「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A p diffusion region 6 is formed while ranging over one end of the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

このｐ^-拡散領域５の一方の端部に連なるようにｐ拡散領域６が形成される。 - 特許庁

The first N^+ diffusion region and the second N^+ diffusion region are coupled to voltage sources each.例文帳に追加

第１Ｎ＋拡散領域及び第２Ｎ＋拡散領域は、それぞれ電圧源に結合している。 - 特許庁

The floating diffusion layer 1 includes a diffusion region 11 and a diffusion region 12 having a higher impurity concentration than that of the diffusion region 11.例文帳に追加

浮遊拡散層１は、拡散領域１１と、拡散領域１１より高い不純物濃度を有する拡散領域１２とを含んでいる。 - 特許庁

Additionally, an n diffusion region 4 is formed adjacent to the p diffusion region 3, and a source electrode 11 is formed in contact with both the surfaces of the n diffusion region 4 and the p diffusion region 3.例文帳に追加

また、ｐ拡散領域３と隣接してｎ拡散領域４が形成され、このｎ拡散領域４とｐ拡散領域３との双方の表面に接触してソース電極１１が形成される。 - 特許庁

Between the n-type diffusion region 2 and the p well 10, an n^--type diffusion region 11 is formed having a lower dopant concentration than that of the n-type diffusion region 2.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２とＰウェル１０との間に、Ｎ型拡散領域２よりも不純物濃度の低いＮ^−型拡散領域１１を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device has a P-type second low-concentration diffusion region 9 between a P-type low-concentration diffusion region 7 and an N-type low-concentration diffusion region 11.例文帳に追加

Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間にＰ型第２低濃度拡散領域９を備えている。 - 特許庁

Thereafter, a floating diffusion region 8 is formed.例文帳に追加

その後フローティングディフュージョン領域８を形成する。 - 特許庁

The P^-- diffusion region 52 is depleted before the P diffusion region 51 upon OFF of the gate voltage.例文帳に追加

Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオフ時に，Ｐ拡散領域５１よりも先に空乏化される。 - 特許庁

One end of a first resistive element Rt is connected to the first diffusion region, and the other end is connected to the second diffusion region.例文帳に追加

第１抵抗素子Ｒｔは、一端、他端が、第１、第２拡散領域とそれぞれ接続される。 - 特許庁

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。 - 特許庁

A voltage holding region 60 of an IGBT 10 includes an n-type reverse portion diffusion region 62, an n-type intermediate portion diffusion region 64, a p-type intermediate portion diffusion region 66, and a top portion diffusion region 68.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０の電圧保持領域６０は、ｎ型の裏面部拡散領域６２とｎ型中間部拡散領域６４とｐ型中間部拡散領域６６と表面部拡散領域６８を有している。 - 特許庁

Upon storing operation, a higher voltage is applied to the diffusion region A than to the diffusion region B, and upon readout operation, a higher voltage is applied to the diffusion region B than to the diffusion region A.例文帳に追加

記憶動作時には一方の拡散領域Ａへ他方の拡散領域Ｂよりも高い電圧を印加し、読出し時には他方の拡散領域Ｂへ一方の拡散領域Ａよりも高い電圧を印加する。 - 特許庁

The metal layer MT11 and the function element region FE2 are electrically connected through the diffusion region An11, the diffusion region An21, and the diffusion region CR21.例文帳に追加

金属層ＭＴ１１および機能素子領域ＦＥ２は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ２１、および拡散領域ＣＲ２１通して電気的に接続される。 - 特許庁

On a GaAs substrate 3, an n+ type diffusion region 4 and a p+ type diffusion region 5 joined inside the n+ type diffusion region 4 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３上には、ｎ＋型拡散領域４と、該ｎ＋型拡散領域４内に接合するようにｐ＋型拡散領域５とが形成されている。 - 特許庁

An anode region 20 of a diode 1 includes a high-concentration anode diffusion region 20a, an intermediate-concentration anode diffusion region 20b and a low-concentration anode diffusion region 20c.例文帳に追加

