「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a driving method for a charge transfer apparatus, capable of achieving a floating diffusion region (charge voltage conversion part) of a wide dynamic range.例文帳に追加

広ダイナミックレンジのフローティングディフュージョン領域（電荷電圧変換部）の実現を可能にした電荷転送装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The second impurity concentration that the p type diffusion area 21 has is lower than the first impurity concentration that the p+ type diffusion region 5 has.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２１の有する第２の不純物濃度は、ｐ＋型拡散領域５の有する第１の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

An impurity concentration of the reverse portion diffusion region 62 increases in a lateral direction from the side of a body region 88 to the side of a collector region 72.例文帳に追加

裏面部拡散領域６２の不純物濃度は、横方向に沿って、ボディ領域８８側からコレクタ領域７２側に向けて増加する。 - 特許庁

To provide a laser processing method and a laser processing apparatus in which variation in the impurity diffusion region of a substrate can be reduced.例文帳に追加

基板において不純物が拡散する領域のばらつきを抑えることができるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

The current value signals are fed to a control unit 2, and the control unit 2 supplies a control current corresponding to the current value signals to the first diffusion region sub.例文帳に追加

制御部２は、電流値信号を供給され、且つ電流値信号に応じた制御電流を第１拡散領域に供給する。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

A ring-shaped negative electrode 206 is formed on the diffusion region 204, and a circular pad 207 is formed on the insulation film 205.例文帳に追加

拡散領域２０４上にはリング状の負電極２０６が形成され、絶縁膜２０５上には円形のパッド２０７が形成されている。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor especially capable of increasing the number of electrons stored at a floating diffusion region.例文帳に追加

シーモスイメージセンサに関し、特に、フローティング拡散領域で電子保存容量を高めることができるシーモスイメージセンサ及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a shallow impurity diffusion region without inviting damages in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中にダメージを招かずに、浅い不純物拡散領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Extended first and second drain diffusion regions and a source diffusion region are formed on a semiconductor substrate along substantially parallel lines.例文帳に追加

延在した第１と第２のドレイン拡散領域、及びソース拡散領域を、本質上平行な直線に沿って半導体基板に形成する。 - 特許庁

With this structure, a transfer route of the charge from the n-type diffusion region 17 to the channel is not narrowed by a surface shield region 18.例文帳に追加

この構造により、Ｎ型拡散領域１７からチャネルへの電荷の転送経路を、表面シールド領域１８が狭めることが無くなる。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

Source/drain diffusion region 1107 of a memory element on the same row is electrically connected in common with a bit line 1132 through a contact.例文帳に追加

同一列のメモリ素子のソース／ドレイン拡散領域１１０７は、ビット線１１３２に対してコンタクトを介して電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

Second metal layers 6a and 6b are connected to second power supply wiring GND so that they may be formed on the surface of the diffusion region 7 of the silicon substrate 8.例文帳に追加

第２のメタル層６ａ、６ｂが、第２の電源配線ＧＮＤに接続され、シリコン基板８の拡散領域７が形成された面上に形成される。 - 特許庁

A well contact that is a region for applying a reference voltage to the well region is formed in a region adjacent to the diffusion region 12.例文帳に追加

また、拡散領域１２に隣接する領域には、ウェル領域に基準電圧を印加するための領域であるウェルコンタクトが形成されている。 - 特許庁

Since a diffusion region 4b of the Au of the stud bump 4 does not reach the first layer of the lead electrode 23, deterioration in the bonding strength can be prevented.例文帳に追加

スタッドバンプ４のＡｕの拡散領域４ｂは引出電極２３側において、第一層にまで達しないため、接合強度の劣化を防げる。 - 特許庁

A low-resistance polysilicon film 6 is formed on the P-type diffusion region 3 through the intermediary of a thin capacitor insulating film 5 of thermal oxide film.例文帳に追加

