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「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索
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"diffusion region"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 738



例文

Underneath this P+ diffusion region, an N region 85 having the same lateral extent is provided.例文帳に追加

このP+拡散領域の下に同じ横方向の大きさを有するN領域(85)が設けられる。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING LEAK CURRENT OF ACTIVE REGION DIODE AND SOURCE/DRAIN DIFFUSION REGION例文帳に追加

活性領域ダイオード及びソース/ドレイン拡散領域のリーク電流を低減するための方法及び構造 - 特許庁

A first impurity diffusion region 11a is formed in the semiconductor substrate at the bottom of the first groove.例文帳に追加

第1不純物拡散領域11aは、第1溝の底部の半導体基板内に形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion region 15 is formed in high accuracy by using the correct injection mask 11a.例文帳に追加

正確な注入マスク11aを用いて、高い精度で不純物拡散領域15を形成する。 - 特許庁

例文

The resistance change portion 22 is second conductivity-type, and has an impurity concentration lower than that in the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部は、第2導電型であり、不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い。 - 特許庁


例文

The n^+ diffusion region 11 extends in the longitudinal direction on the drawing, and is formed to have a longitudinally elongated rectangular plan view.例文帳に追加

N^+拡散領域11は図中縦方向に延びて平面視縦長矩形状に形成される。 - 特許庁

At least one diffusion region exists among a plurality of resistor elements made on the element isolating layer, and further the plurality of resistor elements 4 and the diffusion region 1a are arranged so that the intervals between the resistor elements 4 and the surrounding corresponding diffusion region 1a may be equal to each other, in individual resistor elements 4.例文帳に追加

素子分離層上に形成された複数の抵抗素子間には、少なくとも一つの拡散領域1aが存在し、さらに個々の抵抗素子4において、抵抗素子4と周囲の対応する拡散領域1aとの距離がそれぞれ等しくなるように複数の抵抗素子4および拡散領域1aを配置する。 - 特許庁

The auxiliary diffusion region 153 is formed so as to have a configuration capable of receiving a silicide layer (broken line) formed later.例文帳に追加

この補助拡散領域153は、後に形成されるシリサイド層(破線)が納まるような形態とする。 - 特許庁

Further, a channel stopper is formed simultaneously with a high concentration diffusion region instead of the formation of a field oxide film.例文帳に追加

更に、フィールド酸化膜の形成に代え、チャネルストッパーを高濃度拡散領域と同時に形成する。 - 特許庁

例文

An impurity diffusion region 12 of an end face window structure is then formed by diffusing Zn.例文帳に追加

Znを拡散することにより、端面窓構造である不純物拡散領域12が形成される。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a bipolar transistor, capable of suppressing misalignment when forming each diffusion region, and reducing variations in electrical characteristics since position accuracy of each diffusion region is high.例文帳に追加

各拡散領域を形成する際のアライメントずれを抑制することができ、各拡散領域の位置精度が高く、電気特性のばらつきを低減することのできるバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

HVN−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、LVN−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域12に形成された前記第1の拡散領域及び第3の拡散領域を有する第2の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第1の配線とを備える。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域34の深さは、内周側の不純物拡散領域34と非拡散領域との電流ブロック層32内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

Accordingly, when transferring a high voltage by the transfer transistor QNi, the drain diffusion region 201a and the source diffusion region 201b can be prevented from being depleted, and high voltage can be smoothly transferred.例文帳に追加

これにより、転送トランジスタQNiによる高電圧の転送時において、ドレイン拡散領域201a、ソース拡散領域201bの空乏化を防止することができ、高電圧を支障なく転送することが可能になる。 - 特許庁

The modulation current, flowing between a source diffusion region 202 and a drain diffusion region 203 of the field effect transistor, is subjected to synchronous detection by the modulation frequency of the modulation means 104 in a detection circuit 205.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのソース拡散領域202とドレイン拡散領域203間を流れる変調電流は、検出回路205にて、変調手段104の変調周波数にて同期検波される - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of balancing prevention of generation of a leak current, with a reduction in the resistance in a diffusion region, in manufacturing a semiconductor device that include the diffusion region having a step.例文帳に追加

