「"diffusion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Contact members 25 and 25 penetrate the interlayer insulating film 23 and the coating film 21 vertically above each source/drain diffusion region 13a, 13b and are connected electrically with the source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

各ソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂ上でそれぞれ層間絶縁膜２３と被覆膜２１とを上下方向に貫通してそのソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂに電気的に接続されたコンタクト部材２５，２５とを備える。 - 特許庁

A charge transfer path 13, a floating diffusion region 14 constituted of an n-type impurity region, an n-type buried region 16 and a reset drain region 15 are formed in a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

The high fusion temperature metallic silicide layer 140, which covers cover the P+ diffusion region 124 between gate electrodes 120A and 120B, is eliminated at two portions separating in the channel widthwise direction D and diffusion resistance regions 150A and 150B are formed.例文帳に追加

ゲート電極１２０Ａ，１２０Ｂ間のＰ^+拡散領域１２４を覆う高融点金属シリサイド層１４０はチャネル幅方向Ｄにて離れた２箇所にて除去され、拡散抵抗領域１５０Ａ，１５０Ｂが形成される。 - 特許庁

An insulated gate type semiconductor device having a trench gate forms a dummy trench by nearing to a trench gate, diffuses boron or the like from the bottom part, and forms a P+ diffusion region 112 so as to include the deepest part of the trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲートに近接してダミートレンチを形成し、その底部よりボロン等を拡散し、トレンチゲートの最深部を含むようにＰ＋拡散領域１１２ を形成した。 - 特許庁

A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.例文帳に追加

ドレイン拡散層１８及びソース拡散層１８のうちの少なくともドレイン拡散層１８の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域１４が素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion region 7 is formed on the surface of the epitaxial layer 2 within the bottom surface of the opening 6, and then a surface electrode 10 made of a metal film in contact with the epitaxial layer 2 at the bottom of the opening 6 is formed.例文帳に追加

次いで、開口部６の底面内でエピタキシャル層２の表面にｎ型拡散領域７を形成した後、開口部６の底部でエピタキシャル層２と接触する金属膜からなる表面電極１０を形成する。 - 特許庁

An n-type upper impurity diffusion region 115 with its peak concentration higher than that of an n-type drift layer 102 is formed in the region positioning between a collector region 110 and an emitter region 104 out of the surface part of the drift layer 102.例文帳に追加

ドリフト層１０２の表面部のうちコレクタ領域１１０とエミッタ領域１０４との間に位置する領域に、ピーク濃度がＮ型ドリフト層１０２よりも高いＮ型上部不純物拡散領域１１５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

A solid-state image pickup device is provided with a photodiode 1 where the n-type impurity region is formed in an active region 9, a transfer switch 2 transferring the optical signal charge and FD 3 (floating diffusion region) being a transfer destination of the optical signal charge.例文帳に追加

固体撮像装置は、アクティブ領域９にＮ型不純物領域を形成してなるフォトダイオード１と、光信号電荷を転送する転送スイッチ２と、光信号電荷の転送先であるＦＤ（浮遊拡散領域）３とを有する。 - 特許庁

A semiconductor storage device is configured of a semiconductor board 21 forming a trapezoidal step 21b, a first well 32, a gate electrode 38 fitted on the step through a gate oxide film 36, an impurity diffusion region 28, second wells 34a and 34b and the charge storage section 40.例文帳に追加

台状のステップ部21bが形成された半導体基板21と、第１ウェル32と、ステップ部上にゲート酸化膜36を介して設けられたゲート電極38と、不純物拡散領域28と、第２ウェル34a及び34bと、電荷蓄積部40とを備えて構成される。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

A process for etching a silicon oxide film 8 and TEOS films 9 and 20 on the surface of a diffusion region 4 of a collector region is separated from a process for etching TEOS films 12 and 20 on the surface of a base taking-out electrode 16.例文帳に追加

本発明では、コレクタ領域の拡散領域４表面のシリコン酸化膜８、ＴＥＯＳ膜９、２０をエッチングする工程と、ベース取り出し電極１６表面のＴＥＯＳ１２、２０膜をエッチングする工程とを別工程とする。 - 特許庁

A capacitive element 19 comprising a lower electrode 16, a capacitive dielectric film 17, and an upper electrode 18 is provided to be above a conductive plug 13 provided on a source diffusion region 30a of a MOS transistor 30.例文帳に追加

下部電極１６、容量絶縁膜１７及び上部電極１８からなる容量素子１９は、ＭＯＳトランジスタ３０のソース拡散領域３０ａ上に設けられた導電性プラグ１３のさらに上方に位置するように設けられている。 - 特許庁

The first conductive layer connects to the first and second high concentration diffusion regions, and a second conductive layer electrically contacts and connects to the third high concentration diffusion region.例文帳に追加