ダイオード１のアノード領域２０は、高濃度アノード拡散領域２０ａと中濃度アノード拡散領域２０ｂと低濃度アノード拡散領域２０ｃを有している。 - 特許庁

The drain diffusion region 7 includes a deep diffusion part occupying a position deeper than the source diffusion region at a concentration of 1/1,000 or above of the peak concentration of the source diffusion region 6.例文帳に追加

ドレイン拡散領域７は、ソース拡散領域６のピーク濃度の１／１０００以上の濃度でソース拡散領域よりも深い位置を占める深拡散部分を含む。 - 特許庁

Further, the P^-- diffusion region 52 becomes a hole supplying path to the P diffusion region 51 upon turning-on of the gate voltage.例文帳に追加

また，Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオン時にはＰ拡散領域５１に対するホール供給路となる。 - 特許庁

The second standard cell SC2 includes a diffusion region An21 continued to the diffusion region An11, a function element region FE2 facing the diffusion region An21, and a diffusion region CR21 formed between the diffusion region An21 and the function element region FE2.例文帳に追加

第２スタンダードセルＳＣ２は、拡散領域Ａｎ１１に連続する拡散領域Ａｎ２１、拡散領域Ａｎ２１に対向する機能素子領域ＦＥ２、ならびに拡散領域Ａｎ２１および機能素子領域ＦＥ２の間に形成された拡散領域ＣＲ２１を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第１のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第２のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

The quaternary information is read by both reading with the diffusion region N21 as a source while the diffusion region N12 as a drain and reading with the diffusion region N21 as a drain while the diffusion region N12 as a source.例文帳に追加

したがって、拡散領域Ｎ_21をソースとし且つ拡散領域Ｎ_12をドレインとした読み出しと、拡散領域Ｎ_21をドレインとし且つ拡散領域Ｎ_12をソースとした読み出しとを行うことにより、４値化情報が読み出される。 - 特許庁

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

The second diffusion region 6 of a higher impurity concentration is formed shallowly from the surface of a P type diffusion region 4.例文帳に追加

そして、不純物濃度の高い第２の拡散領域６は、Ｐ型の拡散領域４表面から浅く形成する。 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 has a lower P-type impurity concentration than the P-type low-concentration diffusion region 7.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９はＰ型低濃度拡散領域７よりも薄いＰ型不純物濃度をもつ。 - 特許庁

An isolated region 2 is disposed between the first impurity diffusion region 13 and the second impurity diffusion region 5.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３と第２の不純物拡散領域５との間に分離領域２が配置されている。 - 特許庁

A bit line diffusion region, shared by SRAM cells on adjacent word lines, may also be made a deep diffusion region.例文帳に追加

また、隣接するワード線上でＳＲＡＭセルが共用するビット線拡散領域も、深い拡散領域にすることができる。 - 特許庁

Since the impurity diffusion region is formed by doping the impurity on the polysilicon layer, the impurity diffusion region can be formed shallow.例文帳に追加

ポリシリコン層に不純物をドーピングして不純物拡散領域を形成するため、不純物拡散領域を浅く形成できる。 - 特許庁

In order to form a high concentration n-diffusion region, a low concentration n-diffusion region and a p-diffusion region on a substrate 600, the substrate 600 is irradiated with a laser beam corresponding to respective diffusion regions.例文帳に追加

基板６００に、高濃度ｎ拡散領域と低濃度ｎ拡散領域とｐ拡散領域とを形成するために、それぞれの拡散領域に応じたレーザビームを基板６００に照射する。 - 特許庁

An n^+ diffusion region 61 becoming a p^- base region 62 and a source region is formed on the bottom of the trench 51 and an n^+ diffusion region 58 becoming a drain region is formed in the n^- diffusion region 60.例文帳に追加

トレンチ５１の底部にｐ^-ベース領域６２とソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成し、ｎ^-拡散領域６０にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。 - 特許庁

The Vcc line 13a and the N+ diffusion region 19a, the GND line 13b and the N+ diffusion region 19b, and the electrode pad 7 and the N+ diffusion region 19c are electrically connected to each other.例文帳に追加

Ｖｃｃライン１３ａとＮ＋拡散領域１９ａ、ＧＮＤライン１３ｂとＮ＋拡散領域１９ｂ、及び電極パッド７とＮ＋拡散領域１９ｃはそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