段差を有する拡散領域を含む半導体装置の製造に際し、リーク電流の発生回避と拡散領域内の低抵抗化との両立可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.例文帳に追加

第1の配線層において、第2の拡散領域104およびVSS配線108と重なる部分に、第2の拡散領域104における電位降下を防ぐための補強用配線106が設けられている。 - 特許庁

The pixel includes an impurity diffusion region FD of a floating diffusion configuration part and a gate electrode 34 of the pixel transistor having a recess 45 where part of the impurity diffusion region FD enters when viewed from the upper surface.例文帳に追加

画素において、フローティングディフージョン構成部の不純物拡散領域FDと、上面から見て不純物拡散領域FDの一部が入り込む凹み部45を有する画素トランジスタのゲート電極34とを有する。 - 特許庁

A wiring 301a positioned in the upper part of the drain diffusion region 201a and the source diffusion region 201b of a transfer transistor QNi is short-circuited to a gate electrode 203 by a short-circuit wiring 302.例文帳に追加

転送トランジスタQNiのドレイン拡散領域201a、ソース拡散領域201bの上方に位置する配線301aは、短絡配線302によりゲート電極203と短絡されてダミー配線とされている。 - 特許庁

A gate electrode 20 is formed on part upward of the first impurity diffusion region on the upward channel region, and on part upward of the second impurity diffusion region, with a gate oxide film 6 therebetween.例文帳に追加

また、第一不純物拡散領域の一部上方、前記チャネル領域の上方、及び前記第二不純物拡散領域の一部上方にわたってゲート酸化膜6を介してゲート電極20が形成されている。 - 特許庁

Since the offsets are arranged, the channel region under the electrode of the electrically isolated gate G is connected with the first diffusion region 8 through a second diffusion region 10.例文帳に追加

オフセットを設けたことにより、電気的に分断されたゲートGと第1の拡散領域8とは、ゲートGの電極下のチャンネル領域と第1の拡散領域8とを第2の拡散領域10によって接続する。 - 特許庁

Moreover, each diffusion region 31 is separated from a region for forming thereon such elements as transistors (an element forming region), by using each thermal oxidation film 40 so formed as to contact it with each diffusion region 31.例文帳に追加

そして、この拡散領域31は、同拡散領域31と接するようにして形成されている熱酸化膜40によって、トランジスタ等の素子の形成される領域(素子形成領域)と分離されている。 - 特許庁

On both ends of each semiconductor region 5 in the shape of a bent pattern, an n-type high-density diffusion region 9 and a p-type high-density diffusion region 10 are formed, to form diodes in the semiconductor regions 5.例文帳に追加

一方、屈曲型パターン形状の半導体領域5の両端には、n形高濃度拡散領域9、p形高濃度拡散領域10を設け、半導体領域5内にダイオードを形成する。 - 特許庁

A base region 62 and an n^+ diffusion region 61, which is to be a source region, are formed in the surface region of the substrate 50, while an n^+ diffusion region 58 serving as the drain region is formed at the bottom of the trench 51.例文帳に追加

基板50の表面領域にベース領域62およびソース領域となるn^+拡散領域61を形成すると共にトレンチ51の底部にドレイン領域となるn^+拡散領域58を形成する。 - 特許庁

On the surface region of the substrate 50, an n^+ diffusion region 61 which becomes a base region 62 and a source region is formed and an n^+ diffusion region 58 which becomes drain region is formed on the bottom of the trench 51.例文帳に追加

基板50の表面領域にベース領域62およびソース領域となるn^+拡散領域61を形成すると共にトレンチ51の底部にドレイン領域となるn^+拡散領域58を形成する。 - 特許庁

Further, the second N well 11 is formed so as to be located at a region immediately below a collector impurities diffusion region 12.例文帳に追加

また、第2Nウェル11は、コレクタ不純物拡散領域12の右下の領域にくるように形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that stabilizes the potential of a floating diffusion region and has a low noise characteristics.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域の電位を安定させ、低ノイズ特性を有する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

An impurity diffusion region (64) of the reverse conductivity to the second well is formed in the second well (63).例文帳に追加

第2のウェル(63)内に、第2のウェルとは逆導電型の不純物拡散領域(64)が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that suppresses variance in resistance value of an impurity diffusion region.例文帳に追加