フィールド酸化層は、第一高濃度拡散区、第二高濃度拡散区と第三、第四高濃度拡散区を隔離し、第一導電層は、第一及び第二高濃度拡散区を連接し、第二導電層は、第三高濃度拡散区と接触して電気連接する。 - 特許庁

To improve the degree of attraction of flying insects by enlarging a diffusion region of light emitted to the outside of an insect trapping lamp and, and at the same time, prevent viewing of trapped flying insects inside of a case through the opening when viewed obliquely from under.例文帳に追加

誘虫ランプからケースの外に出る光の拡散領域を拡大することにより、飛翔昆虫の誘引率を上げると同時に、斜め下方から見ても開口部からケース内部の捕獲された飛翔昆虫が目視されるのを防止する。 - 特許庁

In the high voltage resistant p-channel MOS transistor formed on an SOI substrate, p^+-source regions 8, an n-type body region 4, and an n^+-body/contact diffusion region 10 are surrounded by a p^+-drain region 9 and a p-type drift region 5.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成される高耐圧ＰｃｈＭＯＳトランジスタであって、Ｐ^＋ソース領域８、Ｎ型ボディ領域４およびＮ^＋ボディ・コンタクト拡散領域１０を、Ｐ^＋ドレイン領域９およびＰ型ドリフト領域５で包囲している。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide an incandescent lamp for an automobile capable of shining the reflection surface of a headlight, or the reflection surface of a reflection mirror disposed as surrounding the incandescent lamp, yellowish green when viewing the headlight from the diffusion region.例文帳に追加

拡散領域からヘッドランプを見た場合に、ヘッドランプの反射面、すなわち白熱電球を取り囲むように配置された反射鏡の反射面を黄緑色に光らせることができる自動車用白熱電球を提供することにある。 - 特許庁

On the other hand, in a peripheral circuit region 10B, a contact plug 212 is formed in the BPSG film 181 for electric connection between the gate electrode 142 and the diffusion region 171B, and the wiring pattern 222 formed in the BPSG film 182.例文帳に追加

一方、周辺回路領域１０ＢにおいてはＢＰＳＧ膜１８１に、ゲート電極１４２及び前記拡散領域１７１Ｂと、ＢＰＳＧ膜１８２に形成された配線パターン２２２との間の電気的接続のため、コンタクトプラグ２１２を形成する。 - 特許庁

With respect to two MOSFETs, to the gate, each a differential input terminal is connected, the two gates are arranged almost collinearly, and the sources of the two MOSFETs are formed in the same silicified diffusion region.例文帳に追加

差動入力端子がそれぞれのゲートに接続された２つのＭＯＳＦＥＴにおいて、２つのゲートをほぼ同一直線状に配置し、前記２つのＭＯＳＦＥＴのソースを同一の拡散層領域で形成し、該拡散層領域をシリサイド化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MIS transistor provided with an FUSI gate electrode and the polysilicon resistor, a part provided in a contact formation region of the polysilicon resistor is silicified simultaneously with the gate electrode or an impurity diffusion region.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート電極とポリシリコン抵抗体とを有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン抵抗体のうちコンタクト形成領域に設けられた部分は、ゲート電極または不純物拡散領域と同時にシリサイド化される。 - 特許庁

The size of a diffusion plate 103b forming an optical sheet 134 of the backlight device 103 is made smaller than an irradiation opening Do in a diffusion region D, and the diffusion plate 103b is not provided in the vicinity of the end portion of the irradiation opening Do.例文帳に追加

バックライト装置１０３の光学シート１３４を構成する拡散板１０３ｂの大きさを拡散領域Ｄの照射口Ｄｏより小さくし、照射口Ｄｏの端部近傍には拡散板１０３ｂが備わらない構成とする。 - 特許庁

A low-concentration diffusion region is such that a first part 3a coming into contact with the element isolation region 6 is as deep as or shallower than the element isolation region 6, and a second part 3b on a side of a gate electrode 1 as compared with the first part 3a is deeper than the element isolation region 6.例文帳に追加

低濃度拡散領域は、素子分離領域６に接する第１部分３ａは素子分離領域６と同じ深さであるか又はそれよりも浅く、第１部分３ａよりもゲート電極１側の第２部分３ｂは素子分離領域６よりも深い。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

Transistors in the memory cell forming region 25 are insulated and isolated by a shallow first STI 28, a guard ring diffusion region 32 is formed in a peripheral boundary region 26 and a peripheral circuit region 27, and it is insulated and isolated by a deep second STI 29.例文帳に追加

メモリセル形成領域２５の各トランジスタは、浅い第１ＳＴＩ２８で絶縁分離され、周辺の境界領域２６および周辺回路領域２７にはガードリング拡散領域３２が形成され、深い第２ＳＴＩ２９で絶縁分離されている。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

