「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, mechanical working such as peening and rolling is performed to establish a residual stress region 24 that extends through the metallic layer 16, the diffusion region, and at least partially into the titanium substrate 14.例文帳に追加

その後、ピーニングや圧延などの機械加工によって、金属層１６、拡散領域さらには少なくとも部分的にチタン基材１４の内部まで延びるような残留応力領域２４をつくる。 - 特許庁

The gas diffusion electrode of the present invention comprises a gas diffusion region and a catalyst presence region, and contains carbon fiber having an aspect ratio of 200 or more in the catalyst presence region.例文帳に追加

本発明のガス拡散電極は、ガス拡散領域と触媒存在領域とを備えるガス拡散電極であって、前記触媒存在領域にアスペクト比が２００以上の炭素繊維を含有している。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive type as a source 26 and a drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

ソース２６とドレイン２８と同一の導電型で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

The end of the gate electrode 14 at the side of the second source diffusion region 72S is positioned in the vicinity of a boundary surface between the first and second source diffusion regions 71S and 72S.例文帳に追加

上記第１ソース拡散領域部７1Ｓと上記第２ソース拡散領域部７２Ｓとの境界面近傍には、上記ゲート電極１４の上記第２ソース拡散領域部７２Ｓ側の端部が位置する。 - 特許庁

The membrane type air diffusion device is provided with a bag-shaped body 2 obtained by joining sheet-shaped members 5, 6, and an air diffusion region 7 provided at least at the upper face part of the bag-shaped body 2 is composed of an air-permeable sheet-shaped member 6.例文帳に追加

シート状部材５、６を接合してなる袋状体２を備え、袋状体２の少なくとも上面部に設ける散気領域７が通気性のシート状部材６からなる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a plurality of unit pixels arrayed which consist of: a storage well 2 for accumulating electric charges generated by a photoelectric conversion element with incident light; a transfer control element region TT for transferring electric charges to a floating diffusion region; and an output transistor Tm for outputting pixel signals amplified using the electric charges transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。 - 特許庁

The vertical transistor has a semiconductor region, a columnar region provided on the semiconductor region, a gate insulating film provided covering a side face of the columnar region, a gate electrode provided on the gate insulating film, a first impurity diffusion region provided over the columnar region, and a second impurity diffusion region provided in the semiconductor region to surround the columnar region.例文帳に追加

縦型トランジスタは、半導体領域と、半導体領域上に設けられた柱状領域と、柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、柱状領域の上部に設けられた第１の不純物拡散領域と、半導体領域内に柱状領域を囲むように設けられた第２の不純物拡散領域と、を有する。 - 特許庁

A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.例文帳に追加

ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁

This is because holes generated due to an inter-band tunnel effect are attracted to the word gate by negative potential on the junction end portion of a right diffusion region 42 and further accumulated under a target control gate 62.例文帳に追加

これは、右側の拡散領域４２の接合端部でバンド間トンネル効果により発生するホールが負の電位によってワードゲートの方に引き寄せられ、目標制御ゲート６２の下に更に蓄積されるからである。 - 特許庁

Moreover, a lightly-doped diffusion region (801), which is formed within the region (R1) and is extended under the structure (G2), is formed and this region (801) comprises various resistors in parallel to the structure (G2).例文帳に追加

この方法はまた、第１ソース／ドレイン領域内に形成されてゲート構造の下に延びる軽ドープ拡散領域（８０_1）を形成し、この軽ドープ拡散領域はゲート構造に平行な方向にいろいろな抵抗を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus of which the dynamic range can be expanded by fully utilizing the capacity of a capacitor region provided separately from a floating diffusion region, and to provide camera employing the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域と別に設けたコンデンサ領域の容量を十分に活用してダイナミックレンジを拡大することができる固体撮像装置及びその固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁

This can reduce the distance between the transfer gate electrode 123 and a point of the photoelectric conversion part 110 at which the potential is highest, and thereby improving the efficiency of transmitting charges to the floating diffusion region 131.例文帳に追加

これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 - 特許庁

In a CO selective oxidation apparatus 830, there are provided a diffusion region 832 into which a reformed gas after CO conversion and a CO selective oxidation reaction region filled with a CO selective oxidation catalyst in communication with each other.例文帳に追加

ＣＯ選択酸化器830の内部に、ＣＯ変成後の改質ガスが流入する拡散領域832およびＣＯ選択酸化触媒を充填するＣＯ選択酸化反応領域をそれぞれ連通して設ける。 - 特許庁

A first conductivity type first impurity diffusion region 16 is formed along a plane facing the channel region of the source region and the drain region and has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration.例文帳に追加

第１導電型の第１不純物拡散領域１６は、ソース領域およびドレイン領域のそれぞれのチャネル領域と面する面に沿って形成され、第１不純物濃度より高い第２不純物濃度を有する。 - 特許庁

An atom for accelerating an oxidation is injected into an uppper oxide film 4 of the source region 2 and the drain region 3, and a low concentration diffusion region segregated by an impurity is formed as offset regions 2a, 3a.例文帳に追加

ソース領域２、ドレイン領域３の上部酸化膜４に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域２ａ、３ａとして形成されている。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域２９の不純物濃度を、同一基板１上に集積される微細ＣＭＯＳデバイスのＮ−ＬＤＤ領域３１と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁

Since the resistor may be a diffusion region between p^- regions of the two variable capacity diodes, or may be polysilicon arranged on a chip, the resistor can be incorporated in the variable capacity diode while keeping the chip size of the diode as it is.例文帳に追加

抵抗は可変容量ダイオードのｐ−領域間に拡散領域にて形成するか、ポリシリコンでチップ上に配置できるので、可変容量ダイオードのチップサイズを維持したまま抵抗を内蔵させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate 1011, a fine particle diffusion region 1012, an SiO2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n-type polycrystalline silicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided in the order of lower part.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2 膜1015、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.例文帳に追加

更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

Gate electrodes 8a and 8b are formed on the P- type diffusion region 5a positioned between the N+ type diffusion regions 6a and 6b and the N- type epitaxial layer 2 through a gate insulating film.例文帳に追加

Ｎ＋型拡散領域６ａ、６ｂとＮ−型エピタキシャル層２との間に位置するＰ型拡散領域５ａ上にゲート絶縁膜を介在させてゲート電極部８ａ、８ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

A wavelength filter 210 covering the diffusion region 204 is, for example, a compound semiconductor thin film having a thickness of 7 μm consisting of InGaAsP having an absorption edge wavelength of 1.4 μm, and bonded using resin 211.例文帳に追加

拡散領域２０４を覆う波長フィルタ２１０は、例えば吸収端波長１．４μｍのＩｎＧａＡｓＰよりなる厚さ７μｍの化合物半導体薄膜であり、樹脂２１１によって接着されている。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 1 is formed as a drain region, a P type body diffusion region 2 is formed in the epitaxial layer 1, and a hollow gate electrode 3 is formed so that the plane shape is polygonal.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層１をドレイン領域とし、そのエピタキシャル層１内にＰ型のボディー拡散領域２を形成し、平面形状が多角形となるように中抜きされたゲート電極３を形成する。 - 特許庁

To provide a radio transmitter-receiver, a radio transmitting-receiving method and its program which confines coded outputs for the transmission diversity within one diffusion region and improves the resistance against Doppler frequencies.例文帳に追加

送信ダイバーシチ用符号化出力を１つの拡散領域内に収め、ドップラー周波数に対する耐力を向上させることが出来る無線送受信機及び無線送受信方法並びにそのプログラムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the area of the part of the anode electrode 3 formed with the insulating film 9 interposed is smaller than the area of the insulating film 9 on the surface of the outer circumferential portion 8 of the anode diffusion region 2.例文帳に追加

