「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

In a memory cell region 10A, for electric connection between a diffusion region 171A formed between a pair of gate structures and a wiring pattern 222 formed in a BPSG film 182, a polysilicon plug 191 is preliminarily formed at a state that it is self-aligned to a gate electrode 142.例文帳に追加

メモリセル領域１０Ａにおいては一対のゲート構造間に形成された拡散領域１７１ＡとＢＰＳＧ膜１８２に形成された配線パターン２２２との間の電気接続のため、予めポリシリコンプラグ１９１を、ゲート電極１４２に自己整合した状態で形成しておく。 - 特許庁

To provide a high tensile strength steel sheet with a tensile strength of ≥1,180 MPa, which has excellent delayed fracture resistance, and is suitable for an automobile field and building materials by forming a diffusion region of Ni or an Ni-based alloy on the surface of a steel sheet.例文帳に追加

鋼板の表面にＮｉまたはＮｉ合金の拡散領域を形成させることによって自動車分野および建材に用いる強度部材として好適な、耐遅れ破壊特性に優れた、引張り強度１１８０ＭＰａ以上を有する高張力鋼板を提供する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1131, a charge holding region 1133 consisting of a microparticle diffusion region 1133a, a gate insulation film 1137 consisting of an SiO_2 film, and an n polysilicon electrode 1138 functioning as a gate electrode are stacked sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１１３１上には、微粒子分散領域１１３３ａからなる電荷保持領域１１３３、ＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１１３７及びゲート電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１３８が下から順次積み上げられている。 - 特許庁

Then, the individual electrodes 4 and the common electrode 5 are extended on the insulation film 7, and its end forms an electrode 5 for external connection being the connecting electrode with an external circuit, and this electrode 6 for external connection is provided in the diffusion region 9 of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

そして、個別電極４と共通電極５を絶縁膜７上を通して延在して、その端部を外部回路との接続電極である外部接続用電極６と成し、この外部接続用電極６を単結晶基板１の拡散領域９に設けている。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

The diffusion region of the radiated light is not required to be secured in the whole direction of the thickness of the light guide member 32 as convention, so that the thickness of the light guide 32 can be defined thin, and the thickness of the total device can be made small.例文帳に追加

これにより、放射光の拡散部を導光部材３２の厚さ方向全体にわたって確保することを従来のようには必要とせず、このため導光部材３２の厚さを小さい寸法に設定することができ、装置全体の薄型化を図ることができる。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

In a first particular generalized embodiment, a light blocking layer is located and formed interposed between a first semiconductor layer including a photoactive region and a second semiconductor layer including at least a second transistor or a floating diffusion region shielded by the light blocking layer.例文帳に追加

第１の特定の一般化された実施形態において、光ブロッキング層は、光活性領域を含む第１の半導体層と、光ブロッキング層によって遮蔽された少なくとも第２のトランジスタ又は浮遊拡散部を含む第２の半導体層との間に挿入されて配置及び形成される。 - 特許庁

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に、ゲート酸化膜４及びゲート電極膜５を形成後、ゲート電極５ａよりもパターン幅を拡げて形成された第１マスク手段６ａをマスクとして、高濃度のＮ型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

Each impurity diffusion region 13 or 16 is formed in a projecting shape as a whole with an extension 13a or 16a which is formed in such a way that the front end section of the section 13a or 16a is extended to a spot below the wiring region 17 or 18 so that the region 13 or 16 may be utilized as wiring.例文帳に追加

Ｐ型及びＮ型不純物拡散領域１３，１６は、延出部１３ａ，１６ａを有して全体が凸状に形成されており、また延出部１３ａ，１６ａはその先端部がそれぞれ電源配線領域１７，１８の下部まで延出されて、配線として利用可能になっている。 - 特許庁

The light passing through the i-type InGaAs photo-absorption layer 24, in light incident from the p-type diffusion region 32, is reflected to the i-type InGaAs photo-absorption 24 by the reflector layer 23, and a film thickness of the i-type InGaAs photo-absorption layer 24 may increase in appearance.例文帳に追加

ｐ型拡散領域３２より入射した光のうち、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４を通過した光は、反射鏡層２３によりｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４に反射され、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４の膜厚が見かけ上増加する。 - 特許庁

A transfer circuit 20 is configured to transfer signal charges of an accumulating region 15 to a floating diffusion region 30 when in operation, and to interrupt the transfer of the signal charges when not in operation by means of a transfer gate 21 which is turned on and off in response to a transfer control signal TG.例文帳に追加

転送回路２０は、転送制御信号ＴＧに応答してオンオフする転送ゲート２１によって、作動時に蓄積領域１５の信号電荷をフローティングディフュージョン領域３０へ転送する一方で非作動時に信号電荷の転送を遮断するように構成される。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser chip 1 includes an impurity diffusion region 16 formed near a resonator end surface, and end surface protective films 14 and 15 which are formed on the surface of the resonator end surface and extended from the resonator end surface to the inside of the laser chip 1.例文帳に追加