不純物拡散領域の抵抗値のばらつきを抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high density diffusion region with a low resistance, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗な高濃度拡散領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A groove part 10 is formed on the other side of the n-diffusion region 5, and an insulator 12 is filled.例文帳に追加

n-拡散領域5の他方の側には溝部10が形成されて、絶縁体12が充填されている。 - 特許庁

Nearby a surface of an n-type well 11, a p-type diffusion region 12 to be a bit line is formed in a stripe shape.例文帳に追加

n型ウェル11の表面付近にビット線となるp型拡散領域12をストライプ状に形成する。 - 特許庁

Thus, it is possible to properly form the n-type diffusion region by using the liquid form impurity source.例文帳に追加

これにより、液状不純物源を使用してn形拡散領域を良好に形成することができる。 - 特許庁

An N type impurity diffusion region 5 is formed in an element formation region surrounded with a field insulating film 2.例文帳に追加

フィールド絶縁膜2によって囲まれた素子形成領域内にN型不純物拡散領域5を形成する。 - 特許庁

At least the edge of the semiconductor layer (the P+ diffusion region, the intrinsic region) is covered with the anode electrode.例文帳に追加

この半導体層(P+拡散領域、真性領域)の少なくともエッジ部分をアノード電極で被覆する。 - 特許庁

A metallic heat diffusion region 5 covered with a rear face 11a of the member 11 is provided along the insulation layer 2b.例文帳に追加

絶縁部材11の裏面11aで覆われる金属製の熱拡散部5を絶縁層2bに沿って設ける。 - 特許庁

The diffusion region 12 covered by the salicide layer 2 is formed sufficiently deeper than a spike 16.例文帳に追加

そして、サリサイド層2によって覆われた拡散領域12は、スパイク16より十分に深く形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which effectively reduces the junction leakage current in the diffusion region.例文帳に追加

拡散領域の接合リーク電流を効果的に低減した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, by performing annealing treatment, the extremely shallow impurity diffusion region is activated to form extremely shallow junction.例文帳に追加

その後、アニール処理を行って、前記極浅不純物拡散領域を活性化して極浅接合を形成する。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is as deep as the low-concentration diffusion regions 7 and 11.例文帳に追加

P型第2低濃度拡散領域9の深さは、低濃度拡散領域7,11の深さと同じである。 - 特許庁

The embedded region 24 is brought into contact through the active groove packing region 25 to the base diffusion region 32a.例文帳に追加

埋込領域24は活性溝充填領域25を介してベース拡散領域32aと接触される。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region N1 is formed on the surface of the n-well NW1 to connect the same to a well terminal Vb.例文帳に追加

更に、NウエルNW1の表面にn^+拡散領域N1を形成し、ウエル端子Vbに接続する。 - 特許庁

The n-type diffusion region 2 is formed at an upper part of a p well 10 formed at the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

N型拡散領域2は、P型シリコン基板1に形成されたPウェル10の上部に形成される。 - 特許庁

The impurity diffusion region 17 is not arranged between the drain region 16 and the element isolation film 12.例文帳に追加

不純物拡散領域17は、ドレイン領域16と素子分離膜12との間には配置されていない。 - 特許庁

Subsequently, the N^+ type diffusion region 2 is formed to be spaced apart from the STI end 3a by ion implantation.例文帳に追加

その後、イオン注入により、N^+型拡散領域2をSTI端部3aから離間するように形成する。 - 特許庁

The impurity diffusion region consists of a pair of regions formed at the location sandwiching the gate electrode formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

不純物拡散領域は、半導体層のゲート電極を挟む位置に形成された、一対の領域である。 - 特許庁

The PN junction of the photodiode is formed with the silicon substrate 2 being an anode and the n^+ diffusion region 4 being a cathode.例文帳に追加

シリコン基板2がアノード、N^+拡散領域4がカソードとなってフォトダイオードのPN接合を形成している。 - 特許庁

To form an impurity diffusion region in an SiC substrate at a low cost, without generating damages on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面にダメージを生じることなく、低コストでSiC基板に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

例文

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第1の第1導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第1の第1導電型不純物拡散領域と第2導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁




  
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