On the surface of the part of the p diffusion region 7 held between the n+diffusion region 8 and the n-diffusion region 5, a gate insulating film 19 is interposed and a gate electrode 17 is formed.例文帳に追加

ｎ+拡散領域８とｎ-拡散領域５とによって挟まれたｐ拡散領域７の部分の表面上には、ゲート絶縁膜１９を介在させてゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND FORMATION METHOD FOR DIFFUSION REGION例文帳に追加

固体撮像素子の製造方法及び拡散領域の形成方法 - 特許庁

The extension part is of the same conductivity type with the impurity diffusion region and connected to an impurity diffusion region on a corresponding side.例文帳に追加

エクステンション部は、不純物拡散領域と同一導電型であり、対応する側の不純物拡散領域に接続されている。 - 特許庁

In addition, a diffusion region 5 and a piezoresistive element 7 in contact with the diffusion region 5 are formed in the polysilicon film 3.例文帳に追加

また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。 - 特許庁

A method for forming a diffusion region of a semiconductor device is a method for forming the diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明による半導体素子の拡散領域形成方法は、半導体基板中に拡散領域を形成する方法である。 - 特許庁

A conductive plug, which self-matching with the P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, while electrically contacting them, is formed in the trench.例文帳に追加

Ｐ^+拡散領域とＮ^+ 拡散領域に自己整合すると共に導電的に接触する導電性プラグをトレンチ中に形成する。 - 特許庁

The DMOS transistor is provided with a p-type diffusion region 3 formed on the first main surface, an n^+ diffusion region 5 formed on the first main surface within the p-type diffusion region 3, and a gate electrode 6 facing the p-type diffusion region 3 held between the n^+ diffusion region 5 and an n^- layer 1 through a gate insulation layer 12.例文帳に追加

このＤＭＯＳトランジスタは、第１主面に形成されたｐ型拡散領域３と、ｐ型拡散領域３内の第１主面に形成されたｎ^+拡散領域５と、ｎ^+拡散領域５とｎ^-層１との間に挟まれるｐ型拡散領域３にゲート絶縁層１２を介在して対向するゲート電極６とを有している。 - 特許庁

Separation part regions Scp1, Scp2 are respectively formed between an impurity diffusion region 11 of a transistor Tp1 and an impurity diffusion region 12 of a transistor Tp2, and between an impurity diffusion region 13 of the transistor Tp2 and an impurity diffusion region 14 of a transistor Tp3.例文帳に追加

トランジスタＴｐ１の不純物拡散領域１１とトランジスタＴｐ２の不純物拡散領域１２との間、および、トランジスタＴｐ２の不純物拡散領域１３とトランジスタＴｐ３の不純物拡散領域１４との間に、分離部分領域Ｓｃｐ１，Ｓｃｐ２がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.例文帳に追加

ＮＭＯＳスイッチ素子２のＮ型ソース拡散領域９ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域７は隣接して配置されており、ＮＭＯＳ保護素子３のＮ型ソース拡散領域１５ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域２０は間隔をもって配置されている。 - 特許庁

The EEPROM is equipped with a common source region, a floating diffusion region, and a bit line diffusion region, and the common source region is composed of only a high-concentration impurity region which is shallow in the diffusion depth and is shallower than the diffusion depth of the floating diffusion region and the bit line diffusion region.例文帳に追加

半導体基板内に共通ソース領域、フローティング接合領域およびビットライン接合領域を具備し、前記共通ソース領域は接合深さが浅い高濃度不純物領域だけで構成され、フローティング接合領域およびビットライン接合領域の接合深さより浅い。 - 特許庁

The second LDD diffusion region 319 is located under a second spacer and extends over the first distance to the second diffusion region.例文帳に追加

第２のＬＤＤ拡散領域３１９は、第２のスペーサの下にあり且つ第２の拡散領域まで第１の距離にわたって延在する。 - 特許庁

The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加

ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁

The bypass includes a select gate 3a, a first diffusion region 7a, a second diffusion region 7b, and a second control gate 11b.例文帳に追加

バイパス部は、セレクトゲート３ａ、第１の拡散領域７ａ、第２の拡散領域７ｂを有するとともに、第２のコントロールゲート１１ｂを有する。 - 特許庁