本発明における半導体レーザチップ１は、共振器端面近傍に形成される不純物拡散領域１６と、共振器端面の表面に形成されるとともに共振器端面からレーザチップ１の内側に延在する端面保護膜１４、１５と、を備える。 - 特許庁

The sensor system is formed on a semiconductor substrate and includes a plurality of pairs of photo gates each including a first photo gate and a second photo gate, a first shared floating diffusion region formed in the semiconductor substrate, and a plurality of first transmission transistors formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

本センサー系は、半導体基板上に形成され、それぞれが、第１フォトゲートと第２フォトゲートとを含む複数のフォトゲート対と、半導体基板内に形成された第１共有フローティングディフュージョン領域と、半導体基板上に形成された複数の第１伝送トランジスタと、を含む。 - 特許庁

In an amplifier 1 constituting an amplifier circuit 16, a feedback resistor Rf has a polysilicon resistor 6 formed via a silicon oxide film 5 on an n-type epitaxial layer 3 and a p-type impurity diffusion region 7 formed on a position corresponding to a portion under the polysilicon resistor 6.例文帳に追加

増幅回路１６を構成する増幅器１において、帰還抵抗Ｒｆは、ｎ型のエピタキシャル層３上にシリコン酸化膜５を介して形成されたポリシリコン抵抗６と、ポリシリコン抵抗６の下部に対応する位置に形成されたｐ型の不純物拡散領域７とを有する。 - 特許庁

A MOS type transistor for power supply connected to first aluminum (Vcc) 13 which is power supply wiring and first aluminum (Vss) 14 which is ground wiring is formed between polysilicon 11 and a diffusion region 12 and capacitance is formed between the power supply wiring and the ground wiring.例文帳に追加

ポリシリコン１１と拡散領域１２の間に、電源配線である第一アルミ（Ｖｃｃ）１３とグランド配線である第一アルミ（Ｖｓｓ）１４とに接続されているＭＯＳ型の電源容量用トランジスタ２２を形成して、電源配線とグランド配線間に容量を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin semiconductor device on which a back electrode is disposed via an impurity diffusion region for contact for preventing the strength failure of a wafer-shaped substrate, and obtaining the contact of the back electrode at a lower temperature.例文帳に追加

薄型で、かつ、コンタクト用不純物拡散領域を介して裏面電極を配した半導体装置において、ウエハ状の基板における強度的な不具合を回避できるとともに、より低温で裏面電極のコンタクトをとることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the lateral direction of the element region 2, the impurity concentration of a specific region 2a occupying the area from a first boundary location 15 to a second boundary location 16 is lower than that of a main region 2b occupying the area from the body diffusion region 3 to the first boundary location 15.例文帳に追加

素子領域２のうち、横方向に関して、ボディ拡散領域３から第１境界位置１５までを占める主領域２ｂの不純物濃度に比して、第１境界位置１５から第２境界位置１６までを占める特定領域２ａの不純物濃度が低い。 - 特許庁

Thereby, it becomes possible to omit a process to form an interconnection to connect the gate electrode 124 of the first stage transistor 124 of the output circuit 140 and the impurity diffusion region 117 of the FD portion 114 through a contact hole, making it possible to avoid the deterioration of pixel characteristics caused by wiring process.例文帳に追加

これにより、出力回路１４０の初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４と、ＦＤ部１１４の不純物拡散領域１１７とをコンタクトホールを介して接続する配線を形成する工程をなくすことができ、配線工程に起因する画素特性劣化を回避することができる。 - 特許庁

When sewage to be treated having a high BOD value is treated, the position of the partition wall 17 is set so as to increase the volume of a biological treatment region to increase the stagnation time of sewage to be treated in an air diffusion region and the sewage to be treated having a high BOD value is suitably treated.例文帳に追加

ＢＯＤ値の高い被処理汚水を処理する場合は、生物処理領域の容積を増加させるように隔壁１７の位置を設定することで被処理汚水がエアーによる散気領域を滞留する時間が増加し、ＢＯＤ値の高い被処理汚水が好適に処理されることとなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, as well as its manufacturing method, that can cleave with no special problem through a cleavage method that performs positioning while looking at a stripe from the top side of a wafer in a semiconductor laser that internally has a region of a special structure, such as a Zn diffusion region in particular.例文帳に追加

特にＺｎ拡散領域など特殊な構造の領域を内部に有する半導体レーザにおいて、ウェハ上面からストライプを見ながら位置合わせを行う劈開の方法によっても、特に問題なく劈開し得る半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.例文帳に追加

このような構成のＬＣＤドライバＩＣ１４を用いることにより、製造過程においてＳＴＩ分離層３２に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域４３上に抵抗素子３４が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁

To provide new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while the effect of disturbing crystal structure is reduced without having to locally supply energy more than is needed and is used as a function region by injecting it to the semiconductor substrate.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

A fuel cell which comprises a fuel cell system comprises: an electrolyte membrane; a pair of electrodes; a porous gas diffusion layer; and a radical inhibitory substance disposed in at least one of the electrodes and/or in a region containing a boundary with the electrode on at lease one side of the gas diffusion region.例文帳に追加

