「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The first LDD diffusion region 318 is located under a first spacer.例文帳に追加

第１のＬＤＤ拡散領域３１８は第１のスペーサの下にある。 - 特許庁

A p^- diffusion region 5 is formed on the surface of the n^- layer 2.例文帳に追加

このｎ^-層２の表面にはｐ^-拡散領域５が形成される。 - 特許庁

The hollow part of the gate electrode 3 is formed as the formation scheduled region of a source diffusion region 3 and a diffusion area 9 for a body contact, and the source diffusion region 3 is selectively formed in the body diffusion region 2.例文帳に追加

そのゲート電極３の中抜き部分をソース拡散領域３及びボディーコンタクト用拡散領域９の形成予定領域とし、ボディー拡散領域２内にソース拡散領域３を選択的に形成する。 - 特許庁

The diffusion region 6b of a first source-drain 6 comprises an n^+ type layer and the diffusion region 7b of a second source-drain 7 comprises an n^- type layer.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン６の拡張領域６ｂはｎ^+型層により、第２のソース／ドレイン７の拡張領域７ｂはｎ^-型層により構成される。 - 特許庁

A first lower electrode 21 is provided on the second impurity diffusion region.例文帳に追加

第１下部電極２１は第２不純物拡散領域上に配設される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same which prevents the salicidation of a diffusion region simply, by increasing the contact area between a strap unit and the diffusion region.例文帳に追加

ストラップ部と拡散領域との接触面積を増やし、拡散領域のサリサイド化を簡易に防ぐ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加

このため、保護ダイオード１におけるｐｎ接合は、上記ｐ＋型拡散領域１６の側面と、上記ｎ＋型拡散領域４ａとで構成される。 - 特許庁

The first standard cell SC1 includes a diffusion region An11, a function element region FE1 facing the diffusion region An11, and a metal layer MT11.例文帳に追加

第１スタンダードセルＳＣ１は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ１１に対向する機能素子領域ＦＥ１、および金属層ＭＴ１１を有する。 - 特許庁

The first MOS transistor 100 and the diffusion region 5 of the semiconductor element S lie alongside in a y direction and electrically isolated from each other by the diffusion region 2b.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ１００と半導体素子Ｓの拡散領域５とは、ｙ方向に並んで、拡散領域２ｂで電気的に分離されている。 - 特許庁

The second impurity diffusion region 5 reaches the surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第２の不純物拡散領域５は、下地基板の表面まで達する。 - 特許庁

The floating diffusion region 14 is connected to a source follower circuit 6.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域１４は、ソースホロア回路６と接続される。 - 特許庁

Within the p^- diffusion region 5, a plurality of p diffusion regions 20 containing p-type impurities are formed, which have high concentration as compared with the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

ｐ^-拡散領域５内には、このｐ^-拡散領域５よりも高濃度のｐ型の不純物を含むｐ拡散領域２０が複数個形成される。 - 特許庁

An inside diffusion region 1b is formed on the inside Din of the gate electrode GW, while an outside diffusion region 1c is formed on the outside Dout.例文帳に追加

ゲート電極ＧＷの内部側Ｄｉｎに内部拡散領域１ｂが、外部側Ｄｏｕｔに外部拡散領域１ｃが形成されている。 - 特許庁

The memory cell includes a select gate 3a, a floating gate 6, a first diffusion region 7a, a second diffusion region 7b, and a first control gate 11a.例文帳に追加

メモリセル部は、セレクトゲート３ａと、フローティングゲート６、第１の拡散領域７ａ、第２の拡散領域７ｂ、第１のコントロールゲート１１ａを有する。 - 特許庁

Then, the floating diffusion region 14 is connected with a source follower circuit 6.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域１４は、ソースホロア回路６と接続される。 - 特許庁

SENSE AMPLIFIER DEVICE COMPRISING MOLTEN DIFFUSION REGION AND DISTRIBUTED DRIVER SYSTEM例文帳に追加

溶融された拡散領域と分散されたドライバ系を有するセンスアンプ装置 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁

The drain region 3 is constituted of a deep low concentration diffusion region 3B, and a shallow high concentration diffusion domain 3A which is the same conductivity type as that of the low concentration diffusion region 3B and arranged in the low concentration diffusion region 3B.例文帳に追加

ドレイン領域３が、深さの深い低濃度拡散領域３Ｂと、低濃度拡散領域３Ｂと同じ導電型であって低濃度拡散領域３Ｂに設けられた浅い高濃度拡散領域３Ａとから構成される。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises a first diffusion region 22 provided in the surface layer of a semiconductor substrate 10, having a first impurity and germanium, and a second diffusion region 24 provided more shallowly than the first diffusion region 22 from the surface of the first diffusion region 22, having a second impurity not contributing to conductivity.例文帳に追加

半導体基板１０の表面層に設けられ、導電性に寄与する第１の不純物及びゲルマニウムを含む第１の拡散領域２２と、第１の拡散領域２２の表面から第１の拡散領域２２より浅く設けられ、導電性に寄与しない第２の不純物を含む第２の拡散領域２４とを備える。 - 特許庁

The diffusion region 102 has: a bent part; a groove 105 formed by etching the substrate 101 along the diffusion region 102 at the outer side of the bent part of the diffusion region 102; and a buffer layer 1 (111) having a refractive index equal to or greater than that of the substrate 101 and provided at the upper part of the diffusion region 102.例文帳に追加

この拡散領域１０２は、曲がり部を有し、拡散領域１０２の曲がり部の外側に、拡散領域１０２に沿って基板１０１を掘り下げて形成した溝１０５と、拡散領域１０２の上部に設けられ、基板１０１の屈折率以上の屈折率を有するバッファ層１（１１１）と、を備えてなる。 - 特許庁