ｐ形拡散領域３上には熱酸化膜からなる薄い容量絶縁膜５を介して低抵抗のポリシリコン膜６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device for efficiently transferring electric charges from a photodiode to a floating impurity diffusion region.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An oxide film 3 composed of an insulating body is arranged between the first metal layer 2 and the surface formed in the diffusion region 7 of the silicon substrate 8.例文帳に追加

絶縁体から構成される酸化膜３が、第１のメタル層２とシリコン基板８の拡散領域７が形成された面との間に配置される。 - 特許庁

A resistance diffusion region 7 is formed inside a semiconductor substrate 1 under a first MOS transistor 4 and a second MOS transistor 5, so as to be isolated by an insulating film 2.例文帳に追加

抵抗拡散領域７は絶縁膜２を隔てて第１および第２ＭＯＳトランジスタ４，５下部の半導体基板１内に形成される。 - 特許庁

The deep second STI 29 is formed at a part having the breakdown strength of the guard ring diffusion region 32, so that the memory cell can be made with a small width for space saving.例文帳に追加

ガードリング拡散領域３２の耐圧を持たせる部分で深い第２ＳＴＩ２９が形成されるので、幅を狭くして省スペース化を図れる。 - 特許庁

Multiple values exceeding four values can be written by changing a writing voltage which is applied to a diffusion region, when accumulating an electric charge on an accumulation nitride film in an MONOS-type laminated structure of the nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型積層構造中の蓄積窒化膜に電荷を蓄積する最に、拡散領域に印加される書込み電圧の値を変化させる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device including low resistance n-type diffusion region in germanium or silicon germanium containing 20% germanium and higher.例文帳に追加

ゲルマニウム中あるいはゲルマニウム含有量が２０％以上のシリコンゲルマニウム中に低抵抗のｎ型拡散領域を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

The diffusion region is constituted of a first-conductivity first impurity diffusing region 33 and a second-conductivity impurity diffusing region 34.例文帳に追加

拡散領域は、第１導電型の第１不純物拡散領域３３と第２導電型の第２不純物拡散領域３４とから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device manufacturing method wherein misalignment between a tunnel diffusion region and a tunnel window is suppressed without enlargement of the device.例文帳に追加

トンネル拡散領域とトンネル窓のアライメントずれを抑制することができ、大型化することのない半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The field relaxing region is surrounded by the integrated impurity diffusion region 109, and extended below the second region of the gate electrode 106.例文帳に追加

ここで、電界緩和領域は、一体化した不純物拡散領域１０９に含まれ、且つ、ゲート電極１０６の第２領域の下方に延在する。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a floating diffusion region and variations in the amount of leakage current between pixels in a CMOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＣＭＯＳ固体撮像装置において、フローティングディフージョン領域のリーク電流を少なく、かつ画素間のリーク電流量ばらつきを少なくする。 - 特許庁

The solar cell comprises a selective donor element diffusion region 131A and an electrode 133 formed by using the paste composition for electrode formation.例文帳に追加

また、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成した選択的なドナー元素拡散領域１３１Ａ及び電極１３３を有する太陽電池セルである。 - 特許庁

The protective diffusion region prevents impact ionization and resultant carrier generation in the vicinity of a corner of a gate trench and prevents damage of a gate oxide layer.例文帳に追加

保護拡散部は衝撃イオン化及びその結果生じるゲートトレンチの角部付近におけるキャリアの発生を防ぎ、ゲート酸化物層の損傷を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of erasing for a non-volatile semiconductor memory device, capable of comparatively lowering the potential of a diffusion region at erasing.例文帳に追加

消去時に拡散領域の電位を比較的低くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置の消去方法を提供することである。 - 特許庁

A protective diffusion region is formed preferably in a non-active cell so as to form a diode to be connected in parallel to a channel region in each MOSFET.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴ内のチャネル領域に並列に接続されるダイオードを形成するように、保護拡散部が、好ましくは非アクティブセル内に生成される。 - 特許庁