燃料電池システムが備える燃料電池は、電解質膜と、一対の電極と、多孔質なガス拡散層と、少なくとも一方の電極内、および／または、少なくとも一方のガス拡散層における電極との境界を含む領域内に配置されたラジカル抑制物質と、を備える。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

On each surface side of the plurality of p-type body regions 2, an n-type diffusion region is formed, which is to be a source region 3, and a channel region 8 is formed between the source region 3 and drain region 1, forming a transistor cell.例文帳に追加

そして、複数個のｐ形ボディ領域２のそれぞれの表面側にｎ形の拡散領域が形成されてソース領域３とされ、そのソース領域３とドレイン領域１により挟まれた部分にチャネル領域８が形成されることにより、トランジスタセルが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a lamp annealing unit, which realizes the temperature rises or drops quickly so as to thermally diffuse impurities into an impurity diffusion region accurately and quickly in a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device using the semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

半導体装置における不純物拡散領の熱拡散などを迅速的確に行うために、ランプアニール装置の高速昇降温を実現する半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The control means changes the diffusion region between at least two regions set in advance and changes the diffusion regions of the hot water by controlling the water flow to a plurality of the diffusion pipes or by controlling an angle and/or a position of the pipe to the heat exchanger.例文帳に追加

前記制御手段は、拡散領域を予め設定した少なくとも二つの領域の間で変化させ、また、複数本配置した拡散パイプへの通水制御によってあるいはパイプの熱交換器に対する角度制御及び又は位置制御によって湯水の拡散領域を変化させる。 - 特許庁

An impurity diffusion region 34 located below an upper electrode 20 is deeper at its peripheral part than at its center, so that the peripheral part in which a current is concentrated is prevented from increasing in current density and furthermore from deteriorating in quality due to an increase in current density.例文帳に追加

上部電極２０の下側に位置する不純物拡散領域３４の外周部が中央部に比べて深く形成されていることから、電流が集中するその外周部における電流密度の上昇が抑制され、延いてはそれに起因する劣化が抑制される。 - 特許庁

One- side edges of a plurality of n-type divided drift path regions 1 are pn-joined to a p-type channel diffusion region 7, and the other edges are connected to an n^+-type drain region 9 so that a drift path group 100 connected in parallel can be formed so as to be branched from the n^+-type drain region 9 side.例文帳に追加

複数のｎ型分割ドリフト経路域１の一方端はｐ型のチャネル拡散領域７にｐｎ接合し、それらの他端はｎ＋型のドレイン領域９に接続しており、ｎ＋型のドレイン領域９側から分岐して並列接続のドリフト経路群１００を形成している。 - 特許庁

This semiconductor device 110 includes: first and second transistors 121, 122 each having a gate electrode, a source region and a drain region; and a diffusion region 150 connecting either of the source and drain regions of the first transistor 121 and either of the source and drain regions of the second transistor 122 to each other.例文帳に追加

ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれが有する第１および第２のトランジスタ１２１，１２２と、第１トランジスタ１２１のソースおよびドレイン領域の一方と第２トランジスタ１２２のソースおよびドレイン領域の一方と互いに連結する拡散領域１５０とを備える半導体装置１１０を採用する。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

For successful operation of the prototype semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit for shipment is manufactured, by forming impurity diffusion region 16P and 16N of transistor in the prescribed region (region comprising only solid line part) which is enclosed by the field oxide film on the semiconductor wafer 15 for shipment.例文帳に追加

試作された半導体集積回路が所望の動作をした場合に、出荷用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分のみから成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して出荷用の半導体集積回路を製造する。 - 特許庁

Stress concentration can be eased by estranging adjacent high concentration diffusion regions 13 a predetermined distance via an epitaxial layer 12 formed into an impurity concentration lower than that of the high concentration diffusion region 13, and the occurrence of crystal strain in the semiconductor device 10 can favorably be controlled.例文帳に追加

隣り合う高濃度拡散領域１３が、高濃度拡散領域１３より低い不純物濃度に形成されたエピタキシャル層１２を介して所定距離離間することによって、応力の集中を緩和することができ、半導体素子１０内に結晶歪が生ずることを良好に抑制することができる。 - 特許庁

This illumination device has a light source 20 and a light transmission body 10 having an incident surface 12 made incident with the light emitted from the light source 20, an exit surface 13 for emitting the light in an illumination direction and a diffusion region 11 for reflecting and/or diffusing the luminous fluxes made incident over a longitudinal direction.例文帳に追加

光源２０と、光源２０から照射された光を入射する入射面１２、照明方向に光を出射するための出射面１３および長手方向に亘って入射された光束を反射および／または拡散する拡散領域１１を有する導光体１０とを備える。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

With a mask pattern 9 formed on a first conductive type semiconductor substrate 1 as a mask, a pair of first low-concentration diffusion regions 4 of second conductive type and a pair of second low-concentration diffusion regions 3 of a second conductive type which is deeper than the first low-concentration diffusion region 4 and of high concentration are formed.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。 - 特許庁

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