、前記アノード拡散領域２の外周部８の表面の絶縁膜９の面積より、該絶縁膜９を介して形成されるアノード電極３部分の面積が小さい半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage that prevents a machined shape in a diffusion region from varying easily for reducing variation in the characteristics of a transistor, and can achieve high integration in a CMOS-type SRAM memory.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、拡散領域の加工形状が変動しにくく、その結果としてトランジスタの特性ばらつきが少なく、高集積化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A single/poly 2T PMOS memory cell 10 comprises a PMOS floating gate (FG) transistor 16 and a PMOS selection gate (SG) transistor 18, which share a drain/source p+ diffusion region 22.例文帳に追加

複数回プログラミング用のシングルポリ・２Ｔ・ＰＭＯＳメモリセル１０は、ドレイン／ソースｐ＋拡散領域２２を共有している、ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ１６と、ＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ１８とを備えている。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes: a first conduction-type semiconductor substrate defined in an active region and an element isolation region; an element isolation film formed in the element isolation region of the semiconductor substrate; a second conduction-type diffusion region formed in the active region of the semiconductor substrate; and a first conduction-type doping region and insulation film formed between the element isolation film and the second conduction-type diffusion region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、アクティブ領域と素子分離領域とで定義された第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の素子分離領域に形成される素子分離膜と、前記半導体基板のアクティブ領域に形成される第２導電型の拡散領域と、前記素子分離膜と第２導電型の拡散領域との間に形成される第１導電型のドーピング領域及び絶縁膜とを含む。 - 特許庁

The edge part of the semiconductor layer (intrinsic region 3) in a current direction is formed into a P+ diffusion region, so the edge part serves as an anode electrode 6 to prevent a current determining the performance of the optical sensor element from flowing through the edge part.例文帳に追加

電流方向における半導体層（真性領域３）のエッジ部分をＰ＋拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極６となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。 - 特許庁

A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加

転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。 - 特許庁

A silicide film 6a is formed in the surface on one end side of the n^+ diffusion region 11, a silicide film 6b is formed in the surface on the other end side, and metal plugs 7 and 7 are formed on the silicide films 6a and 6b, respectively.例文帳に追加

そして、Ｎ^+拡散領域１１の一端側の表面内にシリサイド膜６ａが形成され、他端側の表面内にシリサイド膜６ｂが形成され、シリサイド膜６ａ，６ｂ上に金属プラグ７，７がそれぞれ形成される。 - 特許庁

The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.例文帳に追加

第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁

Each of the plurality of the first transmission transistors transmits a plurality of electric charges formed under each of the first photo gates of the plurality of pairs of photo gates to the first shared floating diffusion region according to a first control signal.例文帳に追加

複数の第１伝送トランジスタのそれぞれは、第１制御信号に応答して、複数のフォトゲート対のそれぞれの第１フォトゲート下に形成された複数の電荷を第１共有フローティングディフュージョン領域に伝送する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be reduce the capacitance, such as the gate electrode-drain wiring capacitance, gate electrode-drain diffusion region capacitance, gate electrode-drain electrode capacitance, etc., and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極−ドレイン配線間容量、ゲート電極−ドレイン拡散領域間容量及びゲート電極−ドレイン電極間容量などの素子容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1011, a microparticle diffusion region 1012, an SiO_2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n polysilicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０１１上には、微粒子分散領域１０１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_２膜１０１５、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１０１６が下から順に設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device and its manufacturing method by executing thermal treatment with only a PSG film or a BSG film as the thermal diffusion source, a shallow low concentration source/drain diffusion region can be easily formed.例文帳に追加

ＰＳＧ膜もしくはＢＳＧ膜のいずれかのみを熱拡散源として熱処理を行うことにより、容易に浅い低濃度ソース・ドレイン拡散領域を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