A distance Wm_2 between buried regions 44a which are located on the bottom faces of different base diffusion regions 17a and face each other is made smaller than a distance Wm_1 between buried regions 44a which are located on the bottom face of one and the same base diffusion region 17a (Wm_1>Wm_2).例文帳に追加

同じベース拡散領域１７ａ底面に位置する埋込領域４４ａ相互間の距離Ｗｍ_1よりも、異なるベース拡散領域１７ａ底面に位置し、互いに対面する埋込領域４４ａ間の距離Ｗｍ_2を小さくする(Ｗｍ_1＞Ｗｍ_2)。 - 特許庁

To sufficiently ensure brightness of a diffusion region of a light distribution pattern after reducing the longitudinal length of a lamp unit, in a vehicular headlamp which is structured to form a predetermined light distribution pattern by light irradiation from a projector type lamp unit.例文帳に追加

プロジェクタ型の灯具ユニットからの光照射により所定の配光パターンを形成するように構成された車両用前照灯において、灯具ユニットの前後長を短くした上で、配光パターンの拡散領域の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate of which an abrasive trace is formed on a surface; and a part of a dopant diffusion region that extends along the abrasive trace, forming an angle to the abrasive trace within a range of -5° to +5°.例文帳に追加

半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域が砥粒痕の伸長方向と為す角度が−５°〜＋５°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The parameter determining unit specifically determines parameters on mechanical stress applied to a transistor having a gate serving as a gate electrode according to the layout pattern of a plurality of gates when the gates are provided in the same diffusion region.例文帳に追加

パラメータ決定手段は、同一の拡散領域内に複数のゲートが設けられている場合において、ゲート電極として機能するゲートを有するトランジスタにかかる機械的応力に関するパラメータを、複数のゲートのレイアウト形状に応じて一意に決定する。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

For this semiconductor electron beam detector, an electron beam detection part formed of a P-type diffusion region is arranged on the surface of an N-type first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate is arranged at least on the electron beam detection part.例文帳に追加

本発明の半導体電子線検出器は、Ｎ型である第１の半導体基板の表面上に、Ｐ型拡散領域によって形成された電子線検出部が配置され、第２の半導体基板が少なくとも前記電子線検出部の上に配置される。 - 特許庁

The semiconductor device has a drain drift region including a RESURF region formed on a semiconductor substrate, the drain drift region and/or the RESURF region having a diffusion region having a lower surface in a wave shape in a gate width direction.例文帳に追加

半導体基板上に形成したリサーフ領域を含むドレインドリフト領域を備える半導体装置であり、ドレインドリフト領域及び／又はリサーフ領域がゲート幅方向に波型（ウェーブ）状の下面形状の拡散領域を有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The device is equipped with at least one light source (S) which irradiates a light guide having a diffusion region which diffuses the light propagating inside toward the outside locally, or a reflecting region which reflects the light, or both regions at a part of the faces.例文帳に追加

内部を伝搬する光が外部に向かって局部的に拡散するような拡散領域、若しくは反射するような反射領域、又は両方の領域を面の一部に有している光ガイドを照射する少なくとも１つの光源（Ｓ）を備えている。 - 特許庁

In the reverse blocking insulated gate type bipolar transistor of which the substrate thickness is equal to 150 μm or less, a trench 23 formed on a first main surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

An impurity diffusion region for forming an element is formed on one surface of a water-shaped semiconductor substrate 30, and the substrate 30 is formed with a predetermined thickness being ground from the opposite face, and etched to a predetermined depth so as to be made thin excluding the outer periphery.例文帳に追加

ウエハ状の半導体基板３０における一方の面の表層部に素子形成用不純物拡散領域を形成し、その反対の面から研削加工して基板３０を所定の厚さにし、外周部を残して所定深さまでエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とＣＭＰ処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁

The backlight assembly 40 includes a light source 41 which emits light, and an incident face 101 of the light onto which the light emitted from the light source 41 is made incident, and which guides the light, and a diffusion region of the light is formed on the incident face 101 of the light.例文帳に追加

バックライトアセンブリー４０は、光を出射する光源４１、及び光源４１から出射された光が入射されて、当該光を案内する光の入射面１０１を含み、前記光の入射面１０１には光の拡散領域が形成される。 - 特許庁

By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加

約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁

In a two-transistor PMOS memory cell 40, having a PMOS floating gate (FG) transistor 40a and a PMOS selection gate (SG) transistor 40b, the drain of the FG transistor and the source of the selecting gate transistor are formed by a common P+ diffusion region 48 formed in an N-well 42.例文帳に追加

ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ（４０ａ）とＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ（４０ｂ）とを有する２トランジスタＰＭＯＳメモリセル（４０）において、ＦＧトランジスタのドレインとＳＧトランジスタのソースはＮ−ウェル（４２）内に形成された共通のＰ＋拡散領域（４８）により形成される。 - 特許庁