In addition, two memory elements adjoining each other in the same row own jointly the diffusion region 1107 disposed in the area between the gate electrodes of the memory elements.例文帳に追加

また、同一行で隣り合う２つのメモリ素子は、この２つのメモリ素子のゲート電極間の領域に配置された拡散領域１１０７を共有している。 - 特許庁

The CMOS circuits (7 to 11), resistor (13) and capacitor (12) are respectively provided in a semiconductor region 2 surrounded by the diffusion region 6 for contact.例文帳に追加

コンタクト用拡散領域６に囲まれた半導体領域２に、ＣＭＯＳ回路（７〜１１など）、抵抗（１３など）、容量（１２など）が設けられている。 - 特許庁

The half mirror 1a prevents expansion of a light diffusion region between the LEDs 3 and the light guide plate 4, and enables the backlight with uniform brightness distribution.例文帳に追加

このハーフミラー１ａにより、ＬＥＤ３と導光板４の間の光拡散領域を広げることなく、輝度分布が均質なバックライトとなる。 - 特許庁

To provide a Zn diffusion region 7, having a Zn concentration of 5E18/cm^3 or lower inside an Al_xGa_1-xAs (0<x<1) semiconductor crystal 1.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）半導体結晶１中に５Ｅ１８個／ｃｍ^3以下のＺｎ濃度を有するＺｎ拡散領域７を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide 100 has a diffusion region (optical waveguide) 102 having a large refractive index, which is formed on a substrate 101 by diffusing impurities.例文帳に追加

光導波路１００は、基板１０１上に不純物を拡散させて形成した屈折率が大きい拡散領域（光導波路）１０２を有する。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

A trench capacitor 12, having strap units 22, 26 which make contact with the upper surface and the side surface of the n-type diffusion region 20a for the transfer transistor 21, is formed.例文帳に追加

転送トランジスタ２１のｎ型拡散領域２０ａの上面及び側面に接するストラップ部２２，２６を有したトレンチキャパシタ１２が形成されている。 - 特許庁

In the diffusion region 13, an input signal and specified voltage are applied to the two separated points in its longitudinal direction, and gate voltage is applied to the gate 17.例文帳に追加

拡散領域１３には、その長さ方向の離れた２点に入力信号と所定電圧を印加し、ゲート１７にはゲート電圧を印加する。 - 特許庁

An optical waveguide 100 is obtained by forming on a substrate 101 a second diffusion region (102) by diffusing second impurities to have a larger refractive index.例文帳に追加

光導波路１００は、基板１０１上に第２の不純物を拡散させて屈折率が大きい第２の拡散領域（１０２）を形成してなる。 - 特許庁

A salicide layer 2 connected to a contact 4 is formed on a part of the surface of the floating diffusion layer 1, namely, on the surface of the diffusion region 12.例文帳に追加

浮遊拡散層１の表面の一部、すなわち、拡散領域１２の表面にはコンタクト４に接続されるサリサイド層２が形成されている。 - 特許庁

Further, the many photodiodes can be pairs of photodiodes and a floating diffusion region is arranged between each pair of two adjacent photodiodes.例文帳に追加

また、前記多数のフォトダイオードは、２つずつ一対をなし、一対をなす隣接した２つのフォトダイオードの間にフローティング拡散領域が配されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents spikings into a thin back diffusion region, and has a high breakdown voltage non-detectiveness ratio; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

薄い裏面拡散領域に侵入するスパイキングを防止し、高い耐圧良品率を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby a current block layer 10 does not have to be laminated above the impurity diffusion region 16, and manufacture can be easily done.例文帳に追加

これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

The fixed layer 22A is electrically connected with the first interconnection layer BL, and the recoding layer 22C is electrically connected with the diffusion region 16 of the select transistor 13.例文帳に追加

固定層２２Ａは第１の配線層ＢＬに電気的に接続され、記録層２２Ｃは選択トランジスタ１３の拡散領域１６に電気的に接続される。 - 特許庁