酸化領域であるＬＯＣＯＳ領域９を形成して、ゲート領域Ｇとソース／ドレインとの間にオフセットを設ける。 - 特許庁

By global shuttering, whereby image sensing is performed simultaneously in all the pixels, a potential commensurate with the amount of light incident on a buried diode PD is held in an N-type floating diffusion region FD.例文帳に追加

全画素同時に撮像動作を行うグローバルシャッター方式で動作することによって、埋込型フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに保持する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A source-drain diffusion region 4 and a channel region 3 are formed on a polysilicon thin film formed on a substrate 1 such as a glass, and a gate electrode 6 is further formed via a gate insulating film 5.例文帳に追加

ガラス等の基板１上に形成されたポリシリコン薄膜にソースドレイン拡散層４とチャネル領域３が形成され、更に、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

This significantly decreases a variation in contact area between the lower electrode 40 and a silicide film 23a on the surface of the impurity diffusion region 21a to stabilize electrical resistance between the both low.例文帳に追加

これにより、下部電極４０と、不純物拡散領域２１ａの表面のサリサイド膜２３ａとの接触面積のバラツキが大幅に低減し、両者間の電気抵抗が低く安定化する。 - 特許庁

As a result, the N+ type diffusion region 31 can be formed without taking into consideration the deviation of the mask, and the MOS transistor 21 wherein a desired characteristic like a withstanding voltage characteristic is obtained can be formed.例文帳に追加

そのことで、マスクずれを考慮することなくＮ＋型の拡散領域３１を形成でき、耐圧特性等の所望の特性を実現したＭＯＳトランジスタ２１を形成することができる。 - 特許庁

In this regard, patterning is performed such that the end 6a of the resist mask 6 abutting on a region for forming an N^+ type diffusion region 2 is located at a position separated by 0.3 μm from the STI end 3a, for example.例文帳に追加

このとき、レジストマスク６のＮ^+型拡散領域２の形成予定領域に接する端部６ａがＳＴＩ端部３ａから例えば０．３μｍ離れたところに位置するようにパターニングを行う。 - 特許庁

The N+ diffusion region 15a is formed in a part of the P-type well 4a located at the bottom of an opening 13 penetrating an element isolation film 3a, from a surface of the P-type well 4a to a predetermined depth.例文帳に追加

Ｎ＋拡散領域１５ａは、素子分離酸化膜３ａを貫通する開口部１３の底に位置するＰ型ウェル４ａの部分に、その表面から所定の深さにわたり形成されている。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 106a with an n-type impurity introduced thereinto is formed in the part of the write bit line 106 extending upward from the region of the read word line 110.例文帳に追加

また、読み出しワードライン１１０の領域より上方に延在している書き込みビットライン１０６の部分に、ｎ型不純物が導入されたｎ^+拡散領域１０６ａが形成されている。 - 特許庁