An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加

第１拡散領域１０１の不純物濃度は、第２拡散領域１０８に電圧を印加した際に、第１拡散領域１０１と半導体基板１００との接合面から拡張する空乏層が第１拡散領域１０１の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁

To form an offset region (a low concentration diffusion region) with the few number of steps.例文帳に追加

少ない工程数でオフセット領域（低濃度拡散領域）を形成する。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion region 109 integrated together by thermal diffusion is formed.例文帳に追加

熱拡散処理で一体化した不純物拡散領域１０９を形成する。 - 特許庁

An area of the heat diffusion region 5 is made larger than that of the element regions 13.例文帳に追加

熱拡散部５の面積を素子配設部１３の面積よりも大きくする。 - 特許庁

Then each diffusion region, contact holes, and electrode wiring are formed.例文帳に追加

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、電極配線を形成する。 - 特許庁

A p-embedded layer 13 is formed right below the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-拡散領域５の直下には、ｐ-埋め込み層１３が形成されている。 - 特許庁

The impurity diffusion region has a metal silicide film 46 on the major surface side.例文帳に追加

不純物拡散領域は、主表面側に金属シリサイド膜46を有している。 - 特許庁

A second diffusion region formed at the peripheral part of the bit line is provided further.例文帳に追加

ビットラインの周辺部に形成された第２拡散領域をさらに備える。 - 特許庁

Here, since the groove part 34 is arranged at a position surrounding an outer edge of the diffusion region 30, the outer edge of the diffusion region 30 can be made clear as compared with the case where only bending dots 32 are provided in the diffusion region 30.例文帳に追加

このとき、溝部３４は拡散領域３０の外縁を囲う位置に設けられているため、拡散領域３０に屈曲ドット３２のみが設けられている場合と比較して、拡散領域３０の外縁を明確にすることができる。 - 特許庁

A high-density N-type diffusion region 104 is formed in the high-density P-type diffusion region 106, and the N-type diffusion region 104 is connected to a source or a drain region 113 or 114 above a contact 107 with the contact 107 interposed.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６の内方には、高濃度Ｎ型拡散領域１０４が形成され、このＮ型拡散領域１０４は、コンタクト１０７を介してその上層のソース又はドレイン領域１１３、１１４に接続される。 - 特許庁

In this case, the groove part 34 is installed in a position surrounding the outer periphery of the diffusion region 30, the outer periphery of the diffusion region 30 can be made clearer compared with the case wherein only the bending dots 32 are installed in the diffusion region 30.例文帳に追加

このとき、溝部３４は拡散領域３０の外縁を囲う位置に設けられているため、拡散領域３０に屈曲ドット３２のみが設けられている場合と比較して、拡散領域３０の外縁を明確にすることができる。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

A field oxide device 300 of a primary protective device comprises a drain diffusion region 306, source diffusion region 308, and field oxide region 320.例文帳に追加

本発明は、一次の保護デバイス３００、二次の保護デバイス３０２及び基板ピックアップ３０４を有する、内部回路を保護するためのＥＳＤ保護構造体を有する。 - 特許庁

The LDD diffusion region 34 of the second MIS transistor Tr2 is formed under the same condition as the LDD diffusion region 44 of a third MIS transistor Tr3.例文帳に追加

第２のＭＩＳトランジスタＴｒ２のＬＤＤ拡散領域３４を第３のＭＩＳトランジスタＴｒ３のＬＤＤ拡散領域４４と同条件で形成する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a first impurity diffusion region and a second impurity diffusion region of a first conductivity type.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板上に設けられた第１の第１導電型不純物拡散領域と第２の第１導電型不純物拡散領域とを有する。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE MATERIAL例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極３の中抜き部分内のソース拡散領域３を除外した箇所に、高濃度Ｐ型のボディーコンタクト用拡散領域９を形成する。 - 特許庁

In the n+ diffusion region 4a of the protective diode 1, an i-diffustion region 12 is formed at the bottom surface part of the n+ diffusion region 4a, by using an ion implantation method or the like.例文帳に追加

保護ダイオード１のｎ＋拡散領域４ａには、イオン注入法等を用いて、ｎ＋拡散領域４ａの底面部にｉ拡散領域１２が形成されている。 - 特許庁

A diffusion region of a light distribution pattern for a low beam is formed by the light reflected from the optical axis side region to ensure sufficient brightness in the diffusion region.例文帳に追加

そして、この光軸側方領域からの反射光によりロービーム用配光パターンの拡散領域を形成させ、該拡散領域に十分な明るさを確保する。 - 特許庁

Consequently, a crystal defect due to re-crystallization can be prevented at a border part between a lightly-doped impurity diffusion region and a heavily-doped diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

The contact 107 is not formed in the high-density P-type diffusion region 106.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６には、コンタクト１０７は形成されない。 - 特許庁

With the gate electrode 6 as a mask, a pair of high-concentration diffusion region 8 of a second conductive type which is higher in concentration than the second low-concentration diffusion region 3 is formed.例文帳に追加

そして、ゲート電極６をマスクとして、第２低濃度拡散領域３よりも高濃度の第２導電型の一対の高濃度拡散領域８を形成する。 - 特許庁

Consequently, a the occurrence of crystal defect resulting from re-crystallization is prevented at a boundary portion between a low-concentration impurity diffusion region and a high-concentration impurity diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

An n^- impurity diffusion region 4 is formed to cover a source region 3.例文帳に追加

ｎ^-不純物拡散領域４がソース領域３を覆うように形成されている。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